專利名稱：光檢測電路和電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及檢測可見光及紅外光等的光的光檢測電路，特別涉及消耗電流比以往 更小的光檢測電路。
背景技術(shù)：
近年來，有的電子設(shè)備具有掛鐘報時等在周圍暗的情況下不需要的功能以及移動 電話的背景燈等在周圍暗的情況下需要的功能，該電子設(shè)備通過內(nèi)置的光檢測電路來檢測 周圍的明暗，僅在需要時才使這些功能動作，從而實現(xiàn)了低功耗化。但是，隨著近年來對低 功耗化進一步的要求，還需要削減該光檢測電路的功耗。圖5示出了使用現(xiàn)有的光檢測電路來控制掛鐘的報時的電路。如圖5所示，光電 二極管120的N型端子與正電源端子VDD連接，P型端子與電流限制電阻501的第1電極 連接，晶體管510的集電極及基極與電流限制電阻501的第2電極以及晶體管511的基極 連接，發(fā)射極與基準電源端子GND連接，晶體管511的集電極與判定第1節(jié)點m連接，發(fā)射 極與基準電源端子GND連接，晶體管520的集電極與判定第1節(jié)點m連接，基極與晶體管 521的基極相同地與晶體管521的集電極以及基準電阻502的第1電極連接，發(fā)射極與開關(guān) 530的第2電極以及晶體管521的發(fā)射極連接，開關(guān)530的第1電極與正電源端子VDD連 接，基準電阻502的第2電極與基準電源端子GND連接，P溝道M0S晶體管104的源極與正 電源端子VDD連接，柵極與判定第1節(jié)點m連接，漏極與輸出節(jié)點N2連接，N溝道M0S晶體 管107的源極與基準電源端子GND連接，柵極與判定第1節(jié)點m連接，漏極與輸出節(jié)點N2 連接，輸出節(jié)點N2與鐘表控制部540連接，未作圖示，將來自電源的正電壓提供給正電源端 子VDD，將來自電源的零伏電壓提供給基準電源端子GND。通過上述結(jié)構(gòu)，現(xiàn)有的光檢測電路在開關(guān)530接通的狀態(tài)下，進行如下動作來進 行光的檢測。光電二極管120產(chǎn)生的與亮度成比例的光電流經(jīng)由晶體管510被鏡像到晶體管 511。流過基準電阻502的基準電流經(jīng)由晶體管521被鏡像到晶體管520。因此，利用判定 第1節(jié)點m對基于該光電流的晶體管511的電流與基于基準電流的晶體管520的電流進 行比較。由此，在周圍亮的情況下，基于光電流的晶體管511的電流比基于基準電流的晶體 管520的電流大，所以，判定節(jié)點為低電平(low)，輸出節(jié)點N2為高電平(high)，所以，鐘表 控制部540根據(jù)該高電平的信號而使報時工作。另一方面，在周圍暗的情況下，基于光電流 的晶體管511的電流比基于基準電流的晶體管520的電流小，所以，判定節(jié)點為高電平，輸 出節(jié)點N2為低電平，所以，鐘表控制部540根據(jù)該低電平信號而使報時停止。(例如參照專 利文獻1)專利文獻1日本特開2006-287658號公報在現(xiàn)有的光檢測電路中，只在需要光檢測動作時，才使開關(guān)530接通必要的時間， 由此實現(xiàn)了低消耗電流。但是，為了對該開關(guān)530進行間歇控制，需要脈沖電路，存在電路 規(guī)模變大的課題。而且，脈沖電路的消耗電流始終存在，所以，存在無法削減這部分消耗電流的課題。并且，在現(xiàn)有的光檢測電路中，光電二極管的光電流不是由該開關(guān)來切斷，所以 存在這樣的課題在周圍亮的情況下始終消耗著光電流。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述課題而完成的，其目的在于，提供一種在不增大電路規(guī)模的情 況下、在待機時幾乎不消耗電流的光檢測電路。