專利名稱：紅外焦平面讀出電路分階段背景抑制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于紅外成像系統(tǒng)中的背景抑制方法，尤其是一種紅外焦平面讀出電路分 階段背景抑制方法，屬于微電子及光電子技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
紅外成像技術(shù)是一種將不可見的紅外輻射信號轉(zhuǎn)換成可視圖像的技術(shù)，它在軍事、空 間技術(shù)、醫(yī)學(xué)以及國民經(jīng)濟(jì)相關(guān)領(lǐng)域正得到日益廣泛的應(yīng)用。紅外焦平面陣列組件是現(xiàn)代 紅外成像技術(shù)中的關(guān)鍵器件，它包括紅外探測器和紅外焦平面讀出電路兩部分。讀出電路 的主要功能是對紅外探測器輸出的信號進(jìn)行轉(zhuǎn)換、放大以及傳輸，同時為紅外探測器提供 所需的各種低噪聲偏置電壓。常見的讀出電路主要由單元電路、列讀出級和輸出緩沖級、 時序產(chǎn)生電路、行選擇電路、列選擇電路組成。單元電路是整個讀出電路與讀出電路外部 紅外探測器的接口電路，它的性能好壞直接影響整個讀出電路的性能。
隨著應(yīng)用范圍的不斷擴大，在一些成像條件下要求紅外成像系統(tǒng)能探測出隱藏在高背 景條件下的微弱信號。比如在室溫(300K)背景中探測溫度變化為0.1K的目標(biāo)，目標(biāo)與 背景輻射的對比度相當(dāng)?shù)?。對比度定義為背景溫度變化1K所引起光子通量變化與整個光 子通量的比值。近紅外、中紅外、遠(yuǎn)紅外三個紅外波段在室溫(300K)背景下光譜輻射光子 密度分別約10力cm2's、 1016/cm2's、 10n/cm2's，對比度分別約為10%、 3%、 1%，隨著波長 的增大，背景輻射越來越高，對比度越來越小。傳統(tǒng)的單元電路對背景電流和信號電流一 起積分，但由于受到像素面積的限制，它只能具有較小的積分電容。在高背景條件下，大 背景電流會迅速地使積分電容飽和，從而不能保證足夠的積分時間來探測出隱藏在高背景 下的微弱信號。另外，即使不考慮像素單元面積，將大積分電容集成在單元電路中，其也 會引入非常高的噪聲，不能滿足讀出電路的低噪聲要求。為了克服以上問題，在傳統(tǒng)單元 電路中增加背景抑制電路，在積分過程中對背景電流進(jìn)行抑制，只對信號電流積分，即可 以實現(xiàn)在使用小積分電容積分的同時有效地延長積分時間。隨著積分時間的延長，紅外成 像系統(tǒng)的信噪比、動態(tài)范圍及靈敏度也會得到提高。
目前國內(nèi)外基本都采用電流模式背景抑制方法，在現(xiàn)有技術(shù)中，美國專利(專利號 US 6,373,050Bl)提出了一種電流存儲器背景抑制技術(shù)，其背景抑制過程分為兩步。第 一步校準(zhǔn)，把紅外焦平面探測器對準(zhǔn)等效背景，背景電流存儲器復(fù)制背景電流。第二步 積分讀出，探測器正常觀測，在減去背景電流存儲器所復(fù)制的背景電流后只對信號電流 進(jìn)行積分，實現(xiàn)背景抑制。但是，該結(jié)構(gòu)中各單元電路的背景電流存儲器中的背景電流 記憶管柵壓會隨著時間發(fā)生衰減，而且背景電流記憶管工作于亞閾值區(qū)，記憶的背景電 流與柵壓呈指數(shù)關(guān)系，這就導(dǎo)致了各背景電流存儲器產(chǎn)生的背景減去電流與實際需要的 背景減去電流不一致，使得紅外焦平面陣列具有較大的背景抑制非均勻性。背景抑制非 均勻性指的是背景電流相同時單元電路之間背景抑制量的不一致性。另外，為了保證背景電流存儲器能比較準(zhǔn)確的復(fù)制背景電流，還必須每過一段時間對電路重新校準(zhǔn)一次，
