專利名稱：：微型器件的分類的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及使用體力將微型器件的收集(collection)分類到子集。
背景技術(shù)：
：通常使用的粒子分類(sorting)技術(shù)是基于粒子通過器件或通道的運動。分類速率依賴于粒子的流速，并且高的流速可能損壞粒子。因為在窄得足以引導(dǎo)粒子流的通道中的分類粒子是慢的并且容易通道堵塞，所以實際上使用的通道實質(zhì)上在直徑上大于要被分類的粒子。得到的分類處理通常涉及使用靜電荷來將粒子引導(dǎo)到特定流，但這種方法不適用于密集的粒子。絕大多數(shù)的系統(tǒng)依賴于讀取光學(xué)信號(通常為熒光性)來在分類處理過程中識別粒子。當(dāng)核(cell)和粒子分類器能夠獲得106階粒子/分鐘的速度，該速率指的是粒子的檢測，將粒子分離成高純的小部分(fraction)通常比該速率慢兩階或更多階的量級。本申請參考不同專利、專利申請和公開出版物。這些項目的全部內(nèi)容結(jié)合供的術(shù)語的定義不一致或相反的情況下，使用在此提供的術(shù)語的使用而不應(yīng)用參考中的術(shù)語的定義。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供了一種系統(tǒng)和方法，其中粒子或其它^:型器件被布置在具有離散區(qū)域(例如磁條)的陣列，在磁場內(nèi)定向，并且在從陣列中移除微型器件的適當(dāng)子集的情況下通過應(yīng)用移除力來進(jìn)行分類，作為微型器件的不同定向的函數(shù)。在優(yōu)選實施例的一個方面，至少一些離散區(qū)域可以被充分地對齊以出現(xiàn)為一個或多個帶，另一個或多個區(qū)域平行于但是偏離該帶而被定向?？梢杂蒓.l到500pm的內(nèi)部區(qū)域距離方便地分離相鄰區(qū)域。除非與上下文明顯不同，這里描述的所有范圍均包含端點。區(qū)域優(yōu)選地包含^f茲材料的實質(zhì)上平行的條，其可以被永久的或僅暫時地被磁化。條可以具有低或高矯頑性和低或高剩磁的任意組合。給定的區(qū)域可以包含l、2、3或更高數(shù)目的這樣的條。優(yōu)選的分類方法包含以下步驟在陣列上定位微型器件的集合；以改變微型器件的子集和所述陣列之間的磁相互作用的方式將磁場應(yīng)用至微型器件；以及從所述陣列選擇地移除所述微型器件的子集?？梢灾辽賵?zhí)行五次這些應(yīng)用磁力和選擇地移除的步驟。實際上，陣列可以被用于執(zhí)行組合化學(xué)。例如，可以提供多個磁可定向的微型器件，每個都具有相對高的化學(xué)活性("化學(xué)活性部位，，)的活性部位，并且每個包含單個和光獨特的代碼；將微型器件劃分為至少第一集合和第二集合；在第一集合和第二集合的微型器件的反應(yīng)部位執(zhí)行不同的反應(yīng)，然后重新組合至少部分第一集合和第二集合的微型器件。對于第三和第四集合可以重復(fù)該處理。符合上述描述，特別考慮可以至少部分地分類至少一些微型器件，作為在陣列上定位的函數(shù)，使用支持IO、103、106或更高數(shù)目選擇的代碼。也考慮到可以使用分類的步驟以助于將重新組合的第一集合和第二集合中的微型器件劃分到至少第三集合和第四集合。從另一個觀點考慮，本發(fā)明的主題可以包括使用磁圖案通過磁互補性來分類微型器件的收集的方法。優(yōu)選的方法使用捕獲和釋放處理來分類微型器件，并且不像傳統(tǒng)分類器，不需要高粒子流速率。粒子的密度的大小不干擾通過磁互補性的分類。因為可以在批處理中執(zhí)行分類，可以獲得分類和分離的非常高的有效速率-109階微型器件/秒。這比傳統(tǒng)的FACS(熒光激活的細(xì)胞分類)或基于流體血細(xì)胞計數(shù)設(shè)備的速率高4-6階。