專(zhuān)利名稱(chēng)：熱式傳感器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及熱式傳感器及其制造方法，特別是涉及使用發(fā)熱電阻體的熱式傳感器及其制造方法。
背景技術(shù)：
目前，作為設(shè)置在汽車(chē)等的內(nèi)燃機(jī)的電子控制燃料噴射裝置中、測(cè)量吸入空氣量 的空氣流量計(jì)所使用的流體流量傳感器，因熱式流體流量傳感器能夠直接檢測(cè)質(zhì)量空氣量,從而成為主流。其中，尤其利用半導(dǎo)體微細(xì)加工技術(shù)制造出的熱式空氣流量(air flow)傳感器，可降低制造成本且能夠以低功率驅(qū)動(dòng)，因此受到關(guān)注。作為上述空氣流量傳感器的現(xiàn)有技術(shù)，包括以下文獻(xiàn)。例如專(zhuān)利文獻(xiàn)I中公開(kāi)了如下技術(shù)在通過(guò)對(duì)Si基板進(jìn)行部分各向異性蝕刻而形成的空洞上，配置發(fā)熱電阻體(加熱器)和測(cè)量空氣流量的測(cè)溫電阻體(傳感器)。此處，專(zhuān)利文獻(xiàn)I中，加熱器加熱控制和流量輸出的補(bǔ)正等電路在另ー個(gè)基板上制成。因此，需要通過(guò)接線(xiàn)(Wire bonding)將空氣流量檢測(cè)基板和電路基板連接，存在由部件件數(shù)増加及各裝配后的追加檢查引起的エ序增加、由裝配不良引起的成品率下降等成本増加的課題。作為解決上述課題的技術(shù)，有專(zhuān)利文獻(xiàn)2。在專(zhuān)利文獻(xiàn)2中公開(kāi)了ー種熱式空氣流量計(jì)，其中，由MOS晶體管和ニ極管元件構(gòu)成的電路部和具有除去Si基板的隔膜的流量檢測(cè)部在同一基板上形成。因此，不需要上述接線(xiàn)等連線(xiàn)エ序，能夠減少部件。專(zhuān)利文獻(xiàn)I :日本特開(kāi)昭60-142268號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2 日本特開(kāi)2008-157742號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
但是，在專(zhuān)利文獻(xiàn)2中，由于電路部和流量檢測(cè)部的絕緣膜構(gòu)成相同，電路部最上層的由厚無(wú)機(jī)絕緣膜形成的保護(hù)膜也形成于空氣流量檢測(cè)部，所以存在加熱器的熱量被該保護(hù)膜奪取而減少、靈敏度下降的課題。另外，在專(zhuān)利文獻(xiàn)2中，由于電路部最上層的保護(hù)膜位于流量檢測(cè)部的上層，所以加熱流量檢測(cè)部的加熱器時(shí)該保護(hù)膜的殘留應(yīng)カ變化，也存在加熱器及傳感器的電阻值從初期值變化、使測(cè)定精度惡化的課題。由于保護(hù)膜位于連接MOS晶體管和加熱器及傳感器的布線(xiàn)上，所以通常使用在400°C以下的低溫下形成的無(wú)機(jī)絕緣膜。上述低溫形成的無(wú)機(jī)絕緣膜因熱產(chǎn)生的應(yīng)カ變化較大，因此上述殘留應(yīng)カ變化的課題變得特別顯著。鑒于以上情況，本發(fā)明的目的在于提供ー種熱式傳感器，所述熱式傳感器在同一基板上形成具有發(fā)熱電阻部的檢測(cè)部和具有控制發(fā)熱電阻體的控制電路的電路部，且為高靈敏度、高精度。在解決本發(fā)明的課題的措施中作為代表例，可以舉出ー種熱式傳感器，其特征在于，具有
半導(dǎo)體基板；第I層疊膜，其設(shè)置于半導(dǎo)體基板的上方，且包含多個(gè)絕緣膜；檢測(cè)部，其設(shè)置于第I層疊膜層上，且具有發(fā)熱電阻體；電路部，其設(shè)置于半導(dǎo)體基板上，且具有控制發(fā)熱電阻體的控制電路；第2層疊膜，其設(shè)置于發(fā)熱電阻體上及控制電路的上方，且包含多個(gè)絕緣膜；中間層，其設(shè)置于第2層疊膜上 '及第3層疊膜，其設(shè)置于中間層上及控制電路的上方，且包含多個(gè)絕緣膜，中間層由氮化鋁、氧化鋁、碳化硅、氮化鈦、氮化鎢、或鈦鎢中的任ー種形成。 或者，可以舉出下述熱式傳感器，其特征在于，具有半導(dǎo)體基板；第I層疊膜，其設(shè)置于半導(dǎo)體基板的上方，且包含多個(gè)絕緣膜；檢測(cè)部，其設(shè)置于第I層疊膜上，且具有發(fā)熱電阻體；電路部，其設(shè)置于半導(dǎo)體基板上，且具有控制發(fā)熱電阻體的控制電路；第2層疊膜，其設(shè)置于發(fā)熱電阻體上及控制電路的上方，且包含多個(gè)絕緣膜；中間層，其設(shè)置于第2層疊膜上 '及第3層疊膜，其設(shè)置于中間層上方中的除檢測(cè)部的上方之外的區(qū)域，且包含多個(gè)絕緣膜?；蛘撸环N熱式傳感器的制造方法，該制造方法制造的熱式傳感器具備具有發(fā)熱電阻體的檢測(cè)部、具有控制發(fā)熱電阻體的控制電路的電路部，其特征在于，包括(a)在半導(dǎo)體基板的上方形成包含多個(gè)絕緣膜的第I層疊膜的エ序；(b)在第I層疊膜上形成發(fā)熱電阻體的エ序；(C)在半導(dǎo)體基板上形成控制電路的エ序；(d)在發(fā)熱電阻體上及控制電路的上方形成包含多個(gè)絕緣膜的第2層疊膜的エ序;(e)在第2層疊膜上形成中間層的エ序；(f)在中間層上形成包含多個(gè)絕緣膜的第3層疊膜的エ序 '及(g)以中間層作為蝕刻停止層，對(duì)第3層疊膜中位于檢測(cè)部的上方的部分蝕刻的ェ序。根據(jù)本發(fā)明，能夠提供更高靈敏度、高可靠性的熱式傳感器。


