專利名稱：探針卡的傾斜調(diào)整方法和探針卡的傾斜檢測方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在一并使探針卡的多個探針與半導體晶片等的被檢査 體電接觸進行被檢査體的電特性檢查時，為了對安裝在探針裝置上的 探針卡的傾斜進行調(diào)整，從而可靠地使多個探針與被檢査體一并接觸 而進行的探針卡的傾斜調(diào)整發(fā)法、探針卡的傾斜檢測方法以及用于實 施探針卡的傾斜檢測方法的程序記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
作為對探針卡的傾斜進行調(diào)整的技術(shù)，例如有本發(fā)明人在專利文 獻1中提出的探針卡的調(diào)整機構(gòu)。在該技術(shù)中，當使用多個探針對半 導體晶片等被檢查體的電特性進行檢查時，使用照相機在多處對設置 于探針卡上的多個探針的針尖進行攝像，檢測出各個探針的針尖高度， 并根據(jù)這些探針的針尖高度的差異求出探針卡的傾斜，然后，對探針 卡的傾斜進行調(diào)整。
當使用照相機檢測探針的針尖高度時，作為其之前的工序例如如
圖5 (a)所示，通過X、 Y工作臺2使晶片卡盤1移動，通過使安裝 在晶片卡盤1上的第一照相機3的焦點和進出于探針中心的第二照相 機4的焦點與設置在晶片卡盤1上的目標5進行對焦，求出晶片卡盤1 的基準位置的坐標值。
接著，使晶片卡盤1從基準位置向探針卡6的下方移動，如圖5 (b)所示，使第一照相機3的焦點與探針卡6的規(guī)定的探針6A的針 尖進行對焦，求出一個探針6A的針尖高度的XYZ坐標值。進一步， 使晶片卡盤1例如向其它三個地方移動，求出位于各個位置的探針6A 的針尖高度。
若在四個地點的探針6A的針尖高度全部為相同的高度，則探針卡 6大致為水平狀態(tài)，從而能夠保持原樣地進行檢査。然而，當四個地點 的探針6A的針尖高度不相同時，根據(jù)各自的高低差如圖5 (c)所示對探針卡6的傾斜進行調(diào)整(水平調(diào)整)，使探針卡6與晶片卡盤1的 載置面相適合而成為水平。在對探針卡6的傾斜進行調(diào)整之后，如該 圖中的(d)所示，再次求得探針卡6的四個位置的探針6A的針尖高 度，對在各自之間是否具有高低差進行確認。當殘留有高低差的情況 下根據(jù)其高低差對探針卡6的傾斜進行調(diào)整(參照同圖中的(c))。在 最終全部的探針6A相對晶片卡盤1成為平行的時刻，結(jié)束探針6的標 準調(diào)整。
專利文獻1:日本特開2005 — 140662
然而，因為在探針卡6上設置有多個探針6A，所以探針6W的針 尖高度未必全部相同，在探針6A之間存在偏差。因此，在使用第一照 相機3選擇四個(例如四個角落的四個)代表性的探針6A檢測針尖高 度時，易于受到針尖高度的偏差的影響，此外，有時因為附著在針尖 上的鋁殘渣等而錯誤判斷高度，有可能對探針卡6的調(diào)整產(chǎn)生惡劣影 響。當利用第一照相機3檢測探針6A的針尖高度時，還存在需要花費 較多的時間使照相機的焦點對焦在探針6A的針尖上的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述問題而完成的，其目的在于提供一種探針 卡的傾斜調(diào)整方法，該探針卡的傾斜調(diào)整方法不受探針的針尖高度的 偏差的影響，能夠迅速地對探針卡的傾斜進行調(diào)整。此外，本發(fā)明的 目的還在于一并提供一種能夠迅速地實施探針卡的傾斜調(diào)整方法的探 針卡的傾斜檢測方法以及用于實施探針卡的傾斜檢測方法的程序記錄 介質(zhì)。
