認(rèn)證系統(tǒng)及方法
【專利摘要】在一個實施例中，認(rèn)證系統(tǒng)包括具有數(shù)據(jù)存儲芯片的供應(yīng)設(shè)備，所述數(shù)據(jù)存儲芯片具有標(biāo)識（ID）位存儲器單元。ID位存儲器單元包括測量單元、存儲指向測量單元的地址信息的指針單元、以及存儲關(guān)于測量單元的工廠測量模擬信息的模擬單元。
【專利說明】認(rèn)證系統(tǒng)及方法
【背景技術(shù)】
[0001]許多系統(tǒng)具有對于系統(tǒng)的運(yùn)作而言必要的可替換組件。可替換組件通常是包含隨著系統(tǒng)的每次使用而耗盡的可消耗材料的設(shè)備。此類系統(tǒng)可以包括例如使用可替換電池的蜂窩電話、從可替換供應(yīng)設(shè)備分發(fā)藥品的醫(yī)療系統(tǒng)、從可替換供應(yīng)墨盒分發(fā)液體(例如，油墨)或調(diào)色劑的打印系統(tǒng)等。驗證可替換設(shè)備是來自合法制造商的可信設(shè)備能夠有助于系統(tǒng)用戶避免與非故意使用有缺陷和/或偽造的設(shè)備關(guān)聯(lián)的問題。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0002]現(xiàn)在將參考附圖以示例的方式來描述本實施例，在所述附圖中:
圖1示出根據(jù)實施例的包括基本單元和可替換供應(yīng)設(shè)備的認(rèn)證系統(tǒng)；
圖2示出根據(jù)實施例的適于在數(shù)據(jù)存儲芯片中實現(xiàn)的一串ID位存儲器單元的示例； 圖3不出根據(jù)實施例的體現(xiàn)為嗔墨打印系統(tǒng)的認(rèn)證系統(tǒng)；
圖4示出根據(jù)實施例的示例性噴墨盒的透視圖；
圖5和6示出圖示根據(jù)實施例的示例性認(rèn)證方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0003]問題和解決方案的概要
如上所述，驗證用在某些系統(tǒng)中的可替換設(shè)備的可信性能夠有助于系統(tǒng)用戶避免與非故意使用有缺陷和/或偽造的設(shè)備關(guān)聯(lián)的問題。例如，在采用可替換調(diào)色劑或墨盒的打印系統(tǒng)中，無意中使用偽造的盒會導(dǎo)致從低質(zhì)量打印輸出變動到會破壞打印系統(tǒng)的滲漏盒的各種問題。
[0004]認(rèn)證可替換設(shè)備的現(xiàn)有方法包括了在設(shè)備上的數(shù)據(jù)芯片中存儲標(biāo)識數(shù)據(jù)，以及然后當(dāng)將設(shè)備插入系統(tǒng)時，驗證標(biāo)識數(shù)據(jù)是正確的。例如，在打印系統(tǒng)中，打印盒能夠包含具有利用邏輯“I”(高)或邏輯“O”(低)的數(shù)字值來預(yù)編寫的標(biāo)識(ID)位存儲器單元的數(shù)據(jù)存儲芯片。當(dāng)將打印盒插入到打印機(jī)系統(tǒng)中時，打印機(jī)控制器通過讀(即，測量)ID位存儲器單元中的邏輯值并且將其與閾值相比較來查看它們是否匹配于被預(yù)編寫到存儲器單元中的預(yù)期邏輯值而確定該盒是否可信。因而，被用于該認(rèn)證方法中的閾值準(zhǔn)則僅確定ID位存儲器單元是包含邏輯高值還是邏輯低值。然而，當(dāng)被測量時，具有明顯電氣缺陷或已經(jīng)被不適當(dāng)?shù)匦薷?例如，由偽造者)的ID位單元也將返回邏輯高或邏輯低值。因而，該認(rèn)證方法不總是恰當(dāng)?shù)貦z測被破壞和/或不適當(dāng)?shù)匦薷牡腎D位，這會導(dǎo)致一些可替換設(shè)備的不正確的認(rèn)證。
[0005]本公開的實施例提供通常通過使用與可替換設(shè)備唯一地關(guān)聯(lián)的模擬序列號來認(rèn)證可替換系統(tǒng)供應(yīng)設(shè)備的健壯的認(rèn)證系統(tǒng)及方法。被編碼在供應(yīng)設(shè)備的數(shù)據(jù)存儲芯片中的模擬序列號包含關(guān)于經(jīng)由芯片唯一地標(biāo)識供應(yīng)設(shè)備的芯片的特定物理參數(shù)的信息。在數(shù)據(jù)存儲芯片的制造期間，為芯片上的一串ID位存儲器單元內(nèi)的特定存儲器單元而測量諸如電氣特性之類的物理參數(shù)。將物理參數(shù)的測量模擬值數(shù)字地編碼到該串ID位存儲器單元的一些單元中。