這就降低了紅外成像系統(tǒng)的工作速度和可靠性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了解決紅外讀出電路中現(xiàn)有背景抑制方法存在背景抑制非均勻性 高的問題，提供一種紅外焦平面讀出電路分階段背景抑制方法。該方法結(jié)構(gòu)簡單，只占用 很小的單元電路面積，適合于大規(guī)模紅外焦平面陣列。
本發(fā)明利用單元電路中背景減去電流電路在積分過程中分階段導(dǎo)通，來減去背景電流
在積分電容上累積的電荷，以實現(xiàn)背景抑制，具有低背景抑制非均勻性，并且電路結(jié)構(gòu)簡 單易于實現(xiàn)。其技術(shù)方案如下
一種紅外焦平面讀出電路分階段背景抑制方法，紅外焦平面讀出電路設(shè)有單元電路、 列讀出級、輸出緩沖級、時序產(chǎn)生電路、行選擇電路及列選擇電路，其特征在于單元電 路包括注入電路、積分電容電路、背景減去電流電路及行選控制電路，注入電路的輸入端 與探測器的輸出端連接，注入電路的輸出端接積分電容電路的輸入端；積分電容電路的輸 出端、背景減去電流電路的輸出端及行選控制電路的輸入端相互連接；背景減去電流電路 的輸入端接輸入電壓VB;行選控制電路的輸出端接后續(xù)信號處理電路；利用背景減去電 流電路在積分過程中分階段導(dǎo)通，每次導(dǎo)通即從積分電容電路減去一個電荷包，分多次消 除背景電流累積在積分電容上的電荷，實現(xiàn)背景抑制；其中-
注入電路含有運算放大器及P型MOS管Mjn;，運算放大器的負(fù)輸入端與P型MOS 管MtN;的源極相連，運算放大器的正輸入端接參考電壓Vref，運算放大器的輸出端與P
型MOS管MiN:的柵極相連，二者構(gòu)成緩沖直接注入電路(BDI注入電路)為探測器提供 穩(wěn)定的偏壓，具有極高的注入效率。
積分電容電路含有N型MOS管Mjnt、N型MOS管MRST及積分電容Qnt，N型MOS 管Mjnt的漏極與N型MOS管MRST的漏極以及積分電容Qnt的一端相互連接，N型MOS 管MRST的源極與積分電容Qnt的另一端以及偏置電壓Vr相互逢接，N型MOS管Mjnt 作積分控制開關(guān)管，在積分控制信號Oint的作用下控制電路是否積分;N型MOS管MRST
構(gòu)成復(fù)位開關(guān)管，在復(fù)位控制信號ORST的控制下對積分電容CrNT進(jìn)行復(fù)位；電容CjNT
既是積分電容又是采樣保持電容；
背景減去電流電路含有N型MOS管M卜N型MOS管M2、 N型MOS管M3; N型 MOS管M,的源極與N型MOS管M2的漏極相連；N型MOS管M2的源極與N型MOS 管M3的漏極相連；N型MOS管M3的源極接地；N型MOS管M卜M3的柵極與輸入電 壓VB相連，當(dāng)N型MOS管M2導(dǎo)通時，N型MOS管M^ M3構(gòu)成柵相接級聯(lián)結(jié)構(gòu)，增 大了N型MOS管Mr漏極的小信號輸出阻抗；N型MOS管M2作開關(guān)管，在背景減去電 流電路開啟信號Op的控制下決定背景減去電流電路的導(dǎo)通與關(guān)斷；背景減去電流電路每 次導(dǎo)通時輸入電壓VB驅(qū)動N型MOS管M^ M3工作在強反型區(qū)；背景減去電流電路每 次導(dǎo)通時從積分電容電路減去的電荷包的大小由導(dǎo)通時間和背景減去電流決定，可以通過 調(diào)節(jié)電荷包的大小及數(shù)量來滿足對不同大小背景電流抑制的需求。由于背景減去電流電路 在積分時間內(nèi)是分階段導(dǎo)通的，所以它導(dǎo)通時產(chǎn)生的背景減去電流可以取得遠(yuǎn)大于背景電流，而不必等于背景電流，允許背景減去電流電路中產(chǎn)生背景減去電流的晶體管工作在強 反型區(qū)，這就使得背景減去電流不易受到工藝(尤其是閾值電壓)和電源噪聲的影響。此 外，背景減去電流電路產(chǎn)生的背景減去電流基本不受積分電容電路輸出端的輸出電壓的影 響，其大小不隨積分電容電路輸出端的輸出電壓的變化而改變，保證了單元電路具有良好 的線性度，并提高了背景抑制的精確度。
