專利名稱：檢測金屬線故障的方法和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明構(gòu)思涉及全芯片(full-chip)設(shè)計測試和評估過程。更具體地，本發(fā)明構(gòu) 思涉及在全芯片設(shè)計中檢測金屬線故障的方法和系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
通常，當在已完成的設(shè)備中出現(xiàn)諸如金屬線故障和/或離散元件(例如，場效應(yīng)晶 體管)故障時，全芯片工作異常。這樣的故障可能是由在制造、封裝或有關(guān)處理期間無意中 作用于全芯片的靜電放電(ESD)引起的。為了防止ESD的破壞，全芯片可以包括一些(或 多個)專門的保護電路，其保護離散元件和/或相關(guān)金屬線免于ESD。不幸的是，提供這些 ESD保護電路增加了全芯片的總體尺寸(例如，降低了總的集成度)并且降低了性能。
盡管已經(jīng)提出很多方法用于在全芯片設(shè)計過程的不同階段期間檢測故障，但是傳 統(tǒng)上僅應(yīng)用設(shè)計規(guī)則檢查來識別金屬線故障。在設(shè)計規(guī)則檢查中，可以通過判斷金屬線的 寬度是否小于相應(yīng)的設(shè)計規(guī)則來檢測金屬線故障。不幸的是，設(shè)計規(guī)則檢查的精度較低，而 且僅能被應(yīng)用于相對狹窄的檢測區(qū)域。這樣，設(shè)計規(guī)則檢查在全芯片設(shè)計階段期間的檢測 金屬線故障中是相對無效和低效率的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明構(gòu)思的實施例提供了一種在全芯片設(shè)計階段中檢測由于靜電放電引起的 金屬線故障的方法。這樣的實施例能夠快速而準確地檢測金屬線故障并檢測內(nèi)部電路中的 金屬線故障。本發(fā)明構(gòu)思的實施例還提供了一種能夠在全芯片設(shè)計階段中檢測由于靜電放 電引起的金屬線故障、且快速而準確地檢測金屬線故障并檢測內(nèi)部電路中的金屬線故障的 系統(tǒng)。 根據(jù)一些實施例，在一種用于全芯片的檢測金屬線故障的方法中，第一網(wǎng)表可以 被轉(zhuǎn)換為第二網(wǎng)表。第一網(wǎng)表可以包括與元件和金屬線有關(guān)的第一信息，第二網(wǎng)表可以包 括允許直接電流分析的第二信息?？梢酝ㄟ^對第二網(wǎng)表執(zhí)行直接電流分析來計算金屬線的 電流密度。基于金屬線的電流密度，可以檢測金屬線中的缺陷金屬線。 在一些實施例中，可以通過修改從外部設(shè)備輸入的外部網(wǎng)表來生成第一網(wǎng)表。在 其他實施例中，可以基于全芯片的布局來生成第一網(wǎng)表。 在一些實施例中，元件可以對應(yīng)于場效應(yīng)晶體管和電容器。金屬線可以對應(yīng)于第 一電阻器。 在一些實施例中，當?shù)谝痪W(wǎng)表被轉(zhuǎn)換為第二網(wǎng)表時，場效應(yīng)晶體管可以被轉(zhuǎn)換為 第二電阻器，電容器可以被轉(zhuǎn)換為開路，電流源可以被添加在輸入管腳和接地管腳之間。
在一些實施例中，電流源可以提供具有最大值為由靜電放電(ESD)事件引起的放 電電流的電流。 在一些實施例中，可以計算場效應(yīng)晶體管的漏極電流，可以計算場效應(yīng)晶體管的 漏極端和源極端之間的電壓差，并且當場效應(yīng)晶體管被轉(zhuǎn)換為第二電阻器時，通過將漏極電流除以電壓差來確定第二電阻器的阻抗。 在一些實施例中，當檢測金屬線中的缺陷金屬線時，如果金屬線的電流密度大于 參考值，則金屬線可以被確定為缺陷金屬線。 在一些實施例中，可以增加缺陷金屬線的寬度以修復(fù)該缺陷金屬線。 根據(jù)一些示范性實施例，一種用于全芯片的檢測金屬線故障的系統(tǒng)可以包括轉(zhuǎn)
換單元，將第一網(wǎng)表轉(zhuǎn)換為第二網(wǎng)表；模擬單元，通過對第二網(wǎng)表執(zhí)行直接電流分析來計算
金屬線的電流密度；和檢測單元，基于金屬線的電流密度檢測金屬線中的缺陷金屬線。第一
網(wǎng)表可以包括與元件和金屬線有關(guān)的第一信息，而第二網(wǎng)表可以包括允許直接電流分析的
第二信息。元件可以對應(yīng)于場效應(yīng)晶體管和電容器。金屬線可以對應(yīng)于第一電阻器。當金
屬線的電流密度大于參考值時，金屬線可以被確定為缺陷金屬線。 在一些實施例中，系統(tǒng)還可以包括通過修改從外部設(shè)備輸入的外部網(wǎng)表來生成第 一網(wǎng)表的接口單元。 在一些實施例中，系統(tǒng)還可以包括基于全芯片的布局來生成第一網(wǎng)表的生成單 元。 在一些實施例中，轉(zhuǎn)換單元可以將場效應(yīng)晶體管轉(zhuǎn)換為第二電阻器，可以將電容 器轉(zhuǎn)換為開路，可以在輸入管腳和接地管腳之間添加電流源。電流源可以提供具有最大值 為由靜電放電(ESD)事件引起的放電電流的電流。 在一些實施例中，轉(zhuǎn)換單元可以計算場效應(yīng)晶體管的漏極電流，可以計算場效應(yīng) 晶體管的漏極端和源極端之間的電壓差，可以通過將漏極電流除以電壓差來確定第二電阻 器的阻抗。 在一些實施例中，系統(tǒng)還可以包括修復(fù)單元，其通過增加缺陷金屬線的寬度以修 復(fù)該缺陷金屬線而根據(jù)第一網(wǎng)表生成最終網(wǎng)表。 在一些實施例中，系統(tǒng)還可以包括修復(fù)單元，其通過增加缺陷金屬線的寬度以修 復(fù)該缺陷金屬線而根據(jù)第二網(wǎng)表生成第三網(wǎng)表。 在一些實施例中，系統(tǒng)還可以包括反轉(zhuǎn)換單元，其通過將第二電阻器轉(zhuǎn)換為場效 應(yīng)晶體管、將開路轉(zhuǎn)換為電容器和去除電流源而根據(jù)第三網(wǎng)表生成最終網(wǎng)表。