本發(fā)明第一方面的探針卡的傾斜調(diào)整方法，其特征在于該探針 卡的傾斜調(diào)整方法在將探針卡安裝在探針裝置上之后，對所述探針卡 的傾斜進行調(diào)整，使得載置被檢查體的能夠移動的載置臺的載置面與 所述探針卡平行，其包括第一工序，使用針尖位置檢測裝置在所述 探針卡的多個場所檢測出多個探針的平均針尖高度；第二工序，根據(jù) 所述多個場所各自的多個探針的平均針尖高度的高低差求出所述探針 卡相對于所述載置臺的傾斜；和第三工序，對所述探針卡的傾斜進行 調(diào)整。此外，本發(fā)明第二方面的探針卡的傾斜調(diào)整方法，其特征在于 在上述第一方面中，在所述第一工序中，檢測出所述探針卡的互相分 開的多個場所的多個探針的平均針尖高度。
此外，本發(fā)明第三方面的探針卡的傾斜調(diào)整方法，其特征在于 在上述第一方面或者第二方面中，所述針尖位置檢測裝置被設置在所 述載置臺上、并且包括用于檢測所述多個探針的針尖高度的傳感器部 和屬于該傳感器部的能夠移動的接觸體，所述第一工序包括通過所 述載置臺移動所述針尖位置檢測裝置，使所述接觸體與所述多個探針 的針尖接觸的工序；通過所述載置臺的進一步移動使所述接觸體向所 述傳感器部一側(cè)移動的工序；和檢測出所述接觸體開始移動的位置作 為所述多個探針的平均針尖高度的工序。
此外，本發(fā)明第四方面的探針卡的傾斜調(diào)整方法，其特征在于 在上述第一方面 第三方面的任一方面中所述第三工序反復進行所述 第一工序。
此外，本發(fā)明的第五方面的探針卡的傾斜檢測方法，其特征在于 該探針卡的傾斜檢測方法在將探針卡安裝在探針裝置上之后，對所述 探針卡相對于載置臺的傾斜進行調(diào)整，使得載置被檢査體的能夠移動 的所述載置臺的載置面與所述探針卡平行，其包括第一工序，使用 針尖位置檢測裝置分別檢測出位于所述探針卡的多個場所的多個探針 的平均針尖高度；和第二工序，求出所述多個場所各自的所述多個探 針的平均針尖高度的高低差。
此外，本發(fā)明第六方面的探針卡的傾斜檢測方法，其特征在于 在上述第五方面中，在所述第一工序中，檢測出所述探針卡的互相分 開的多個場所的多個探針的平均針尖高度。
此外，本發(fā)明第七方面的的探針卡的傾斜檢測方法，其特征在于 在上述第五方面或者第六方面中，所述針尖位置檢測裝置被設置在所 述載置臺上，并且包括用于檢測所述多個探針的針尖的傳感器部和屬 于該傳感器部的能夠移動的接觸體，所述第一工序包括通過所述載 置臺移動所述針尖位置檢測裝置，使所述接觸體與所述多個探針的針 尖接觸的工序；通過所述載置臺的進一步移動使所述接觸體向所述傳 感器部一側(cè)移動的工序；和檢測出所述接觸體開始移動的位置作為所述多個探針的平均針尖高度的工序。
此外，本發(fā)明第八方面的程序存儲介質(zhì)，其特征在于該程序存 儲介質(zhì)為在將探針卡安裝在探針裝置上之后，實施上述探針卡的傾斜 檢測方法，使得載置被檢查體的能夠移動的所述載置臺的載置面與所 述探針卡平行的程序存儲介質(zhì)，其包括第一工序，驅(qū)動上述計算機， 使用針尖位置檢測裝置分別檢測出位于所述探針卡的多個場所的多個 探針的平均針尖高度；和第二工序，求出所述多個場所各自的所述多 個探針的平均針尖高度的高低差。
此外，本發(fā)明第九方面的程序存儲介質(zhì)，其特征在于在上述第 八方面中，在所述第一工序中，檢測出所述探針卡的互相分開的多個 場所的多個探針的平均針尖高度。