在制造之后，在現(xiàn)場中的典型操作期間，接收可替換設(shè)備的認(rèn)證系統(tǒng)通過ID位存儲器單元中所存儲的地址指針來定位特定的存儲器單元，并且其測量特定存儲器單元的物理參數(shù)的值。系統(tǒng)將現(xiàn)場中所測量的物理參數(shù)的值與制造期間所測量并編碼到ID位存儲器單元中的值相比較。如果現(xiàn)場中所測量的值匹配于制造期間所編碼的值(即，在給定的寬容度內(nèi))，那么認(rèn)證系統(tǒng)認(rèn)證該可替換供應(yīng)設(shè)備。如果所述值不匹配，那么認(rèn)證系統(tǒng)提供該可替換供應(yīng)設(shè)備是有缺陷的、被破壞的、或以其它方式不可信的通知(通過系統(tǒng)用戶接口)。采用該方式，為ID位串內(nèi)的特定存儲器單元而測量的物理參數(shù)的模擬值充當(dāng)唯一地標(biāo)識供應(yīng)設(shè)備的用于該供應(yīng)設(shè)備的模擬序列號。
[0006]在一個實施例中，例如，一種認(rèn)證系統(tǒng)包括具有數(shù)據(jù)存儲芯片的供應(yīng)設(shè)備，所述數(shù)據(jù)存儲芯片具有標(biāo)識(ID)位存儲器單元。ID位存儲器單元包括測量單元、存儲指向測量單元的地址信息的指針單元、以及存儲關(guān)于測量單元的工廠模擬信息的模擬單元。在一個實現(xiàn)中，該系統(tǒng)還包括接收供應(yīng)設(shè)備的基本單元和集成到基本單元中的控制器?？稍诳刂破魃蠄?zhí)行的認(rèn)證算法使用地址信息來定位測量單元，并且針對現(xiàn)場模擬信息對測量單元進(jìn)行測量。該算法將工廠和現(xiàn)場模擬信息相比較，并且對供應(yīng)設(shè)備認(rèn)證工廠和現(xiàn)場模擬信息是否匹配。
[0007]在另一個實施例中，一種認(rèn)證方法包括將來自數(shù)據(jù)存儲芯片上的一串標(biāo)識(ID)位存儲器單元的特定單元指定為測量單元，將測量單元的地址編碼到ID位存儲器單元中，以及對測量單元的模擬值進(jìn)行測量。該方法進(jìn)一步包括將模擬值編碼到ID位存儲器單元中。
[0008]在另一個實施例中，一種認(rèn)證方法包括接收具有標(biāo)識(ID)位存儲器單元的可替換設(shè)備，并且定位用于ID位存儲器單元內(nèi)的測量單元的地址。測量單元的工廠測量模擬值被編碼在ID位存儲器單元內(nèi)，并且測量單元被測量以確定該測量單元的現(xiàn)場測量模擬值。如果工廠測量和現(xiàn)場測量模擬值相匹配，則認(rèn)證該可替換設(shè)備，并且如果工廠測量和現(xiàn)場測量模擬值不匹配，則提供該可替換設(shè)備不可信的通知。
[0009]說明性實施例
圖1示出根據(jù)本公開的實施例的包括基本單元102和可替換供應(yīng)設(shè)備104的認(rèn)證系統(tǒng)100。系統(tǒng)100的基本單元102包括控制器106，其通常包括標(biāo)準(zhǔn)計算系統(tǒng)的組件，諸如處理器、存儲器、固件、以及用于控制認(rèn)證系統(tǒng)100的一般功能和用于控制并與供應(yīng)設(shè)備104進(jìn)行通信的其它電子器件。在一個實現(xiàn)中，控制器106執(zhí)行認(rèn)證算法108以確定可替換供應(yīng)設(shè)備104的可信性。供應(yīng)設(shè)備104包括具有利用數(shù)字邏輯值“I”(高)或“O”(低)來預(yù)編寫的多個標(biāo)識(ID)位存儲器單元112的數(shù)據(jù)存儲芯片110。在該串ID位存儲器單元112中存儲的數(shù)字值通常提供關(guān)于供應(yīng)設(shè)備104的性質(zhì)的信息。例如，存儲器單元112可以存儲指示供應(yīng)設(shè)備104的類型、在供應(yīng)設(shè)備內(nèi)包含的材料的類型、在供應(yīng)設(shè)備內(nèi)包含的材料的性質(zhì)和/或使用特性的信息。
[0010]圖2示出根據(jù)本公開的實施例的適于在數(shù)據(jù)存儲芯片110中實現(xiàn)的一串ID位存儲器單元112的示例。為了促進(jìn)該描述的目的，示出了圖2的該串ID位存儲器單元112中所示出的存儲器單元及其關(guān)聯(lián)的地址位置的數(shù)量，并且其不意在指示可以被實現(xiàn)在數(shù)據(jù)存儲芯片110內(nèi)的一串ID位存儲器單元112中的存儲器單元或地址位置的實際數(shù)量。一串ID位存儲器單元112中的存儲器單元的實際數(shù)量可以變化，但通常大于圖2中所示出的單元的數(shù)量。組成數(shù)據(jù)存儲芯片110上的該串ID位存儲器單元112的單元的類型可以變化。此外，該串ID位存儲器單元112可以包括多于一種類型的存儲器單元。可以適于在數(shù)據(jù)存儲芯片110上實現(xiàn)的ID位存儲器單元的實際類型包括但不限于MROM單元、PROM單元、EPROM單元、EEPROM單元、熔絲等。