進一步，提供一種在周圍亮的情況下也不消 耗光電二極管的光電流的光檢測電路。即，提供一種電路規(guī)模小且消耗電流極小的光檢測 電路。為了解決上述課題，本發(fā)明的光檢測電路為以下結(jié)構(gòu)。光檢測電路具有第1P溝 道M0S晶體管，其利用導(dǎo)通電流對第1節(jié)點進行充電；第2P溝道型晶體管，其利用導(dǎo)通電流 對第2節(jié)點進行充電；第1N溝道M0S晶體管，其柵極被輸入由光發(fā)電元件的發(fā)電電力產(chǎn)生 的電壓，利用導(dǎo)通電流使第1節(jié)點放電；以及耗盡型N溝道M0S晶體管，其柵極被輸入基準 電源端子的電壓，源極被輸入由所述光發(fā)電元件的發(fā)電電力產(chǎn)生的電壓，利用導(dǎo)通電流使 所述第2節(jié)點放電，在由光發(fā)電元件的發(fā)電電力產(chǎn)生的電壓高的情況下，第1N溝道M0S晶 體管導(dǎo)通，耗盡型N溝道M0S晶體管截止，第1P溝道M0S晶體管截止，第2P溝道M0S晶體 管導(dǎo)通，在由光發(fā)電元件的發(fā)電電力產(chǎn)生的電壓低的情況下，第1N溝道M0S晶體管截止，耗 盡型N溝道M0S晶體管導(dǎo)通，第1P溝道M0S晶體管導(dǎo)通，第2P溝道M0S晶體管截止。本發(fā)明的光檢測電路構(gòu)成為，與周圍亮度無關(guān)，利用任意的M0S晶體管來切斷電 流流經(jīng)的路徑，因此，能夠利用簡單的電路結(jié)構(gòu)將消耗電流控制為極小。


圖1是示出本發(fā)明的光檢測電路的第1實施方式的概略電路圖。圖2是示出本發(fā)明的光檢測電路的第2實施方式的概略電路圖。圖3是示出本發(fā)明的光檢測電路的第3實施方式的概略電路圖。圖4是示出本發(fā)明的光檢測電路的恒流電路的一例的電路圖。圖5是利用現(xiàn)有的光檢測電路來控制掛鐘報時的概略電路圖。圖6是使第3實施方式中的各M0S晶體管的溝道類型反型時的概略電路圖。標號說明101 103 :P溝道M0S晶體管；105、402 耗盡型N溝道M0S晶體管；106 :N溝道 M0S晶體管；110 113 恒流電路；120 :PN接合元件；601 603 :N溝道M0S晶體管；605 耗盡型P溝道M0S晶體管；606 :P溝道M0S晶體管；610 613 恒流電路。
具體實施例方式下面，參照附圖來說明本發(fā)明的實施方式。<第1實施方式>圖1是示出本發(fā)明的光檢測電路的第1實施方式的概略電路圖。P溝道M0S晶體 管101的源極與正電源端子VDD連接，柵極與第1節(jié)點m連接，漏極與輸出端子130連接。 N溝道M0S晶體管106的源極與基準電源端子GND連接，柵極與第2節(jié)點N2連接，漏極與輸 出端子130連接。P溝道M0S晶體管102的源極與正電源端子VDD連接，柵極與輸出端子130連接，漏極與第1節(jié)點m連接。耗盡型N溝道M0S晶體管105的源極與第2節(jié)點N2連 接，柵極與基準電源端子GND連接，漏極與第1節(jié)點m連接。恒流電路110的流入端子與 第2節(jié)點N2連接，流出端子與基準電源端子GND連接。PN接合元件120的P型端子與第2 節(jié)點N2連接，N型端子與基準電源端子GND連接。未作圖示，從電源向正電源端子VDD提 供正電壓，從電源向基準電源端子GND提供零伏電壓。第1實施方式的光檢測電路通過采用上述結(jié)構(gòu)，從而按如下方式工作來進行光的 檢測。當光入射到PN接合元件120上時，PN接合元件120的發(fā)電電力使第2節(jié)點N2的 電壓上升。恒流電路110根據(jù)第2節(jié)點N2而放出恒定電流，所以，第2節(jié)點N2的電壓降低。在周圍亮、從而應(yīng)檢測出的光量以上的光入射到PN接合元件120的情況下，通過 PN接合元件120的發(fā)電電力，使第2節(jié)點N2的電壓上升。當?shù)?