行選控制電路含有N型MOS管MRSEL，構(gòu)成行選開關(guān)管，在行選控制信號Orsel的 控制下將積分電壓信號輸送給后續(xù)信號處理電路。
上述單元電路的連接關(guān)系是探測器的輸入端與偏置VwAS相互連接；探測器的輸出 端與運算放大器的負(fù)輸入端以及P型MOS管MjN的源極相互連接在一起;運算放大器的
正輸入端與參考電壓Vref相互連接；P型MOS管M,的柵極與運算放大器的輸出端相 互連接；P型MOS管M冊的漏極與N型MOS管Mint的源極相互連接；N型MOS管 Mint的漏極與N型MOS管MRST的漏極、N型MOS管MRSEL的源極、N型MOS管Mj 的漏極以及積分電容Qnt的一端相互連接在一起；N型MOS管MRST的源極與積分電容 Cint的另一端以及偏置電壓Vr相互逢接；N型MOS管M!的源極與N型MOS管M2的 漏極相互連接；N型MOS管M2的源極與N型MOS管M3的漏極相互連接；N型MOS 管M3的源極接地；N型MOS管M卜M3的柵極與輸入電壓VB相互連接；N型MOS管 MRSEl的漏極與后續(xù)信號處理電路中用于接收積分電壓信號的電路的輸入端相互連接；N 型MOS管Mint的柵極接積分控制信號Ojnt; N型MOS管MRST的柵極接復(fù)位控制信號 Orst; N型MOS管M應(yīng)l的柵極接行選控制信號0)rsel; N型MOS管M2的柵極接背景 減去電流電路開啟信號<DP。 本發(fā)明的優(yōu)點及顯著效果
(1) 本發(fā)明方法能有效地延長積分時間，提高紅外成像系統(tǒng)探測微弱信號的能力， 改善動態(tài)范圍、信噪比及靈敏度。
(2) 本發(fā)明方法的背景減去電流電路在積分時間內(nèi)分階段導(dǎo)通，每次導(dǎo)通都會從積 分電容電路減去一個電荷包，分多次消除背景電流累積在積分電容上的電荷，實現(xiàn)背景抑 制。該方法有效地減弱了積分電容電路輸出端的輸出電壓、閾值電壓及電源噪聲對背景減 去電流的影響，不僅單元電路具有良好的線性度，而且極大地降低了單元電路間的背景抑 制非均勻性。
(3) 本發(fā)明方法中背景減去電流電路每次導(dǎo)通時從積分電容電路減去的電荷包的大 小由導(dǎo)通時間和背景減去電流決定，可以通過調(diào)節(jié)電荷包的大小及數(shù)量來滿足對不同大小 背景電流抑制的需求。該方法適用于任意大小的背景電流。
(4) 本發(fā)明方法中的背景電流減去電路只占用很小的單元電路面積，適合于大規(guī)模 紅外焦平面陣列。


圖1為本發(fā)明的原理框圖2為本發(fā)明的一個具體實現(xiàn)電路圖3為圖2電路的控制時序圖。
具體實施例方式
參看圖K圖2 ，本發(fā)明方法中的紅外焦平面讀出電路的單元電路由以下幾部分組成:
注入電路2、積分電容電路3、背景減去電流電路4、行選控制電路5。探測器l (現(xiàn)有技 術(shù)，可采用如QWIP探測器、HgCdTe探測器、PST探測器等紅外探測器)、將紅外輻射 信號轉(zhuǎn)換成電流信號。注入電路2含有運算放大器，P型MOS管Mtnj， 二者構(gòu)成了緩沖 直接注入電路(BDI注入電路)可以為探測器提供穩(wěn)定的偏壓，具有極高的注入效率。積 分電容電路3含有N型MOS管Mjnt， N型MOS管MRST，積分電容Qnt。其中，N型
MOS管MjNT作積分控制開關(guān)管，在積分控制信號OjNT的作用下控制電路是否積分；N