[圖I]為表示本發(fā)明的實(shí)施方式I的熱式流體流量傳感器的一個(gè)例子的要部平面圖。[圖2]為本發(fā)明的實(shí)施方式I的熱式流體流量傳感器的要部截面圖。[圖3]為表示本發(fā)明的實(shí)施方式I的熱式流體流量傳感器的半導(dǎo)體基板制造エ序的要部截面圖。[圖4]為表示本發(fā)明的實(shí)施方式I的熱式流體流量傳感器的半導(dǎo)體基板制造エ序的要部截面圖。[圖5]為表示本發(fā)明的實(shí)施方式I的熱式流體流量傳感器的半導(dǎo)體基板制造エ序的要部截面圖。[圖6]為表示本發(fā)明的實(shí)施方式I的熱式流體流量傳感器的半導(dǎo)體基板制造エ序的要部截面圖。[圖7]為表示本發(fā)明的實(shí)施方式I的熱式流體流量傳感器的半導(dǎo)體基板制造エ序的要部截面圖。[圖8]為表示本發(fā)明的實(shí)施方式I的熱式流體流量傳感器的半導(dǎo)體基板制造エ序的要部截面圖。[圖9]為表示本發(fā)明的實(shí)施方式I的熱式流體流量傳感器的半導(dǎo)體基板制造エ序的要部截面圖。[圖10]為表示本發(fā)明的實(shí)施方式I的熱式流體流量傳感器的半導(dǎo)體基板制造エ 序的要部截面圖。[圖11]為表示本發(fā)明的實(shí)施方式I的熱式流體流量傳感器的半導(dǎo)體基板制造エ序的要部截面圖。[圖12]為表示本發(fā)明的實(shí)施方式I的熱式流體流量傳感器的半導(dǎo)體基板制造エ序的要部截面圖。[圖13]為表示本發(fā)明的實(shí)施方式I的熱式流體流量傳感器的半導(dǎo)體基板制造エ序的要部截面圖。[圖14]為安裝有本發(fā)明的實(shí)施方式I的熱式流體流量傳感器的熱式空氣流量計(jì)的配置簡(jiǎn)圖，所述熱式流體流量傳感器安裝于汽車(chē)等內(nèi)燃機(jī)的吸氣通路上。[圖15]為表示本發(fā)明的實(shí)施方式2的熱式流體流量傳感器的一個(gè)例子的半導(dǎo)體基板要部截面圖。[圖16]為表示本發(fā)明的實(shí)施方式3的熱式流體流量傳感器的一個(gè)例子的半導(dǎo)體基板要部截面圖。[圖17]為表示本發(fā)明的實(shí)施方式4的熱式流體流量傳感器的一個(gè)例子的半導(dǎo)體基板要部截面圖。[圖18]為表示本發(fā)明的實(shí)施方式5的熱式流體流量傳感器的一個(gè)例子的要部平面圖。[圖19]為本發(fā)明的實(shí)施方式5的熱式流體流量傳感器的要部截面圖。符號(hào)說(shuō)明I熱式流體流量傳感器2半導(dǎo)體基板3空氣流量計(jì)測(cè)部4電路部5 電極6 接線(xiàn)7外部端子8 隔膜9樹(shù)脂模具10半導(dǎo)體基板
1113、14 氧化硅膜1215氮化硅膜16擴(kuò)散層17柵氧化膜18柵電極19擴(kuò)散層20氧化硅膜21氮化硅膜
22氧化硅膜23金屬插頭24金屬膜25、27、32 氧化硅膜26氮化硅膜28第I布線(xiàn)層29蝕刻停止層30氧化硅膜31第2布線(xiàn)層33氮化硅膜34 電極35 開(kāi)ロ部36有機(jī)保護(hù)膜37流量檢測(cè)部38 隔膜39蝕刻停止層40空氣流量傳感器41空氣通路42副通路43支持體44連接部45空氣流量計(jì)46吸氣空氣47 槽
具體實(shí)施例方式以下，參照

本發(fā)明的實(shí)施例。需要說(shuō)明的是，在以下的實(shí)施例中，特別對(duì)使用熱式流體流量傳感器作為熱式傳感器的例子進(jìn)行說(shuō)明，但本發(fā)明在檢測(cè)部使用發(fā)熱電阻體的其他傳感器、例如濕度傳感器等中也同樣適用。另外，在以下的實(shí)施例中，所謂“上方”，是指與半導(dǎo)體基板的表面垂直的方向中形成檢測(cè)部及電路部的方向(絕緣膜等層疊的方向)。
[實(shí)施例I]實(shí)施例I的熱式流體流量傳感器的要部平面圖的ー個(gè)例子示于圖1，圖I的A-A線(xiàn)的要部截面圖示于圖2。如圖I及圖2所示，在搭載在引線(xiàn)框I上的半導(dǎo)體基板2上形成有檢測(cè)流體流量的空氣流量計(jì)測(cè)部3、電路部4、及向外部輸入輸出用的電極5，所述電路部4形成有控制加熱器加熱的MOS晶體管、ニ極管及存儲(chǔ)器等。在上述空氣流量計(jì)測(cè)部3設(shè)置有除去背面Si的隔膜結(jié)構(gòu)8。另外，上述電極5和引線(xiàn)框的外部端子7通過(guò)接線(xiàn)6相互連接。電路部4通過(guò)上述電極5及外部端子7接受來(lái)自外部的電源供給，進(jìn)行對(duì)于外部的空氣流量的輸出。需要說(shuō)明的是，上述半導(dǎo)體基板2中，除空氣流量計(jì)測(cè)部3之外的部分被樹(shù)脂模具9覆蓋。接下來(lái)，使用圖3 圖13，按エ序順序說(shuō)明實(shí)施例I 中的熱式流體流量傳感器的制造方法的ー個(gè)例子。圖3 13為詳細(xì)表示圖2中的半導(dǎo)體基板2的要部截面圖。首先，如圖3所示，準(zhǔn)備由單晶Si構(gòu)成的半導(dǎo)體基板10。接下來(lái)，在高溫爐體內(nèi)在半導(dǎo)體基板10上形成氧化硅膜11，使用CVD法形成氮化硅膜12后，使用光刻法進(jìn)行圖案形成，在高溫下對(duì)除去了絕緣膜11和絕緣膜12的部分進(jìn)行熱氧化，通過(guò)該エ序，形成用于元件分離的厚氧化硅膜13。