根據(jù)一些示范性實施例，在一種用于全芯片的檢測全芯片故障的方法中，可以通 過對從第一網(wǎng)表轉(zhuǎn)換的第二網(wǎng)表執(zhí)行直接電流分析來檢測缺陷金屬線。第一網(wǎng)表可以包 括與元件和金屬線有關(guān)的第一信息，第二網(wǎng)表可以包括允許直接電流分析的第二信息。元 件可以對應(yīng)于場效應(yīng)晶體管和電容器。金屬線可以對應(yīng)于第一電阻器。可以通過對第四 網(wǎng)表執(zhí)行元件分析來檢測缺陷場效應(yīng)晶體管?？梢酝ㄟ^將場效應(yīng)晶體管轉(zhuǎn)換為模型電路 (modeling circuit)來將第一網(wǎng)表轉(zhuǎn)換為第四網(wǎng)表。 在一些實施例中，可以通過將場效應(yīng)晶體管轉(zhuǎn)換為第二電阻器、將電容器轉(zhuǎn)換為 開路和在輸入管腳和接地管腳之間添加電流源，將第一網(wǎng)表轉(zhuǎn)換為第二網(wǎng)表。電流源可以 提供具有最大值為由靜電放電(ESD)事件引起的放電電流的電流。 在一些實施例中，可以通過對第二網(wǎng)表執(zhí)行直接電流分析來計算金屬線的電流密 度，當檢測缺陷金屬線時，可以基于金屬線的電流密度檢測金屬線中的缺陷金屬線。當金屬 線的電流密度大于參考值時，金屬線可以被確定為缺陷金屬線。 根據(jù)一些示范性實施例，一種用于全芯片的檢測金屬線故障的方法可以快速而準
5確地檢測由靜電放電引起的金屬線故障，并且甚至可以在全芯片設(shè)計階段檢測由靜電放電 引起的內(nèi)部電路的金屬線故障。 根據(jù)一些示范性實施例，一種用于全芯片的檢測金屬線故障的系統(tǒng)可以快速而準 確地檢測由靜電放電引起的金屬線故障，并且甚至可以在全芯片設(shè)計階段檢測由靜電放電 引起的內(nèi)部電路的金屬線故障。 根據(jù)一些示范性實施例，一種用于全芯片的檢測全芯片故障的方法可以快速而準
確地檢測由靜電放電引起的金屬線故障和元件(例如場效應(yīng)晶體管)故障，甚至可以在全
芯片設(shè)計階段檢測由靜電放電引起的金屬線故障甚至是內(nèi)部電路的元件故障。 如上所述，通過用于全芯片的檢測金屬線故障的方法、用于全芯片的檢測金屬線
故障的系統(tǒng)和用于全芯片的檢測全芯片故障的方法，可以考慮到靜電放電來執(zhí)行全芯片設(shè)計。


下面將結(jié)合附圖描述說明性、非限定性的實施例，其中 圖1是概括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的檢測全芯片中的金屬線故障的方法的流 程圖。
圖2是進一步圖示在圖1的方法中將第一網(wǎng)表轉(zhuǎn)換為第二網(wǎng)表的步驟的流程圖。
圖3是進一步圖示在圖1的方法中通過其將場效應(yīng)晶體管轉(zhuǎn)變?yōu)榈诙娮杵鞯倪^ 程的流程圖。 圖4是進一步圖示在圖1的方法中基于金屬線的電流密度從金屬線中檢測缺陷金 屬線的流程圖。 圖5A是圖示第一網(wǎng)表的一個范例的電路圖。 圖5B是圖示自圖5A的第一網(wǎng)表轉(zhuǎn)換的第二網(wǎng)表的一個范例的電路圖。 圖6、圖7和圖8是分別概括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的、檢測全芯片中的金
屬線故障的方法的流程圖。 圖9、圖10、圖11、圖12和圖13是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的用于檢測 全芯片中的金屬線故障的系統(tǒng)的方框圖。 圖14是一般性概括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的檢測全芯片中的全芯片故障的流 程圖。
具體實施例方式
下面將參考附圖以某些額外的細節(jié)來描述本發(fā)明構(gòu)思的實施例。然而，本發(fā)明構(gòu) 思可以被具體化為很多不同的形式，且不應(yīng)該被構(gòu)造為僅限于圖示的實施例。更確切地說， 這些實施例作為教導(dǎo)實例提出。在整個書面的說明書和附圖中，同樣的附圖標記和標簽指 的是同樣的或相似的元件。 應(yīng)該理解到，雖然術(shù)語第一、第二、第三等在此可以被用于描述各種元件，但是這 些元件不應(yīng)該受限于這些術(shù)語。這些術(shù)語被用來將一個元件和另一個進行區(qū)別。這樣，下 面所討論的第一元件可以被稱為第二元件而不背離本發(fā)明構(gòu)思的教導(dǎo)。如這里所用的，術(shù) 語"和/或"包括一個或多個相關(guān)列出項的任何或全部組合。
應(yīng)該理解到，當元件被稱為被"連接"或"耦接"到另一個元件時，該元件可以被直 接連接或耦接到其他元件，或者可以存在中間元件。相反，當元件被稱為"直接連接"或"直 接耦接"到另一個元件時，不存在中間元件。用應(yīng)該以相同的方式解釋于描述元件之間的關(guān)
系的其他詞語(例如，"之間"相對于"緊接在......之間"，"相鄰"相對于"緊鄰")。 此處所用的術(shù)語僅是為了描述具體實施例的目的，而不意欲限制本發(fā)明構(gòu)思。 如這里所使用的，單數(shù)形式"一 (a)"、"一個(an)"、"該(the)"同樣意欲包括復(fù)數(shù)形式， 除非上下文另外明確指出并非如此。還應(yīng)該理解到，當在本說明書中使用時，術(shù)語"包括 (comprises)"和/或"包含(compromising)"指明所說的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/ 或組件的存在，但不排除一個或多個其他的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、組件和/或其組 的存在或添加。 除非另有定義，否則這里所用的全部術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有如本 發(fā)明構(gòu)思所屬的技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的相同的含義。還應(yīng)該理解到，諸如 在通常所用的字典里定義的那些術(shù)語應(yīng)該被解釋為具有與它們在相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域的上下 文中的含義一致的含義，而且不將以理想化或過分正式的意義來解釋，除非這里明確地定 義的確如此。 