[0011]數(shù)據(jù)存儲芯片110上的該串ID位存儲器單元112包括被稱為地址指針單元114的一組單元。在一個實施例中，從一個數(shù)據(jù)存儲芯片Iio到另一個，地址指針單元114處于相同的地址位置處。在其它實施例中，從一個數(shù)據(jù)存儲芯片110到另一個，地址指針單元114可以處于變化的地址位置處。圖2中所示出的地址指針單元114的數(shù)量僅為了討論的目的而提供，并不意在限制可以被用作地址指針單元114的單元的實際數(shù)量。因而，在其它實現(xiàn)中，可以存在比圖2中所示出的更多或更少數(shù)量的地址指針單元114。地址指針單元114的數(shù)量可以至少部分地依賴于該串ID位存儲器單元112中的存儲器單元的總數(shù)量。
[0012]在數(shù)據(jù)存儲芯片110的制造期間，地址指針單元114利用數(shù)字邏輯值“I”(高)或“O”(低)來編寫。地址指針單元114中編寫的值傳達(dá)指向該串ID位存儲器單元112內(nèi)的特定單元(稱為測量單元116)的地址。從一個數(shù)據(jù)存儲芯片110到另一個，地址指針單元114指向的測量單元116的地址位置不相同。然而，因為測量單元116是該串ID位存儲器單元112內(nèi)的單元之一，所以其地址位置被限于在該串ID位存儲器單元112內(nèi)找到的那些地址位置。例如，圖2中所示出的地址指針單元114利用數(shù)字值1101101來編寫。這些數(shù)字位與該串ID位存儲器單元中的地址109相對應(yīng)。因而，地址指針單元114指向作為測量單元116的位置的地址109。然而，在不同的數(shù)據(jù)存儲芯片中，地址指針單元114可以利用各種其它的數(shù)字值來編寫，從而指向用于測量單元116的該串ID位存儲器單元112內(nèi)的各種其它地址位置。
[0013]數(shù)據(jù)存儲芯片110上的該串ID位存儲器單元112還包括被稱為模擬信息單元118的一組單元。在不同的實施例中，從一個數(shù)據(jù)存儲芯片Iio到另一個，模擬信息單元118可以位于變化的地址位置處。此外，雖然圖2中的模擬信息單元118被示出處于鄰近的地址位置處，但在其它實施例中，它們可以遍及該串ID位存儲器單元112而分散，以使得每個模擬信息單元118的地址不鄰近于下一模擬信息單元118的地址。
[0014]模擬信息單元118采用數(shù)字邏輯值(“I”(高)或“O”(低))的形式來存儲關(guān)于測量單元116的模擬信息。模擬信息通常包括測量單元116的電氣特性的測量模擬值。例如，模擬信息可以是諸如單元兩端的電壓、單元的阻抗、單元的電阻、單元的電容、單元的電感、其一些數(shù)學(xué)組合或比等之類的電氣特性的模擬值。通常，可以在模擬信息單元118內(nèi)編碼(即，存儲)測量單元116的常見電氣特性中的任何一個或多個的值或者其組合或變形。圖2中所示出的模擬信息單元118的數(shù)量僅為了討論的目的而提供，并不意在限制可以被用作模擬信息單元118的實際單元數(shù)量。因而，在其它實現(xiàn)中，可以存在比圖2中所示出的更多或更少數(shù)量的模擬信息單元118。所使用的模擬信息單元118的數(shù)量部分地依賴于針對所編碼的模擬信息而期望的解析度。
[0015]在數(shù)據(jù)存儲芯片110的制造期間，為測量單元116而測量諸如電氣特性之類的物理參數(shù)的值(即，模擬信息)。在一個實施例中，將電氣特性的該“工廠測量”值直接編碼到模擬信息單元118中。被編碼到模擬信息單元118中的電氣特性的工廠測量值提供與芯片被集成在其中的特定可替換供應(yīng)設(shè)備104的數(shù)據(jù)存儲芯片110唯一地關(guān)聯(lián)的模擬序列號。
