專利名稱：一種利用顯微鏡測(cè)量自撐膜的彈性變形量的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于薄膜性能測(cè)量領(lǐng)域，對(duì)于有制作在基片上的自撐膜提供一種測(cè)量其在 氣壓作用下形變量的方法。
背景技術(shù)：
關(guān)于自撐膜形變測(cè)量的方法在文獻(xiàn)Mechanical properties measurement of siliconnitride thin films using the bulge test, Proc. of SPIE Vol. 6798,67981C, (2007) ；Poisson' s Ratio of Low-Temperature PECVD Silicon Nitride Thin Films, JOURNAL 0FMICR0ELECTR0MECHANICAL SYSTEMS, VOL. 16，NO. 3，JUNE 2007 等多篇文獻(xiàn)中 提到過，文獻(xiàn)中使用的測(cè)量方法簡(jiǎn)單準(zhǔn)確，但是使用了高精度的激光振動(dòng)儀和光學(xué)輪廓測(cè) 量?jī)x，這兩種專業(yè)設(shè)備價(jià)格高昂，此外光學(xué)輪廓儀的測(cè)量面積一般較小，故不具備普遍適 用性；文獻(xiàn) FE andexperimental analysis of net-shape polymer membrane optics， Proceedings of SPIE Vol. 5179中，利用干涉方法測(cè)量自撐膜的形變量，不需要昂貴的設(shè) 備，光路搭建比較復(fù)雜，精度要求高，誤差影響因素太多，準(zhǔn)確性受到一定影響。在這里提出 一種簡(jiǎn)單且實(shí)用性較強(qiáng)的自撐膜測(cè)量方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有自撐膜形變測(cè)量技術(shù)設(shè)備復(fù)雜昂貴的缺 點(diǎn)，提出一種利用顯微鏡測(cè)量自撐膜的彈性變形量的簡(jiǎn)易方法。本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種利用顯微鏡測(cè)量自撐膜的彈性 變形量的方法。具體說來是利用顯微鏡在觀測(cè)微細(xì)圖形時(shí)的焦深有限的特點(diǎn)，當(dāng)觀測(cè)面偏 離焦深范圍圖像發(fā)生模糊。對(duì)不同氣壓作用下自撐膜圖形標(biāo)記顯微鏡調(diào)焦觀測(cè)，通過測(cè)量 樣品臺(tái)的移動(dòng)距離即可獲得自撐膜中心區(qū)域的變形大小。具體實(shí)現(xiàn)步驟如下(1)首先選擇基片材料，清洗基片材料的拋光面，在所述基片材料的拋光面上旋涂 有機(jī)材料薄膜，所述有機(jī)材料薄膜厚度范圍為0. 6微米到0. 8微米；(2)在所述有機(jī)薄膜材料上面濺射或者蒸鍍金屬膜層，并通過刻蝕工藝在金屬膜 層上面制作周期為顯微鏡最小分辨尺度的光柵圖形作為標(biāo)記圖形；(3)將步驟(2)得到的結(jié)構(gòu)放入聚四氟乙烯制作的夾具中，該夾具可以將基片材 料某一面的部分區(qū)域暴露在空氣中而其它部分密封，將這兩部分區(qū)域分別命名為暴露區(qū)域 和被保護(hù)區(qū)域，由于聚四氟乙烯可以抗強(qiáng)酸強(qiáng)堿的腐蝕故可以對(duì)暴露區(qū)域進(jìn)行濕法腐蝕； 調(diào)解標(biāo)記圖形的位置，使其背面位于暴露區(qū)域；(4)使用氫氟酸混合液將步驟(3)中暴露區(qū)域的基片材料腐蝕掉，該區(qū)域的僅留 下有機(jī)材料薄膜與金屬膜層作為自撐膜結(jié)構(gòu)，而被保護(hù)區(qū)域的基片及有機(jī)膜材料薄膜和金 