此外，本發(fā)明第十方面的的程序存儲介質(zhì)，其特征在于在上述 第八方面或者第九方面中，在本發(fā)明中，所述針尖位置檢測裝置被設 置在所述載置臺上，并且包括用于檢測所述多個探針的針尖的傳感器 部和屬于該傳感器部的能夠移動的接觸體，所述第一工序包括通過 所述載置臺移動所述針尖位置檢測裝置，使所述接觸體與所述多個探 針的針尖接觸的工序；通過所述載置臺的進一步移動使所述接觸體向 所述傳感器部一側(cè)移動的工序；和檢測出所述接觸體開始移動的位置 作為所述多個探針的平均針尖高度的工序。
根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種探針卡的傾斜調(diào)整方法，該探針卡的 傾斜調(diào)整方法不受探針的針尖高度的偏差的影響，能夠迅速地對探針 卡的傾斜進行調(diào)整。此外，本發(fā)明還能夠一并提供一種能夠迅速地實 施探針卡的傾斜調(diào)整方法的探針卡的傾斜檢測方法以及用于實施探針 卡的傾斜檢測方法的程序記錄介質(zhì)。


圖1為表示適用于本發(fā)明的探針卡的傾斜調(diào)整方法的一個實施方 式的探針裝置的結(jié)構(gòu)圖。
圖2為表示在圖1的探針裝置中所使用的針尖位置檢測裝置的側(cè) 面圖。
圖3 (a) (c)均為表示對針尖位置檢測裝置的與探針的接觸體的高度進行檢測的工序的工序圖。
圖4 (a) (d)為分別表示本發(fā)明的探針卡的傾斜檢測方法的一 個實施方式的工序的工程圖。
圖5 (a) (d)為分別表示現(xiàn)有技術(shù)的探針卡的傾斜檢測方法的 工序的工程圖。
符號說明
10:探針裝置；11:晶片卡盤(載置臺)；12:探針卡；12A:探 針；16:針尖位置檢測裝置；162:傳感器機構(gòu)；162A:傳感器部；162C: 接觸體；W:半導體晶片(被檢查體)
具體實施例方式
下面，根據(jù)圖1 圖4所示的實施方式來對本發(fā)明進行說明。其中， 圖1為表示適用于本發(fā)明的探針卡的傾斜調(diào)整方法的一個實施方式的 探針裝置的結(jié)構(gòu)圖，圖2為表示在圖1的探針裝置中所使用的針尖位 置檢測裝置的側(cè)面圖，圖3 (a) (c)均為表示對針尖位置檢測裝置 的與探針的接觸體的高度進行檢測的工序的工序圖，圖4 (a) (d) 為分別表示本發(fā)明的探針卡的傾斜檢測方法的一個實施方式的工序的 工程圖。
首先，例如參照圖1，對適用于本發(fā)明的探針卡的傾斜調(diào)整方法的 探針裝置進行說明。如圖1所示，該探針裝置10包括載置作為被檢 測體的半導體晶片W的能夠移動的晶片卡盤ll;配置在該晶片卡盤11 的上方的探針卡12;對該探針卡12的多個探針12A與晶片卡盤11上 的半導體晶片W進行校準的校準機構(gòu)13;和用來控制晶片卡盤11以 及校準機構(gòu)13的控制裝置14 (計算機)，在控制裝置14的控制下，校 準機構(gòu)13驅(qū)動，對晶片卡盤11上的半導體晶片W和探針卡12的多 個探針12A進行校準，在此之后， 一并使全部的探針12A和與它們對 應的半導體晶片W的電極墊電接觸，對半導體晶片W的電特性進行 檢査。
晶片卡盤11構(gòu)成為能夠通過在控制裝置14的控制下驅(qū)動的驅(qū)動 機構(gòu)15而向X、 Y、 Z以及e方向移動。在該晶片卡盤11的側(cè)方配置 有針尖位置檢測裝置16。該針尖位置檢測裝置16檢測多個探針12A的針尖的位置作為三維坐標值，應用于后述本發(fā)明的探針卡的傾斜調(diào) 整方法以及探針卡的傾斜檢測方法。