此外，雖然一些特定實施例可以受益于光讀取設(shè)備的應(yīng)用，發(fā)明主題的許多實施例并不需要使用這樣的設(shè)備?？紤]的物理實施例可以包括下面的元件1)磁編碼的微型器件的集合。所述微型器件包含不可磁化的基板和包含磁可區(qū)別代碼的可磁化的材料。單個微型器件大小的范圍是從500微米到小于1微米。2)分類芯片，通過磁互補性，能夠?qū)⑽⑿推骷募蟿澐譃樽蛹?，包括結(jié)合的和非結(jié)合的微型器件。所述分類芯片包括基板和磁可區(qū)別的編碼區(qū)域。在優(yōu)選實施例中，每個分類芯片都包含多個編碼區(qū)域。編碼區(qū)域可以實質(zhì)上與它的相鄰編碼區(qū)i或相同，或可以與相鄰編碼區(qū)域不同。3)磁場發(fā)生器。所述場發(fā)生器可以是電磁的，或者可以包括永磁體或二者的組合。優(yōu)選的實施例包括能夠在分類芯片的表面上產(chǎn)生均衡場的電磁發(fā)生器。4)力發(fā)生器，用于從分類芯片移除非結(jié)合的微型器件。優(yōu)選實施例包括單獨使用流體力或與磁力發(fā)生器結(jié)合使用的力發(fā)生器。發(fā)明主題還包括顯示方法，包括提供微型器件的集合，不同的微型器件的集合包括不同的磁代碼；提供具有與不同的磁代碼互補的第一和第二布陣部位的陣列，將微型器件加入到所述陣列；以及對所述陣列應(yīng)用外部磁場，使得微型器件的不同子集分別選擇第一和第二位置。這樣的方法可以有利地包括至少額外的8個布陣部位，所述至少額外的8個布陣部位與來自第一和第二布陣部位的不同f茲代碼互補。也考慮微型器件庫，包含至少第一、第二和第三樣t型器件，每個微型器件具有相互不同的磁代碼，以及具有相互不同的化學(xué)部分的區(qū)域。在這樣的庫中，包括通過使用庫而發(fā)明、開發(fā)和研究的化學(xué)實體。為了總結(jié)權(quán)利要求保護(hù)的發(fā)明和與現(xiàn)有技術(shù)相比的優(yōu)勢，在此描述了發(fā)明主題的某些目的和優(yōu)點。當(dāng)然，應(yīng)該理解到不是所有這樣的目的或優(yōu)點可以根據(jù)任意特定實施例獲得。由此，例如，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將認(rèn)識到可以通過以獲得或優(yōu)化在此展現(xiàn)的一個優(yōu)點或一組優(yōu)點的方式來體現(xiàn)或執(zhí)行發(fā)明概念，而不用必須獲得在此體現(xiàn)或暗示的其它目的或優(yōu)點。在此描述的全部實施例處于發(fā)明主題的范圍內(nèi)。這些和其它實施例將通過參考附圖從下面的優(yōu)選實施例的詳細(xì)描述中對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員顯而易見，主題不局限于公開的任何特定優(yōu)選實施例。圖1.左面板包含2條(每條具有三個指狀端)-茲碼和非磁光碼(OCR字符437)的面向上和面向下方向的相同類型的微型器件。磁碼關(guān)于x軸和y軸(微型器件的長軸)對稱地位于微型器件內(nèi)，但是關(guān)于Z軸不對稱地位于距微型器件的底面l微米和距微型器件的頂面1.8微米的位置。在布陣(arraying)芯片上的石茲要素(element)位于距頂面下0.46微米的位置。中心面板在出現(xiàn)的布陣場中面向上和面向下微型器件的布陣混合平行于磁條的長軸。右面板在應(yīng)用僅提升面向下的微型器件的提升場(z軸)的過程中的相同的視圖。圖2A-2C.六位置編碼機(jī)制(n=6):A.—個要素(k=l)和兩個要素(k=2)代碼的列舉表達(dá)；B.三個要素(k=3)代碼的列舉表達(dá)；C.四個要素(k=4)、五個要素(k=5)和六個要素(k=6)代碼的列舉表達(dá)。圖3.適于分類圖2所示的編碼機(jī)制的IO對三要素正交布陣圖案。