專利名稱：一種晶體管檢測電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于電子元件檢測領(lǐng)域，尤其涉及一種晶體管檢測電路。
背景技術(shù)：
晶體管是ー種固定半導(dǎo)體器件，包括ニ極管、三極管、可控硅等，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和其他許多功能。在檢測晶體管好壞時，通常使用專用的萬用表檢測，但萬用表價格少則也需要上千元，并且由于萬用表的結(jié)構(gòu)復(fù)雜、體積大，也不利于隨身攜帯。這樣，在檢測晶體管的時候就存在成本高和檢測不方便的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種晶體管檢測電路，旨在解決現(xiàn)在由于采用萬用表檢測晶體管，而存在檢測成本高和檢測不方便的問題。本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的，ー種晶體管檢測電路，所述晶體管檢測電路包括無穩(wěn)態(tài)自激多諧振蕩器、電阻R5、電阻R6、電阻R7、ニ極管D1、開關(guān)元件、發(fā)光二極管Hl和發(fā)光二極管H2 ；所述無穩(wěn)態(tài)自激多諧振蕩器的輸入端接電池正極，所述無穩(wěn)態(tài)自激多諧振蕩器的接地端接電池負極，所述無穩(wěn)態(tài)自激多諧振蕩器的輸出端接電阻R5的第一端，所述電阻R5的第二端接ニ極管Dl的陽極，所述ニ極管Dl的陰極接開關(guān)元件的控制端，所述開關(guān)元件的輸入端接電池正極，所述開關(guān)元件的輸出端接發(fā)光二極管Hl的陽極，所述發(fā)光二極管Hl的陰極接電阻R6的第一端，所述發(fā)光二極管H2的陽極接電池正極，所述發(fā)光二極管H2的陰極接接電阻R7的第一端，所述電阻R6的第二端為晶體管檢測電路的第一檢測端，所述電阻R7的第二端為晶體管檢測電路的第二檢測端，所述晶體管檢測電路的第三檢測端接電池負扱。在本發(fā)明中，當把待檢測的晶體管與第一檢測端和第二檢測端連接時，如果發(fā)光ニ極管Hl和發(fā)光二極管H2同步閃爍，表示晶體管是好的，如果發(fā)光二極管Hl閃爍而發(fā)光ニ極管H2總是熄滅，表示晶體管內(nèi)部斷路，如果發(fā)光二極管H2常亮，表示晶體管內(nèi)部擊穿，該晶體管檢測電路采用分立元件實現(xiàn)，結(jié)構(gòu)簡單、體積小，便于隨身攜帯，檢測方便。


圖I是本發(fā)明第一實施例提供的晶體管檢測電路的電路結(jié)構(gòu)圖；圖2是本發(fā)明第二實施例提供的晶體管檢測電路的電路結(jié)構(gòu)圖。
具體實施例方式為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進ー步詳細說明。應(yīng)當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。圖I示出了本發(fā)明第一實施例提供的晶體管檢測電路的電路結(jié)構(gòu)，為了便于說明，僅示出了與本發(fā)明實施例相關(guān)的部分，詳述如下。晶體管檢測電路包括無穩(wěn)態(tài)自激多諧振蕩器100、電阻R5、電阻R6、電阻R7、ニ極管D1、開關(guān)元件200、發(fā)光二極管Hl和發(fā)光二極管H2 ;其中，電阻R 5、電阻R6和電阻R7為限流電阻。無穩(wěn)態(tài)自激多諧振蕩器100的輸入端接電池BTl正扱，無穩(wěn)態(tài)自激多諧振蕩器100的接地端接電池BTl負極，無穩(wěn)態(tài)自激多諧振蕩器100的輸出端接電阻R5的第一端，電阻R5的第二端接ニ極管Dl的陽極，ニ極管Dl的陰極接開關(guān)元件200的控制端，開關(guān)元件200的輸入端接電池BTl正極，開關(guān)元件200的輸出端接發(fā)光二極管Hl的陽極，發(fā)光二極管Hl的陰極接電阻R6的第一端，發(fā)光二極管H2的陽極接電池BTl正極，發(fā)光二極管H2的陰極接接電阻R7的第一端，電阻R6的第二端為晶體管檢測電路的第一檢測端XI，電阻R7的第ニ端為晶體管檢測電路的第二檢測端X2，晶體管檢測電路的第三檢測端X3接電池負極。