屬膜層均保留；(5)將步驟(4)形成的結(jié)構(gòu)安裝在金屬夾具上，該金屬夾具具有比自撐膜結(jié)構(gòu)略大的通孔，調(diào)節(jié)自撐膜結(jié)構(gòu)位置與通孔重合；(6)將步驟(5)中所述金屬夾具固定在一個(gè)同樣材料的腔體上，并構(gòu)成一個(gè)密封 壓力腔，該密封壓力腔可以承受一定的空氣壓力；(7)將步驟(6)得到的密封壓力腔放在顯微鏡載物臺(tái)上，通過顯微鏡目鏡或者(XD 采集圖像調(diào)節(jié)焦距，得到步驟(2)中標(biāo)記圖形的清晰像；(8)調(diào)節(jié)密封壓力腔內(nèi)輸入惰性氣體量從而改變腔體壓力，壓力變化情況由連接 在腔壁上的壓力表進(jìn)行讀出；有機(jī)材料薄膜發(fā)生形變，觀察到的標(biāo)記圖形清晰度改變，重新 調(diào)節(jié)物鏡焦距獲得清晰像，并通過電感測(cè)位儀測(cè)量載物臺(tái)的移動(dòng)量，由此得到有機(jī)材料薄 膜的形變量與密封壓力腔內(nèi)氣壓的關(guān)系。所述步驟(1)中的基底材料可以為紅外波段的硅、鍺，也可以為光波段的石英或玻璃。所述步驟(1)中的有機(jī)材料薄膜為聚酰亞胺。所述步驟(1)中旋涂速度范圍為2000轉(zhuǎn)/秒到4000轉(zhuǎn)/秒.所述步驟(2)中的金屬膜層是為了在其上加工標(biāo)記圖形，金屬為鉻，厚度為30nm 至60nm范圍。所述步驟(4)中應(yīng)從標(biāo)記圖形的背面進(jìn)行窗口腐蝕，標(biāo)記圖形應(yīng)位于暴露區(qū)域的 中心區(qū)。所述步驟(5)中金屬夾具應(yīng)開窗將自撐膜區(qū)域露出。所述步驟(6)中密封壓力腔應(yīng)留有進(jìn)氣口以及壓力測(cè)試口。所述步驟⑶中密封壓力腔中氣壓可從1個(gè)大氣壓逐步增加；自撐膜的形變量與 自撐膜大小有關(guān)。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比所具有的優(yōu)點(diǎn)是本發(fā)明利用普通的光學(xué)顯微鏡觀測(cè)自 撐膜上的標(biāo)記圖形，改變自撐膜所受到的壓強(qiáng)，自撐膜中心的標(biāo)記離開焦面，上下移動(dòng)載物 臺(tái)，重新調(diào)節(jié)標(biāo)記圖形到物鏡焦面位置，通過電感測(cè)微儀讀出載物臺(tái)移動(dòng)的距離，即為薄膜 形變量。本發(fā)明簡(jiǎn)單實(shí)用性強(qiáng)且不需要高精密的儀器。


圖1為本發(fā)明方法的流程圖；圖2為所選擇的基底示意圖；圖3為在基底表面制作好自撐膜薄膜后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為在抗蝕劑表面蒸鍍或者濺射金屬介質(zhì)膜，并在金屬膜上制作了標(biāo)記圖形的 結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為在基片背面腐蝕出窗口，且將標(biāo)記圖形保留在窗口中心部位的示意圖；圖6為將制作好的自撐膜結(jié)構(gòu)安裝在自制的密封腔中的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為將利用顯微鏡進(jìn)行自撐薄膜進(jìn)行形變量測(cè)量的示意圖；圖中1為基底材料硅片，2為自撐膜材料聚酰亞胺，3為濺射的金屬鉻層，4為制作 的光柵結(jié)構(gòu)標(biāo)記圖形，5為設(shè)計(jì)的保留兩個(gè)接口的密封腔，6為顯微鏡物鏡，7為CCD，8為顯 微鏡載物臺(tái)，9為電感測(cè)微儀，10為氮?dú)馊肟冢?1為壓力表接入口。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施方式