圖4.對應(yīng)于3個6位置代碼的18個位置代碼。通過對每個6位置代碼使用三要素(k=3)，可以獲得對每個6位置代碼的20個表達(dá)(如圖2B所示)。這樣的代碼可以用于編碼三肽庫，該三肽庫包括自然發(fā)生氨基酸的所有組合。圖5.四位置編碼機(jī)制(n=4):對于一個要素(k=l)、兩個要素(k=2)、三個要素(k=3)和四個要素(k=4)代碼的列舉表達(dá)。圖6.非對稱微型器件的例子。微型器件包括磁要素的非對稱形狀或非對稱布置或其二者。磁要素可以包括磁代碼和磁校準(zhǔn)要素；在這些例子中，磁校準(zhǔn)要素被圖示為粗條。圖7.包含8位置編碼機(jī)制(n=8)的微型器件的列舉表達(dá)，該8位編碼機(jī)制包含5個要素(k=5)和非對稱布陣條。圖8.適于分類圖7所示的微型器件的35對四要素正交布陣圖案。圖9.產(chǎn)生四組微型器件的多分離(split)分類處理的示意圖。在多分離分類處理中，微型器件池被劃分成組，并且組被進(jìn)一步劃分。在這個例子中，該池被首先劃分成兩個子組，然后每個子組被進(jìn)一步劃分成兩個組。圖10.戶生四組微型器件的順序分類處理的示意圖。在該順序分類處理中，微型器件池被逐步劃分為組。在這個例子中，池被劃分為四個組。圖ll.使用最小數(shù)目的分類芯片(chip)來產(chǎn)生四組微型器件的順序分類處理的示意圖。在第三分類步驟之后非結(jié)合的(unbound)微型器件全都是相同組的成員。結(jié)果，圖10中的最終分類芯片捕獲(capture)該組的全部成員，并且最終分類芯片并不是必須的。圖12.使用最小數(shù)目的分類芯片來產(chǎn)生四組微型器件的多分離分類處理的示意圖。在每個分類步驟之后非結(jié)合的微型器件全都是相同組或子組的成員。結(jié)果，圖9中的三個分類芯片捕獲該組或子組的全部成員，并且所述三個分類芯片并不是必須的。如圖9所示對分類芯片進(jìn)行編號。圖13.產(chǎn)生四組微型器件的多分離分類處理的示意圖，其中從分類芯片捕獲和洗提(eluted)每組。如圖9和12所示對分類芯片進(jìn)行編號。圖14.適于將圖2C所示的n-6k-5的編碼機(jī)制分類到三個組的15個集合的四要素正交布陣圖案。圖15.顯示為每個位置兩個排列的一個8位置代碼(上部表達(dá))，以及每個位置兩個排列的兩個4位置代碼(下部表達(dá))的16位置編碼空間。圖16.四位置編碼才幾制(n=4,k=3,m=2)的列舉表達(dá)。圖17.上部面板每個位置兩個排列的8位置代碼(n=8m=2)。下部面板每個位置三個排列的8位置代碼(n=8m=3)。左側(cè)表示所有可能的位置被填充的通用表達(dá)，并且右側(cè)表示k-7表達(dá)的特定例子。磁要素在上部和下部面板中所示的微型器件中具有相同的大小。圖18.在低矯頑性布陣芯片上的低矯頑性微型器件的布陣的示意性表達(dá)。左側(cè)表示在布陣芯片上的布陣條的圖案。右側(cè)表示具有布陣的微型器件的相同圖案。箭頭指示外部磁場的方向。'圖19.在低矯頑性分類芯片上包含四位置單要素代碼(n=4k=l)的低矯頑性微型器件的布陣的示意性表達(dá)。左側(cè)表示在分類芯片上的分類條的圖案-所有布陣部位是相等的。右側(cè)表示具有包含布陣形式的所有四個代碼的微型器件的相同的分類芯片。箭頭指示外部^^場的方向。圖20.在低矯頑性分類芯片上包含四位置單要素代碼(n=4k=l)的低矯頑性微型器件的分類的示意性表達(dá)。左側(cè)表示包含在分類芯片上布陣的四個位置代碼的所有四個代碼的微型器件。右側(cè)表示在應(yīng)用磁升力和移除提升的微型器件之后相同布陣的微型器件。僅保留具有與分類芯片相補的代碼的這些微型器件-選擇基準(zhǔn)是一個編碼要素被對齊(align)。箭頭指示外部^茲場的方向。圖21.低矯頑性分類芯片的示意性表達(dá)，其中布陣微型器件中的條和布陣芯片上的條將同時部分或全部重疊(overlap)。