專(zhuān)利名稱(chēng)：高分辨率紅外氣體傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種紅外氣體傳感器，具體地說(shuō)，涉及一種高分辨率紅外氣體傳 感器。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的紅外氣體傳感器因受自身體積的限制，其光學(xué)通道的光程很短，致使傳感 器的測(cè)試靈敏度較低，只能進(jìn)行定性的氣體濃度測(cè)量，很難進(jìn)行高靈敏度和高精度的氣體 測(cè)試；現(xiàn)有的紅外氣體傳感器只是對(duì)紅外吸收原理的一種簡(jiǎn)單應(yīng)用，具有部分紅外原理特 征，還缺少一些較為完備的功能，例如抗水氣干擾、溫度補(bǔ)償、空氣校準(zhǔn)、數(shù)字輸出等功能， 還無(wú)法適應(yīng)惡劣環(huán)境，無(wú)法滿足高精度、高要求的應(yīng)用領(lǐng)域。為此，人們一直在尋求一種適于實(shí)用的技術(shù)解決方案。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種體積小巧、性?xún)r(jià)比高、功能完善、使 用方便、高靈敏度、高精度的高分辨率紅外氣體傳感器。本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案如下一種高分辨率紅外氣體傳感器，包括防爆外 殼、設(shè)置于防爆外殼一開(kāi)口端的防爆冶金粉末網(wǎng)、設(shè)置于防爆外殼另一開(kāi)口端的防爆外殼 蓋、設(shè)置在防爆外殼蓋上的輸出管腳、紅外氣體探測(cè)器和紅外光源，其中，在防爆外殼內(nèi)部 依次設(shè)置有光學(xué)腔體、信號(hào)控制與采集電路板和主電路板，所述光學(xué)腔體內(nèi)設(shè)置有光學(xué)通 道，所述光學(xué)腔體靠近所述防爆冶金粉末網(wǎng)方向的腔壁上設(shè)置有通氣孔，所述光學(xué)腔體的 腔壁上設(shè)置有紅外氣體探測(cè)器安裝孔和紅外光源安裝孔，所述紅外氣體探測(cè)器和所述紅外 光源分別安裝在所述紅外氣體探測(cè)器安裝孔和所述紅外光源安裝孔內(nèi)，所述紅外氣體探測(cè) 器的探測(cè)端設(shè)置在所述光學(xué)通道內(nèi)的一端，所述紅外光源的發(fā)光端設(shè)置在所述光學(xué)通道內(nèi) 的另一端；在所述防爆外殼蓋與所述主電路板之間澆注有環(huán)氧樹(shù)脂，在所述信號(hào)控制與采 集電路板與所述主電路板之間澆注有環(huán)氧樹(shù)脂；所述信號(hào)控制與采集電路板上設(shè)置有信號(hào) 控制與采集電路，所述主電路板上設(shè)置有電源電路和主控電路；所述電源電路分別連接所 述信號(hào)控制與采集電路和所述主控電路，所述信號(hào)控制與采集電路連接所述主控電路，所 述紅外氣體探測(cè)器和所述紅外光源的管腳分別連接所述信號(hào)控制與采集電路，所述輸出管 腳一端連接所述主控電路；所述光學(xué)通道呈螺旋形?；谏鲜?，所述光學(xué)通道呈阿基米德螺旋形，所述光學(xué)通道內(nèi)壁鍍金?；谏鲜?，所述光學(xué)腔體包括安裝在一起的銅質(zhì)光學(xué)腔體上蓋和銅質(zhì)光學(xué)腔體下 蓋；所述紅外氣體探測(cè)器安裝孔和所述紅外光源安裝孔分別設(shè)置在所述光學(xué)腔體上蓋上， 所述通氣孔設(shè)置在所述光學(xué)腔體下蓋上?；谏鲜?，在所述光學(xué)腔體與所述防爆冶金粉末網(wǎng)之間設(shè)置有防水透氣膜?；谏鲜?，所述主控電路包括有MCU電路和連接MCU電路的加熱控制電路，所述加 熱控制電路的控制輸出端連接加熱電阻一端，所述加熱電阻另一端接地。[0010]基于上述，所述信號(hào)控制與采集電路包括有可調(diào)穩(wěn)壓電源電路、場(chǎng)效應(yīng)管、兩路高 性能運(yùn)算放大器電路和溫度傳感器，其中，所述可調(diào)穩(wěn)壓電源電路的電壓輸出端連接所述 紅外光源以提供電源，所述場(chǎng)效應(yīng)管連接在所述紅外光源以控制紅外光源開(kāi)關(guān)；所述MCU 電路連接所述場(chǎng)效應(yīng)管以發(fā)送控制方波；所述紅外氣體探測(cè)器的輸出端分別連接兩路高 性能運(yùn)算放大器電路的輸入端，兩路所述高性能運(yùn)算放大器電路的輸出端連接所述MCU電 路，所述溫度傳感器的輸出端連接所述MCU電路?