此時(shí)的氧化硅膜13為300 600nm左右。然后除去絕緣膜11和絕緣膜12，再次在爐體中于Si基板表面形成150 200nm的氧化硅膜14，接下來(lái)，使用CVD法形成100 200nm左右的氮化硅膜15，使用光刻法進(jìn)行圖案形成，使僅在空氣流量檢測(cè)部殘留上述氧化硅膜14和氮化硅膜15。接下來(lái)，如圖4所示，清洗后，在與電路部相當(dāng)?shù)膮^(qū)域的基板上采用注入法注入磷、硼或神，形成擴(kuò)散層16。需要說(shuō)明的是，不需要注入的區(qū)域在上述圖案形成時(shí)使氧化硅膜14和氮化硅膜15殘留。接下來(lái)，如圖5所示，通過(guò)清洗使擴(kuò)散層16清潔后，通過(guò)由爐體進(jìn)行的熱氧化工序形成柵氧化膜17，接下來(lái)形成多晶硅膜，利用光刻法進(jìn)行圖案形成，形成柵電極18。需要說(shuō)明的是，柵氧化膜18的膜厚根據(jù)電路特性而不同，為5 30nm左右，柵電極的膜厚為100 150nm左右。之后，利用注入法進(jìn)行離子注入，形成用作源極、漏極的擴(kuò)散層19。另外，基于電路特性改變MOS晶體管的特性時(shí)，變更注入的種類(lèi)及注入量、柵氧化膜厚、柵電極材料，重復(fù)上述MOS晶體管的制造方法，形成與各特性相符合的晶體管。接下來(lái)，如圖6所示，形成厚絕緣膜20，使用CMP法或回蝕法將絕緣膜20平坦化。需要說(shuō)明的是，絕緣膜20為含有硼或磷的氧化硅膜或使用等離子體CVD法形成的氧化硅膜。上述平坦化后，依次形成絕緣膜21及絕緣膜22，形成層疊膜。需要說(shuō)明的是，絕緣膜21為例如使用CVD法形成的氮化硅膜，厚度為100 200nm左右，絕緣膜22為例如使用CVD法形成的氧化硅膜，膜厚為100 200nm左右。需要說(shuō)明的是，絕緣膜14、19、21為具有殘留應(yīng)カ為50MPa 250MPa的壓縮應(yīng)力的膜，絕緣膜15、20為具有700MPa 1200MPa的拉伸應(yīng)カ的膜。需要說(shuō)明的是，各エ序后，尤其在使用CVD法的氧化硅膜、使用等離子體CVD法的氮化硅膜形成后，為了膜的致密化，優(yōu)選在爐體或燈加熱裝置中于氮?dú)夥罩惺┬?50°C以上、優(yōu)選1000°C的熱處理。另外，上述CMP后，雖然形成絕緣膜21、絕緣膜22，但也可以根據(jù)整體的應(yīng)カ調(diào)節(jié)，刪除上述形成絕緣膜21、絕緣膜22的エ序。接下來(lái)，如圖7所示，形成用于與電路部的源極、漏極19連接的接觸孔、及圖7中未示出的用干與柵電極18連接的接觸孔，利用濺射法或CVD法形成氮化鈦(TiN)膜，接下來(lái)，利用通過(guò)CVD法形成的鎢(W)膜將金屬膜埋入接觸孔，孔以外的區(qū)域通過(guò)回蝕法或CMP法除去W膜，形成金屬插頭23。之后，作為流體流量檢測(cè)部的加熱器及傳感器的金屬膜，例如采用濺射法形成100 250nm的Mo (鑰)膜。此時(shí)，為了提高粘合性及結(jié)晶性，在Mo沉積前，通過(guò)使用(氬)氣體的濺射蝕刻法蝕刻約5 20nm的基底絕緣膜22，在Mo沉積時(shí)的基板溫度200°C 500°C下形成。另外，為了進(jìn)一步提高M(jìn)o膜的結(jié)晶性，Mo成膜后，可以在爐體或等加熱裝置中于氮?dú)夥罩惺┬?00°C以上、優(yōu)選1000°C的熱處理。接下來(lái)，使用光刻法，進(jìn)行金屬膜24的圖案形成，形成流量檢測(cè)部的加熱器及傳感器。需要說(shuō)明的是，在上述金屬插頭23上也配置與加熱器及傳感器相同的金屬膜24，使在上述加熱器膜24的加工時(shí)金屬插頭23不被蝕刻。需要說(shuō)明的是，作為金屬插頭23的材料，可以舉出TiN與W的疊層，也可以?xún)H為W、或Poly-Si。另外，作為提高加熱器及傳感器的金屬膜24的結(jié)晶性的方法，可以在基底上形成氮化鋁膜(AlN)。上述氮化鋁膜的膜厚優(yōu)選為20 IOOnm左右。接下來(lái)，如圖8所示，以絕緣膜25、絕緣膜26、絕緣膜27的順序依次形成多個(gè)絕緣膜，形成層疊膜。絕緣膜25為例如利用CVD法或以TE0S(四こ氧基硅烷，tetraethoxysilane)作為原料、使用等離子體的低溫CVD法形成的氧化娃膜,膜厚為300 500nm左右。絕緣膜26為例如利用CVD法或使用等離子體的低溫CVD法形成的氮化硅膜，膜厚為150 200nm左右。絕緣膜27為例如利用CVD法或以TEOS作為原料、使用等離子體的低溫CVD法形成的氧化硅膜，膜厚為100 500nm左右。需要說(shuō)明的是，絕緣膜25、27為具有殘留應(yīng)カ為50MPa 250MPa的壓縮應(yīng)力的膜，絕緣膜26為具有700MPa 1400MPa的拉伸應(yīng)力的膜。絕緣膜26通過(guò)沉積成膜后，施行850°C以上、優(yōu)選1000°C的熱處理，進(jìn)行調(diào)節(jié)使其為期望的拉伸應(yīng)力。關(guān)于絕緣膜25、27的氧化硅膜也同樣地，在通過(guò)沉積成膜后，施行850°C以上、優(yōu)選1000°C的熱處理，進(jìn)行調(diào)節(jié)使其為所期望的壓縮應(yīng)力。以上的處理可以在形成絕緣膜25至27后一次性進(jìn)行熱處理，但優(yōu)選以下述順序依次進(jìn)行熱處理，即，進(jìn)行絕緣膜25的成膜及熱處理，之后對(duì)絕緣膜26進(jìn)行同樣的處理，之后對(duì)絕緣膜27進(jìn)行同樣的處理。