圖22.低矯頑性分類芯片的一部分的實際表達(dá)，其中布陣微型器件中的條和布陣芯片上的條將同時部分或全部重疊。在右側(cè)是一對可以在分類芯片上被分類的微型器件；上部微型器件完全匹配在分類芯片上的五條的圖案，同時下部微型器件僅匹配在分類芯片上的兩個條。圖23.分類處理的實際表達(dá)。左面板圖21和22所示類型的分類芯片的部分包含圖22所示類型的兩個不同微型器件的布陣混合；中央面板在應(yīng)用僅提升一個微型器件的提升場的過程中的相同視圖；右面板在應(yīng)用流體力以移除提升的(非結(jié)合的)微型器件之后的相同的視圖。圖24.在高矯頑性布陣芯片上的低矯頑性微型器件的布陣的示意性表達(dá)。左側(cè)表示當(dāng)外部場被對齊和布陣芯片上的磁要素的磁化方向平行時布陣的微型器件。右側(cè)表示當(dāng)外部場被對齊和布陣芯片上的磁要素的磁化方向反平行時布陣的微型器件。箭頭指示外部磁場的方向。圖25.在高矯頑性分類芯片上包含32個位置的15要素代碼(n=32k=15;>565百萬代碼)的低矯頑性微型器件的布陣的示意性表達(dá)。左側(cè)表示在分類芯片上的分類條的圖案-所有布陣部位是相等的。右側(cè)表示具有包含布陣的32位置代碼的微型器件的相同的分類芯片。箭頭指示外部磁場的方向。外部磁場被對齊和分類芯片上的磁要素的》茲化方向平行。圖26.在高矯頑性分類芯片上包含32個位置的15要素代碼(『32k-15)的低矯頑性微型器件的分類的示意性表達(dá)。左側(cè)表示包含在分類芯片上的布陣的32位置代碼的微型器件。右側(cè)表示在應(yīng)用磁升力和移除提升的微型器件之后的相同布陣的微型器件。僅保留具有與分類芯片相補的代碼的那些微型器件-選擇基準(zhǔn)是大于等于被對齊的8編碼要素。箭頭指示外部磁場的方向圖27.高矯頑性分類芯片的一部分的示意性表達(dá)，其中每個布陣部位是獨特的。圖28.包含兩個不同布陣地點的低矯頑性分類芯片的一部分的示意性表達(dá)。在右側(cè)是可以在分類芯片上布陣的一對微型器件。圖29.包含兩個不同布陣地點的低矯頑性分類芯片的一部分的實際表達(dá)。在右側(cè)是可以在分類芯片上布陣的一對^t型器件。圖30.表示圖28和29所示的類型的分類芯片的一部分、包含圖29所示的類型的兩個不同微型器件的布陣混合的非隨機(jī)性布陣處理的實際表達(dá)。具體實施方式定義除非另行定義，在此使用的全部科技術(shù)語具有與本發(fā)明所屬的
技術(shù)領(lǐng)域：
中的普通技術(shù)人員所通常理解的相同的含義。在此引用的所有專利、申請、公開的申請和其它公開出版物全部內(nèi)容結(jié)合于此作為參考。如果在本申請中的定義與在此結(jié)合作為引用的所有專利、申請、公開的申請和其它公開出版物中的定義相反或不一致，那么在本申請中的定義優(yōu)于通過參考結(jié)合于此的定義。如果義,采用在名為"MicrodeviceArraysFormedbyMagneticAssenbly，，的未決美國專利申請第12/018319號的同一天申請的專利中給出的那些定義。在此，材料的"矯頑性"指的是在材料的磁化已經(jīng)被趨于飽和之后將該材料的磁化減小為零所需的應(yīng)用磁場的強度。矯頑性通常以奧斯特為單位測量。比材料的矯頑性更大的》茲場必須被應(yīng)用至該材料，以強迫它改變磁化的方向。"高矯頑性"材料通常指的是永久磁鐵。在此，"磁化的預(yù)定優(yōu)選(preferential)軸，，意味著磁化的優(yōu)選軸，其可以通過微型器件的制造處理和設(shè)計的知識而預(yù)定。微型器件的"預(yù)定的磁化優(yōu)選軸"是該微型器件的設(shè)計的基本方面，例如，在本申請表示的許多例子中使用的CoTaZr的條形要素具有平行于磁條的長軸的預(yù)定的磁化優(yōu)選軸。"