；谏鲜?，所述光學(xué)腔體上蓋上設(shè)置有加熱電阻安裝槽，所述加熱電阻設(shè)置在所 述加熱電阻安裝槽內(nèi)?；谏鲜觯鲭娫措娐肥请妷嚎烧{(diào)節(jié)穩(wěn)壓電源電路；所述電源電路的電壓輸出 端連接所述MCU電路的ADC參考電壓輸入腳?；谏鲜觯鲋骺仉娐愤€包括有連接MCU電路的數(shù)模轉(zhuǎn)換電路，所述MCU電路還 包括有MCU外部晶振電路和MCU編程接口。本實(shí)用新型相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)具有實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和進(jìn)步，具體說(shuō)，該紅外氣體傳感器能 在直徑為28. 5mm、高度為24mm的微小空間內(nèi)，利用呈阿基米德螺旋形的光學(xué)通道實(shí)現(xiàn)紅外 氣體探測(cè)的功能；在有限的空間內(nèi)，采用阿基米德螺旋形的光學(xué)通道，可使光程得以大幅度 提高，進(jìn)而可提高傳感器的測(cè)試靈敏度和精度；該紅外傳感器采用的防爆外殼、防爆冶金粉末網(wǎng)和防爆外殼蓋構(gòu)成了一個(gè)防爆性 能良好的防爆體，且在所述防爆外殼蓋與所述電路板之間澆注有環(huán)氧樹(shù)脂，更進(jìn)一步的增 強(qiáng)了傳感器的密封性能和防爆性能；該傳感器在狹小的空間內(nèi)增加了智能加熱功能，保證氣體不在傳感器內(nèi)凝結(jié)，達(dá) 到了抗?jié)駳獾哪康?，具有不受水氣影響的能力；該傳感器具有為紅外光源獨(dú)立供電的電路，使電源電壓的波動(dòng)對(duì)紅外光強(qiáng)的影響 降低到最小，利于提高傳感器精度；該傳感器根據(jù)傳感器的特性進(jìn)行了電路改進(jìn)，提高了電路的精度和穩(wěn)定性，進(jìn)而 利于提高傳感器的精度和靈敏度；該傳感器的輸出方式同時(shí)兼顧數(shù)字接口和模擬接口，具有使用方便、兼容性好的 優(yōu)點(diǎn)，適合更多的用戶(hù)；該傳感器具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、設(shè)計(jì)科學(xué)、性能穩(wěn)定、精度高、壽命長(zhǎng)、易于制造、使用方 便、應(yīng)用范圍廣的優(yōu)點(diǎn)，其具有數(shù)字輸出和溫度補(bǔ)償功能，能在-20°C 60°C范圍內(nèi)正常工 作，且抗?jié)駳飧蓴_能力強(qiáng)，適應(yīng)潮濕的工作環(huán)境。

圖1是本實(shí)用新型的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實(shí)用新型的拆分結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是所述光學(xué)腔體上蓋的外側(cè)面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是所述光學(xué)腔體上蓋的內(nèi)側(cè)面結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是所述光學(xué)腔體下蓋的內(nèi)側(cè)面結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本實(shí)用新型所述主控電路和電源電路的電路原理示意圖；圖7是本實(shí)用新型所述信號(hào)控制與采集電路的電路原理示意圖。
具體實(shí)施方式
下面通過(guò)具體實(shí)施方式