節(jié)點N2的電壓上升時，N 溝道M0S晶體管106導(dǎo)通，耗盡型N溝道M0S晶體管105截止。因此，由于N溝道M0S晶體 管106的導(dǎo)通電流的作用，輸出端子130放電至基準電源端子GND的電壓附近。然后，由于 輸出端子130放電至基準電源端子GND的電壓附近，因此，P溝道M0S晶體管102導(dǎo)通，由 于P溝道M0S晶體管102的導(dǎo)通電流的作用，第1節(jié)點m被充電至正電源端子VDD的電壓 附近。然后，由于第1節(jié)點m被充電至正電源端子VDD的電壓附近，因此，P溝道M0S晶體 管101截止。而在周圍暗、從而低于應(yīng)檢測出的光量的光入射到PN接合元件120的情況下，PN 接合元件120的發(fā)電電力小，所以，第2節(jié)點N2的電壓因恒流電路110的恒流放電而降低。 當?shù)?節(jié)點N2的電壓降低時，N溝道M0S晶體管106截止，耗盡型N溝道M0S晶體管105導(dǎo) 通。因此，由于耗盡型N溝道M0S晶體管105的導(dǎo)通電流的作用，第1節(jié)點m放電至基準 電源端子GND的電壓附近。然后，當?shù)?節(jié)點m放電至基準電源端子GND的電壓附近時， P溝道M0S晶體管101導(dǎo)通，所以，由于P溝道M0S晶體管101的導(dǎo)通電流的作用，輸出端 子130被充電至正電源端子VDD的電壓附近。然后，由于輸出端子130被充電至正電源端 子VDD的電壓附近，所以，P溝道M0S晶體管102截止。因此，本發(fā)明的光檢測電路具有根 據(jù)周圍的明暗而向輸出端子130輸出檢測信號的功能。如上所述，對于第1實施方式的光檢測電路，當周圍亮時，耗盡型N溝道M0S晶體 管105和P溝道M0S晶體管101截止，而在周圍暗的情況下，N溝道M0S晶體管106和P溝 道M0S晶體管102截止。因此，與周圍的明暗無關(guān)，始終切斷電流流過的路徑。S卩，第1實 施方式的光檢測電路與周圍的明暗無關(guān)，消耗電流非常小。因此，不需要進行用于實現(xiàn)低消 耗電流的間歇動作，電路規(guī)模變小。而且，還能夠削減用于間歇動作的電路的消耗電流以及 流過光電二極管等PN接合元件的光電流。<第2實施方式>圖2是示出本發(fā)明的光檢測電路的第2實施方式的概略電路圖。第2實施方式的光檢測電路構(gòu)成為，在第1實施方式的光檢測電路的結(jié)構(gòu)中追加 了恒流電路111和恒流電路112。恒流電路111的流入端子與P溝道M0S晶體管101的漏 極連接，流出端子與輸出端子130連接。恒流電路112的流入端子與P溝道M0S晶體管102 的漏極連接，流出端子與第1節(jié)點m連接。恒流電路112流出的恒定電流值比恒流電路 110流出的恒定電流值小。
上述結(jié)構(gòu)的第2實施方式的光檢測電路的動作與第1實施方式的光檢測電路的動 作相同。不同點在于，P溝道M0S晶體管101的導(dǎo)通電流經(jīng)由恒流電路111供給到輸出端 子130，P溝道M0S晶體管102的導(dǎo)通電流經(jīng)由恒流電路112供給到第1節(jié)點附。因此，僅 針對恒流電路111和恒流電路112的效果進行說明。在本發(fā)明的光檢測電路中，通過使第2節(jié)點N2的電壓隨周圍亮度而變化，由此來 進行光的檢測。由于第2節(jié)點N2的電壓的原因，無法完全切斷電流所流經(jīng)的路徑，從而導(dǎo) 致有貫通電流流過。第2實施方式的光檢測電路的目的在于，減小該貫通電流的電流值，進 一步削減消耗電流。為了實現(xiàn)上述目的，需要減小P溝道M0S晶體管101和P溝道M0S晶體管102的 導(dǎo)通電流。但是，在電源電壓高的情況下，柵極與源極之間的電壓非常高，所以，需要大幅增 長L的長度。S卩，將導(dǎo)致P溝道M0S晶體管101和P溝道M0S晶體管102的面積變得非常 大。