預(yù)定的磁化優(yōu)選軸，，是依賴于微型器件的磁要素的幾何形狀、組成以及結(jié)構(gòu)配置的微型器件的屬性。在本申請表示的許多例子中使用的CoTaZr的條形要素具有平行于條的長軸的預(yù)定的磁化優(yōu)選軸；相反，具有隨機(jī)分布的磁材料的傳統(tǒng)磁珠不具有預(yù)定的磁化優(yōu)選軸。沿著預(yù)定的磁化優(yōu)選軸產(chǎn)生的磁化(以其絕對值)大于或至少等于沿著微型器件的任何其它軸上產(chǎn)生的磁化。通常，對于在施加的磁場和產(chǎn)生的磁化的相互作用下旋轉(zhuǎn)或定向其本身的本發(fā)明的微型器件，沿著微型器件的預(yù)定的磁化優(yōu)選軸的產(chǎn)生的磁化(以其絕對值)比沿著至少一個其它軸的產(chǎn)生的微型器件的極化至少多20%。優(yōu)選地，沿著本發(fā)明的微型器件的預(yù)定的》茲化優(yōu)選軸的產(chǎn)生的》茲化(以其絕對值)應(yīng)該比沿著至少一個其它軸的產(chǎn)生的微型器件的極化至少多50%、70%或90%。更優(yōu)選地，沿著本發(fā)明的微型器件的預(yù)定的磁化優(yōu)選軸的產(chǎn)生的磁化(以其絕對值)比沿著至少一個其它軸的產(chǎn)生的微型器件的極化多至少2倍、5倍、10倍、20倍、50倍甚至100倍。在此，分類芯片的"正交"集合將空間劃分為組，使得通過恰當(dāng)?shù)剡x擇磁選擇基準(zhǔn)，組中的所有成員可以由正交分類集的一個成員捕獲(保持為結(jié)合的(bound))。部位中的微型器件。"非結(jié)合的"微型器件是在分類芯片上的分類步驟的過程中沒有處于布陣部位中的微型器件。在分類步驟過程中，"布陣的"微型器件是通過與分類芯片磁的磁關(guān)聯(lián)被保持在實質(zhì)上平行于分類芯片的表面的位置的微型器件。"洗提的"微型器件是在分類處理中的更早步驟中是"結(jié)合的"但是已經(jīng)變成"非結(jié)合的"微型器件。結(jié)合、非結(jié)合和洗提指的是在單個分類芯片上發(fā)生的處理。例如，磁編碼的微型器件的集合被放置在分類芯片上并被布陣。應(yīng)用對應(yīng)于磁場的磁選擇基準(zhǔn)，通過從分類芯片的表面提升并且實質(zhì)上定向為垂直于分類芯片的表面而導(dǎo)致微型器件的子集變得非結(jié)合。使用某種類型的力發(fā)生器來移除這些非結(jié)合的微型器件。然后通過應(yīng)用磁場和/或某種類型的力發(fā)生器來洗提剩余的結(jié)合的微型器件。在此，非結(jié)合指的是在分類處理的過程中從分類芯片移除的微型器件的第一子集，同時從分類芯片移除的所有隨后的子集被稱為洗提的。在某些例子中，僅非結(jié)合的子集對應(yīng)于損壞的和有缺陷的微型器件，并且可能不具有成員。微型器件，具體實施例方式微型器件包含使得該微型器件可以被分類的磁辨別的代碼。所述微型器件包括可磁化的物質(zhì)，并且可以具有磁化的優(yōu)選軸。其它的特征也可以結(jié)合在微型器件中，包括但不局限于光可識別編碼圖案。在美國專利7015047中列舉了包含光可識別編碼圖案的這種微型器件的屬性。美國專利7015047討論了與磁組合處理可兼容的微型器件的子集。微型器件可以具有任何形狀。它們可以具有極化表面，但是它們不需要具有極化表面；它們可以類似于珠(bead)。平磁盤是一種優(yōu)選的實施方式。對于磁組合布陣處理來說，形狀為圓形、正方形、橢圓形、矩形、六邊形、三角形和不規(guī)則形狀的微型器件都是可以接受的。微型器件可以是任何適合的尺寸。例如，微型器件的厚度可以從大約0.1微米到大約500微米。優(yōu)選地，微型器件的厚度可以從大約l微米到大約200微米。更優(yōu)選地，微型器件的厚度可以從大約1微米到大約50微米。