探針卡12通過卡保持器17以能夠調(diào)整其傾斜的方式安裝在探針 室的頂板18上。如圖1、圖4所示，該探針卡12具有總括地與形成于 半導體晶片W上的全部設備D的檢査用電極墊接觸的探針12A，在與 晶片卡盤11的半導體晶片W的載置面平行的狀態(tài)下，使多個探針12A 與半導體晶片W的全部設備上所形成的檢查用的電極墊電接觸，根據(jù) 來自于測試設備(圖未示出)側(cè)的信號對半導體晶片W的電特性進行 檢査。對探針卡12的傾斜進行調(diào)整的機構(gòu)并沒有特別的限制，例如， 可以使用日本特開2005 — 140662號公報中本發(fā)明人已經(jīng)提出的探針卡 的調(diào)整機構(gòu)。
此外，如圖1所示，校準機構(gòu)13包括攝像單元(CCD照相機)13A 和支撐CCD照相機13A的能夠單向移動的校準橋(bridge) 13B，構(gòu) 成為能夠在控制裝置14的控制下，CCD照相機13A通過校準橋13B 從待機位置移動至探針卡12的中心的正下方(以下，稱為"探針中心")， 并停止在該位置。對于位于探針中心的CCD照相機13A，在校準時在 晶片卡盤11沿X、Y方向移動期間從上方對晶片卡盤11上的半導體晶 片W的電極墊進行攝像，在其圖像處理部13C進行圖像處理，在顯示 畫面(圖未示出)中顯示攝像圖像。此外，該CCD照相機13A對如后 所述的附設安裝在晶片卡盤11上的針尖位置檢測裝置16進行攝像， 進行圖像處理并顯示在顯示畫面中。
此外，如圖1所示，控制裝置14包括運算處理部14A、存儲部14B 和上述的圖像處理部13C。通過存儲在存儲部14B中的各種程序?qū)μ?針裝置10進行控制。因此，實施本發(fā)明的探針卡的傾斜調(diào)整方法以及 探針卡的傾斜檢測方法的程序被存儲在存儲部14B中。這些方法根據(jù) 從存儲部14B中讀出的程序而被實施，其結(jié)果得到的各種數(shù)據(jù)被保存 在存儲部14B中。
如圖l、圖2所示，本發(fā)明所使用的針尖位置檢測裝置16具有氣 缸等的升降驅(qū)動機構(gòu)161和通過升降驅(qū)動機構(gòu)161進行升降的傳感器 機構(gòu)162。在對多個探針12A的針尖位置進行檢測時，升降驅(qū)動機構(gòu) 161使傳感器機構(gòu)162從待機位置上升至與晶片卡盤11上的半導體晶片W的上面大致相同的高度。
例如，如圖2所示，傳感器機構(gòu)162包括內(nèi)置有缸體機構(gòu)并且 起到位移傳感器作用的傳感器部162A;安裝在構(gòu)成傳感器部162A的 缸體機構(gòu)的活塞桿162B的上端并且保持在從傳感器部162A浮起的位 置的接觸體162C;裝卸自如地安裝在接觸體162C的上面的具有彈性 的樹脂片(片材(sheet)) 162D;和向構(gòu)成傳感器部162A的缸體內(nèi)供 給壓縮空氣，通過缸體內(nèi)的活塞(圖未示出)對接觸體162C施加規(guī)定 壓力的壓縮空氣供給源等的壓力施加單元(圖未示出)。
此外，如圖2所示，接觸體162C內(nèi)置有例如加熱器162E。該加 熱器162E用于對樹脂片162D進行加熱使得轉(zhuǎn)印在其上面的多個探針 12A的針跡(針尖痕跡)消失。由此，能夠反復使用樹脂片162D。
此外，在活塞桿162B的下端安裝有卡止板(圖未示出)，接觸體 162C通過卡止板始終在距離傳感器部162A隔開規(guī)定距離浮起的位置 而在傳感器部162A中彈性地保持。在接觸體162C與傳感器部162A 之間形成的間隙為接觸體162C的升降范圍。該間隙的距離通過傳感器 部162A檢測出，通過該傳感器部162A始終對接觸體162C的位置進 行監(jiān)視。
壓力施加單元能夠切換第一壓力與第二壓力作為規(guī)定的壓力。第 一壓力為檢測多個探針12A的針尖位置時所設定的壓力，被設定為比 第二壓力低的低壓。第二壓力為校準時對于多個探針12A將針跡轉(zhuǎn)寫 到樹脂片162D的上面時所設定的壓力。