[0016]參考圖1和2，在一個實施例中，該唯一關(guān)聯(lián)能夠?qū)崿F(xiàn)可在基本單元102的控制器106上執(zhí)行的認(rèn)證算法108，以確定可替換供應(yīng)設(shè)備104的可信性。在制造之后并且在現(xiàn)場中的正常操作期間，當(dāng)認(rèn)證系統(tǒng)100接收到可替換供應(yīng)設(shè)備104時，認(rèn)證算法108確定設(shè)備104是否可信。更具體地，認(rèn)證算法108執(zhí)行以控制在現(xiàn)場中的正常操作期間對測量單元116的電氣特性的值進(jìn)行測量的測量電路122。在一個實施例中，測量電路122能夠是模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器電路，并且可以包括電流源124。算法108首先通過從地址指針單元114讀地址來定位測量單元116的地址。算法108然后控制測量電路122以將電流從電流源124供應(yīng)到測量單元116，并且以測量先前在制造期間在工廠中所測量的測量單元116的相同電氣特性的值。因而，在一個實施例中，首先在制造期間對測量單元116的電氣特性進(jìn)行測量以確定“工廠測量”值，并且在制造之后在現(xiàn)場中的正常操作期間再次對其進(jìn)行測量以確定“現(xiàn)場測量”值。
[0017]除了針對電氣特性的現(xiàn)場測量值而對測量單元116進(jìn)行測量之外，認(rèn)證算法108訪問先前被編碼在該串ID位存儲器單元112內(nèi)的模擬信息單元118中的電氣特性的工廠測量值。算法108將現(xiàn)場測量值與先前編碼的工廠測量值相比較以確定它們是否匹配。如果現(xiàn)場測量值匹配于工廠測量值(即，在給定的寬容度內(nèi))，那么認(rèn)證算法108認(rèn)證該可替換供應(yīng)設(shè)備。然而，如果所述值不匹配，那么認(rèn)證算法108提供可替換供應(yīng)設(shè)備104是有缺陷的、被破壞的、或以其它方式不可信的通知(例如，通過認(rèn)證系統(tǒng)100的用戶接口)。采用該方式，為該ID位串內(nèi)的特定存儲器單元而測量的電氣特性的模擬值充當(dāng)唯一地標(biāo)識供應(yīng)設(shè)備的用于該供應(yīng)設(shè)備的模擬序列號，從而能夠?qū)崿F(xiàn)設(shè)備的可信性的驗證。
[0018]在另一個實施例中，在數(shù)據(jù)存儲芯片110的制造期間確定的關(guān)于測量單元116的電氣特性的值不直接被編碼到模擬信息單元118中。而是將該值的數(shù)學(xué)變形編碼到模擬信息單元118中。電氣特性值的此類數(shù)學(xué)變形的一個示例是該值關(guān)于為零參考單元120所測量的相同的值之比。在該實施例中，零參考單元120被包括在數(shù)據(jù)存儲芯片110上的該串ID位存儲器單元112中。零參考單元120是被編寫為諸如邏輯值“O”(低)的已知值的被用來校準(zhǔn)由測量電路122所進(jìn)行的測量的指定單元。在制造期間，測量單元116和零參考單元120這二者都針對其電氣特性值而被測量。來自測量單元116和參考單元120的值之比作為電氣特性的“工廠測量”值而被編碼到模擬信息單元118中。
[0019]在制造之后，在現(xiàn)場中的正常操作期間，當(dāng)認(rèn)證系統(tǒng)100接收到可替換供應(yīng)設(shè)備104時，認(rèn)證算法108采用與以上所討論的方式類似的方式來確定設(shè)備104是否可信。然而，在該實施例中，認(rèn)證算法108執(zhí)行以控制測量電路122來為測量單元116和參考單元120這二者測量電氣特性的值。算法108確定來自測量單元116和參考單元120的值之比，并且將該比用作電氣特性的“現(xiàn)場測量”值。如在先前所討論的實施例中，如果現(xiàn)場測量值(即，在現(xiàn)場中所測量的電氣特性值之比)匹配于工廠測量值(即，在制造期間所測量的電氣特性值之比)，那么認(rèn)證算法108認(rèn)證該可替換供應(yīng)設(shè)備。然而，如果所述值不匹配，那么認(rèn)證算法108提供可替換供應(yīng)設(shè)備104是有缺陷的、被破壞的、或以其它方式不可信的通知。
[0020]圖3示出根據(jù)本公開的實施例的體現(xiàn)為噴墨打印系統(tǒng)300的認(rèn)證系統(tǒng)100。在一個實施例中，噴墨打印系統(tǒng)300包括打印引擎302，其具有電子控制器304、安裝組裝件306、體現(xiàn)為墨盒308的一個或多個可替換供應(yīng)設(shè)備104、以及向噴墨打印系統(tǒng)300的各個電氣組件供電的至少一個電源310。墨盒308包括一個或多個打印頭314，每個都具有噴嘴316。打印引擎302還包括具有電流源124的測量電路122和在控制器304上存儲且可執(zhí)行的認(rèn)證算法108。打印系統(tǒng)300另外地包括介質(zhì)傳輸組裝件312。