在特定實施例中，微型器件是具有從大約IO平方微米到大約1000000平方微米(例如1000微米乘以1000微米)的表面面積的矩形的形式。在另一個特定實施例中，微型器件是具有從大約l微米到大約500微米的單一維度的不規(guī)則形狀。微型器件可以包含一個或多個可磁化的要素。微型器件可以具有預(yù)定的磁化優(yōu)選軸。在微型器件中的各個磁要素可以具有任意寬度、長度、厚度和形狀。在微型器件內(nèi)的各個》茲要素可以由具有類似的或不同的》茲屬性的不同材料組成?？梢栽诒景l(fā)明的微型器件中使用任意適合的可磁化材料。在一個例子中，使用的可磁化的物質(zhì)是順磁性的物質(zhì)、亞鐵磁的物質(zhì)、鐵磁的物質(zhì)或超順磁的物質(zhì)。優(yōu)選地，磁化物質(zhì)是過渡金屬化合物，或者例如鐵、鎳、銅、鈷、錳、鉭、鋯的合金。在優(yōu)選的例子中，可磁化的物質(zhì)是金屬氧化物。進(jìn)一步的優(yōu)選的例子包括鎳鐵(NiFe)和鈷。額外的優(yōu)選的材料是鈷的合金，例如CoTaZr合金、鈷鐵(CoFe)合金、鈷鎳鐵(CoNiFe)合金、鈷鈮鋯(CoNbZr)合金、鈷鈮鉿(CoNbHf)合金、和鈷鉭鉿(CoTaHf)合金。優(yōu)選地，這樣的特征是具有磁化的優(yōu)選軸的條形。術(shù)語"條"除了矩形形狀之外還包括類似于桿的形狀以及稍微不規(guī)則但還是能展現(xiàn)磁化的優(yōu)選軸的形狀，例如延長的錐形。條不需要是實心的，可以包括如下所述的剪切塊或洞?？纱呕奈镔|(zhì)可以被完全放置在包括微型器件的不可磁化的基板里面(包裹在里面)、完全在包括微型器件的不可磁化的基板之外但是連接至該不可磁化的基板、或者處于二者之間的任何位置。優(yōu)選地，可磁化的物質(zhì)是有圖案的，例如使用微加工或平版印刷技術(shù)，使得其三維形狀是微型器件的設(shè)計的已知特性。因為微型器件被用于在液體布陣格式中進(jìn)行測定，它們具有的優(yōu)勢是可以使用傳統(tǒng)的液體和水珠處理裝置(例如吸移管管理器)而被方便地分量(aliquoted)和分配(dispensed)。結(jié)果，期望在缺乏磁場時它們不是自關(guān)聯(lián)的。由此，低剩磁(在移除外部磁場之后留在介質(zhì)中的磁化)是期望的質(zhì)量。例如CoTaZr的鈷合金和氧化鐵(Fe304)是滿足該條件的磁材料的優(yōu)選例子。在優(yōu)選實施例中，微型器件包括由多層組成的非磁性基板，如美國專利7015047中描述。該非磁性基板可以包括其它特性，包括光編碼圖案和井。可以包括額外的特性，并且可以將例如微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)中使用的那些與平面微制造器件兼容的大量特征的任何一個結(jié)合在微型器件的非磁性基板上。在優(yōu)選實施例中，微型器件包含電接觸焊盤和允許利用微型器件中的MEMS類型傳感器的電路。該電路優(yōu)選地由微型器件的基板內(nèi)部包圍的電導(dǎo)體材料組成，使得在微型器件的表面僅暴露接觸焊盤和傳感器元件。在微型器件的表面上的接觸焊盤可以被用于通過布陣芯片上的互補接觸焊盤來將微型器件連接至電源和/或傳感器件。在優(yōu)選實施例中，在每個^f斂型器件中以獨特配置放置電路，由此微型器件接觸焊盤和布陣芯片上的互補焊盤之間的連接可以被用于確定微型器件的身份。在一個實施例中，微型器件包括化學(xué)反應(yīng)的表面，該表面適于附著化學(xué)或生物部分(moiety)。在另一個實施例中，該表面出現(xiàn)在井或壓痕(indentation)中。在一個實施例中，該表面通過硅烷(例如氨基丙基三曱氧基硅烷，環(huán)氧丙氧丙基三曱氧基硅烷)來制造。在另一個實施例中，反應(yīng)表面通過包含試劑的硫醇(例如，11巰基十一烷酸)產(chǎn)生。