詳細(xì)介紹本發(fā)明。但以下的實(shí)施例僅限于解釋本發(fā) 明，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)包括權(quán)利要求的全部?jī)?nèi)容，而且通過以下實(shí)施例本領(lǐng)域技術(shù)人員 即可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明權(quán)利要求的全部?jī)?nèi)容。實(shí)施例1如圖7所示，本發(fā)明一種用顯微鏡測(cè)量自撐膜的彈性變形量的方法，其具體實(shí)施 步驟如下(1)選擇硅片作為基片材料，如圖2所示；(2)采用標(biāo)準(zhǔn)工藝清洗硅片的拋光表面，然后以2000轉(zhuǎn)/秒在此表面旋涂一層聚 酰亞胺膠，加熱至300°C使其成膜，得到厚度為O.Sym，如圖2所示；(3)在聚酰亞胺膜表面濺射一層鉻金屬，厚度約為30nm，通過光刻工藝在位于鉻 金屬膜上靠近基片材料的中心位置制作光柵標(biāo)記圖形，光柵的線寬為300nm，獲得結(jié)構(gòu)如圖 3所示；(4)將步驟(3)所得到的結(jié)構(gòu)放入特制抗腐蝕夾具，硅片背面(未拋光一面)露 出10mm直徑的窗口，對(duì)露出的硅片進(jìn)行濕法腐蝕，腐蝕液選擇混合比為3 1 1 5使 用氫氟酸、硝酸、醋酸、水的混合溶液，將露出窗口的硅片完全腐蝕，僅保留聚酰亞胺薄膜與 鉻金屬薄膜組成的自撐膜結(jié)構(gòu)，標(biāo)記圖形應(yīng)保留在腐蝕出的窗口中心附近，如圖5所示；(5)將步驟(4)制作好的結(jié)構(gòu)放入密封腔內(nèi)，密封腔預(yù)部開口，可以將自撐膜區(qū)域 暴露在外面，密封腔側(cè)保留兩個(gè)接口，用來試驗(yàn)時(shí)接入氮?dú)庖约皦毫Ρ?，如圖6所示；(6)將步驟(5)得到的密封壓力腔放在顯微鏡載物臺(tái)上，選擇100倍物鏡，調(diào)節(jié)物 鏡焦距，通過顯微鏡(XD采集圖像，獲得標(biāo)記光柵圖形的清晰像，如圖7所示；(7)打開氮?dú)獾拈_關(guān)，緩緩?fù)芊馇粌?nèi)充氣，觀察壓力表示數(shù)，當(dāng)壓力增加100帕 時(shí)，停止輸入氮?dú)猓槐∧ぐl(fā)生形變，CCD采集到的光柵圖形清晰度發(fā)生變化，微調(diào)物鏡焦距 獲得清晰像，并通過電感測(cè)位儀測(cè)量載物臺(tái)的移動(dòng)量，此移動(dòng)量即位薄膜形變量，如圖7所 示；(8)重復(fù)步驟(7)，直至密封腔壓力增強(qiáng)800帕；(9)將獲得壓強(qiáng)與載物臺(tái)形變量數(shù)據(jù)進(jìn)行整理分析，即可得到自撐膜形變量與所 受氣壓的關(guān)系。實(shí)施例2(1)選擇熔石英片作為基片材料；(2)采用標(biāo)準(zhǔn)工藝清洗熔石英片的表面，然后以3000轉(zhuǎn)/秒在此表面旋涂一層聚 酰亞胺膠，加熱至320°C使其成膜，得到厚度為0. 7 y m ；(3)在聚酰亞胺膜表面濺射一層鉻金屬，厚度約為40nm，通過光刻工藝在位于鉻 金屬膜上靠近基片材料的中心位置制作光柵標(biāo)記圖形，光柵的線寬為350nm，獲得結(jié)構(gòu)如圖 3所示；(4)將步驟(3)所得到的結(jié)構(gòu)放入特制抗腐蝕夾具，熔石英背面(未涂膠及濺射金 屬層一面)露出10mm直徑的窗口，對(duì)露出的熔石英片進(jìn)行濕法腐蝕，腐蝕液選擇氫氟酸、氟 化氨、鹽酸、水的混合溶液，對(duì)應(yīng)的量分別為10ml、30g、0. 