因此，采用了通過設(shè)置恒流電路111和恒流電路112來限制各晶體管的導(dǎo)通電流的結(jié) 構(gòu)。由此，能夠在不增大P溝道M0S晶體管101和P溝道M0S晶體管102的面積的情況下， 減小導(dǎo)通電流。即，在第2實施方式的光檢測電路中，僅需追加2個恒流電路，即可減小貫 通電流的電流值，能夠進一步削減消耗電流。<第3實施方式>圖3是示出本發(fā)明的光檢測電路的第3實施方式的概略電路圖。第3實施方式的 光檢測電路構(gòu)成為，在第2實施方式的光檢測電路的結(jié)構(gòu)中追加了恒流電路113和P溝道 M0S晶體管103。恒流電路113的流入端子與PN接合元件120的P型端子連接，流出端子 與基準電源端子GND連接。P溝道M0S晶體管103的源極與PN接合元件120的P型端子以 及恒流電路113的流入端子連接，柵極與基準電源端子GND連接，漏極與第2節(jié)點N2連接。上述結(jié)構(gòu)的第3實施方式的光檢測電路的動作與第2實施方式的光檢測電路的動 作相同。因此，僅針對追加的恒流電路113和P溝道M0S晶體管103的動作和效果進行說 明。第3實施方式的光檢測電路的目的在于，進一步減少貫通電流流過的時間，進一 步削減消耗電流。為了實現(xiàn)上述目的，使N溝道M0S晶體管106的柵極電壓、即第2節(jié)點N2的電壓 不成為致使N溝道M0S晶體管106弱導(dǎo)通的電壓。P溝道M0S晶體管103向第2節(jié)點N2提供從PN接合元件120的發(fā)電電力中減去 恒流電路113放電出的電力后剩余的電力。然后，P溝道M0S晶體管103在其源極的電壓 達到超過閾值的絕對值的電壓時，將該電壓提供到第2節(jié)點N2。因此，通過將P溝道M0S晶 體管103的閾值的絕對值設(shè)定得比使N溝道M0S晶體管106弱導(dǎo)通的電壓高，能夠減少有 貫通電流流過的時間。另外，在第2實施方式的光檢測電路中，在PN接合元件120采用了發(fā)電電壓也與 光量成比例地增加的類型的情況下，第2節(jié)點N2為中途不徹底電壓的期間變長，貫通電流 增多。這種情況下，在第3實施方式的光檢測電路中，能夠縮短第2節(jié)點N2的電壓處于中 途不徹底狀態(tài)的期間，所以，能夠減少消耗電流。圖4是本發(fā)明的光檢測電路的恒流電路的電路圖。圖4所示的恒流電路由耗盡型 N溝道M0S晶體管402構(gòu)成。耗盡型N溝道M0S晶體管402的漏極與流入端子401連接，源極和柵極與流出端子402連接。通過上述結(jié)構(gòu)，能夠減小電路規(guī)模。而且，僅在耗盡型N溝道M0S晶體管402的漏 極與源極之間存在電流路徑，因此只需切斷該電流路徑，即可使消耗電流達到零。因此是非 常適于本發(fā)明的光檢測電路的恒流電路。另夕卜，在電路結(jié)構(gòu)中，P溝道M0S晶體管101和102的柵極與由相對的P溝道M0S 晶體管充電的節(jié)點連接，不過，只要能夠進行同樣的控制，則不限于該電路結(jié)構(gòu)。另外，在本發(fā)明中，N溝道M0S晶體管106的柵極與耗盡型N溝道M0S晶體管105 的源極為相同的節(jié)點，但是，只要是利用PN接合元件的發(fā)電電力使電壓上升的節(jié)點，則也 可以是不同的節(jié)點，且PN接合元件的個數(shù)也可以是多個。而且，在本發(fā)明中，也可以采用在檢測到光的情況下，利用該檢測信號來減小恒流 電路110和113的電流量的結(jié)構(gòu)，且針對檢測的光的光量設(shè)置磁滯。而且，PN接合元件120不限于PN接合元件，只要是色素敏化型的光發(fā)電元件等、 可通過光的入射來進行發(fā)電的光發(fā)電元件即可。圖6是反型地構(gòu)成各M0S晶體管的溝道類型的光檢測電路的概略電路圖。是在圖 3所示的第3實施方式的結(jié)構(gòu)中、使各M0S晶體管的溝道類型反型而成的電路。