[0021]圖4示出根據(jù)本公開的實施例的示例性噴墨盒308 (即，可替換供應(yīng)設(shè)備104)的透視圖。除了一個或多個打印頭314之外，噴墨盒308包括一組電接觸400和油墨(或其它液體)供應(yīng)腔室402。在一些實現(xiàn)中，盒308可以具有存儲一種顏色的油墨的供應(yīng)腔室402，并且在其它實現(xiàn)中，其可以具有均存儲不同顏色的油墨的多個腔室402。電接觸400將電信號從控制器304載送到打印頭314上的噴嘴316，以引起滴(drop)的噴射。電接觸400還將電信號從打印頭314的存儲器404中的ID位存儲器單元112載送到控制器304。在該方面，打印頭314充當(dāng)具有包括ID位存儲器單元112的存儲器404的數(shù)據(jù)存儲芯片110，所述ID位存儲器單元112采用與以上關(guān)于圖1和2的認(rèn)證系統(tǒng)100所討論的方式類似的方式來起作用。
[0022]更具體地，大體上參考圖2和4，在打印頭314的制造期間，為打印頭314的存儲器104上的該串ID位存儲器單元112內(nèi)的測量單元116而測量諸如電氣特性之類的物理參數(shù)的模擬值。在一個實施例中，將測量單元116的電氣特性的該“工廠測量”值直接編碼到存儲器404的模擬信息單元118中。在可替代的實施例中，關(guān)于測量單元116的電氣特性的值的數(shù)學(xué)變形作為“工廠測量”值而被編碼到模擬信息單元118中。如先前所討論的，電氣特性值的此類數(shù)學(xué)變形的一個示例是該值關(guān)于為零參考單元120而測量的相同值之比。在該可替代的實施例中，在制造期間，測量單元116和零參考單元120這二者都針對其電氣特性值而被測量。來自測量單元116和參考單元120的值之比作為電氣特性的“工廠測量”值而被編碼到模擬信息單元118中。在任一實施例中，被編碼到模擬信息單元118中的電氣特性的工廠測量值提供與芯片被集成在其中的特定噴墨盒308的打印頭314唯一地關(guān)聯(lián)的模擬序列號。
[0023]參考圖3和4，打印頭314通過多個孔口或噴嘴316向打印介質(zhì)318噴射墨滴或其它液滴，以便打印到打印介質(zhì)318上。打印介質(zhì)318能夠是任何類型的合適的片或卷材料，諸如紙張、卡紙、透明片、膠帶、聚酯、夾板、泡沫板、織物、帆布等。打印頭314能夠被配置成采用各種方式來通過噴嘴316噴射油墨。例如,熱噴墨打印頭通過使電流通過加熱元件以產(chǎn)生熱量并且使火腔室(firing chamber)內(nèi)的小部分油墨蒸發(fā)而從噴嘴噴射滴。汽泡促使墨滴通過噴嘴316。在另一個示例中，壓電噴墨打印頭使用壓電材料致動器來產(chǎn)生促使墨滴離開噴嘴的壓力脈沖。噴嘴316通常采用沿著打印頭314的一個或多個縱隊或陣列來布置，以使得當(dāng)噴墨盒308和打印介質(zhì)318相對于彼此移動時，油墨從噴嘴316合適地序列式噴射使字符、符號、和/或其它圖形或圖像被打印在打印介質(zhì)318上。
[0024]安裝組裝件306相對于介質(zhì)傳輸組裝件312來安置噴墨盒，并且介質(zhì)傳輸組裝件312相對于噴墨盒308來安置打印介質(zhì)318。因而，打印區(qū)320被定義為鄰近于噴嘴316而在噴墨盒308和打印介質(zhì)318之間的區(qū)域中。在一個實施例中，打印引擎302是掃描類型打印引擎302。照此，安裝組裝件306包括用于相對于介質(zhì)傳輸組裝件312來移動噴墨盒308的托架，以掃描打印介質(zhì)318。在另一個實施例中，打印引擎302是非掃描類型打印引擎302。照此，安裝組裝件306將噴墨盒308固定在相對于介質(zhì)傳輸組裝件312的規(guī)定位置處，而介質(zhì)傳輸組裝件312相對于噴墨盒308來安置打印介質(zhì)318。