25ml、100ml，將露出窗口的熔石英 片完全腐蝕，僅保留聚酰亞胺薄膜與鉻金屬薄膜組成的自撐膜結(jié)構(gòu)，標(biāo)記圖形應(yīng)保留在腐蝕出的窗口中心附近，如圖5所示；(5)將步驟(4)制作好的結(jié)構(gòu)放入密封腔內(nèi)，密封腔頂部開窗，可以將自撐膜區(qū)域 暴露在外面，密封腔側(cè)保留兩個(gè)接口，用來試驗(yàn)時(shí)接入氮?dú)庖约皦毫Ρ恚鐖D6所示；(6)將步驟(5)得到的密封壓力腔放在顯微鏡載物臺(tái)上，選擇100倍物鏡，調(diào)節(jié)物 鏡焦距，通過顯微鏡(XD采集圖像，獲得標(biāo)記光柵圖形的清晰像，如圖7所示；(7)打開氮?dú)獾拈_關(guān)，緩緩?fù)芊馇粌?nèi)充氣，觀察壓力表示數(shù)，當(dāng)壓力增加100帕 時(shí)，停止輸入氮?dú)?；薄膜發(fā)生形變，CCD采集到的光柵圖形清晰度發(fā)生變化，微調(diào)物鏡焦距 獲得清晰像，并通過電感測(cè)位儀測(cè)量載物臺(tái)的移動(dòng)量，此移動(dòng)量即位薄膜形變量，如圖7所 示；(8)重復(fù)步驟(7)，直至密封腔壓力增強(qiáng)800帕；(9)將獲得壓強(qiáng)與載物臺(tái)形變量數(shù)據(jù)進(jìn)行整理分析，即可得到自撐膜形變量與所 受氣壓的關(guān)系。實(shí)施例3(1)選擇K9玻璃片作為基片材料；(2)采用標(biāo)準(zhǔn)工藝清洗K9玻璃片的表面，然后以4000轉(zhuǎn)/秒在此表面旋涂一層聚 酰亞胺膠，加熱至300°C使其成膜，得到厚度為0. 6 y m ；(3)在聚酰亞胺膜表面濺射一層鉻金屬，厚度約為60nm，通過光刻工藝在位于鉻 金屬膜上靠近基片材料的中心位置制作光柵標(biāo)記圖形，光柵的線寬為400nm，獲得結(jié)構(gòu)如圖 3所示；(4)將步驟(3)所得到的結(jié)構(gòu)放入特制抗腐蝕夾具，K9玻璃背面(未涂膠及濺射 金屬層一面)露出10mm直徑的窗口，對(duì)露出的K9玻璃片進(jìn)行濕法腐蝕，腐蝕液選擇氫氟 酸、氟化氨、鹽酸、水的混合溶液，對(duì)應(yīng)的量分別為10ml、30g、0. 25ml、100ml，將露出窗口的 熔石英片完全腐蝕，僅保留聚酰亞胺薄膜與鉻金屬薄膜組成的自撐膜結(jié)構(gòu)，標(biāo)記圖形應(yīng)保 留在腐蝕出的窗口中心附近，如圖5所示；(5)將步驟(4)制作好的結(jié)構(gòu)放入密封腔內(nèi)，密封腔頂部開窗，可以將自撐膜區(qū)域 暴露在外面，密封腔側(cè)保留兩個(gè)接口，用來試驗(yàn)時(shí)接入氮?dú)庖约皦毫Ρ?，如圖6所示；(6)將步驟(5)得到的密封壓力腔放在顯微鏡載物臺(tái)上，選擇100倍物鏡，調(diào)節(jié)物 鏡焦距，通過顯微鏡(XD采集圖像，獲得標(biāo)記光柵圖形的清晰像，如圖7所示；(7)打開氮?dú)獾拈_關(guān)，緩緩?fù)芊馇粌?nèi)充氣，觀察壓力表示數(shù)，當(dāng)壓力增加100帕 時(shí)，停止輸入氮?dú)?；薄膜發(fā)生形變，CCD采集到的光柵圖形清晰度發(fā)生變化，微調(diào)物鏡焦距 獲得清晰像，并通過電感測(cè)位儀測(cè)量載物臺(tái)的移動(dòng)量，此移動(dòng)量即位薄膜形變量，如圖7所 示；(8)重復(fù)步驟(7)，直至密封腔壓力增強(qiáng)到800帕；(9)將獲得壓強(qiáng)與載物臺(tái)形變量數(shù)據(jù)進(jìn)行整理分析，即可得到自撐膜形變量與所 受氣壓的關(guān)系。實(shí)施例4(1)選擇K9玻璃片作為基片材料；(2)采用標(biāo)準(zhǔn)工藝清洗K9玻璃片的表面，然后以4000轉(zhuǎn)/秒在此表面旋涂一層聚 酰亞胺膠，加熱至360°C使其成膜，得到厚度為0. 6 y m ；