作為本發(fā)明ー實施例，無穩(wěn)態(tài)自激多諧振蕩器100包括電阻Rl、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電解電容Cl、電解電容C2、NPN型三極管VTl和NPN型三極管VT2 ;其中，電阻R2和電阻R3為偏置電阻，電阻Rl和電阻R4為限流電阻。電阻R1、電阻R2、電阻R3和電阻R4的第一端為無穩(wěn)態(tài)自激多諧振蕩器100的輸入端同時接電池BTl正極，電解電容Cl的正極接電阻Rl的第二端，電解電容Cl的負極接電阻R2的第二端，電解電容C2的正極接電阻R4的第二端，電解電容C2的負極接電阻R3的第二端，NPN型三極管VTl的基極接電阻R3的第二端，NPN型三極管VTl的集電極接電阻Rl的第二端，NPN型三極管VTl的發(fā)射極接電池BTl負極，NPN型三極管VT2的基極接電阻R2的第二端，NPN型三極管VT2的集電極接電阻R4的第二端，NPN型三極管VT2的發(fā)射極接電池BTl負極，NPN型三極管VT2的集電極為無穩(wěn)態(tài)自激多諧振蕩器100的輸出端。作為本發(fā)明ー實施例，晶體管檢測電路還包括開關(guān)SI，開關(guān)SI的第一端接電池BTl正極，開關(guān)SI的第二端同時接發(fā)光二極管H2的陽極、開關(guān)元件200的輸入端和無穩(wěn)態(tài)自激多諧振湯器100的輸入端。作為本發(fā)明ー實施例，開關(guān)元件200采用NPN型三極管VT3，NPN型三極管VT3的集電極為開關(guān)元件200的輸入端，NPN型三極管VT3的基極為開關(guān)元200的控制端，NPN型三極管VT3的發(fā)射極為開關(guān)元件200的輸出端。圖2示出了本發(fā)明第二實施例提供的晶體管檢測電路的電路結(jié)構(gòu)。作為本發(fā)明ー實施例，開關(guān)元件200采用MOS管Ql，MOS管Ql的漏極為開關(guān)元件200的輸入端，MOS管Ql的柵極為開關(guān)元件200的控制端，MOS管Ql的源極為開關(guān)元件200的輸出端。晶體管檢測電路的工作原理為當待檢測的晶體管為三極管吋，將三極管的基極接第一檢測端XI，將三極管的集電極接第二檢測端X2，將三極管的發(fā)射極接第三檢測端X3，無穩(wěn)態(tài)自激多諧振蕩器100的振蕩頻率由電解電容Cl、電阻R2、電阻R3、電解電容C2等決定，在本發(fā)明實施例中，無穩(wěn)態(tài)自激多諧振蕩器100的振蕩頻率周期在4秒左右。當NPN型三極管VT2的集電極輸出高電平吋，經(jīng)ニ極管Dl整形，NPN型三極管VT3導(dǎo)通，并通過發(fā)光二極管Hl、電阻R6限流，觸發(fā)待檢測三極管導(dǎo)通，發(fā)光二極管H2發(fā)光；當NPN型三極管VT2的集電極輸出為低電平吋，NPN型三極管VT3截止，待檢測三極管截止，發(fā)光二極管H2不亮。發(fā)光二極管Hl和發(fā)光二極管H2同步閃爍，表明待檢測三極管是好的；如果發(fā)光二極管Hl閃爍而發(fā)光二極管H2總是熄滅，表示檢測三極管內(nèi)部斷路，如果發(fā)光二極管H2常亮，表示檢測三極管內(nèi)部擊穿。此電路也可檢測ニ極管，測量時將ニ極管正極接第二檢測端X2，將ニ極管負極接第三檢測端X3，如果發(fā)光二極管H2亮則待測ニ極管是好的；反向再插，發(fā)光二極管H2應(yīng)不亮。這個電路還可測量可控硅等。在本發(fā)明實施例中，當把待檢測的晶體管與第一檢測端和第二檢測端連接時，如果發(fā)光二極管Hl和發(fā)光二極管H2同步 閃爍，表示晶體管是好的，如果發(fā)光二極管Hl閃爍而發(fā)光二極管H2總是熄滅，表示晶體管內(nèi)部斷路，如果發(fā)光二極管H2常亮，表示晶體管內(nèi)部擊穿，該晶體管檢測電路采用分立元件實現(xiàn)，結(jié)構(gòu)簡單、體積小，便于隨身攜帯，檢測方便。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.