S卩，是對P 溝道M0S晶體管與N溝道M0S晶體管、N溝道M0S晶體管與P溝道M0S晶體管、耗盡型N溝 道M0S晶體管與耗盡型P溝道M0S晶體管進行置換而成的電路。各節(jié)點的電壓也與圖3的光檢測電路相反，所以，當從PN接合元件120提供了發(fā) 電電力時，輸出端子130為高電平。這種結(jié)構(gòu)也具有與上述第3實施方式的光檢測電路相 同的效果。另外，恒流電路610 612的結(jié)構(gòu)也可以是圖4所示的將耗盡型N溝道M0S晶體 管的柵極與源極連接的結(jié)構(gòu)，雖未作圖示，不過當然也可以是將耗盡型P溝道M0S晶體管的 柵極與源極連接的結(jié)構(gòu)。如上所述，本發(fā)明的光檢測電路與光的有無無關(guān)，消耗電流非常小，所以，作為電 子設(shè)備的起動電路，能夠基本上消除電子設(shè)備待機時的功耗。例如，可以將本發(fā)明的光檢測電路用于洗手間的自動清洗器。在用手遮住向本發(fā) 明的光檢測電路入射的光的情況下，對洗手間進行一定時間的清洗，通過這種結(jié)構(gòu)，能夠使 洗手間的自動清洗器待機時的功耗基本為零。但是，該情況下，無法區(qū)分是洗手間暗還是用手遮住了光。因此，只要進一步追加 僅檢測周圍亮度的光檢測電路，即可區(qū)分是洗手間暗還是用手遮住了光。此時，通過以如下方式構(gòu)成2個光發(fā)電元件，能夠與亮度無關(guān)地進行穩(wěn)定的檢測。 即，構(gòu)成為，從一個光發(fā)電元件的發(fā)電電力減去另一個光發(fā)電元件的發(fā)電電力。例如，將2 個光發(fā)電元件的電極相互相反地連接，從一個光發(fā)電元件的發(fā)電電力減去另一個光發(fā)電元 件的光電流。當采用這種結(jié)構(gòu)時，將由入射到2個光發(fā)電元件的光的強度差產(chǎn)生的電力輸 入到第2節(jié)點N2。而且，在采用僅用手遮住入射到減去的一方的光發(fā)電元件的光的結(jié)構(gòu)的 情況下，不僅能夠區(qū)分是洗手間暗還是用手遮住了光，還能夠與手的遮光量和洗手間的亮 度無關(guān)地，進行穩(wěn)定的檢測。另外，例如，可以將本發(fā)明的光檢測電路用于電視等、利用遙控器來接通電源的電 子設(shè)備。只要構(gòu)成為在本發(fā)明的光檢測電路檢測到光的情況下接通遙控接收機，即可使這種電子設(shè)備待機時的消耗電流基本為零。但是，該情況下，顯然，為了不因周圍的光導(dǎo)致本 發(fā)明的光檢測電路發(fā)生誤動作，需要從遙控器入射強光或通常不會產(chǎn)生的脈沖的光，或者 使本發(fā)明的光檢測電路采用僅檢測紅外線等某個波長的光的結(jié)構(gòu)，并從遙控器入射本發(fā)明 的光檢測電路所能檢測的波長的光。
權(quán)利要求
一種光檢測電路，該光檢測電路具有當入射的光量多時發(fā)電電力增加的光發(fā)電元件，并利用該光發(fā)電元件的發(fā)電電力量來檢測入射的光量，其特征在于，該光檢測電路具有第1P溝道MOS晶體管，其利用導(dǎo)通電流對輸出端子進行充電；第2P溝道MOS晶體管，其利用導(dǎo)通電流對第1節(jié)點進行充電；第1N溝道MOS晶體管，其柵極被輸入由所述光發(fā)電元件的發(fā)電電力產(chǎn)生的電壓，利用導(dǎo)通電流使所述輸出端子放電；以及第1耗盡型N溝道MOS晶體管，其柵極被輸入基準電源端子的電壓，源極被輸入由所述光發(fā)電元件的發(fā)電電力產(chǎn)生的電壓，利用導(dǎo)通電流使所述第1節(jié)點放電，該光檢測電路構(gòu)成為在由所述光發(fā)電元件的發(fā)電電力產(chǎn)生的電壓高的情況下，所述第1N溝道MOS晶體管導(dǎo)通，所述第1耗盡型N溝道MOS晶體管截止，所述第1P溝道MOS晶體管截止，所述第2P溝道MOS晶體管導(dǎo)通，在由所述光發(fā)電元件的發(fā)電電力產(chǎn)生的電壓低的情況下，所述第1N溝道MOS晶體管截止，所述第1耗盡型N溝道MOS晶體管導(dǎo)通，所述第1P溝道MOS晶體管導(dǎo)通，所述第2P溝道MOS晶體管截止。