在傳感器部162A設置有將規(guī)定的壓力保持為一定的定壓閥等的 壓力調(diào)整單元(圖未示出)，通過該壓力調(diào)整單元，在接觸體162C向 傳感器部162A下降時緩緩地排出壓縮空氣從而保持第一壓力為一定。
在接觸體162C被保持在第一壓力的狀態(tài)下，通過晶片卡盤11， 針尖位置檢測裝置16上升，由此該接觸體163C經(jīng)由樹脂片162D與 多個探針12A接觸，在保持初期的針尖位置的狀態(tài)下接觸體162C向 傳感器部162A側(cè)下降。在接觸體162C保持在第一壓力的狀態(tài)下，從 多個探針12A向樹脂片162D作用平均每個探針12A例如為0.5gf的力。 樹脂片162D通過在第一壓力下呈平面狀與多個探針12接觸，同時檢 測出多個探針12A的針尖高度。因此，樹脂片162D能夠檢測出面狀接觸的全部的探針12A的平均高度。即，在探針12A中，包括與 樹脂片162D接觸而稍微發(fā)生撓曲的情況、不發(fā)生撓曲的情況、稍微有 一點點沒有接觸(差一點就接觸)的情況。樹脂片162D由下述材料形 成，該材料具有在樹脂片162D以平面狀與多個探針12A接觸時不會 因突刺等產(chǎn)生損傷的硬度。作為這種樹脂片162D的材料，優(yōu)選例如為 PO、 PVC等的熱可塑性樹脂或者形狀記憶樹脂。
在接觸體162C保持在第二壓力的狀態(tài)下，即便樹脂片162D接受 到來自于多個探針12A的針壓，接觸體162C也不會向傳感器部162A 一側(cè)下降而保持在初期位置，通過多個探針12A將針跡轉(zhuǎn)寫到樹脂片 162D的上面。
接著，參照圖3 圖6，對本發(fā)明的探針卡的傾斜調(diào)整方法以及適 用于該方法的探針卡的傾斜檢測方法的一個實施方式進行說明。
對于本實施方式的探針卡的傾斜調(diào)整方法以及探針卡的傾斜檢測 方法，在將探針卡12安裝在探針裝置10上之后，以使晶片卡盤11的 載置面與探針卡12平行的方式，驅(qū)動控制裝置14并通過各自的程序 進行實施。通過實施這些方法，能夠一并使探針卡12的全部的探針12A 和半導體晶片W的全部的設備D的檢査用的電極墊可靠地接觸，進行 信賴性高的檢査。在使用尖位置檢測裝置16檢測探針12A的針尖高度 時，將傳感器機構(gòu)162設定在第一壓力。
首先，通過卡保持件17安裝在探針裝置10的頂板18上。在該階 段，未調(diào)整探針卡12和晶片卡盤11的平行度。因此，使晶片卡盤15 在水平方向移動使用尖位置檢測裝置16在多個地方檢測出探針卡12 的多個探針12A的針尖高度。在本實施方式的情況下，因為多個探針 12A大致呈矩形配置，所以例如位于四個角落的多個探針12A的針尖 高度在各自的位置中同時被檢測出。這些檢測值被存儲在控制裝置14 的存儲部14A中。若多個地方的探針12A的針尖高度各自實質(zhì)上相同， 則探針卡11和晶片卡盤15的上面實質(zhì)上平行，所以不用對探針卡11 的平行度進行調(diào)整，移至晶片W的檢查階段。但是，因為一般不會存 在這種情況，所以對探針卡12的傾斜進行調(diào)整。
在對探針卡12的多個探針12A的針尖高度進行檢測時，首先，檢 測針尖位置檢測裝置的接觸體162C的上面、即樹脂片162D的上面高度。其中，校準機構(gòu)13的CCD照相機13A通過校準橋13B向探針 中心、即探針卡12的中心的正下方移動。接著，在晶片卡盤11在校 準橋13B的下方移動期間，針尖位置檢測裝置16通過升降驅(qū)動機構(gòu) 161使傳感器機構(gòu)162從圖3 (a)所示的待機狀態(tài)向該圖(b)箭頭所 示的方向上升，將接觸體162C上的樹脂片162D的上面設定在與晶片 卡盤11上的半導體晶片W的上面大致位于相同的水平位置(level)。