圖1是概括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的檢測全芯片中的金屬線故障的方法 的流程圖。 參考圖l，在本方法中通常包括將第一網(wǎng)表(net-list)轉(zhuǎn)換為第二網(wǎng)表(S120); 通過對第二網(wǎng)表執(zhí)行直接電流分析(direct current analysis)，計算金屬線的電流密度 (S140);和基于金屬線的電流密度檢測金屬線中的缺陷金屬線(S160)。這樣的金屬線故障 可能是由靜電放電(ESD)引起的，而且當金屬線的電流密度大于所定義的參考值時顯示出 來。在圖1中概括的方法可以在全芯片設(shè)計階段被執(zhí)行，以檢測缺陷金屬線。此后，將以一 些額外的細節(jié)來描述圖1的方法。 上述示例性方法開始于將第一網(wǎng)表轉(zhuǎn)換為第二網(wǎng)表(S120)。第一網(wǎng)表可以被看作 包括涉及各種離散和分布元件以及有關(guān)的金屬線的"第一信息"。以類似的方式，第二網(wǎng)表 包括允許(susc印tible)直接電流分析的"第二信息"。"全芯片設(shè)計"通常包括通過金屬 線連接的諸如場效應(yīng)晶體管(FET)和電容器(CAPS)的某些離散元件，這些離散元件可以被 電子地模塊化為電阻性組件。當?shù)谝痪W(wǎng)表被轉(zhuǎn)換為第二網(wǎng)表時，第一網(wǎng)表中的FET可以被 電子模式化(或"轉(zhuǎn)換")成第二網(wǎng)表中的"第二電阻器"。第一網(wǎng)表中的CAPS可以被轉(zhuǎn)換 為第二網(wǎng)表中的開路。也就是說，當轉(zhuǎn)換第一網(wǎng)表時，CAPS實質(zhì)上從第二網(wǎng)表中被去除。
此外，電流源可以被添加在第一網(wǎng)表中的輸入管腳和接地管腳之間。結(jié)果，第二網(wǎng) 表可以包括與其每個允許直接電流分析的第一電阻器、第二電阻器和電流源(或多個電流 源)有關(guān)的第二信息。 現(xiàn)在，可以通過對第二網(wǎng)表執(zhí)行直接電流分析來計算金屬線各自的電流密度 (S140)。如常規(guī)理解，在第一網(wǎng)表的轉(zhuǎn)換之后，對第二網(wǎng)表執(zhí)行直接電流分析?；谥苯与?流分析來計算金屬線(例如第一電阻器)的電流密度。也就是說，可以使用量化分析方法 來計算金屬線的電流密度，因為第二網(wǎng)表僅包括與第一電阻器、第二電阻器和電流源有關(guān) 的第二信息。這樣，可以通過將流經(jīng)金屬線的電流除以該金屬線的相應(yīng)寬度的方法來計算 金屬線的電流密度。在該上下文中，術(shù)語"寬度"可以被不同定義，但在一個實施例中，金屬
7線的寬度基本上等于它的橫截面面積。 基于各個計算的電流密度，現(xiàn)在可以從金屬線中檢測到缺陷金屬線(S160)。流經(jīng) 金屬線的過量電流通常由ESD生成。這樣，當金屬線的電流密度大于參考值時，可能引起金 屬線故障。這樣的參考值可以由芯片設(shè)計者很容易地定義而且可以根據(jù)許多全芯片設(shè)計條 件和因素來調(diào)整。以此方式，當金屬線的相應(yīng)的電流密度大于參考值時，可以檢測到缺陷金 屬線。 圖1的方法適合基于直接電流分析快速而準確地檢測金屬線故障，而且還可以檢 測內(nèi)部電路中的金屬線故障。結(jié)果，圖1的方法可以應(yīng)用于在全芯片設(shè)計階段期間的作用 于全芯片設(shè)計的ESD問題。 圖2是進一步圖示在圖1的方法中將第一網(wǎng)表轉(zhuǎn)換為第二網(wǎng)表的步驟的流程圖。 參考圖2，F(xiàn)ET首先被轉(zhuǎn)換為第二電阻器(S220)。電容器被轉(zhuǎn)換為開路(S240)，而且在輸入 管腳和地之間添加至少一個電流源(S260)。 在第一網(wǎng)表中的每一個FET可以基于FET的漏極端和源極端之間的電壓差或基于 FET的漏極電流被轉(zhuǎn)換為第二網(wǎng)表中的第二電阻器(S220)?？梢酝ㄟ^從第一網(wǎng)表中去除電 容器而在轉(zhuǎn)換期間(S240)實質(zhì)上去除在第一網(wǎng)表中的每一個電容器(作為開路)。
在第一網(wǎng)表中的輸入管腳和地之間添加電流源(S260)。在本發(fā)明構(gòu)思的一些實施 例中，假設(shè)電流源提供具有最大值等于由假設(shè)的ESD引起的放電電流的電流。可以根據(jù)許 多傳統(tǒng)理解的ESD破壞模型來選擇放電電流的最大值，包括人體模型(HBM)、帶電設(shè)備模型 (CDM)、機器模型(匪)等。例如，當假設(shè)人體模型(HBM)2000V時，電流源可以提供1. 3A的 電流。結(jié)果，當從第一網(wǎng)表轉(zhuǎn)換時，第二網(wǎng)表僅包括用于直接電流分析的第一電阻器、第二 電阻器和電流源。在第一網(wǎng)表包括除了FET和CAPS以外的其他類型的元件的情況下，這些 其他的元件可以類似地被轉(zhuǎn)換以用于直接電流分析。例如，在第一網(wǎng)表中的電感器被轉(zhuǎn)換 為在第二網(wǎng)表中的短路。 圖3是進一步圖示在圖1的方法中將FET轉(zhuǎn)換為第二電阻器的步驟的流程圖。