這是因?yàn)橥ㄟ^(guò)以上述順序進(jìn)行熱處理，能夠使絕緣膜25 27的耐濕性分別提高。另外，通過(guò)進(jìn)行上述熱處理，絕緣膜25 27分別成為即使在流量測(cè)定時(shí)進(jìn)行加熱器加熱、殘留應(yīng)カ也難以變化的絕緣膜。結(jié)果能夠抑制由長(zhǎng)時(shí)間的加熱器加熱產(chǎn)生的絕緣膜的電阻經(jīng)時(shí)變化。接下來(lái)，如圖9所示，采用干蝕刻法或濕蝕刻法等形成連接孔。之后，形成例如厚400 800nm左右的Al合金膜的層疊膜作為連接電路部和流體流量檢測(cè)部的第I布線(xiàn)金屬膜。需要說(shuō)明的是，為了使與連接孔內(nèi)露出的金屬膜24的接觸良好，可以在形成前通過(guò)(氬)氣體濺射蝕刻Mo表面。進(jìn)而，為了確保其接觸，可以在Al合金沉積前形成TiN膜等屏蔽金屬膜，形成屏蔽膜和Al合金膜的2層膜、進(jìn)而在Al膜上形成TiN膜的3層膜等層疊膜結(jié)構(gòu)。此時(shí)，屏蔽金屬膜的厚度優(yōu)選為200nm以下,另外,作為屏蔽金屬膜,可以舉出TiN膜，也可以為T(mén)iW(鈦鎢)膜、Ti(鈦)膜及它們的層疊膜。接下來(lái)，使用光刻法對(duì)第I布線(xiàn)金屬膜進(jìn)行圖案形成，通過(guò)干蝕刻法或濕蝕刻法形成第I布線(xiàn)28。其中，如圖9所示，形成金屬膜24作為發(fā)熱電阻體時(shí)，可以在布線(xiàn)層28與控制電路16-19之間進(jìn)一歩形成與發(fā)熱電阻體同層設(shè)置的金屬膜24。形成布線(xiàn)層28吋，必須通過(guò) 對(duì)絕緣膜25-27的蝕刻來(lái)形成用于獲取接頭的孔，其原因是此時(shí)通過(guò)在金屬插頭23的上部形成金屬膜24,能夠抑制由蝕刻產(chǎn)生的對(duì)金屬插頭23的損壞。
接下來(lái)，如圖10所示，形成絕緣膜29及絕緣膜30。需要說(shuō)明的是，絕緣膜29需要采用與之后形成的無(wú)機(jī)絕緣膜相比蝕刻時(shí)的選擇比更大的材料，優(yōu)選與上述無(wú)機(jī)絕緣膜的選擇比為30以上、優(yōu)選為50以上的高選擇比材料。具體而言，可以舉出氮化鋁(AlN)膜、或氧化鋁(AlO)膜、碳化硅(SiC)膜等。其中，絕緣膜29的膜厚優(yōu)選為200nm以下。這是因?yàn)榻档土擞山^緣膜29產(chǎn)生的殘留應(yīng)カ的影響。特別優(yōu)選為20 IOOnm左右。這是因?yàn)橐部紤]之后除去絕緣膜29時(shí)的除去易性。其中，所謂上述絕緣膜29的選擇比，是指進(jìn)行用于除去無(wú)機(jī)絕緣膜的蝕刻(例如如果是干蝕刻法，為使用含氟氣體的蝕刻，如果是濕蝕刻法，為使用氫氟酸水溶液(例如氫氟酸稀釋液)的蝕刻)時(shí)的選擇比。絕緣膜30為例如利用CVD法或以TEOS作為原料使用等離子體的低溫CVD法制成的氧化硅膜，膜厚為100 500nm左右。之后，利用干蝕刻法或濕蝕刻法等形成將第I布線(xiàn)或金屬膜24與之后形成的布線(xiàn)28連接的連接孔。此時(shí)，對(duì)于在絕緣膜30上形成連接孔后在絕緣膜29上形成連接孔時(shí)的蝕刻，為了除去絕緣膜29，如果為干蝕刻，則將氣體種由含氟氣體變更為含氯氣體。另夕卜，如果為濕蝕刻，則將蝕刻液由氫氟酸稀釋液變更為堿類(lèi)液體(Κ0Η或TMAH)?！昂鷼怏w”是指含有氟的氣體，可以使用SF6、CF4, CHF3> C2F6, C4F6, C4F8等?！昂葰怏w”，是指含有氯的氣體，可以使用C12、BC13等?！昂鷼怏w”和“含氯氣體”可與Ar、He、N2等惰性氣體及O2混 合使用。之后，例如形成厚400 IOOOnm左右的Al合金膜的層疊膜作為連接電路部和流 體流量檢測(cè)部的第2布線(xiàn)金屬膜。需要說(shuō)明的是，為了使與基底第I布線(xiàn)28的接觸良好，可以在形成前使用Ar(氬)氣體對(duì)布線(xiàn)28表面進(jìn)行濺射蝕刻。進(jìn)而，為了確保其接觸，可以在Al合金沉積前形成TiN膜等屏蔽金屬膜，形成屏蔽膜和Al合金膜的2層膜、或者進(jìn)ー步在Al膜上形成TiN膜的3層膜等層疊膜結(jié)構(gòu)。此時(shí)，屏蔽金屬膜的厚度優(yōu)選為200nm以下。另外，作為屏蔽金屬膜，可以舉出TiN膜，也可以為T(mén)iW(鈦鎢)膜、Ti(鈦)膜及它們的層疊膜。接下來(lái)，使用光刻法進(jìn)行第2布線(xiàn)金屬膜的圖案形成，通過(guò)干蝕刻法或濕蝕刻法形成第2布線(xiàn)31。接下來(lái)，如圖11所示，形成絕緣膜32和絕緣膜33，形成層疊膜。絕緣膜32是例如利用CVD法或以TEOS作為原料使用等離子體的低溫CVD法形成的氧化硅膜，膜厚為300 SOOnm左右。絕緣膜33是例如利用CVD法或使用等離子體的低溫CVD法形成的氮化硅膜，為了抑制由樹(shù)脂模具成型時(shí)的填料產(chǎn)生的對(duì)晶體管及布線(xiàn)的損壞，且為了防止由水分從外部滲透引起的布線(xiàn)腐蝕，而形成膜厚為800 1200nm左右的厚度。接下來(lái)，如圖12所示，使用光刻法進(jìn)行圖案形成，通過(guò)干蝕刻除去用干與外部連接的電極34(是指布線(xiàn)31中，除去上層的絕緣膜32、33形成墊片的部分，以下相同)上的絕緣膜33和絕緣膜32。此時(shí)，流量檢測(cè)部的上方的絕緣膜33、絕緣膜32及絕緣膜30也通過(guò)干蝕刻除去，形成開(kāi)ロ部35。