(3)在聚酰亞胺膜表面濺射一層鉻金屬，厚度約為60nm，通過光刻工藝在位于鉻 金屬膜上靠近基片材料的中心位置制作光柵標(biāo)記圖形，光柵的線寬為400nm，獲得結(jié)構(gòu)如圖 3所示；(4)將步驟(3)所得到的結(jié)構(gòu)放入特制抗腐蝕夾具，K9玻璃背面(未涂膠及濺射 金屬層一面)露出10mm直徑的窗口，對(duì)露出的K9玻璃片進(jìn)行濕法腐蝕，腐蝕液選擇氫氟 酸、氟化氨、鹽酸、水的混合溶液，對(duì)應(yīng)的量分別為10ml、30g、0. 25ml、100ml，將露出窗口的 熔石英片完全腐蝕，僅保留聚酰亞胺薄膜與鉻金屬薄膜組成的自撐膜結(jié)構(gòu)，標(biāo)記圖形應(yīng)保 留在腐蝕出的窗口中心附近，如圖5所示；(5)將步驟(4)制作好的結(jié)構(gòu)放入密封腔內(nèi)，密封腔頂部開窗，可以將自撐膜區(qū)域 暴露在外面，密封腔側(cè)保留兩個(gè)接口，用來試驗(yàn)時(shí)接入氮?dú)庖约皦毫Ρ?，如圖6所示；(6)將步驟(5)得到的密封壓力腔放在顯微鏡載物臺(tái)上，選擇100倍物鏡，調(diào)節(jié)物 鏡焦距，通過顯微鏡(XD采集圖像，獲得標(biāo)記光柵圖形的清晰像，如圖7所示；(7)打開氮?dú)獾拈_關(guān)，緩緩?fù)芊馇粌?nèi)充氣，觀察壓力表示數(shù)，當(dāng)壓力增加100帕 時(shí)，停止輸入氮?dú)?；薄膜發(fā)生形變，CCD采集到的光柵圖形清晰度發(fā)生變化，微調(diào)物鏡焦距 獲得清晰像，并通過電感測(cè)位儀測(cè)量載物臺(tái)的移動(dòng)量，此移動(dòng)量即位薄膜形變量，如圖7所 示；(8)重復(fù)步驟(7)，直至密封腔壓力增強(qiáng)到800帕；(9)將獲得壓強(qiáng)與載物臺(tái)形變量數(shù)據(jù)進(jìn)行整理分析，即可得到自撐膜形變量與所 受氣壓的關(guān)系。
權(quán)利要求
一種利用顯微鏡測(cè)量自撐膜的彈性變形量的方法，其特征在于包括以下步驟(1)首先選擇基片材料，清洗基片材料的拋光面，在所述基片材料的拋光面上旋涂有機(jī)材料薄膜，所述有機(jī)材料薄膜厚度范圍為0.6微米到0.8微米；(2)在所述有機(jī)膜材料薄膜上面濺射或者蒸鍍金屬膜層，并通過刻蝕工藝在金屬膜層上面制作周期為400～800nm的光柵圖形作為標(biāo)記圖形；(3)將步驟(2)得到的結(jié)構(gòu)放入聚四氟乙烯制作的夾具中，該夾具可以將基片材料某一面的部分區(qū)域暴露在空氣中而其它部分密封，將這兩部分區(qū)域分別命名為暴露區(qū)域和被保護(hù)區(qū)域，由于聚四氟乙烯可以抗強(qiáng)酸強(qiáng)堿的腐蝕故可以僅對(duì)暴露區(qū)域進(jìn)行濕法腐蝕；調(diào)整標(biāo)記圖形的位置，使其背面位于暴露區(qū)域；(4)使用氫氟酸混合液將步驟(3)中暴露區(qū)域的基片材料腐蝕掉，該區(qū)域的僅留下有機(jī)材料薄膜與金屬膜層作為自撐膜結(jié)構(gòu)，而被保護(hù)區(qū)域的基片及有機(jī)膜材料薄膜和金屬膜層均保留；(5)將步驟(4)形成的結(jié)構(gòu)安裝在金屬夾具上，該金屬夾具具有比自撐膜結(jié)構(gòu)略大的窗口，調(diào)節(jié)自撐膜結(jié)構(gòu)位置與窗口重合；(6)將步驟(5)中所述金屬夾具固定在一個(gè)同樣材料的腔體上，并構(gòu)成一個(gè)密封壓力腔，該密封壓力腔腔體可以承受一定的空氣壓力；(7)將步驟(6)得到的密封壓力腔放在顯微鏡載物臺(tái)上，通過顯微鏡目鏡或者CCD采集圖像調(diào)節(jié)焦距，得到步驟(2)中標(biāo)記圖形的清晰像；(8)調(diào)節(jié)密封壓力腔內(nèi)輸入惰性氣體量從而改變腔體壓力，壓力變化情況由連接在密封壓力腔腔壁上的壓力表進(jìn)行讀出；有機(jī)材料薄膜發(fā)生形變，觀察到的標(biāo)記圖形清晰度改變，重新調(diào)節(jié)物鏡焦距獲得清晰像，并通過電感測(cè)位儀測(cè)量載物臺(tái)的移動(dòng)量，由此得到有機(jī)材料薄膜的形變量與密封壓力腔內(nèi)氣壓的關(guān)系。