然后，晶片卡盤ll向X、 Y方向移動，如圖3(c)所示，在接觸 體162C在到達CCD照相機13A的正下方之后，通過驅(qū)動機構(gòu)15使 晶片卡盤11緩緩上升從而與CCD照相機13A的焦點相吻合(配合)。 此時的晶片卡盤11的坐標位置為檢測探針12A的針尖高度時的基準位 置。這樣，根據(jù)晶片卡盤11位于基準位置時的Z坐標值求得樹脂片 162D的上面的高度。
在求得樹脂片162D的上面的高度之后，在圖4 (a)所示的階段， 確認針尖位置檢測裝置16的傳感器機構(gòu)162的動作、即針尖高度的檢 測所必要的接觸體162C的下降、樹脂片162D的硬度等的基本事項。 在確認針尖位置檢測裝置16正常動作后，移至多個探針12A的針尖高 度的檢測動作。
在進行多個探針12A的針尖高度檢測時，在校準橋13B —旦從待 機位置退避后，在針尖位置檢測裝置16被設定在第一壓力的狀態(tài)下， 晶片卡盤11向XY方向移動，使針尖位置檢測裝置16的接觸體162C 位于探針卡12的多個探針12A中的、四個角落中的一處的正下方。在 該位置，晶片卡盤11從Z方向的基準位置緩緩上升，針尖位置檢測裝 置16的樹脂片162D接近多個探針12A如圖4 (b)所示那樣接觸。
若進一步使晶片卡盤11上升，則接觸體162C經(jīng)由樹脂片162D 通過多個探針12A按壓而向傳感器主體162A—側(cè)下降。此時，接觸 體162在第一壓力下被彈性保持，因此即便在多個探針12A與樹脂片 162D之間作用有針壓，多個探針12A也不會向樹脂片162D突刺，此 外多個探針12A也不會對樹脂片162D造成損傷(多個探針12A的針 尖不會轉(zhuǎn)寫在樹脂片162D上)，隨著晶片卡盤11的上升，接觸體162C 在保持在第一壓力的狀態(tài)下僅向傳感器部162A側(cè)下降該上升部分，縮 小兩者162A、 162C之間的距離使間隙狹窄。此時，對傳感器部162A與接觸體162C的距離進行監(jiān)視，若因為 接觸體162C的下降導致間隙變化，則傳感器部162A檢測出間隙的距 離，向控制裝置14發(fā)送該檢測信號。由此，控制部14在運算處理部 14A中對預先設定的間隙的初期值和傳感器部162A得到的檢測值進行 比較，根據(jù)檢測值成為初期值以下的瞬間之前的晶片卡盤ll的距離基 準位置的上升距離求得樹脂片162D的上面的高度，換言之為多個探針 12A的針尖高度作為平均值。這樣求得的多個探針12A的平均針尖高 度作為Z坐標數(shù)據(jù)存儲在控制裝置14的存儲部14B中。然后，晶片卡 盤11 一旦返回到Z方向的基準位置之后，向多個探針12A的四個角落 的其它三個地方移動，之后，在各自的位置反復進行上述動作，求得 各自位置的多個探針12A的平均針尖高度。
因為探針卡12具有傾斜，所以，在如圖4 (c)所示的階段中，根 據(jù)四個角落的探針12A的平均針尖高度的高低差來調(diào)整探針卡12的傾 斜(水平調(diào)整)。在該水平調(diào)整中，可以使用本發(fā)明人在日本特開2006 _317302號公報中提出的探針卡的調(diào)整機構(gòu)。但是，并不局限于該調(diào) 整機構(gòu)，對于其它的調(diào)整機構(gòu)也可以。在對探針卡12的傾斜進行調(diào)整 之后，再次經(jīng)由晶片卡盤11使針尖位置檢測裝置16與位于四個角落 的多個探針12A相配合而上升，如圖4 (d)所示，求得該場所的多個 探針12A的平均針尖高度。在求得位于四個角落的多個探針12A的平 均針尖高度之后，根據(jù)各自的高低差進行同圖中的(c)的水平調(diào)整。 進一步，如同圖中的(d)所示，在確認水平調(diào)整后的探針卡12的傾 斜之后，若四個角落的探針12A的平均針尖高度之間沒有高低差，則 結(jié)束水平調(diào)整。