[0025]電子控制器304通常包括用于控制并與噴墨盒308、安裝組裝件306、和介質(zhì)傳輸組裝件312進(jìn)行通信的標(biāo)準(zhǔn)計算系統(tǒng)的組件，諸如處理器、存儲器、固件、和其它打印機(jī)電子器件。電子控制器304從諸如計算機(jī)之類的主機(jī)系統(tǒng)接收數(shù)據(jù)322，并且在存儲器中暫時地存儲數(shù)據(jù)322。通常，沿著電子、紅外、光、或其它信息傳遞路徑，將數(shù)據(jù)322發(fā)送到噴墨打印系統(tǒng)300。數(shù)據(jù)322表示例如要打印的文檔和/或文件。照此，數(shù)據(jù)322形成包括一個或多個打印作業(yè)命令和/或命令參數(shù)的針對噴墨打印系統(tǒng)300的打印作業(yè)。使用數(shù)據(jù)322，電子控制器304控制噴墨盒308以從噴嘴316噴射墨滴。因而，電子控制器304定義在打印介質(zhì)318上形成字符、符號、和/或其它圖形或圖像的噴射的墨滴的圖案。噴射的墨滴的圖案由來自數(shù)據(jù)322的打印作業(yè)命令和/或命令參數(shù)而確定。
[0026]在一個實施例中，電子控制器304執(zhí)行認(rèn)證算法108以認(rèn)證噴墨盒308。采用與以上關(guān)于圖1的認(rèn)證系統(tǒng)100所討論的方式類似的方式，在控制器304上執(zhí)行的認(rèn)證算法108控制測量電路122測量打印頭314上的存儲器404中的該串ID位存儲器單元112內(nèi)的測量單元116的電氣特性的值。因而，如以上關(guān)于圖2所討論的，測量電路122在現(xiàn)場中的正常操作期間對測量單元116的電氣特性的值進(jìn)行測量。算法108通過從地址指針單元114讀地址來定位測量單元116的地址。然后，算法108控制測量電路122以將電流從電流源124供應(yīng)到測量單元116，并且測量先前在打印頭314的制造期間被測量并作為“工廠測量”值而編碼到模擬信息單元118中的測量單元116的相同電氣特性的值。因而，算法108確定“現(xiàn)場測量”值來與先前所編碼的“工廠測量”值相比較。在可替代的實施例中，算法108確定關(guān)于測量單元116的電氣特性的值的數(shù)學(xué)變形，以與先前作為“工廠測量”值而編碼到模擬信息單元118中的相同的數(shù)學(xué)變形相比較。如以上所討論的，電氣特性值的此類數(shù)學(xué)變形的一個示例是該值關(guān)于為零參考單元120而測量的相同值之比。
[0027]在任一實施例中，算法108將測量單元116的電氣特性的“現(xiàn)場測量”值(即，被測量電氣特性的直接值或其數(shù)學(xué)變形)與先前所編碼的測量單元116的相同電氣特性的“工廠測量”值(即，被測量電氣特性的直接值或其數(shù)學(xué)變形)相比較。如果現(xiàn)場測量值匹配于工廠測量值(即，在給定的寬容度內(nèi))，那么認(rèn)證算法108認(rèn)證噴墨盒308。然而，如果所述值不匹配，那么認(rèn)證算法108提供噴墨盒308是有缺陷的、被破壞的、或以其它方式不可信的通知(例如，通過打印機(jī)系統(tǒng)300的用戶接口)。采用該方式，為打印頭314存儲器404上的該ID位串內(nèi)的特定存儲器單元而測量的電氣特性的模擬值充當(dāng)唯一地標(biāo)識噴墨盒308的用于噴墨盒308的模擬序列號，從而能夠?qū)崿F(xiàn)墨盒308的可信性的驗證。
[0028]圖5示出根據(jù)本公開的實施例的示例性認(rèn)證方法500的流程圖。方法500與本文中關(guān)于圖1-4所討論的實施例相關(guān)聯(lián)。盡管采用特定的次序來呈現(xiàn)方法500的步驟，但所呈現(xiàn)的次序不意在限制能夠采用其來實現(xiàn)方法500的步驟的次序。也就是說，如對于本領(lǐng)域技術(shù)人員將明顯的，方法500的步驟可以采用不同的次序來實現(xiàn)。此外，方法500的步驟提供認(rèn)證方法的多于一個可能的變形。因而，可以在不使用方法500中所呈現(xiàn)的所有的步驟的情況下實現(xiàn)認(rèn)證方法。
[0029]在塊502處，方法500開始于將來自數(shù)據(jù)存儲芯片上的一串標(biāo)識(ID)位存儲器單元的特定存儲器單元指定為測量單元。在數(shù)據(jù)存儲芯片的制造期間，將該特定單元指定為測量單元。數(shù)據(jù)存儲芯片110可以例如集成在認(rèn)證系統(tǒng)的供應(yīng)設(shè)備內(nèi)。在更具體的示例中，數(shù)據(jù)存儲芯片110可以是打印系統(tǒng)300的噴墨盒308上的打印頭314。在塊504處，方法500繼續(xù)以將測量單元的地址編碼到ID位存儲器單元中。在塊506處，方法500繼續(xù)以對測量單元的模擬值進(jìn)行測量。在一個實現(xiàn)中，如塊508處所示，對模擬值進(jìn)行測量能夠包括對測量單元的電氣特性進(jìn)行測量。電氣特性能夠是例如從包括以下項的組中選擇的特性:電壓、阻抗、電阻、電容和電感。