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光檢測電路，其特征在于，所述第2P溝道M0S晶體管的導(dǎo)通電流經(jīng)由第1恒流電路對所述第1節(jié)點進行充電，所 述第1耗盡型N溝道M0S晶體管的源極電流經(jīng)由流出的恒定電流值比所述第1恒流電路大 的第2恒流電路而流入基準電源端子。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光檢測電路，其特征在于，所述第1P溝道M0S晶體管的導(dǎo)通電流經(jīng)由第3恒流電路對所述輸出端子進行充電。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任意一項所述的光檢測電路，其特征在于，所述光發(fā)電元件的發(fā)電電力經(jīng)由柵極被輸入基準電源端子的電壓的第3P溝道M0S晶 體管而提供給所述第1N溝道M0S晶體管的柵極。
5.一種光檢測電路，該光檢測電路具有當入射的光量多時發(fā)電電力增加的光發(fā)電元 件，并利用該光發(fā)電元件的發(fā)電電力量來檢測入射的光量，其特征在于，該光檢測電路具 有第1N溝道M0S晶體管，其利用導(dǎo)通電流使輸出端子放電； 第2N溝道M0S晶體管，其利用導(dǎo)通電流使第1節(jié)點放電；第1P溝道M0S晶體管，其柵極被輸入由所述光發(fā)電元件的發(fā)電電力產(chǎn)生的電壓，利用 導(dǎo)通電流對所述輸出端子進行充電；以及第1耗盡型P溝道M0S晶體管，其柵極被輸入正電源端子的電壓，源極被輸入由所述光 發(fā)電元件的發(fā)電電力產(chǎn)生的電壓，利用導(dǎo)通電流對所述第1節(jié)點進行充電， 該光檢測電路構(gòu)成為在由所述光發(fā)電元件的發(fā)電電力產(chǎn)生的電壓高的情況下，所述第1P溝道M0S晶體管導(dǎo) 通，所述第1耗盡型P溝道M0S晶體管截止，所述第1N溝道M0S晶體管截止，所述第2N溝 道M0S晶體管導(dǎo)通，在由所述光發(fā)電元件的發(fā)電電力產(chǎn)生的電壓低的情況下，所述第1P溝道M0S晶體管截止，所述第1耗盡型P溝道M0S晶體管導(dǎo)通，所述第1N溝道M0S晶體管導(dǎo)通，所述第2N溝 道M0S晶體管截止。
6. 一種電子設(shè)備，其特征在于，該電子設(shè)備具有 權(quán)利要求1 5中的任一項所述的光檢測電路；以及 根據(jù)所述光檢測電路的輸出信號而起動的控制部。
全文摘要
本發(fā)明提供光檢測電路和電子設(shè)備，其消耗電流極小。作為解決手段，構(gòu)成為具有柵極分別與相對的P溝道MOS晶體管的漏極連接的2個相對的P溝道MOS晶體管，一個P溝道MOS晶體管的漏極利用N溝道MOS晶體管的導(dǎo)通電流而放電，該N溝道MOS晶體管根據(jù)由光發(fā)電元件產(chǎn)生的電壓而導(dǎo)通，另一個P溝道MOS晶體管的漏極利用耗盡型N溝道MOS晶體管的導(dǎo)通電流而放電，該耗盡型N溝道MOS晶體管的柵極被輸入基準電源端子的電壓，源極被輸入由光發(fā)電元件產(chǎn)生的電壓。
文檔編號G01J1/44GK101858784SQ20101016358
公開日2010年10月13日 申請日期2010年4月13日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月13日
發(fā)明者宇都宮文靖 申請人:精工電子有限公司