參考圖3，計算FET的相應(yīng)的漏極電流(S320)。例如，可以通過對第一網(wǎng)表運行一 個或多個傳統(tǒng)理解的模擬來計算漏極電流。 然后，于是計算FET的各自的漏極端和源極端之間的電壓差(S340)。這里可以通 過對第一網(wǎng)表運行模擬來再次計算FET的電壓差。 最后，例如通過漏極電流除以電壓差來確定在第二網(wǎng)表中的第二電阻器的阻抗 (S360)。 以此方式，可以獲得其中僅包括與其每個允許直接電流分析的第一電阻器、第二 電阻器和電流源(或多個電流源)有關(guān)的第二信息的第二網(wǎng)表。在本發(fā)明構(gòu)思的其他實 施例中，在轉(zhuǎn)換到相應(yīng)的第二電阻器期間，包括條件值、加權(quán)值等的一些變量可以被應(yīng)用到 FET。 圖4是進一步圖示在圖1的方法中的基于金屬線的電流密度從金屬線中檢測缺陷 金屬線的流程圖。 參考圖4，基于與金屬線相關(guān)的一個或多個電流密度，金屬線可以被確定為缺陷金 屬線或無缺陷金屬線。在圖4所圖示的實施例中，將與FET的第一電阻器值相關(guān)的電流密 度同參考值比較(S420)。如果電流密度大于參考值(S420 二是)，則金屬線被確定為有缺陷的(S440)。否則(S420 =否)，金屬線被確定為無缺陷的(S460)。如上所述，當對第二網(wǎng) 表執(zhí)行直接電流分析時，可以通過將流經(jīng)金屬線的電流除以金屬線的寬度來計算相應(yīng)金屬 線的每個電流密度。在某些實施例中參考值可以被定義成很可能引起金屬線故障的電流密 度。值得注意的是，可以根據(jù)全芯片設(shè)計條件和因素來調(diào)整用于確定金屬線故障的每個參 考值。 圖5A是圖示第一網(wǎng)表的一個范例的電路圖。圖5B是圖示從圖5A的第一網(wǎng)表轉(zhuǎn) 換的第二網(wǎng)表的一個范例的電路圖。 參考圖5A和圖5B，第一網(wǎng)表100包括與元件和金屬線有關(guān)的第一信息。元件包括 FET TR1至TR5和CAP Cl至C4。金屬線對應(yīng)第一 電阻器Rl至R9。相應(yīng)的(轉(zhuǎn)換后)第 二網(wǎng)表200包括與第一電阻器R1至R9、第二電阻器IR1至IR5和電流源CS有關(guān)的第二信 息。 這樣，在直接電流分析之前，第一網(wǎng)表100被轉(zhuǎn)換為第二網(wǎng)表200?；贔ET TR1 至TR5的漏極電流以及FET TR1至TR5的漏極端和源極端之間的電壓差，第一網(wǎng)表100中 的FET TR1至TR5可以被轉(zhuǎn)化為第二網(wǎng)表200中的第二電阻器IR1至IR5。在此，可以通 過對第一網(wǎng)表100執(zhí)行模擬來計算FET TR1至TR5的漏極電流以及FET TR1至TR5的電壓 差。可以通過FETTR1至TR5的漏極電流除以FET TR1至TR5的電壓差來確定第二電阻器 IR1至IR5的阻抗。第一網(wǎng)表100中的CAP C1至C4在第二網(wǎng)表200中被轉(zhuǎn)換為開路，因為 在直接電流分析期間假設(shè)電流不流經(jīng)CAP C1至C4。在第二網(wǎng)表中，電流源CS被添加在輸 入管腳PIN和接地管腳PfflD之間。電流源CS提供具有與假設(shè)的ESD事件或模型相關(guān)定義的 值的放電電流。例如，當假設(shè)人體模型(HBM)2000V時，電流源CS可以提供具有1. 3A的電 流。如上所述，可以很容易地對第二網(wǎng)表200執(zhí)行直接電流分析，因為第二網(wǎng)表200僅包括 與金屬線對應(yīng)的第一電阻器R1至R9、與FET TR1至TR5對應(yīng)的第二電阻器IR1至IR5、和 電流源CS。這樣，通過對第二網(wǎng)表200執(zhí)行直接電流分析，基于金屬線的電流密度，可以從 金屬線中檢測缺陷金屬線。此外，當?shù)谝痪W(wǎng)表100包括除了FET TR1至TR5和CAP Cl至C5 的其他元件(例如，電感器)時，其他元件在第二網(wǎng)表200中也可以被轉(zhuǎn)換用于直接電流分 析。 圖6是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的檢測全芯片中的金屬線故障的方法的流 程圖。 參考圖6，在用于對全芯片檢測金屬線故障的方法中，通過修改從外部設(shè)備輸入的 外部網(wǎng)表而生成第一網(wǎng)表(S510)。第一網(wǎng)表被轉(zhuǎn)換為第二網(wǎng)表(S520)。通過對第二網(wǎng)表 執(zhí)行直接電流分析來計算金屬線的電流密度(S540)?；诮饘倬€的電流密度，在金屬線中 檢測缺陷金屬線(S560)。 通過修改從外部設(shè)備輸入的外部網(wǎng)表而生成第一網(wǎng)表。第一網(wǎng)表包括與元件和 金屬線有關(guān)的第一信息。元件對應(yīng)于FET和CAP。金屬線對應(yīng)于第一電阻器。因為網(wǎng)表 的格式根據(jù)應(yīng)用或設(shè)備而不同，所以外部網(wǎng)表可能不與第一網(wǎng)表兼容。因此，需要修改外 部網(wǎng)表以與第一網(wǎng)表兼容。在根據(jù)外部網(wǎng)表生成第一網(wǎng)表后，第一網(wǎng)表被轉(zhuǎn)換為第二網(wǎng)表 (S520)。第二網(wǎng)表包括用于直接電流分析的第二信息。然后，通過對第二網(wǎng)表執(zhí)行直接電 流分析來計算金屬線的電流密度(S560)?；诮饘倬€的電流密度，在金屬線中檢測缺陷金 屬線(S560)。
圖7是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個實施例的檢測全芯片中的金屬線故障的方 法的流程圖。 參考圖7，在根據(jù)一些示范性實施例的用于對全芯片檢測金屬線故障的方法中，可 以基于全芯片的布局而生成第一網(wǎng)表(S610)。第一網(wǎng)表可以被轉(zhuǎn)換為第二網(wǎng)表(S620)。通 過對第二網(wǎng)表執(zhí)行直接電流分析來計算金屬線的電流密度(S640)?；诮饘倬€的電流密 度，在金屬線中檢測缺陷金屬線(S660)。 基于全芯片的布局而生成第一網(wǎng)表(S610)。第一網(wǎng)表包括與元件和金屬線有關(guān)的 第一信息。通常，全芯片包括與FET和CAP對應(yīng)的元件和與第一電阻器對應(yīng)的金屬線。這 樣，基于包括與FET、CAP和第一電阻器有關(guān)的信息的全芯片的布局而生成第一網(wǎng)表。例如， 與FET、 CAP和第一電阻器有關(guān)的信息可以包括位置信息、寬度信息、長度信息等?；谌?芯片的布局而生成第一網(wǎng)表后，第一網(wǎng)表被轉(zhuǎn)換為第二網(wǎng)表(S620)。第二網(wǎng)表包括用于直 接電流分析的第二信息。然后，通過對第二網(wǎng)表執(zhí)行直接電流分析，計算金屬線的電流密度 (S640)?；诮饘倬€的電流密度，在金屬線中檢測缺陷金屬線(S660)。