[0030]在方法500的塊510處，將模擬值編碼到ID位存儲器單元中。在一個實現(xiàn)中，如塊512處所示，將模擬值編碼到ID位存儲器單元中能夠包括對從包括以下項的組中選擇的電氣特性值進(jìn)行編碼:電壓、阻抗、電阻、電容、電感、任何此類電氣特性值的數(shù)學(xué)變形、以及任何此類電氣特性值之比。在可替代實施例中，如方法500的塊514處所示，還測量參考單元的參考模擬值。參考單元包括該串ID位存儲器單元內(nèi)的一個單元。在該實施例中,將模擬值與參考模擬值之比編碼到ID位存儲器單元中。在這兩個實施例中，模擬值和模擬值之比充當(dāng)包含關(guān)于經(jīng)由芯片唯一地標(biāo)識供應(yīng)設(shè)備的芯片的特定物理參數(shù)的信息的被編碼在供應(yīng)設(shè)備的數(shù)據(jù)存儲芯片中的模擬序列號。
[0031]圖6示出根據(jù)本公開的實施例的示例性認(rèn)證方法600的流程圖。方法600與本文中關(guān)于圖1-4所討論的實施例相關(guān)聯(lián)。盡管采用特定的次序來呈現(xiàn)方法600的步驟，但所呈現(xiàn)的次序不意在限制能夠采用其來實現(xiàn)方法600的步驟的次序。也就是說，如對于本領(lǐng)域技術(shù)人員將明顯的，方法600的步驟可以采用不同的次序來實現(xiàn)。進(jìn)而，方法600的步驟提供認(rèn)證方法的多于一個可能的變形。因而，可以在不使用方法600中所呈現(xiàn)的所有的步驟的情況下實現(xiàn)認(rèn)證方法。
[0032]在塊602處，方法600開始于接收具有ID位存儲器單元的可替換供應(yīng)設(shè)備?？商鎿Q設(shè)備能夠是例如可在噴墨打印系統(tǒng)內(nèi)替換的噴墨盒。在塊604處，方法600繼續(xù)以定位用于ID位存儲器單元內(nèi)的測量單元的地址。在塊606處，測量單元的工廠測量模擬值被訪問。工廠測量模擬值是先前在制造期間在工廠處被測量并編碼在可替換供應(yīng)設(shè)備上的數(shù)據(jù)存儲芯片的ID位存儲器單元內(nèi)的值。
[0033]在塊608處，方法600繼續(xù)以對測量單元進(jìn)行測量以確定測量單元的現(xiàn)場測量模擬值。在一個實現(xiàn)中，如塊610和612處所分別示出的，對測量單元進(jìn)行測量能夠包括向測量單元供應(yīng)電流并且測量由電流所引發(fā)的關(guān)于測量單元的電氣特性的值。如塊614中所示，測量電氣特性的值能夠包括測量從包括以下項的組中選擇的電氣特性值:電壓、阻抗、電阻、電容和電感。在另一個實現(xiàn)中，如塊616和618處所示，對測量單元進(jìn)行測量還能夠包括向參考單元供應(yīng)電流并且針對參考值而測量由電流所引發(fā)的參考單元的電氣特性。在該實現(xiàn)中，如塊620處所示，測量單元的現(xiàn)場測量模擬值被確定為關(guān)于測量單元的電氣特性的值與參考值之比。
[0034]在塊622處，方法600繼續(xù)以對可替換設(shè)備認(rèn)證工廠測量和現(xiàn)場測量模擬值是否匹配。如塊624處所示，如果工廠測量和現(xiàn)場測量模擬值不匹配，那么方法600繼續(xù)以提供該可替換設(shè)備不可信的通知。該通知例如通過諸如打印系統(tǒng)之類的認(rèn)證系統(tǒng)的用戶接口來提供。
【權(quán)利要求】
1.一種認(rèn)證系統(tǒng)，包括: 具有數(shù)據(jù)存儲芯片的供應(yīng)設(shè)備，所述數(shù)據(jù)存儲芯片具有標(biāo)識(ID)位存儲器單元，所述ID位存儲器單元包括: 測量單元； 指針單元,存儲指向所述測量單元的地址信息；以及 模擬單元，存儲關(guān)于所述測量單元的工廠測量模擬信息。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的認(rèn)證系統(tǒng)，進(jìn)一步包括: 基本單元，接收所述供應(yīng)設(shè)備； 控制器，集成到所述基本單元中；以及 可在所述控制器上執(zhí)行的認(rèn)證算法，使用所述地址信息來定位測量單元，針對現(xiàn)場測量模擬信息而測量所述測量單元，將所述工廠測量和現(xiàn)場測量模擬信息相比較，以及對所述供應(yīng)設(shè)備認(rèn)證所述工廠測量和現(xiàn)場測量模擬信息是否匹配。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的認(rèn)證系統(tǒng)，進(jìn)一步包括測量所述測量單元的電氣特性的值的測量電路。