ー種晶體管檢測電路，其特征在于，所述晶體管檢測電路包括 無穩(wěn)態(tài)自激多諧振蕩器、電阻R5、電阻R6、電阻R7、ニ極管D1、開關(guān)元件、發(fā)光二極管Hl和發(fā)光二極管H2 ； 所述無穩(wěn)態(tài)自激多諧振蕩器的輸入端接電池正扱，所述無穩(wěn)態(tài)自激多諧振蕩器的接地端接電池負極，所述無穩(wěn)態(tài)自激多諧振蕩器的輸出端接電阻R5的第一端，所述電阻R5的第ニ端接ニ極管Dl的陽極，所述ニ極管Dl的陰極接開關(guān)元件的控制端，所述開關(guān)元件的輸入端接電池正極，所述開關(guān)元件的輸出端接發(fā)光二極管Hl的陽極，所述發(fā)光二極管Hl的陰極接電阻R6的第一端，所述發(fā)光二極管H2的陽極接電池正極，所述發(fā)光二極管H2的陰極接接電阻R7的第一端，所述電阻R6的第二端為晶體管檢測電路的第一檢測端，所述電阻R7的第二端為晶體管檢測電路的第二檢測端，所述晶體管檢測電路的第三檢測端接電池負扱。
2.如權(quán)利要求I所述的晶體管檢測電路，其特征在于，所述無穩(wěn)態(tài)自激多諧振蕩器包括 電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電解電容Cl、電解電容C2、NPN型三極管VTl和NPN型三極管VT2 ； 所述電阻R1、電阻R2、電阻R3和電阻R4的第一端為無穩(wěn)態(tài)自激多諧振蕩器的輸入端同時接電池正極，所述電解電容Cl的正極接電阻Rl的第二端，所述電解電容Cl的負極接電阻R2的第二端，所述電解電容C2的正極接電阻R4的第二端，所述電解電容C2的負極接電阻R3的第二端，所述NPN型三極管VTl的基極接電阻R3的第二端，所述NPN型三極管VTl的集電極接電阻Rl的第二端，所述NPN型三極管VTl的發(fā)射極接電池負極，所述NPN型三極管VT2的基極接電阻R2的第二端，所述NPN型三極管VT2的集電極接電阻R4的第二端，所述NPN型三極管VT2的發(fā)射極接電池負極，所述NPN型三極管VT2的集電極為無穩(wěn)態(tài)自激多諧振蕩器的輸出端。
3.如權(quán)利要求I所述的晶體管檢測電路，其特征在于，所述開關(guān)元件采用NPN型三極管VT3，所述NPN型三極管VT3的集電極為開關(guān)元件的輸入端，所述NPN型三極管VT3的基極為開關(guān)元件的控制端，所述NPN型三極管VT3的發(fā)射極為開關(guān)元件的輸出端。
4.如權(quán)利要求I所述的晶體管檢測電路，其特征在于，所述開關(guān)元件采用MOS管Q1，所述MOS管Ql的漏極為開關(guān)元件的輸入端，所述MOS管Ql的柵極為開關(guān)元件的控制端，所述MOS管Ql的源極為開關(guān)元件的輸出端。
5.如權(quán)利要求I所述的晶體管檢測電路，其特征在于，所述晶體管檢測電路還包括開關(guān)SI，所述開關(guān)SI的第一端接電池正極，所述開關(guān)SI的第二端同時接發(fā)光二極管H2的陽極、開關(guān)元件的輸入端和無穩(wěn)態(tài)自激多諧振蕩器的輸入端。
全文摘要
本發(fā)明適用于電子元件檢測領(lǐng)域，尤其涉及一種晶體管檢測電路。當把待檢測的晶體管與檢測電路的第一檢測端和第二檢測端連接時，如果發(fā)光二極管H1和發(fā)光二極管H2同步閃爍，表示晶體管是好的，如果發(fā)光二極管H1閃爍而發(fā)光二極管H2總是熄滅，表示晶體管內(nèi)部斷路，如果發(fā)光二極管H2常亮，表示晶體管內(nèi)部擊穿。在本發(fā)明實施例中，該晶體管檢測電路采用分立元件實現(xiàn)，結(jié)構(gòu)簡單、體積小，便于隨身攜帶，檢測方便。
文檔編號G01R31/26GK102759694SQ20111010845
公開日2012年10月31日 申請日期2011年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月28日
發(fā)明者周明杰, 鄭平 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司