型MOS管MRST構(gòu)成復(fù)位開關(guān)管，在復(fù)位控制信號0>RST的控制下對積分電容CiNT進(jìn)行復(fù) 位；電容CiNT既是積分電容又是采樣保持電容。背景減去電流電路4含有N型MOS管 Mi， N型MOS管M2、 N型MOS管M3。其中，當(dāng)N型MOS管M2導(dǎo)通時，N型MOS 管M,、 M3構(gòu)成柵相接級聯(lián)結(jié)構(gòu)，增大了N型MOS管Mr漏極的小信號輸出阻抗；N型 MOS管M2作開關(guān)管，在背景減去電流電路開啟信號Op的控制下決定背景減去電流電路 的導(dǎo)通與關(guān)斷；輸入電壓VB應(yīng)能驅(qū)動N型MOS管M!、 M3工作在強反型區(qū)。行選控制 電路含有N型MOS管MRSEL，構(gòu)成行選開關(guān)管，在行選控制信號ORs^的控制下將積分 電壓信號輸送給后續(xù)信號處理電路。
單元電路的連接關(guān)系如下探測器的輸入端與固定偏置VBIAS相互連接于第一節(jié)點 Al;探測器的輸出端，運算放大器的負(fù)輸入端，P型MOS管M冊的源極，相互連接于第 二節(jié)點A2;運算放大器的正輸入端與參考電壓VREF相互連接于第三節(jié)點A3; P型MOS 管M肌的柵極與運算放大器的輸出端相互連接于第四節(jié)點A4; P型MOS管MM的漏極 與N型MOS管Mint的源極相互連接于第五節(jié)點A5; N型MOS管Mjnt的漏極，N型 MOS管MRST的漏極，N型MOS管MRSEL的源極，N型MOS管Mi的漏極，積分電容 Qnt的一端相互連接于第六節(jié)點A6; N型MOS管MRST的源極，積分電容C肌的另一端， 偏置電壓VR相互連接于第七節(jié)點A7; N型MOS管Mi的源極與N型MOS管M2的漏極 相互連接于第八節(jié)點A8; N型MOS管M2的源極與N型MOS管M3的漏極相互連接于 第九節(jié)點A9; N型MOS管M3的源極與電源地相互連接于第十節(jié)點A10; N型MOS管 M" M3的柵極與輸入電壓VB相互連接于第十一節(jié)點All; N型MOS管MRSEL的漏極與 后續(xù)信號處理電路中用于接收積分電壓信號的電路的輸入端相互連接于第十二節(jié)點A12; N型MOS管MtNT的柵極接積分控制信號Oint; N型MOS管MRST的柵極接復(fù)位控制信 號Orst; N型MOS管MRSEL的柵極接行選控制信號(DRSEu N型MOS管M2的柵極接背 景減去電流電路開啟信號oP。
圖2所示電路的所有控制信號和時鐘信號工作過程如圖3所示，圖3中
標(biāo)號(l)，復(fù)位階段，復(fù)位開關(guān)管MMT在復(fù)位控制信號OKST的控制下導(dǎo)通，在該階 段結(jié)束前積分控制開關(guān)管MiNT在積分控制信號(Djnt的作用下導(dǎo)通，開關(guān)管M2在背景減 去電流電路開啟信號Op的作用下關(guān)斷，行選開關(guān)管Mrsel在行逸控制信號Or犯l的作用
下關(guān)斷，積分電容QNT處于復(fù)位狀態(tài)。
標(biāo)號(2)，在充足的復(fù)位時間后，復(fù)位開關(guān)管MRST在復(fù)位控制信號ORST的控制下關(guān)斷，電路開始積分。積分控制開關(guān)管M!NT在積分控制信號<DtNT的作用下導(dǎo)通，開關(guān)管 M2在背景減去電流電路開啟信號Op的作用下關(guān)斷，行選開關(guān)管Mmel在行逸控制信號 ORSEL的作用下關(guān)斷。從積分開始到背景減去電流電路開啟信號Op的第一個上升沿之間 的時間為t,。
標(biāo)號(3)，在此階段背景減去電流電路開啟信號Op為一周期性時鐘信號，它的脈寬
為t 周期1>=12+13。在積分開始后的^時刻，背景減去電流電路開啟信號①p第一次跳
變?yōu)楦唠娖剑尘皽p去電流電路導(dǎo)通，N型MOS管Mh M3在輸入電壓Vb的軀幼下工
作在強反型區(qū)，產(chǎn)生的背景減去電流Isub遠(yuǎn)大于背景電流Wck，背景減去電流Ub不易受
到工藝(尤其是閾值電壓)和電源噪聲的影響，當(dāng)N型MOS管M2導(dǎo)通時，N型MOS