在另一個實施例中，反應(yīng)表面是自組合的單分子層(例如由Ulman在chem..Rev.96:1533-1544(1996)的"Formationandstructureofself-assembledmonolayers"和由Love等人在Chem.Rev.105:1103-1169(2005)的"Self-assembeledmonolayersofthiolatesonmetalasaformofnanotechnology"中提到的)。可以使用批技術(shù)(例如在恰當(dāng)?shù)脑噭┑乃芤褐蟹胖玫奈⑿推骷募?，例如硅烷，以在微型器件的暴露的氧化硅表面上生成反?yīng)表面)在微型器件上生成反應(yīng)表面?？蛇x地，在微型器件從硅片上釋放之前可以在微型器件上生成(在制造處理的過程中或之后)反應(yīng)表面。反應(yīng)表面可以應(yīng)用于硅片上的所有微型器件(例如通過氣體或液體相位硅烷化)，或者使用位置指定沉積(例如噴墨)或掩膜(光蝕刻)應(yīng)用于硅片的特定位置，使得反應(yīng)表面僅應(yīng)用至硅片上的微型器件的子集或者僅應(yīng)用至各個微型器件的特定位置。在進(jìn)一步的實施例中，這樣的位置指定的處理可以被用于在各個微型器件上產(chǎn)生獨特的化合物。這樣的技術(shù)被廣泛地應(yīng)用于產(chǎn)生DNA《斂布陣并且在文獻(xiàn)中得以4艮好地記載(例如Pirrung在Chem.Rev.97,473-4480997)中的"Spatiallyaddressablecombinatoriallibraries"和Gao等人在Biopolyers,73:579-596(2004)中的"Insitusynthesisofoligonucleotidemicroarrays")。在進(jìn)一步的實施例中，反應(yīng)表面在微型器件上的位置可以是有圖案的。可以通過掩膜生成這樣的圖案，在掩膜中使用材料來保護(hù)表面不受修改，例如一層光刻膠可以被用于圍繞二氧化硅井，然后在井表面的硅烷化之后光刻膠被溶解以展現(xiàn)未被硅烷化的表面。也可以通過使用不同的材料來獲得圖案，例如可以在二氧化硅表面產(chǎn)生金表面，與羧基化烷基硫醇反應(yīng)將僅在金上面產(chǎn)生羧化后的表面。單個的微型器件可以包括一個或多個有圖案的反應(yīng)表面。這樣的方法也記載在制造和化學(xué)文獻(xiàn)中，特別應(yīng)用于DNA和蛋白質(zhì)微布陣的制造。在額外的實施例中，化學(xué)反應(yīng)表面對應(yīng)于在固相合成中使用連接器(linker)分子。許多這樣的連接器分子對于組合化學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用是公知的(例如Jung.G在CombinatorialChemistry,Weinheim，Wiley-VCH,1999中，以及Dolle等人在JournalofCombinatorialChemistry,9:855-902(2007)中的"comprehensivesurveyofchemicallibrariesfordrugdiscoveryandcheminalbiology;2006"中引用的)當(dāng)包含磁要素的微型器件被放置到外部磁場中時，在微型器件中產(chǎn)生磁偶極子。因為微型器件具有磁化的優(yōu)選軸，所以除非被阻止，微型器件將旋轉(zhuǎn)以將其磁化的優(yōu)選軸與外部磁場的磁力線對齊。不像傳統(tǒng)的磁珠，當(dāng)微型器件被放置在旋轉(zhuǎn)的外^f茲場時，微型器件將旋轉(zhuǎn)并實際上用作小攪拌條。結(jié)果，遠(yuǎn)離關(guān)于排陣的任何考慮，期望微型器件強烈地反應(yīng)于外部磁場。由例如coTaZr合金的具有高飽和磁化的材料組成的磁要素是優(yōu)選的實施例。分類芯片，具體實施例方式分類芯片由磁材料和非磁材料二者組成。