在探針卡12的水平調(diào)整結(jié)束之后，將施加給針尖位置檢測裝置16 的接觸體162C的壓力從第一壓力切換為第二壓力，晶片卡盤11上升， 樹脂片162D與多個探針12A接觸，即便發(fā)生過驅(qū)動(over drive)接 觸體162C也被保持在第二壓力，不向傳感器部162A側(cè)下降而保持在 初期位置，因此，多個探針12A切入(進入)樹脂片162D，在同圖中 如(d)所示，針跡被轉(zhuǎn)寫在樹脂片162D的上面。根據(jù)該針跡進行完 探針和半導體晶片W的檢査用的電極墊的校準之后，實施規(guī)定的檢査。
根據(jù)以上說明的本實施方式，在將探針卡12安裝在探針裝置10上之后，為了使能夠移動的晶片卡盤11的載置面與探針卡12相平行，
在對探針卡12的傾斜進行調(diào)整時，包括
第一工序，使用針尖位置檢測裝置16在探針卡12的多個位置檢
測出多個探針12A的平均針尖高度；第二工序，根據(jù)多個位置各自的
多個探針12A的平均針尖高度的高低差求出探針卡12相對于晶片卡盤 ll的傾斜；和第三工序，對探針卡12的傾斜進行調(diào)整，因此，即便多 個探針12的針尖高度存在偏差，也能夠不受其影響而高精度地求得探 針12A的針尖高度。能夠高精度地使探針卡12的傾斜與晶片卡盤11 相配合，能夠可靠地使多個探針12A與半導體晶片W的檢査用的電極 墊一并接觸，能夠進行信賴性高的檢查。此外，不需要如現(xiàn)有技術(shù)那 樣的使探針12A的針尖與照相機的焦點進行對焦，能夠迅速地檢測出 針尖的高度，迅速地調(diào)整探針卡12的傾斜。
此外，根據(jù)本實施方式，針尖位置檢測裝置16被設置在晶片卡盤 11上，并且包括對多個探針12A的針尖進行檢測的傳感器部162A， 和屬于該傳感器部162A的能夠移動的接觸體162C，所述第一工序包 括通過晶片卡盤11移動針尖位置檢測裝置16，使接觸體162C通過 樹脂片162D與多個探針12A的針尖接觸的工序；通過晶片卡盤11的 進一步移動使接觸體162C向傳感器部162A—側(cè)移動的工序；和以接 觸體162C開始移動的位置作為多個探針12A的平均針尖高度的工序， 因此，能夠以更高的精度求出多個探針的平均針尖高度。
其中，本發(fā)明并不局限于上述各實施方式，根據(jù)需要可以對各構(gòu) 成要素進行適當?shù)淖兏＠?，在上述實施方式中，作為檢測多個探 針的針尖高度的接觸體以具有樹脂片的接觸體為例進行說明，但是作 為接觸體而言，只要能夠檢測出多個探針的針尖即可，因此，也可以 使用除樹脂片以外的由陶瓷等硬素材構(gòu)成的片材，此外，也可以不迸 行改動而使用接觸體本身。當設置具有由硬素材構(gòu)成的片材的接觸體 時，也可以與針尖檢測裝置相分開，設置探針的校準機構(gòu)。此外，在 上述實施方式中，作為檢測接觸體的位置的傳感器部，可以使用例如 電容傳感器、激光測長傳感器等的長度測量器。此外，還可以使調(diào)整 探針卡的傾斜的作業(yè)自動化。
工業(yè)可利用性本發(fā)明能夠合適地應用于對半導體晶片等的被檢査體的電特性進 行檢査的探針裝置。
權(quán)利要求