，對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。如圖1、圖2、圖3、圖4和圖5所示，一種高分辨率紅外氣體傳感器，包括防爆外殼 2、設(shè)置于防爆外殼2—開(kāi)口端的防爆冶金粉末網(wǎng)1、設(shè)置于防爆外殼2另一開(kāi)口端的防爆外 殼蓋9、設(shè)置在防爆外殼蓋9上的輸出管腳10、紅外氣體探測(cè)器5和紅外光源6 ；其中，在防爆外殼2內(nèi)部依次設(shè)置有光學(xué)腔體、信號(hào)控制與采集電路板7和主電路 板8，所述光學(xué)腔體內(nèi)設(shè)置有光學(xué)通道13，所述光學(xué)腔體靠近所述防爆冶金粉末網(wǎng)1方向的 腔壁上設(shè)置有通氣孔17，所述光學(xué)腔體的腔壁上設(shè)置有紅外氣體探測(cè)器安裝孔15和紅外 光源安裝孔16，所述紅外氣體探測(cè)器5和所述紅外光源6分別安裝在所述紅外氣體探測(cè)器 安裝孔15和所述紅外光源安裝孔16內(nèi)，所述紅外氣體探測(cè)器5的探測(cè)端設(shè)置在所述光學(xué) 通道13內(nèi)的一端，所述紅外光源6的發(fā)光端設(shè)置在所述光學(xué)通道13內(nèi)的另一端； 基于密封和防爆考慮，在防爆外殼蓋9與主電路板8之間澆注有環(huán)氧樹(shù)脂，在信號(hào) 控制與采集電路板7與主電路板8之間澆注有環(huán)氧樹(shù)脂；所述信號(hào)控制與采集電路板7上設(shè)置有信號(hào)控制與采集電路，所述主電路板8上 設(shè)置有電源電路和主控電路；所述電源電路的電壓輸出端分別連接所述信號(hào)控制與采集電路和所述主控電路 以便于為有源器件提供穩(wěn)壓電源，所述信號(hào)控制與采集電路連接所述主控電路，所述紅外 氣體探測(cè)器5和所述紅外光源6的管腳分別連接所述信號(hào)控制與采集電路，所述輸出管腳 10—端連接主控電路；所述光學(xué)通道13呈阿基米德螺旋形，即所述光學(xué)通道13呈阿基米德螺旋線狀，利 用阿基米德螺線原理大幅度增長(zhǎng)了光程，大大提高了測(cè)試靈敏度；所述光學(xué)通道13內(nèi)壁鍍
^^ o如圖3、圖4和圖5所示，基于上述，為了安裝與生產(chǎn)制造方便，所述光學(xué)腔體包括 密封安裝在一起的銅質(zhì)光學(xué)腔體上蓋4和銅質(zhì)光學(xué)腔體下蓋3 ；在銅質(zhì)光學(xué)腔體上蓋4和 銅質(zhì)光學(xué)腔體下蓋3上設(shè)置有螺絲孔22，通過(guò)螺絲12將銅質(zhì)光學(xué)腔體上蓋4和銅質(zhì)光學(xué)腔 體下蓋3緊固在一起；所述紅外氣體探測(cè)器安裝孔15和所述紅外光源安裝孔16分別設(shè)置在所述光學(xué)腔 體上蓋4上，所述通氣孔17設(shè)置在所述光學(xué)腔體下蓋3上；安裝在一起的所述光學(xué)腔體上蓋4和所述光學(xué)腔體下蓋3采用阿基米德螺線原理 構(gòu)成所述銅質(zhì)鍍金螺旋形光學(xué)通道?；谏鲜觯鐖D1和圖2所示，在光學(xué)腔體與防爆冶金粉末網(wǎng)1之間設(shè)置有防水透 氣膜11，具體說(shuō)，防水透氣膜11設(shè)置于防爆冶金粉末網(wǎng)1的內(nèi)側(cè)?；谏鲜?，如圖6所示，所述主控電路包括有MCU電路，分別連接MCU電路的數(shù)模 轉(zhuǎn)換電路和加熱控制電路；所述MCU電路包括有MCU、電阻R6、電容C9、MOT外部晶振電路和MOT編程接口， MCU 采用 dsPIC30F3013 ；所述MCU外部晶振電路包括晶振Y1、電容C7和電容C8，在微小的空間內(nèi)使用外部 晶振，利于提高傳感器精度；
6[0042]所述MCU編程接口 J3連接上拉電阻R7，實(shí)現(xiàn)了直接PCB在線編程；所述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路包括數(shù)模轉(zhuǎn)換芯片U2、電容C3、電容C10和電阻R1，所述數(shù)模轉(zhuǎn) 換芯片U2采用MCP4822芯片；所述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路用于將MCU輸出的數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換成模擬信 