圖8是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個實施例的檢測全芯片中的金屬線故障的方 法的流程圖。 參考圖8，在根據(jù)一些示范性實施例的用于對全芯片檢測金屬線故障的方法中，第 一網(wǎng)表可以被轉(zhuǎn)換為第二網(wǎng)表(S710)。第一網(wǎng)表可以包括與元件和金屬線有關(guān)的第一信 息。第二網(wǎng)表可以包括用于直接電流分析的第二信息。元件可以對應(yīng)于FET和CAP。金屬 線可以對應(yīng)于第一電阻器?？梢酝ㄟ^對第二網(wǎng)表執(zhí)行直接電流分析來計算金屬線的電流密 度(S720)?；诮饘倬€的電流密度，在金屬線中檢測缺陷金屬線(S740)。然后，缺陷金屬線 的寬度(例如，基本上是缺陷金屬線的橫截面面積)可以被增加以修復(fù)缺陷金屬線(S760)。
分別增加缺陷金屬線的寬度以修復(fù)缺陷金屬線(S760)。通過將流經(jīng)金屬線的電 流除以金屬線的寬度(例如，基本上是缺陷金屬線的橫截面面積)，來計算金屬線的電流密 度。隨著金屬線的寬度增加，金屬線的電流密度變得更小。這樣，可以通過增加缺陷金屬線 的寬度來修復(fù)缺陷金屬線。因此，圖8的方法可以檢測金屬線故障，還可以在全芯片設(shè)計階 段防止金屬線故障。 圖9是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的用于檢測全芯片中的金屬線故障的系統(tǒng) 的方框圖。 參考圖9，系統(tǒng)300包括轉(zhuǎn)換單元320、模擬單元340和檢測單元360。
轉(zhuǎn)換單元320接收第一網(wǎng)表NET1，而且將第一網(wǎng)表NET1轉(zhuǎn)換為第二網(wǎng)表NET2。第 一網(wǎng)表NET1可以包括與元件和金屬線對應(yīng)的第一信息。第二網(wǎng)表NET2可以包括用于直接 電流分析的第二信息。元件可以對應(yīng)于FET和CAP。金屬線可以對應(yīng)于第一電阻器。轉(zhuǎn)換 單元320將第一網(wǎng)表NET1中的FET轉(zhuǎn)換為第二網(wǎng)表NET2中的第二電阻器。通過將FET的 漏極電流除以FET的漏極端和源極端之間的電壓差，可以確定第二電阻器的阻抗。轉(zhuǎn)換單 元320將第一網(wǎng)表NET1中的CAP轉(zhuǎn)換為第二網(wǎng)表NET2中的開路。也就是說，將CAP從第 一網(wǎng)表中去除。轉(zhuǎn)換單元320在第一網(wǎng)表中的輸入管腳和接地管腳之間添加電流源。電流 源可以提供具有最大值為由ESD事件引起的放電電流的電流。例如，當假設(shè)人體模型2000V 時，電流源可以提供具有1.3A的電流。此外，當?shù)谝痪W(wǎng)表NET1包括其他元件(例如，電感 器)時，轉(zhuǎn)換單元320還可以轉(zhuǎn)換其他元件用于直接電流分析。結(jié)果，從第一網(wǎng)表NET1轉(zhuǎn)換來的第二網(wǎng)表NET2包括與用于直接電流分析的第一電阻器、第二電阻器和電流源有關(guān) 的第二信息。 模擬單元340接收第二網(wǎng)表NET2，并對第二網(wǎng)表NET2執(zhí)行直接電流分析以輸出金 屬線(例如，第一電阻器)的電流密度CD。通過將流經(jīng)金屬線的電流除以金屬線的寬度來 計算電流密度CD。如上所述，因為第二網(wǎng)表NET2僅包括與第一電阻器、第二電阻器和電流 源有關(guān)的第二信息，所以通過量化分析來計算金屬線的電流密度CD。 檢測單元360接收金屬線的電流密度CD，并基于金屬線的電流密度在金屬線中檢 測缺陷金屬線，以輸出檢測信號DS。可能由于ESD事件而產(chǎn)生流經(jīng)金屬線的額外電流。結(jié) 果，當金屬線的電流密度CD大于參考值時，可能引起金屬線故障。這樣，基于金屬線的電流 密度CD是否大于參考值，檢測單元360將金屬線確定為缺陷金屬線或無缺陷金屬線。參考 值對應(yīng)于能引起金屬線故障的電流密度。如上所述，可以根據(jù)全芯片設(shè)計條件而調(diào)整參考 值。 因此，圖9的系統(tǒng)300可以快速而準確地檢測金屬線故障，而且可以使用量化分析 (例如，直接電流分析)通過確定金屬線為缺陷金屬線還是無缺陷金屬線來檢測甚至是內(nèi) 部電路的金屬線故障。 圖10是概括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個實施例的檢測全芯片中的金屬線故障的系 統(tǒng)的方框圖。 參考圖10，系統(tǒng)400包括接口單元410、轉(zhuǎn)換單元420、模擬單元440和檢測單元 460。 接口單元410通過修改從外部設(shè)備輸入的外部網(wǎng)表NET而生成第一網(wǎng)表NET1，并 輸出第一網(wǎng)表NET1到轉(zhuǎn)換單元420。因為網(wǎng)表的格式根據(jù)應(yīng)用或設(shè)備而不同，所以外部網(wǎng) 表NET可能不與第一網(wǎng)表NET1兼容。這樣，需要接口單元410來修改外部網(wǎng)表NET以與第 一網(wǎng)表NET1兼容。在接口單元410中根據(jù)外部網(wǎng)表NET生成第一網(wǎng)表NET1后，轉(zhuǎn)換單元 420從接口單元410接收第一網(wǎng)表NET1，并將第一網(wǎng)表NET1轉(zhuǎn)換為第二網(wǎng)表NET2。第一網(wǎng) 表NET1可以包括與元件和金屬線有關(guān)的第一信息。第二網(wǎng)表可以包括用于直接電流分析 的第二信息。元件可以對應(yīng)于FET和CAP。金屬線可以對應(yīng)于第一電阻器。模擬單元440 從轉(zhuǎn)換單元420接收第二網(wǎng)表NET2，并對第二網(wǎng)表NET2執(zhí)行直接電流分析以輸出金屬線 (例如，第一電阻器)的電流密度CD到模擬單元440。檢測單元460從模擬單元440接收 金屬線的電流密度CD，并基于金屬線的電流密度CD在金屬線中檢測缺陷金屬線，以輸出檢 測信號DS。因為轉(zhuǎn)換單元420、模擬單元440和檢測單元460的相應(yīng)的詳細描述如上所述， 所以轉(zhuǎn)換單元420、模擬單元440和檢測單元460的詳細描述在此省略。