需要說(shuō)明的是，對(duì)于流量檢測(cè)的部分，由于絕緣膜29用作干蝕刻的蝕刻停止層，所以控制其下層的殘留應(yīng)カ的絕緣膜能夠不受上述干蝕刻的過(guò)度蝕刻及面內(nèi)分布的影響，控制在設(shè)計(jì)的膜厚及殘留應(yīng)カ范圍內(nèi)而形成。接下來(lái)，如圖13所示，作為有機(jī)保護(hù)膜36，例如形成聚酰亞胺膜，使用光刻法使其形成至少將用干與外部連接的電極34及空氣流量檢測(cè)部37的聚酰亞胺膜除去的形狀。接下來(lái)，通過(guò)光刻法在半導(dǎo)體基板10的背面形成抗蝕圖形，通過(guò)干蝕刻法或濕蝕刻法除去在背面形成的絕緣膜14、15后，以殘留的絕緣膜14、15作為掩模，用KOH(氫氧化鉀)或TMAH等或以它們作為主成分的水溶液對(duì)背面Si基板進(jìn)行濕蝕刻，形成隔膜38。需要說(shuō)明的是，隔膜38設(shè)計(jì)成大于保護(hù)膜36的流量檢測(cè)部37。優(yōu)選隔膜38的各個(gè)邊比保護(hù)膜36的流量檢測(cè)部37的各個(gè)邊大，約大50 μ m以上。這是因?yàn)樵诒Ｗo(hù)膜36中與隔膜38的外周相比更靠近內(nèi)側(cè)的部分具有保護(hù)隔膜不受來(lái)自外部的混入空氣中的灰塵影響的效果。優(yōu)選構(gòu)成該隔膜38的無(wú)機(jī)絕緣膜的總膜厚為I. 5 μ m 2. 5 μ m。這是因?yàn)楸壬鲜龇秶迹裟?8的強(qiáng)度下降，由汽車(chē)的吸氣中含有的灰塵碰撞等引起破壞的概率變高。需要說(shuō)明的是，雖然已對(duì)上述加熱器及傳感器的金屬膜24由Mo構(gòu)成的熱式流體流量傳感器進(jìn)行了說(shuō)明，例如也可以為以a -Ta( α -鉭)、Ti (鈦)、W(鎢)、Co (鈷)、Ni (鎳)、Fe (鐵)、Nb(鈮)、Hf (鉿)、Cr (鉻)、Zr(鋯)作為主成分的金屬膜、或在TaN(氮化鉭)、MoN(氮化鑰)、WN(氮化鎢)等金屬氮化化合物及MOSi (硅化鑰)、CoSi (硅化鈷)、NiSi (硅化鎳)等金屬硅化物化合物、多晶硅上作為雜質(zhì)摻雜磷或硼的膜。鑒于以上內(nèi)容，本實(shí)施例的熱式傳感器的制造方法的特征如下所述。即，所述制造方法制造的熱式傳感器具備具有發(fā)熱電阻體的檢測(cè)部(3)、具有控制發(fā)熱電阻體的控制電 路的電路部(4)，所述制造方法的特征在于，包括(a)在半導(dǎo)體基板的上方形成包含多個(gè)絕緣膜的第I層疊膜(20-22)的エ序；(b)在第I層疊膜上形成發(fā)熱電阻體(24)的エ序；(c)在半導(dǎo)體基板上形成控制電路(16-19)的エ序；(d)在發(fā)熱電阻體上及控制電路的上方形成包含多個(gè)絕緣膜的第2層疊膜(25-27)的エ序；(e)在第2層疊膜上形成中間層(29)的エ序；(f)在中間層上形成包含多個(gè)絕緣膜的第3層疊膜(30、32、33)的エ序 '及(g)以中間層作為蝕刻停止層，對(duì)第3層疊膜中位于檢測(cè)部的上方的部分(35)進(jìn)行蝕刻的エ序(圖12)。另外，著眼于熱式傳感器的結(jié)構(gòu)方面，本實(shí)施例的發(fā)明的特征如下(圖13)。即，熱式傳感器的特征在于，具有 第I層疊膜，其設(shè)置于半導(dǎo)體基板和半導(dǎo)體基板的上方，且包含多個(gè)絕緣膜；檢測(cè)部，其設(shè)置于第I層疊膜上，且具有發(fā)熱電阻體；電路部，其設(shè)置于半導(dǎo)體基板上，且具有控制發(fā)熱電阻體的控制電路；第2層疊膜，其設(shè)置于發(fā)熱電阻體上及控制電路的上方，且包含多個(gè)絕緣膜；中間層，其設(shè)置于第2層疊膜上；及第3層疊膜，其設(shè)置于中間層上方中的除檢測(cè)部上方之外的區(qū)域，且包含多個(gè)絕緣膜。上述熱式傳感器及其制造方法發(fā)揮以下效果。即，在電路部中，利用層疊膜30、32及33實(shí)現(xiàn)布線(xiàn)的保護(hù)及耐濕性的提高。同時(shí)，在檢測(cè)部中，由于該層疊膜被除去，所以形成 由層疊膜20-22及層疊膜25-27設(shè)計(jì)的期望殘留應(yīng)力，且也不會(huì)通過(guò)層疊膜30、32及33奪取加熱器的熱量，因此，實(shí)現(xiàn)加熱器的精度提高。其次，其特征還在于，在上述エ序(e)中，特別是使中間層為氮化鋁、氧化鋁、碳化娃中的任一種。另外，著眼于熱式傳感器的結(jié)構(gòu)方面，所述發(fā)明的特征如下。即，熱式傳感器的特征在于，具有半導(dǎo)體基板；第I層疊膜，其設(shè)置于半導(dǎo)體基板的上方，且包含多個(gè)絕緣膜；檢測(cè)部，其設(shè)置于第I層疊膜上，且具有發(fā)熱電阻體；電路部，其設(shè)置于半導(dǎo)體基板上，且具有控制發(fā)熱電阻體的控制電路；第2層疊膜，其設(shè)置于發(fā)熱電阻體上及控制電路的上方，且包含多個(gè)絕緣膜；中間層，其設(shè)置于第2層疊膜上；及第3層疊膜，其設(shè)置于中間層上和控制電路的上方，且包含多個(gè)絕緣膜，并且，中間層由氮化鋁、氧化鋁或碳化硅中的任ー種形成。上述材料與構(gòu)成形成層疊膜的絕緣膜30、32及33的材料(例如氧化硅、氮化硅)相比，在使用含氟氣體的干蝕刻或使用氫氟酸水溶液的濕蝕刻中的選擇比較大，這是為了能夠作為對(duì)于層疊膜的蝕刻停止層有效地發(fā)揮作用。另外，開(kāi)ロ部35與隔膜38相比較大。即，除去層疊膜30、32及33，形成開(kāi)ロ部35，使其面積大于隔膜38的面積，。這是因?yàn)?