1. 一種探針卡的傾斜調(diào)整方法，其特征在于該探針卡的傾斜調(diào)整方法在將探針卡安裝在探針裝置上之后，對所述探針卡的傾斜進行調(diào)整，使得載置被檢查體的能夠移動的載置臺的載置面與所述探針卡平行，其包括第一工序，使用針尖位置檢測裝置在所述探針卡的多個場所檢測出多個探針的平均針尖高度；第二工序，根據(jù)所述多個場所各自的多個探針的平均針尖高度的高低差求出所述探針卡相對于所述載置臺的傾斜；和第三工序，對所述探針卡的傾斜進行調(diào)整。
2. 如權(quán)利要求1所述的探針卡的傾斜調(diào)整方法，其特征在于 在所述第一工序中，檢測出所述探針卡的互相分開的多個場所的多個探針的平均針尖高度。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的探針卡的傾斜調(diào)整方法，其特征在于 所述針尖位置檢測裝置被設置在所述載置臺上、并且包括用于檢測所述多個探針的針尖高度的傳感器部和屬于該傳感器部的能夠移動 的接觸體，所述第一工序包括通過所述載置臺移動所述針尖位置檢測裝置，使所述接觸體與所 述多個探針的針尖接觸的工序；通過所述載置臺的進一步移動使所述接觸體向所述傳感器部一側(cè) 移動的工序；和檢測出所述接觸體開始移動的位置作為所述多個探針的平均針尖 高度的工序。
4. 如權(quán)利要求1或2所述的探針卡的傾斜調(diào)整方法，其特征在于所述第三工序反復進行所述第一工序。
5. —種探針卡的傾斜檢測方法，其特征在于該探針卡的傾斜檢測方法在將探針卡安裝在探針裝置上之后，對 所述探針卡相對于載置臺的傾斜進行調(diào)整，使得載置被檢查體的能夠 移動的所述載置臺的載置面與所述探針卡平行，其包括第一工序，使用針尖位置檢測裝置分別檢測出位于所述探針卡的 多個場所的多個探針的平均針尖高度；和第二工序，求出所述多個場所各自的所述多個探針的平均針尖高 度的高低差。
6. 如權(quán)利要求5所述的探針卡的傾斜檢測方法，其特征在于 在所述第一工序中，檢測出所述探針卡的互相分開的多個場所的多個探針的平均針尖高度。
7. 如權(quán)利要求5或6所述的探針卡的傾斜檢測方法，其特征在于所述針尖位置檢測裝置被設置在所述載置臺上，并且包括用于檢 測所述多個探針的針尖的傳感器部和屬于該傳感器部的能夠移動的接觸體，所述第一工序包括通過所述載置臺移動所述針尖位置檢測裝置，使所述接觸體與所 述多個探針的針尖接觸的工序；通過所述載置臺的進一步移動使所述接觸體向所述傳感器部一側(cè)移動的工序；和檢測出所述接觸體幵始移動的位置作為所述多個探針的平均針尖 高度的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種探針卡的傾斜調(diào)整方法和傾斜檢測方法，能夠不受探針的針尖高度偏差的影響，迅速地對探針卡的傾斜進行調(diào)整。探針卡的傾斜調(diào)整方法包括第一工序，在將探針卡(12)安裝在探針裝置(10)上后，在為了使能夠移動的晶片卡盤(11)的載置面與探針卡(12)相平行而對探針卡(12)的傾斜進行調(diào)整時，使用針尖位置檢測裝置(16)在探針卡(12)的多個位置檢測出多個探針(12A)的平均針尖高度；第二工序，根據(jù)多個位置各自的多個探針(12A)的平均針尖高度的高低差求出探針卡(12)相對于晶片卡盤(11)的傾斜；和第三工序，對探針卡(12)的傾斜進行調(diào)整。
文檔編號G01R1/073GK101520501SQ20091011813
公開日2009年9月2日 申請日期2009年3月2日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月28日
發(fā)明者山田浩史, 川路武司, 渡邊哲治 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社