圖11是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個實施例的用于檢測全芯片中的金屬線故障 的系統(tǒng)的方框圖； 參考圖11，系統(tǒng)500包括生成單元510、轉(zhuǎn)換單元520、模擬單元540和檢測單元 560。 生成單元510基于全芯片的布局FLI生成第一網(wǎng)表NET1，并輸出第一網(wǎng)表NET1 到轉(zhuǎn)換單元520。第一網(wǎng)表可以包括與元件和金屬線對應(yīng)的第一信息。全芯片可以包括與 FET、 CAP對應(yīng)的元件和與第一電阻器對應(yīng)的金屬線。第一網(wǎng)表NET1可以包括與FET、 CAP 和金屬線有關(guān)的信息。例如，與FET、 CAP和金屬線有關(guān)的信息可以包括位置信息、寬度信息、長度信息等。在生成單元510基于全芯片的布局FLI生成第一網(wǎng)表NET1后，轉(zhuǎn)換單元 520接收第一網(wǎng)表NET1，并將第一網(wǎng)表NET1轉(zhuǎn)換為第二網(wǎng)表NET2。第一網(wǎng)表NET1包括與 元件和金屬線有關(guān)的第一信息。第二網(wǎng)表NET2包括允許直接電流分析的第二信息。模擬 單元540從轉(zhuǎn)換單元520接收第二網(wǎng)表NET2，并對第二網(wǎng)表執(zhí)行直接電流分析以輸出金屬 線(例如，第一電阻器)的電流密度CD到模擬單元540。檢測單元560從模擬單元540接 收金屬線的電流密度CD，基于金屬線的電流密度CD在金屬線中檢測缺陷金屬線，并輸出檢 測信號DS。因為轉(zhuǎn)換單元520、模擬單元540和檢測單元560的相應(yīng)的詳細描述如上所述， 所以轉(zhuǎn)換單元520、模擬單元540和檢測單元560的詳細描述在此省略。
圖12是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個實施例的用于檢測全芯片中的金屬線故障 的系統(tǒng)的方框圖； 參考圖12，系統(tǒng)600包括轉(zhuǎn)換單元620、模擬單元640、檢測單元660和修復(fù)單元 670。 轉(zhuǎn)換單元620接收第一網(wǎng)表NET1，并將第一網(wǎng)表NET1轉(zhuǎn)換為第二網(wǎng)表NET2。第 一網(wǎng)表NET1包括與元件和金屬線對應(yīng)的第一信息。第二網(wǎng)表NET2包括允許直接電流分析 的第二信息。元件可以對應(yīng)于FET和CAP。金屬線可以對應(yīng)于第一電阻器。模擬單元640 從轉(zhuǎn)換單元620接收第二網(wǎng)表NET2，并對第二網(wǎng)表執(zhí)行直接電流分析以輸出金屬線(例如， 第一電阻器)的電流密度CD。檢測單元660從模擬單元640接收金屬線的電流密度CD，基 于金屬線的電流密度CD在金屬線中檢測缺陷金屬線，并輸出檢測信號DS。修復(fù)單元670基 于檢測信號DS，通過增加第一網(wǎng)表NET1中的缺陷金屬線的寬度來修復(fù)缺陷金屬線。然后， 修復(fù)單元670輸出最終網(wǎng)表NETF。如上所述，通過將流經(jīng)金屬線的電流除以金屬線的寬度， 來計算金屬線的電流密度CD。這樣，隨著金屬線的寬度的增加，金屬線的電流密度CD可以 變得更小。也就是說，當增加缺陷金屬線的寬帶時，缺陷金屬線可以被修復(fù)。因此，圖12的 系統(tǒng)可以檢測金屬線故障，并在全芯片設(shè)計階段防止金屬線故障。因為轉(zhuǎn)換單元620、模擬 單元640和檢測單元660的相應(yīng)的詳細描述如上所述，所以轉(zhuǎn)換單元620、模擬單元640和 檢測單元660的詳細描述在此省略。 圖13是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個實施例的用于檢測全芯片中的金屬線故障 的系統(tǒng)的方框圖。 參考圖13，系統(tǒng)700包括轉(zhuǎn)換單元720、模擬單元740、檢測單元760、修復(fù)單元770 和反轉(zhuǎn)換單元780。 轉(zhuǎn)換單元720接收第一網(wǎng)表NET1，并將第一網(wǎng)表NET1轉(zhuǎn)換為第二網(wǎng)表NET2。第 一網(wǎng)表NET1包括與元件和金屬線有關(guān)的第一信息。第二網(wǎng)表NET2包括允許直接電流分析 的第二信息。元件可以對應(yīng)于FET和CAP。金屬線可以對應(yīng)于第一電阻器。模擬單元740 從轉(zhuǎn)換單元720接收第二網(wǎng)表NET2，并對第二網(wǎng)表NET2執(zhí)行直接電流分析以輸出金屬線 的電流密度CD到檢測單元760。檢測單元760從模擬單元740接收金屬線的電流密度CD， 基于金屬線的電流密度CD在金屬線中檢測缺陷金屬線，并輸出檢測信號DS。修復(fù)單元770 基于檢測信號DS，通過增加第二網(wǎng)表NET2中的缺陷金屬線的寬度來修復(fù)缺陷金屬線。然 后，修復(fù)單元770輸出第三網(wǎng)表NET3到反轉(zhuǎn)換單元780。反轉(zhuǎn)換單元780從修復(fù)單元770 接收第三網(wǎng)表，并將第三網(wǎng)表NET3轉(zhuǎn)換為第一網(wǎng)表NET1以輸出最終網(wǎng)表NETF。也就是說， 反轉(zhuǎn)換單元780將第二電阻器轉(zhuǎn)換為FET，將開路轉(zhuǎn)換為CAP，并從第三網(wǎng)表NET3中去除電流源。因此，圖13的系統(tǒng)可以檢測金屬線故障，并在全芯片設(shè)計階段中可以防止金屬線故 障。