號(hào)并提供給輸出管腳，使得本傳感器同時(shí)兼顧模擬接口和數(shù)字接口；如圖7所示，所述加熱控制電路的控制輸出端連接加熱電阻R12—端，所述加熱電 阻R12另一端接地；所述加熱控制電路包括電源芯片U1和電容C1，電源芯片U1采用R1170 電源芯片；所述電源芯片U1用于給所述加熱電阻R12獨(dú)立供電；所述MCU輸出高低電平信 號(hào)控制所述電源芯片U1的工作與停止，從而達(dá)到控制加熱的目的；基于上述，如圖1和圖3所示，所述光學(xué)腔體上蓋4上設(shè)置有加熱電阻安裝槽24， 所述加熱電阻14設(shè)置在所述加熱電阻安裝槽24內(nèi)；當(dāng)光學(xué)腔體內(nèi)的溫度小于40度時(shí)就啟 動(dòng)加熱，保證氣體不在光學(xué)腔體內(nèi)凝結(jié)，達(dá)到了抗?jié)駳獾哪康?，使本傳感器具有抗?jié)駳飧蓴_ 的功能。基于上述，如圖6所示，所述電源電路是電壓可調(diào)節(jié)穩(wěn)壓電源電路，采用此電路可 將有源芯片供電的電壓降至到2. 7V ；所述電源電路包括電源穩(wěn)壓芯片U3、電容C2、電容C4、電容C5和電容C6、電阻R2、 電阻R3、電阻R4、零歐電阻R5 ；所述電源穩(wěn)壓芯片U3采用MIC5205BM5可調(diào)電源穩(wěn)壓芯片； 輸入電壓經(jīng)所述電源穩(wěn)壓芯片U3處理后輸出穩(wěn)定電壓，以提供給信號(hào)控制與采集電路和 主控電路使用；所述電源電路的電壓輸出端連接所述MCU電路的ADC參考電壓輸入腳，即ADC參 考電壓輸入腳直接連接到電源穩(wěn)壓芯片U3的2. 7V輸出端?；谏鲜觯鐖D7所示，所述信號(hào)控制與采集電路包括有可調(diào)穩(wěn)壓電源電路、場(chǎng)效 應(yīng)管Q1、兩路高性能運(yùn)算放大器電路(U2A，U2B)、基準(zhǔn)電壓芯片U5、溫度傳感器U9、電容 C20、電容C21、電容C14、電容C22、電容C13、電容C16、電容C17和電容C19、電阻R16、電阻 R13、電阻R14、電阻R15、電阻R6、電阻R19、電阻R21、三端濾波器附和N2 ；場(chǎng)效應(yīng)管采用 NDS331N場(chǎng)效應(yīng)管；溫度傳感器U9采用TC1047A溫度芯片；基準(zhǔn)電壓芯片U5采用ZXRE125 電源基準(zhǔn)芯片；兩路高性能運(yùn)算放大器電路(U2A，U2B)采用AD8629集成運(yùn)放；其中，所述可調(diào)穩(wěn)壓電源電路的電壓輸出端連接所述紅外光源以提供電源；為了 提高紅外光源的光強(qiáng)，電源芯片U7把電壓穩(wěn)至在紅外光源的最佳電壓值4. 6V ；由于紅外光 源的獨(dú)立供電，使電源電壓的紋波對(duì)紅外光強(qiáng)的影響降低到最小，利于提高精度。 所述可調(diào)穩(wěn)壓電源電路包括電源穩(wěn)壓芯片U7、電容CI 1、電容C12、電容C23和電容 C24、電阻R9、電阻R10，電源穩(wěn)壓芯片U7采用MIC5205BM5可調(diào)電源穩(wěn)壓芯片；所述場(chǎng)效應(yīng)管Q1連接所述紅外光源U8以控制紅外光源開(kāi)關(guān)，所述MCU連接所述 場(chǎng)效應(yīng)管Q1，所述場(chǎng)效應(yīng)管Q1根據(jù)所述MCU產(chǎn)生的一定頻率和占空比的方波控制所述紅外 光源開(kāi)關(guān)；所述紅外氣體探測(cè)器的輸出端分別連接兩路高性能運(yùn)算放大器電路的輸入端，兩 路所述高性能運(yùn)算放大器電路的輸出端連接所述MCU電路，其中，芯片U6為紅外氣體探測(cè) 器，它輸出的兩路微弱電信號(hào)經(jīng)過(guò)放大后接到MCU ；U2A和U2B為高性能運(yùn)算放大器，電阻 R8、電阻R20、電阻R17、電阻R18為放大電路的增益電阻；所述紅外氣體探測(cè)器根據(jù)所述紅 外光源產(chǎn)生的光波采集光學(xué)通道內(nèi)被測(cè)氣體的濃度模擬信息，所述濃度模擬信息經(jīng)兩路高性能運(yùn)算放大器電路放大后輸出給所述MCU ；所述基準(zhǔn)電壓芯片U5為高性能運(yùn)算放大器電路提供基準(zhǔn)電壓；所述溫度傳感器U9的輸出端連接所述MCU電路，所述溫度傳感器U9將采集的紅 外氣體探測(cè)器溫度模擬信息輸出給所述MCU。