，通過(guò)在隔膜38的上部殘存層疊膜30、32及33，防止檢測(cè)部3的殘留應(yīng)カ變化。圖14為安裝有本發(fā)明的實(shí)施方式I的熱式流體流量傳感器的熱式空氣流量計(jì)的配置簡(jiǎn)圖，所述熱式流體流量傳感器安裝于汽車(chē)等的內(nèi)燃機(jī)的吸氣通路上。熱式空氣流量計(jì)44由熱式流體流量傳感器的測(cè)定元件I、支持體42、將外部和測(cè)定元件I電連接的連接部43構(gòu)成，測(cè)定元件I被配置于位于空氣通路40的內(nèi)部的副通路41上。吸氣空氣45根據(jù)內(nèi)燃機(jī)的條件，在圖14的箭頭所示的空氣流的方向、或與其相反的方向上流動(dòng)。[實(shí)施例2] 實(shí)施例2的熱式流量傳感器與實(shí)施例I的熱式流量傳感器比較，不同之處在于結(jié)構(gòu)為用作蝕刻停止層的絕緣膜29從流量檢測(cè)部36的最上層除去。圖15為實(shí)施例2的熱式流體流量傳感器的ー個(gè)例子，表示半導(dǎo)體基板2的要部截面圖。實(shí)施例2的熱式流量傳感器與實(shí)施例I有很多共同之處，因此，以下省略針對(duì)共同部分的詳細(xì)說(shuō)明，重點(diǎn)說(shuō)明不同的部分。需要說(shuō)明的是，與實(shí)施例I所示的要素相同的要素，使用同一符號(hào)。實(shí)施例I中，形成在流量檢測(cè)部37的最上層殘留用作蝕刻停止層的絕緣膜29的結(jié)構(gòu)，但在上述絕緣膜29的膜厚較厚、流量檢測(cè)部37整體的應(yīng)カ平衡破壞的情況下，如本實(shí)施方式2所示，其特征在干，以有機(jī)保護(hù)膜36作為掩模除去上述絕緣膜29。通過(guò)為上述結(jié)構(gòu)，能夠控制流量檢測(cè)部37的殘留應(yīng)力，具有提高可靠性的效果。其中，除去絕緣膜29的エ序通過(guò)下述蝕刻進(jìn)行，即，如果為干蝕刻使用含氯氣體，如果為濕蝕刻使用堿類(lèi)液體(Κ0Η或TMAH)的蝕刻。另外，在實(shí)施例I中所述在形成將第I布線(xiàn)或金屬膜24和布線(xiàn)28連接的連接孔的エ序中也除去絕緣膜29，但通過(guò)在該エ序中也進(jìn)ー步除去流量檢測(cè)部37的上方的絕緣膜29，能夠減少エ序數(shù)。需要說(shuō)明的是，實(shí)施方式2中，以有機(jī)保護(hù)膜36作為掩模，在形成有機(jī)保護(hù)膜36之前，即，通過(guò)干蝕刻除去絕緣膜33、絕緣膜32、絕緣膜30、加工開(kāi)ロ部35之后，即使連續(xù)地除去上述用作蝕刻停止層的絕緣膜29，也能得到與實(shí)施方式2同樣的效果。[實(shí)施例3]在實(shí)施例3中，形成在蝕刻停止層中采用金屬膜的結(jié)構(gòu)。圖16為實(shí)施例3的熱式流體流量傳感器的ー個(gè)例子，表示半導(dǎo)體基板2的要部截面圖。實(shí)施例3的熱式流量傳感器與實(shí)施例I有很多共同之處，因此，以下省略對(duì)于共同部分的詳細(xì)說(shuō)明，重點(diǎn)說(shuō)明不同的部分。需要說(shuō)明的是，與實(shí)施例I所示的要素相同的要素使用同一符號(hào)。實(shí)施例I中，使用用作蝕刻停止層的絕緣膜29，但在實(shí)施例3中，形成用作蝕刻停止層的金屬膜39代替上述絕緣膜。圖16中，特別地表示與實(shí)施例2同樣、從流量檢測(cè)部37的最上層除去用作蝕刻停止層的金屬膜39的結(jié)構(gòu)，但也可以為與實(shí)施例I同樣地殘留流量檢測(cè)部37的最上層的金屬膜39的結(jié)構(gòu)。用作上述停止層的金屬膜39為如下膜利用氮化鈦(TiN)、氮化鎢(WN)、鈦鎢(Tiff)等上述第I布線(xiàn)28中使用的屏蔽膜加工Al膜，之后再次使用光刻法進(jìn)行圖案形成，使其覆蓋比流量檢測(cè)部37和隔膜38更廣闊的面積，從該Al膜中留下用作金屬膜39的部分。此時(shí)，作為與實(shí)施例I及2的區(qū)別之處在于，在布線(xiàn)28的各個(gè)上層上沒(méi)有殘留金屬膜39。這是因?yàn)樵谏鲜鑫恢蒙蠚埩艚饘倌?9時(shí)，在布線(xiàn)28間相互導(dǎo)通。之后，與實(shí)施例I同樣地推進(jìn)エ序，通過(guò)對(duì)絕緣膜33、絕緣膜32及絕緣膜30進(jìn)行干蝕刻來(lái)加工開(kāi)ロ部35，之后，通過(guò)形成有機(jī)保護(hù)膜36及圖案形成，能夠得到與實(shí)施例I同樣的效果。進(jìn)而，之后通過(guò)除去用作蝕刻停止層的金屬膜39，能夠得到與實(shí)施例2同樣的效果O綜上所述，本實(shí)施例的熱式傳感器的制造方法的特征在于，在上述實(shí)施例I的エ序(e)中，特別使中間層為氮化鈦、氮化鎢、鈦鎢中的任ー種。另外，著眼于熱式傳感器的結(jié)構(gòu)方面，所述發(fā)明的特征如下。即，熱式傳感器的特 征在于，具有半導(dǎo)體基板；第I層疊膜，其設(shè)置于半導(dǎo)體基板的上方，且包含多個(gè)絕緣膜；檢測(cè)部，其設(shè)置于第I層疊膜上，且具有發(fā)熱電阻體；電路部，其設(shè)置于半導(dǎo)體基板上，且具有控制發(fā)熱電阻體的控制電路;第2層疊膜，其設(shè)置于發(fā)熱電阻體上及控制電路的上方，且包含多個(gè)絕緣膜；中間層，其設(shè)置于第2層疊膜上；及第3層疊膜，其設(shè)置于中間層上和控制電路的上方，且包含多個(gè)絕緣膜，中間層由氮化鈦、氮化鎢或鈦鎢中的任ー種形成。