因為轉(zhuǎn)換單元720、模擬單元740和檢測單元760相應(yīng)的詳細描述如上所述，所以轉(zhuǎn)換 單元720、模擬單元740和檢測單元760的詳細描述在此省略。 圖14是一般性圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的檢測全芯片中的全芯片故障的流 程圖。 參考圖14，方法包括基于對從第一網(wǎng)表轉(zhuǎn)換的第二網(wǎng)表執(zhí)行的直接電流分析來檢 測缺陷金屬線(S820)。第一網(wǎng)表包括與元件和金屬線有關(guān)的第一信息，而第二網(wǎng)表包括允 許直接電流分析的第二信息。元件可以對應(yīng)于FET和CAP。金屬線可以對應(yīng)于第一電阻器。 可以基于對從第一網(wǎng)表轉(zhuǎn)換的第四網(wǎng)表執(zhí)行的元件分析來檢測缺陷FET(S840)。可以通過 在第一網(wǎng)表中將FET轉(zhuǎn)換為模型電路而生成第四網(wǎng)表。圖14的方法可以在全芯片設(shè)計階段 檢測場效應(yīng)晶體管故障以及金屬線故障。下文中，將用一些額外的細節(jié)描述圖14的方法。
基于對第二網(wǎng)表執(zhí)行的直接電流分析，檢測缺陷金屬線(S820)。在本發(fā)明構(gòu)思的 一個實施例中，通過修改從外部設(shè)備輸入的外部網(wǎng)表而生成第一網(wǎng)表。在另一個實施例中， 基于全芯片的布局而生成第一網(wǎng)表。通過在第一網(wǎng)表中將FET轉(zhuǎn)換為第一電阻器、將CAP 轉(zhuǎn)換為開路并在輸入管腳和接地管腳之間添加電流源而生成第二網(wǎng)表。電流源可以提供具 有最大值為由ESD事件引起的放電電流的電流。然后，通過對第二網(wǎng)表執(zhí)行直接電流分析 來計算金屬線的電流密度?；诮饘倬€(例如，第一電阻器)的電流密度是否大于參考值， 金屬線被確定為缺陷金屬線或無缺陷金屬線。 基于對第四網(wǎng)表執(zhí)行的元件分析，檢測缺陷FET (S840)。通過在第一網(wǎng)表中將FET 轉(zhuǎn)換為模型電路而生成第四網(wǎng)表。然后，對第四網(wǎng)表執(zhí)行模擬(例如元件分析)?；谀M 結(jié)果，F(xiàn)ET被確定為缺陷FET或無缺陷FET。由于這樣的分析是通常所理解的，所以元件分 析的詳細描述將被省略。此外，可以通過改變?nèi)毕軫ET特性來修復(fù)缺陷FET?？梢酝ㄟ^增加 缺陷金屬線的寬度來修復(fù)缺陷金屬線。但是，缺陷FET和缺陷金屬線的修復(fù)方式不限于此。
如上所述，本發(fā)明構(gòu)思的實施例包括用于全芯片設(shè)計的檢測金屬線故障的方法和 用于全芯片設(shè)計的檢測金屬線故障的系統(tǒng)，其使得能夠在全芯片設(shè)計階段考慮某些ESD事 件來執(zhí)行全芯片設(shè)計。因此，根據(jù)一些示范性實施例的用于全芯片的檢測金屬線故障的方 法、根據(jù)一些示范性實施例的用于全芯片的檢測金屬線故障的系統(tǒng)和根據(jù)一些示范性實施 例的用于全芯片的檢測全芯片故障的方法可以被應(yīng)用于用于全芯片設(shè)計的計算機程序、記 錄所述計算機程序的存儲介質(zhì)、執(zhí)行計算機程序的計算機系統(tǒng)等。 前述是示范性實施例的說明，且不應(yīng)被構(gòu)造為是對其的限制。盡管已經(jīng)描述了幾 個示范性實施例，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將很容易意識到，在示范性實施例中可以存在許 多修改，而本質(zhì)上并沒有背離本發(fā)明構(gòu)思的新穎性教導(dǎo)和優(yōu)勢。因此，所有這樣的修改意欲 被包括在如在權(quán)利要求中所限定的本發(fā)明構(gòu)思的范圍內(nèi)。因此，應(yīng)當了解，前述是各種實施 例的說明，而不應(yīng)被構(gòu)造為是限制所公開的特定實施例，并且對所公開的實施例的修改及 其他實施例意欲被包括在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
對相關(guān)申請的交叉引用 本申請要求2008年12月31日提交的韓國專利申請No. 10-2008-0137747的優(yōu)先 權(quán)，其主題通過引用而被合并于此。
1權(quán)利要求
一種檢測全芯片中的金屬線故障的方法，所述方法包括將第一網(wǎng)表轉(zhuǎn)換為第二網(wǎng)表，所述第一網(wǎng)表具有與元件和金屬線對應(yīng)的第一信息，且所述第二網(wǎng)表具有允許直接電流分析的第二信息；通過對所述第二網(wǎng)表執(zhí)行直接電流分析來計算所述金屬線的電流密度；和基于所述金屬線的電流密度，檢測所述金屬線中的缺陷金屬線。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括 通過修改外部提供的網(wǎng)表來生成所述第一網(wǎng)表。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括 基于所述全芯片的布局來生成所述第一網(wǎng)表。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述元件對應(yīng)于場效應(yīng)晶體管和電容器，且所述 金屬線對應(yīng)于第一電阻器。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，將所述第一網(wǎng)表轉(zhuǎn)換為所述第二網(wǎng)表包括 將所述場效應(yīng)晶體管轉(zhuǎn)換為第二電阻器；將所述電容器轉(zhuǎn)換為開路；以及 在輸入管腳和接地管腳之間添加電流源。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述電流源提供具有最大值為由靜電放電(ESD) 事件引起的放電電流的電流。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，將所述場效應(yīng)晶體管轉(zhuǎn)換為第二電阻器包括 計算所述場效應(yīng)晶體管的漏極電流；計算所述場效應(yīng)晶體管的漏極端和源極端之間的電壓差；禾口 通過將所述漏極電流除以所述電壓差確定所述第二電阻器的阻抗。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，檢測所述金屬線中的所述缺陷金屬線包括當所 述金屬線的所述電流密度大于參考值時確定所述金屬線為缺陷金屬線。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括 增加所述缺陷金屬線的寬度以修復(fù)所述缺陷金屬線。