所述濃度模擬信息和溫度模擬信息經(jīng)所述MCU的內(nèi)設(shè)程序進(jìn)行一系列運(yùn)算處理 后輸出被測(cè)氣體數(shù)字智能采集信息，所述智能采集信息連接所述輸出管腳。該傳感器具有溫度補(bǔ)償功能，所述MCU通過(guò)內(nèi)設(shè)控制程序，使本傳感器在不同溫 度下能得出不同結(jié)果，保證了在不同溫度下測(cè)試結(jié)果均具有高準(zhǔn)確性，可適應(yīng)超高溫或超 低溫條件下正常運(yùn)行；該傳感器采用變溫技術(shù)，得到不同溫度下的零點(diǎn)，在任何條件下，都可以用空氣進(jìn) 行校準(zhǔn)；該傳感器采用全新的整體模塊化設(shè)計(jì)，在需要開(kāi)發(fā)新氣體種類(lèi)的時(shí)候，只需要更 換探測(cè)器，大大減少開(kāi)發(fā)周期，真正實(shí)現(xiàn)智能化。最后應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案而非對(duì)其限 制；盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng) 理解依然可以對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
進(jìn)行修改或者對(duì)部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替 換；而不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的精神，其均應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型請(qǐng)求保護(hù)的技術(shù)方案 范圍當(dāng)中。
權(quán)利要求一種高分辨率紅外氣體傳感器，包括防爆外殼、設(shè)置于防爆外殼一開(kāi)口端的防爆冶金粉末網(wǎng)、設(shè)置于防爆外殼另一開(kāi)口端的防爆外殼蓋、設(shè)置在防爆外殼蓋上的輸出管腳、紅外氣體探測(cè)器和紅外光源，其中，在防爆外殼內(nèi)部依次設(shè)置有光學(xué)腔體、信號(hào)控制與采集電路板和主電路板，所述光學(xué)腔體內(nèi)設(shè)置有光學(xué)通道，所述光學(xué)腔體靠近所述防爆冶金粉末網(wǎng)方向的腔壁上設(shè)置有通氣孔，所述光學(xué)腔體的腔壁上設(shè)置有紅外氣體探測(cè)器安裝孔和紅外光源安裝孔，所述紅外氣體探測(cè)器和所述紅外光源分別安裝在所述紅外氣體探測(cè)器安裝孔和所述紅外光源安裝孔內(nèi)，所述紅外氣體探測(cè)器的探測(cè)端設(shè)置在所述光學(xué)通道內(nèi)的一端，所述紅外光源的發(fā)光端設(shè)置在所述光學(xué)通道內(nèi)的另一端；在所述防爆外殼蓋與所述主電路板之間澆注有環(huán)氧樹(shù)脂，在所述信號(hào)控制與采集電路板與所述主電路板之間澆注有環(huán)氧樹(shù)脂；所述信號(hào)控制與采集電路板上設(shè)置有信號(hào)控制與采集電路，所述主電路板上設(shè)置有電源電路和主控電路；所述電源電路分別連接所述信號(hào)控制與采集電路和所述主控電路，所述信號(hào)控制與采集電路連接所述主控電路，所述紅外氣體探測(cè)器和所述紅外光源的管腳分別連接所述信號(hào)控制與采集電路，所述輸出管腳一端連接所述主控電路；其特征在于所述光學(xué)通道呈螺旋形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高分辨率紅外氣體傳感器，其特征在于所述光學(xué)通道呈阿 基米德螺旋形，所述光學(xué)通道內(nèi)壁鍍金。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高分辨率紅外氣體傳感器，其特征在于所述光學(xué)腔體 包括安裝在一起的銅質(zhì)光學(xué)腔體上蓋和銅質(zhì)光學(xué)腔體下蓋；所述紅外氣體探測(cè)器安裝孔和 所述紅外光源安裝孔分別設(shè)置在所述光學(xué)腔體上蓋上，所述通氣孔設(shè)置在所述光學(xué)腔體下"^n 卜.o