這是因?yàn)?，上述材料與上述氮化鋁等的絕緣膜同樣地、能夠作為針對(duì)層疊膜30、32的蝕刻停止層有效地發(fā)揮作用。需要說(shuō)明的是，雖然在上述中以有機(jī)保護(hù)膜36作為掩模，但在形成有機(jī)保護(hù)膜36之前，即，通過(guò)對(duì)絕緣膜33、絕緣膜32、絕緣膜30進(jìn)行干蝕刻來(lái)加工開(kāi)ロ部35之后，即使連續(xù)地除去用作上述蝕刻停止層的金屬膜39，也能夠得到與實(shí)施例2同樣的效果。[實(shí)施例4] 在本實(shí)施例4中，形成下述結(jié)構(gòu)，即，使用與形成加熱器及傳感器的金屬膜同層的金屬膜24作為電路部的布線(xiàn)。圖17為實(shí)施例4的熱式流體流量傳感器的ー個(gè)例子，表示半導(dǎo)體基板2的要部截面圖。實(shí)施例4的熱式流量傳感器與實(shí)施方式I有很多共同之處，因此，以下省略對(duì)于共同部分的詳細(xì)說(shuō)明，重點(diǎn)說(shuō)明不同的部分。需要說(shuō)明的是，與實(shí)施例I所示的要素相同的要素使用同一符號(hào)。實(shí)施例I中，使用第I布線(xiàn)28，用于連接流量檢測(cè)部3和電路部4、及電路部?jī)?nèi)的連接，使用第2布線(xiàn)31作為電路部?jī)?nèi)的布線(xiàn)及與外部連接的電極5，而在本實(shí)施方式4中形成如下結(jié)構(gòu)作為布線(xiàn)層將加熱器及傳感器中使用的金屬膜24用作電路部?jī)?nèi)的布線(xiàn)，放棄圖13中所示的第2布線(xiàn)層31，以與外部的電極34作為第I布線(xiàn)28。所述電極34與上述開(kāi)ロ部35(エ序(g))同時(shí)形成。S卩，本實(shí)施例的熱式傳感器的制造方法的特征在于，還包括在上述實(shí)施例I的エ序(f)之前形成連接發(fā)熱電阻體和控制電路的布線(xiàn)層(28)的エ序(i)，在エ序(g)中，進(jìn)ー步蝕刻第3層疊膜中位于布線(xiàn)層上方的部分。另外，著眼于熱式傳感器的結(jié)構(gòu)方面時(shí)，本發(fā)明的特征如下。即，熱式傳感器的特征在于，還具有連接發(fā)熱電阻體和控制電路的布線(xiàn)層，將控制電路和熱式傳感器的外部連接的電極形成于布線(xiàn)層上。
通過(guò)上述結(jié)構(gòu)，能夠得到與實(shí)施例I同樣的效果，同時(shí)能夠在形成開(kāi)ロ部35的同時(shí)形成電極34，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)減少制造エ序，降低成本。[實(shí)施例5]圖18為本實(shí)施例5的熱式流體流量傳感器的ー個(gè)例子，圖19為圖18的B-B線(xiàn)的要部截面圖。實(shí)施例5的熱式流量傳感器與實(shí)施例I有很多共同之處，因此，以下省略關(guān)于共同部分的詳細(xì)說(shuō)明，重點(diǎn)說(shuō)明不同的部分。需要說(shuō)明的是，與實(shí)施例I所示的要素相同的要素使用同一符號(hào)。本實(shí)施例5中，裝載于引線(xiàn)框I上的半導(dǎo)體基板2、及向外部輸入輸出用的電極5和引線(xiàn)框利用接線(xiàn)6與外部端子7的連接與實(shí)施例I相同，其特征在于樹(shù)脂模具9的覆蓋方式。本實(shí)施例中，形成下述結(jié)構(gòu)，即，至少引線(xiàn)框I全部被樹(shù)脂模具9覆蓋，且半導(dǎo)體基板2的流量檢測(cè)部3的至少包含隔膜8的區(qū)域露出，且沿著空氣流動(dòng)的方向形成槽47。通過(guò)在上述槽47上用其他構(gòu)件設(shè)置蓋子(圖中未示出)，能夠簡(jiǎn)單且精度良好地形成空氣的流路。另外，通過(guò)改變樹(shù)脂模具9的厚度、或改變槽47的形狀或上述蓋子的形狀等，能夠簡(jiǎn)單地進(jìn) 行在空氣流量測(cè)定中重要的空氣流量的調(diào)節(jié)，因此，能夠簡(jiǎn)化裝配エ序，實(shí)現(xiàn)成本減少。需要說(shuō)明的是，樹(shù)脂模具接觸的半導(dǎo)體基板2的結(jié)構(gòu)至少有機(jī)保護(hù)膜36、絕緣膜33、絕緣膜32形成于下層，保護(hù)其不受樹(shù)脂模具成型時(shí)由填料產(chǎn)生的沖擊。另外，本實(shí)施例中，舉出了在同一基板上形成流量檢測(cè)部和電路部的例子，但也適用在同一基板上形成例如濕度傳感器、壓カ傳感器等其它傳感器的復(fù)合傳感器。
權(quán)利要求
1.ー種熱式傳感器，其特征在于，具有 半導(dǎo)體基板； 第I層疊膜，其設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板的上方，且包含多個(gè)絕緣膜； 檢測(cè)部，其設(shè)置于所述第I層疊膜層上，且具有發(fā)熱電阻體； 電路部，其設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板上，且具有控制所述發(fā)熱電阻體的控制電路； 第2層疊膜，其設(shè)置于所述發(fā)熱電阻體上及所述控制電路的上方，且包含多個(gè)絕緣膜； 中間層，其設(shè)置于所述第2層疊膜上；及 第3層疊膜，其設(shè)置于所述中間層上及所述控制電路的上方，且包含多個(gè)絕緣膜， 所述中間層由氮化鋁、氧化鋁、碳化硅、氮化鈦、氮化鎢或鈦鎢中的任ー種形成。