管M" M3構(gòu)成柵相接級聯(lián)結(jié)構(gòu)，背景減去電流Isub基本不受積分電壓VjNT的影響，其大 小不隨積分電壓Vjnt的變化而改變，這就使得背景減去電流電路導(dǎo)通期間背景減去電流 Isub大小保持不變，背景減去電流電路導(dǎo)通期間從積分電容電路3減去的電荷包的電荷量 Q=t2xlsub;經(jīng)過t2時間，背景減去電流電路開啟信號Op第一次跳變?yōu)榈碗娖剑尘皽p去
電流電路關(guān)斷；背景減去電流電路開啟信號①p的第二個上升沿既標(biāo)志著背景減去電流電
路第一個工作周期的結(jié)束，又標(biāo)志著第二個工作周期的開始。此后，在背景減去電流電路
開啟信號O)p的作用下背景減去電流電路重復(fù)工作，背景減去電流電路開啟信號O)p的每
個高電平期間都會從積分電容電路3減去一個電荷量Cht2xUb的電荷包，使積分電壓V!NT 每次都有一個下降，下降的電壓值A(chǔ)VjN產(chǎn)[Isub-(Ibaek+Is)]xt2/CiNT。在背景減去電流電路的
第N個工作周期中，背景減去電流電路開啟信號Op跳變?yōu)榈碗娖胶蟮姆e分時間內(nèi)背景減 去電流電路開啟信號Op保持為低，背景減去電流電路停止工作。背景減去電流電路開啟 信號$P的第N次下降沿(也是積分過程中0)P的最后一次下降沿)后的U時刻積分控制
信號OjNT跳變?yōu)榈碗娖?，積分過程結(jié)束，整個積分時間Tjnt = t,+(N-l)x(t2+ t3)+ t2+ t4。 在此階段，通過調(diào)節(jié)VB、 t!、 t2 、 t3、 t4來控制從積分電容電路3減去的電荷包的數(shù)量及
大小，使從積分電容電路3減去的電荷總量等于背景電流在整個積分時間內(nèi)累積在積分電
容QNT上的電荷量，即能實現(xiàn)背景抑制。
標(biāo)號(4)，積分電壓信號讀出階段，在積分結(jié)束后，行選開關(guān)管MKSEL在行選信號OKSEL 的作用下導(dǎo)通，存儲在積分電容CjNT上的積分電壓信號被傳送到后續(xù)信號處理電路；然 后，行選開關(guān)管MRSEL在行選信號ORSE^的作用下關(guān)斷，積分電壓信號傳輸完畢，實現(xiàn)了 先積分后讀出功能。
重復(fù)標(biāo)號(1) (5)的過程，這樣完成電路周而復(fù)始的工作。
本發(fā)明的背景減去電流電路結(jié)構(gòu)簡單，其中N型MOS管M卜M2構(gòu)成自級聯(lián)結(jié)構(gòu)，并工
作在強反型區(qū)，有效地減弱了積分電壓、閾值電壓及電源噪聲對背景減去電流的影響，不 僅單元電路具有良好的線性度，而且極大地降低了單元電路間的背景抑制非均勻性，具有 良好的背景抑制效果。
權(quán)利要求
1、一種紅外焦平面讀出電路分階段背景抑制方法，紅外焦平面讀出電路設(shè)有單元電路、列讀出級、輸出緩沖級、時序產(chǎn)生電路、行選擇電路及列選擇電路，其特征在于單元電路包括注入電路、積分電容電路、背景減去電流電路及行選控制電路，注入電路的輸入端與紅外探測器的輸出端連接，注入電路的輸出端接積分電容電路的輸入端；積分電容電路的輸出端、背景減去電流電路的輸出端及行選控制電路的輸入端相互連接；背景減去電流電路的輸入端接輸入電壓VB；行選控制電路的輸出端接后續(xù)信號處理電路；利用背景減去電流電路在積分過程中分階段導(dǎo)通，每次導(dǎo)通即從積分電容電路減去一個電荷包，分多次消除背景電流累積在積分電容上的電荷，實現(xiàn)背景抑制；其中注入電路含有運算放大器及P型MOS管MINJ，運算放大器的負(fù)輸入端與P型MOS管MINJ的源極相連，運算放大器的正輸入端接參考電壓VREF，運算放大器的輸出端與P型MOS管MINJ的柵極相連，二者構(gòu)成緩沖直接注入電路為探測器提供穩(wěn)定的偏壓；積分電容電路含有N型MOS管MINT、N型MOS管MRST及積分電容CINT，N型MOS管MINT的漏極與N型MOS管MRST的漏極以及積分電容CINT的一端相互連接，N型MOS管MRST的源極與積分電容CINT的另一端以及偏置電壓VR相互連接，N型MOS管MINT作積分控制開關(guān)管，在積分控制信號ΦINT的作用下控制電路是否積分；N型MOS管MRST構(gòu)成復(fù)位開關(guān)管，在復(fù)位控制信號ΦRST的控制下對積分電容CINT進(jìn)行復(fù)位；電容CINT既是積分電容又是采樣保持電容；背景減去電流電路含有N型MOS管M1、N型MOS管M2、N型MOS管M3；N型MOS管M1的源極與N型MOS管M2的漏極相連；N型MOS管M2的源極與N型MOS管M3的漏極相連；N型MOS管M3的源極接地；N型MOS管M1、M3的柵極與輸入電壓VB相連，當(dāng)N型MOS管M2導(dǎo)通時，N型MOS管M1、M3構(gòu)成柵相接級聯(lián)結(jié)構(gòu)，增大了N型MOS管M1漏極的小信號輸出阻抗；N型MOS管M2作開關(guān)管，在背景減去電流電路開啟信號ΦP的控制下決定背景減去電流電路的導(dǎo)通與關(guān)斷；背景減去電流電路每次導(dǎo)通時輸入電壓VB驅(qū)動N型MOS管M1、M3工作在強反型區(qū)；行選控制電路含有N型MOS管MRSEL，構(gòu)成行選開關(guān)管，在行選控制信號ΦRSEL的控制下將積分電壓信號輸送給后續(xù)信號處理電路。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的紅外焦平面讀出電路分階段背景抑制方法，其特征在于 探測器的輸入端與偏置V田as相互連接；探測器的輸出端與運算放大器的負(fù)輸入端以及P 型MOS管MjM的源極相互連接在一起；運算放大器的正輸入端與參考電壓V貼f相互連 接；P型MOS管M!n;的柵極與運算放大器的輸出端相互連接；P型MOS管Mjnj的漏極與N型MOS管Mint的源極相互連接；N型MOS管Mjnt的漏極與N型MOS管MRST的 漏極、N型MOS管MRSEL的源極、N型MOS管Mi的漏極以及積分電容QnT的一端相 互連接在一起;N型MOS管MRST的源極與積分電容Cint的另一端以及偏置電壓Vr相互 連接；N型MOS管Mi的源極與N型MOS管M2的漏極相互連接；N型MOS管M2的源極與N型MOS管M3的漏極相互連接；N型MOS管M3的源極接地；N型MOS管 Mi、 M3的柵極與輸入電壓VB相互連接；N型MOS管mrsel的漏極與后續(xù)信號處理電路 中用于接收積分電壓信號的電路的輸入端相互連接；N型MOS管M!nt的柵極接積分控 制信號Oint; N型MOS管MRST的柵極接復(fù)位控制信號Orst; N型MOS管MRSEL的柵 極接行選控制信號Orseij N型MOS管M2的柵極接背景減去電流電路開啟信號(DP。
全文摘要
一種紅外焦平面讀出電路分階段背景抑制方法，其特征在于紅外焦平面讀出電路中的單元電路，設(shè)有包括注入電路、積分電容電路、背景減去電流電路及行選控制電路，探測器的輸出端接注入電路的輸入端；注入電路的輸出端接積分電容電路的輸入端；積分電容電路的輸出端、背景減去電流電路的輸出端及行選控制電路的輸入端相互連接；背景減去電流電路的輸入端接輸入電壓V_B；行選控制電路的輸出端接后續(xù)信號處理電路；利用背景減去電流電路在積分過程中分階段導(dǎo)通，每次導(dǎo)通即從積分電容電路減去一個電荷包，分多次消除背景電流累積在積分電容上的電荷，實現(xiàn)背景抑制。
文檔編號G01J5/06GK101639381SQ200910184800
公開日2010年2月3日 申請日期2009年8月14日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月14日
發(fā)明者周楊帆, 夏曉娟, 孫偉鋒, 勇 文, 時龍興, 蘇鵬飛, 陸生禮 申請人:東南大學(xué)