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用顯微鏡測(cè)量自撐膜的彈性變形量的方法，其特征在 于所述步驟(1)中的基底材料可以為紅外波段的硅、鍺，也可以為光波段的石英或玻璃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用顯微鏡測(cè)量自撐膜的彈性變形量的方法，其特征在 于所述步驟(1)中的有機(jī)材料薄膜為聚酰亞胺。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用顯微鏡測(cè)量自撐膜的彈性變形量的方法，其特征在 于所述步驟(1)中旋涂速度范圍是2000轉(zhuǎn)/秒到4000轉(zhuǎn)/秒。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用顯微鏡測(cè)量自撐膜的彈性變形量的方法，其特征在 于所述步驟(2)中的金屬膜層為鉻，厚度為30nm至60nm范圍。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用顯微鏡測(cè)量自撐膜的彈性變形量的方法，其特征在 于所述步驟(4)中應(yīng)從標(biāo)記圖形的背面進(jìn)行窗口腐蝕，標(biāo)記圖形應(yīng)位于暴露區(qū)域的中心 區(qū)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用顯微鏡測(cè)量自撐膜的彈性變形量的方法，其特征在 于所述步驟(5)中金屬夾具應(yīng)開窗將自撐膜區(qū)域露出。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用顯微鏡測(cè)量自撐膜的彈性變形量的方法，其特征在 于所述步驟(6)中密封壓力腔應(yīng)留有進(jìn)氣口以及壓力測(cè)試口。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用顯微鏡測(cè)量自撐膜的彈性變形量的方法，其特征在于所述 步驟(8)中密封壓力腔中氣壓可從1個(gè)大氣壓逐步增加；自撐膜的形變量與自撐膜大小有關(guān)。
全文摘要
一種利用顯微鏡測(cè)量自撐膜彈性變形量的方法，屬于薄膜性能測(cè)量領(lǐng)域。其特征在于以下步驟(1)選擇基片材料，并在其上制作有機(jī)膜；(2)在有機(jī)膜材料上面制作金屬膜層以及光柵做為標(biāo)記圖形；(3)于基片另一面進(jìn)行濕法腐蝕，僅留下有機(jī)薄膜與金屬膜層作為自撐膜，將標(biāo)記圖形保留在自撐膜區(qū)域；(4)將(3)所得結(jié)構(gòu)安裝在一個(gè)腔體內(nèi)，構(gòu)成一個(gè)密封壓力腔；(5)將壓力腔放在顯微鏡載物臺(tái)上，改變腔體壓力，薄膜變形，目鏡觀察到的標(biāo)記圖形清晰度改變，調(diào)節(jié)物鏡焦距，并通過電感測(cè)位儀測(cè)量載物臺(tái)的移動(dòng)量，由此得薄膜形變量。該方法設(shè)備簡(jiǎn)易、操作簡(jiǎn)單，對(duì)于自撐膜以及其他類型薄膜的形變量測(cè)量都具有適用性和實(shí)用性。
文檔編號(hào)G01B11/16GK101876539SQ20091024192
公開日2010年11月3日 申請(qǐng)日期2009年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月15日
發(fā)明者劉凱鵬, 劉堯, 劉玲, 方亮, 潘麗, 王長(zhǎng)濤, 羅先剛, 邢卉 申請(qǐng)人:中國科學(xué)院光電技術(shù)研究所