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的 認(rèn)證系統(tǒng)，其中所述電氣特性從包括以下項的組中選擇:電壓、阻抗、電阻、電容、電感、任何此類電氣特性的數(shù)學(xué)組合、以及任何此類電氣特性之比。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的認(rèn)證系統(tǒng)，其中所述ID位存儲器單元進(jìn)一步包括: 參考單元，可由所述測量電路測量，以提供所述電氣特性的參考值； 其中所述認(rèn)證算法根據(jù)所述測量單元的電氣特性的值與所述參考值之比來確定所述現(xiàn)場測量模擬信息。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的認(rèn)證系統(tǒng)，其中所述ID位存儲器單元從包括以下項的組中選擇:MROM單元、PROM單元、EPROM單元、EEPROM單元和熔絲。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的認(rèn)證系統(tǒng)，其中所述基本單元包括打印系統(tǒng)，并且所述供應(yīng)設(shè)備包括噴墨盒。
8.一種認(rèn)證的方法，包括: 將來自數(shù)據(jù)存儲芯片上的一串標(biāo)識(ID)位存儲器單元的特定單元指定為測量單元； 將所述測量單元的地址編碼到所述ID位存儲器單元中； 測量所述測量單元的模擬值；以及 將所述模擬值編碼到所述ID位存儲器單元中。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，進(jìn)一步包括: 測量參考單元的參考模擬值，所述參考單元是該串ID位存儲器單元中的一個單元； 其中編碼包括將所述模擬值與所述參考模擬值之比編碼到所述ID位存儲器單元中。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中測量模擬值包括測量從包括以下項的組中選擇的電氣特性:電壓、阻抗、電阻、電容和電感。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中對所述模擬值進(jìn)行編碼包括對從包括以下項的組中選擇的電氣特性值進(jìn)行編碼:電壓、阻抗、電阻、電容、電感、任何此類電氣特性值的數(shù)學(xué)組合、以及任何此類電氣特性值之比。
12.—種認(rèn)證的方法，包括: 接收具有標(biāo)識(ID)位存儲器單元的可替換設(shè)備；定位用于所述ID位存儲器單元內(nèi)的測量單元的地址； 訪問被編碼在所述ID位存儲器單元內(nèi)的所述測量單元的工廠測量模擬值； 測量所述測量單元以確定所述測量單元的現(xiàn)場測量模擬值； 對所述可替換設(shè)備認(rèn)證所述工廠測量和現(xiàn)場測量模擬值是否匹配；以及 如果所述工廠測量和現(xiàn)場測量模擬值不匹配，則提供所述可替換設(shè)備不可信的通知。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中測量所述測量單元包括: 向所述測量單元供應(yīng)電流；以及 測量由所述電流所引發(fā)的關(guān)于所述測量單元的電氣特性的值。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中測量所述測量單元進(jìn)一步包括: 向參考單元供應(yīng)電流； 測量由所述電流所引發(fā)的關(guān)于所述參考單元的電氣特性的參考值；以及將所述測量單元的現(xiàn)場測量模擬值確定為關(guān)于所述測量單元的電氣特性的值與所述參考值之比。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中測量電氣特性的值包括測量從包括以下項的組中選擇的電氣特性值:電壓 、阻抗、電阻、電容和電感。
【文檔編號】G01R31/02GK103946713SQ201180075202
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2011年9月30日 優(yōu)先權(quán)日:2011年9月30日
【發(fā)明者】H.W.賴斯, D.B.諾瓦克, E.D.內(nèi)斯, B.霍爾 申請人:惠普發(fā)展公司，有限責(zé)任合伙企業(yè)