2.如權(quán)利要求I所述的熱式傳感器，其特征在于，所述中間層不設(shè)置于所述檢測(cè)部的上方而是設(shè)置于所述控制電路的上方。
3.如權(quán)利要求I所述的熱式傳感器，其特征在于，所述中間層設(shè)置于所述檢測(cè)部的上方及所述控制電路的上方。
4.如權(quán)利要求I所述的熱式傳感器，其特征在于，還具有連接所述發(fā)熱電阻體和所述控制電路的布線(xiàn)層， 所述布線(xiàn)層和所述控制電路通過(guò)與所述發(fā)熱電阻體同層設(shè)置的金屬層導(dǎo)通。
5.如權(quán)利要求I所述的熱式傳感器，其特征在于，還具有連接所述發(fā)熱電阻體和所述控制電路的布線(xiàn)層， 連接所述控制電路和所述熱式傳感器的外部的電極，形成于所述布線(xiàn)層上。
6.如權(quán)利要求I所述的熱式傳感器，其特征在于，所述中間層的膜厚為200nm以下。
7.如權(quán)利要求6所述的熱式傳感器，其特征在于，所述中間層的膜厚為20nm以上、IOOnm以下。
8.ー種熱式傳感器，其特征在于，具有 半導(dǎo)體基板； 第I層疊膜，其設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板的上方，且包含多個(gè)絕緣膜； 檢測(cè)部，其設(shè)置于所述第I層疊膜上，且具有發(fā)熱電阻體； 電路部，其設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板上，且具有控制所述發(fā)熱電阻體的控制電路； 第2層疊膜，其設(shè)置于所述發(fā)熱電阻體上及所述控制電路的上方，且包含多個(gè)絕緣膜； 中間層，其設(shè)置于所述第2層疊膜上 '及 第3層疊膜，其設(shè)置于所述中間層上方中的除所述檢測(cè)部的上方之外的區(qū)域，且包含多個(gè)絕緣膜。
9.如權(quán)利要求8所述的熱式傳感器，其特征在干，所述中間層不設(shè)置于所述檢測(cè)部的上方而是設(shè)置于所述控制電路的上方。
10.如權(quán)利要求8所述的熱式傳感器，其特征在干，所述中間層由下述材料形成，所述材料在使用含氟氣體的干蝕刻或使用氫氟酸水溶液的濕蝕刻中的選擇比大于所述第3層疊膜中包含的任一絕緣膜。
11.一種熱式傳感器的制造方法，所述制造方法制造的熱式傳感器具備具有發(fā)熱電阻體的檢測(cè)部、具有控制所述發(fā)熱電阻體的控制電路的電路部，其特征在于，包括以下エ序 (a)在半導(dǎo)體基板的上方形成包含多個(gè)絕緣膜的第I層疊膜的エ序；(b)在所述第I層疊膜上形成所述發(fā)熱電阻體的エ序； (c)在所述半導(dǎo)體基板上形成所述控制電路的エ序； (d)在所述發(fā)熱電阻體上及所述控制電路的上方形成包含多個(gè)絕緣膜的第2層疊膜的ェ序； (e)在所述第2層疊膜上形成中間層的エ序； (f)在所述中間層上形成包含多個(gè)絕緣膜的第3層疊膜的エ序；及 (g)以所述中間層作為蝕刻停止層，對(duì)所述第3層疊膜中位于所述檢測(cè)部的上方的部分進(jìn)行蝕刻的エ序。
12.如權(quán)利要求11所述的熱式傳感器的制造方法，其特征在于，在所述エ序(e)中，由氮化鋁、氧化鋁、碳化硅、氮化鈦、氮化鎢、鈦鎢中的任ー種形成所述中間層。
13.如權(quán)利要求11所述的熱式傳感器的制造方法，其特征在于，還包括(h)在所述エ序(g)之后，對(duì)所述中間層中位于所述檢測(cè)部的上方的部分進(jìn)行蝕刻的エ序。
14.如權(quán)利要求11所述的熱式傳感器的制造方法，其特征在于，還包括(i)在所述エ序(f)之前，形成連接所述發(fā)熱電阻體和所述控制電路的布線(xiàn)層的エ序， 在所述エ序(b)中，進(jìn)ー步形成連接所述布線(xiàn)層和所述控制電路的金屬層。
15.如權(quán)利要求11所述的熱式傳感器的制造方法，其特征在于，還包括(i)在所述エ序(f)之前，形成連接所述發(fā)熱電阻體和所述控制電路的布線(xiàn)層的エ序， 在所述エ序(g)中，進(jìn)ー步對(duì)上述第3層疊膜中位于所述布線(xiàn)層上方的部分進(jìn)行蝕刻。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的下述課題在同一基板上形成檢測(cè)部和電路部的熱式傳感器中，由于用于保護(hù)電路部的絕緣膜，由加熱器的靈敏度下降、檢測(cè)部的殘留應(yīng)力變化而引起精度惡化。本發(fā)明通過(guò)以下技術(shù)手段解決上述課題在發(fā)熱電阻體(24)上設(shè)置包含多個(gè)絕緣膜的層疊膜(25-27)，在層疊膜上設(shè)置中間層(29)，在中間膜上設(shè)置包含多個(gè)絕緣膜的層疊膜(30、32、33)。另外，中間層是由氮化鋁、氧化鋁、碳化硅、氮化鈦、氮化鎢或鈦鎢中的任一種形成的層。通過(guò)上述結(jié)構(gòu)，以中間層作為蝕刻停止層，能夠除去檢測(cè)部上部的層疊膜(30、32、33)，解決由其導(dǎo)致的靈敏度下降、殘留應(yīng)力變化等課題。
文檔編號(hào)G01F1/684GK102692255SQ20111046192
公開(kāi)日2012年9月26日 申請(qǐng)日期2011年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月25日
發(fā)明者佐久間憲之 申請(qǐng)人:日立汽車(chē)系統(tǒng)株式會(huì)社