10. —種檢測全芯片中的金屬線故障的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括轉(zhuǎn)換單元，被配置成將第一網(wǎng)表轉(zhuǎn)換為第二網(wǎng)表，所述第一網(wǎng)表具有與元件和金屬線 有關(guān)的第一信息，所述第二網(wǎng)表具有允許直接電流分析的第二信息，所述元件對應(yīng)于場效 應(yīng)晶體管和電容器，所述金屬線對應(yīng)于第一電阻器；模擬單元，被配置成通過對所述第二網(wǎng)表執(zhí)行所述直接電流分析來計算所述金屬線的電流密度；禾口檢測單元，被配置成基于所述金屬線的所述電流密度，檢測所述金屬線中的缺陷金屬 線，當所述金屬線的所述電流密度大于參考值時，所述金屬線被確定為缺陷金屬線。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，還包括接口單元，被配置成通過修改外部提供的網(wǎng)表來生成所述第一網(wǎng)表。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，還包括生成單元，被配置成基于所述全芯片的布局來生成所述第一網(wǎng)表。
13. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的系統(tǒng)，其中，所述轉(zhuǎn)換單元還被配置成將所述場效應(yīng)晶體 管轉(zhuǎn)換為第二電阻器，將所述電容器轉(zhuǎn)換為開路，和在輸入管腳和接地管腳之間添加電流源，其中，所述電流源提供具有最大值為由靜電放電(ESD)事件引起的放電電流的電流。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其中，所述轉(zhuǎn)換單元還被配置成計算所述場效應(yīng)晶 體管的漏極電流，計算所述場效應(yīng)晶體管的漏極端和源極端之間的電壓差，和通過將所述 漏極電流除以電壓差來確定所述第二電阻器的阻抗。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，還包括修復(fù)單元，被配置成通過增加所述缺陷金屬線的寬度以修復(fù)所述缺陷金屬線，以根據(jù) 所述第一網(wǎng)表生成最終網(wǎng)表。
16. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，還包括修復(fù)單元，被配置成通過增加所述缺陷金屬線的寬度以修復(fù)所述缺陷金屬線，以根據(jù) 所述第二網(wǎng)表生成第三網(wǎng)表。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，還包括反轉(zhuǎn)換單元，被配置成通過將所述第二電阻器轉(zhuǎn)換為所述場效應(yīng)晶體管、將所述開路 轉(zhuǎn)換為所述電容器和去除所述電流源而根據(jù)所述第三網(wǎng)表生成最終網(wǎng)表。
18. —種檢測全芯片中的全芯片故障的方法，所述方法包括通過對從第一網(wǎng)表轉(zhuǎn)換的第二網(wǎng)表執(zhí)行直接電流分析來檢測缺陷金屬線，所述第一 網(wǎng)表具有與元件和金屬線有關(guān)的第一信息，所述第二網(wǎng)表具有允許直接電流分析的第二信息，所述元件對應(yīng)于場效應(yīng)晶體管和電容器，所述金屬線對應(yīng)于第一電阻器；禾口通過對第四網(wǎng)表執(zhí)行元件分析來檢測缺陷場效應(yīng)晶體管，通過將所述場效應(yīng)晶體管轉(zhuǎn) 換為模型電路而將所述第一網(wǎng)表轉(zhuǎn)換為所述第四網(wǎng)表。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，通過將所述場效應(yīng)晶體管轉(zhuǎn)換為第二電阻器、 將所述電容器轉(zhuǎn)換為開路和在輸入管腳和接地管腳之間添加電流源而將所述第一網(wǎng)表轉(zhuǎn) 換為所述第二網(wǎng)表，禾口其中，所述電流源提供具有最大值為由靜電放電(ESD)事件引起的放電電流的電流。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，檢測所述缺陷金屬線包括 通過對所述第二網(wǎng)表執(zhí)行所述直接電流分析來計算所述金屬線的電流密度；禾口 基于所述金屬線的所述電流密度，檢測所述金屬線中的缺陷金屬線，當所述金屬線的所述電流密度大于參考值時，所述金屬線被確定為缺陷金屬線。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種檢測全芯片中的金屬線故障的方法和系統(tǒng)。在用于全芯片的檢測金屬線故障的方法中，第一網(wǎng)表被轉(zhuǎn)換為第二網(wǎng)表。所述第一網(wǎng)表包括與元件和金屬線有關(guān)的第一信息，所述第二網(wǎng)表包括允許直接電流分析的第二信息。通過對所述第二網(wǎng)表執(zhí)行所述直接電流分析，計算金屬線的電流密度?；谒鼋饘倬€的所述電流密度，檢測金屬線中的缺陷金屬線。
文檔編號G01N27/00GK101769886SQ20091026621
公開日2010年7月7日 申請日期2009年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月31日
發(fā)明者粱基榮, 金世榮 申請人:三星電子株式會社