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高分辨率紅外氣體傳感器，其特征在于在所述光學(xué)腔 體與所述防爆冶金粉末網(wǎng)之間設(shè)置有防水透氣膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高分辨率紅外氣體傳感器，其特征在于所述主控電路包括 有MCU電路和連接MCU電路的加熱控制電路，所述加熱控制電路的控制輸出端連接加熱電 阻一端，所述加熱電阻另一端接地。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高分辨率紅外氣體傳感器，其特征在于所述信號(hào)控制與采 集電路包括有可調(diào)穩(wěn)壓電源電路、場(chǎng)效應(yīng)管、兩路高性能運(yùn)算放大器電路和溫度傳感器，其 中，所述可調(diào)穩(wěn)壓電源電路的電壓輸出端連接所述紅外光源以提供電源，所述場(chǎng)效應(yīng)管連 接在所述紅外光源以控制紅外光源開(kāi)關(guān)；所述MCU電路連接所述場(chǎng)效應(yīng)管以發(fā)送控制方 波；所述紅外氣體探測(cè)器的輸出端分別連接兩路高性能運(yùn)算放大器電路的輸入端，兩路所 述高性能運(yùn)算放大器電路的輸出端連接所述MCU電路，所述溫度傳感器的輸出端連接所述 MCU電路。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高分辨率紅外氣體傳感器，其特征在于所述光學(xué)腔體上蓋 上設(shè)置有加熱電阻安裝槽，所述加熱電阻設(shè)置在所述加熱電阻安裝槽內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的高分辨率紅外氣體傳感器，其特征在于所述電源電路 是電壓可調(diào)節(jié)穩(wěn)壓電源電路。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高分辨率紅外氣體傳感器，其特征在于所述電源電路的電 壓輸出端連接所述MCU電路的ADC參考電壓輸入腳。
10.根據(jù)權(quán)利要求5或6或7或9所述的高分辨率紅外氣體傳感器，其特征在于所述主控電路還包括有連接MCU電路的數(shù)模轉(zhuǎn)換電路，所述MCU電路還包括有MCU外部晶振電 路和MCU編程接口。專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型提供一種高分辨率紅外氣體傳感器，它包括外殼、冶金粉末網(wǎng)、外殼蓋、輸出管腳、紅外氣體探測(cè)器和紅外光源，在外殼內(nèi)部依次設(shè)置有光學(xué)腔體、信號(hào)控制與采集電路板和主電路板，光學(xué)腔體內(nèi)設(shè)置有光學(xué)通道，光學(xué)腔體上設(shè)置有通氣孔，紅外氣體探測(cè)器的探測(cè)端設(shè)置在光學(xué)通道內(nèi)的一端，紅外光源的發(fā)光端設(shè)置在光學(xué)通道內(nèi)的另一端；紅外氣體探測(cè)器和紅外光源的管腳分別連接信號(hào)控制與采集電路，信號(hào)控制與采集電路連接主控電路，輸出管腳一端連接主控電路；光學(xué)通道呈阿基米德螺旋形，光學(xué)通道內(nèi)壁鍍金。該傳感器在有限的空間內(nèi)，采用阿基米德螺旋形的光學(xué)通道，使光程得以大幅度提高，進(jìn)而提高了傳感器的測(cè)試靈敏度和精度。
文檔編號(hào)G01N21/35GK201662529SQ201020139468
公開(kāi)日2010年12月1日 申請(qǐng)日期2010年3月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月24日
發(fā)明者姜朝陽(yáng), 張小水, 張永懷, 楊清永, 祁澤剛, 秦偉山, 鐘克創(chuàng) 申請(qǐng)人:鄭州煒盛電子科技有限公司