分類芯片通過第一布陣微型器件來執(zhí)行它的功能，并且由此是專門的布陣芯片-通用的布陣芯片的屬性和特征在與本申"i奮同日申i青的名為"MicrodeviceArraysFormedbyMagneticAssembly"的未決美國專利申請No.12/018319中描述，并且可以應(yīng)用于在此公開的分類芯片?？梢栽诜诸愋酒惺褂萌魏芜m合的可^茲化的材料。在一個例子中，使用的可;茲化的物質(zhì)是順磁性的物質(zhì)、亞鐵磁的物質(zhì)、鐵磁的物質(zhì)或超順磁的物質(zhì)。優(yōu)選地，磁化物質(zhì)是過渡金屬化合物，或者例如鐵、鎳、銅、鈷、錳、鉭、鋯的合金。在優(yōu)選的例子中，可磁化的物質(zhì)是金屬氧化物。進(jìn)一步的優(yōu)選的例子包括鎳鐵(NiFe)和鈷。額外的優(yōu)選的材料是鈷的合金，例如CoTaZr合金、鈷鐵(CoFe)合金、鈷鎳鐵(CoNiFe)合金、鈷鈮鋯(CoNbZr)合金、鈷鈮鉿(CoNbHf)合金、和鈷鉭鉿(CoTaHf)合金。優(yōu)選地，這樣的特征是具有磁化的優(yōu)選軸的條形。在許多應(yīng)用中，在分類芯片中的剩余》茲化強度是期望的質(zhì)量。類似于微型器件，在分類芯片中的可^f茲化的物質(zhì)可以被完全放置在包括分類芯片的不可^f茲化的物質(zhì)里面(包裹在里面)、完全在包括分類芯片的不可磁化的物質(zhì)之外但是連接至該不可磁化的物質(zhì)、或者處于二者之間的任何位置。優(yōu)選的實施例將磁要素放置在玻璃基板的頂部，并且使用二氧化硅將其包圍，使得二氧化硅形成平的或者實質(zhì)上平的表面。進(jìn)一步的優(yōu)選實施例將磁要素放置在硅基板的頂部，并且使用二氧化硅將其包圍，使得二氧化硅形成平的或者實質(zhì)上平的表面。雖然本申請表述的例子中使用了包含具有低剩磁和低矯頑性的CoTaZr條的分類芯片，這些屬性對于磁陣列的組合或分類處理并不是必須的。由于高剩磁將使得微型器件在缺乏外部磁場的情況下被磁性地組合成鏈或塊，通常，不期望微型器件包含高剩磁；盡管可以期望包含在分類芯片中的磁要素具有所述質(zhì)量以允許在移除布陣時場組合的陣列保持完好。在分類芯片中的各個磁要素由不同設(shè)計組成。磁要素可以任何形狀和大小。各個磁要素可以不同于所有其它要素或者包括這樣的要素的子集。各個磁要素可以由具有相似或不同磁屬性的不同材料組成。優(yōu)選的，磁要素可以是具有磁化的優(yōu)選軸的條形。更優(yōu)選地，磁要素具有預(yù)定的磁化優(yōu)選軸。術(shù)語"條"除了矩形形狀之外還包括類似于桿的形狀以及稍微不規(guī)則但還是能展現(xiàn)磁化的優(yōu)選軸的形狀，例如延長的錐形。條不需要是實心的，可以包括如下所述的剪切塊或洞。優(yōu)選的實施例是作為由高滲透鐵磁材料組成的條的磁要素。這些條可以是矩形或?qū)嵸|(zhì)上矩形。如圖1所示和如美國專利7015047中描述的包含"指狀物"的條是另一個優(yōu)選實施例。這些指狀物可以是短的(例如條的整個長度的1-2%)或長的(例如包括條的幾乎整個長度)或者處于二者之間。不可磁化的基板可以由任何適合的材料組成，包括硅、二氧化硅、氮化硅、塑料、玻璃、陶瓷、聚合物、金屬(例如金、鋁、鈦等)或其他類似材料或這些材料的組合。在優(yōu)選的例子中，所述材料是二氧化硅。在另一個優(yōu)選的例子中，所述材料是玻璃?；蹇梢园▎螌踊蚨鄬?。分類芯片基板可以是但不必須是平的或?qū)嵸|(zhì)上平的。在分類芯片中可以存在壓痕以允許微型器件"落座(seating)"來確保所述微型器件的精確校準(zhǔn)，這對某些應(yīng)用是期望的。例如，這些壓痕可以具有用于落座平坦的微型器件的平面，或者它們可以是用于落座珠子或珠狀微型器件的球形。在一個優(yōu)先實施例中，壓痕可以被設(shè)計為與各個極化微型器件的形狀相匹配，例如，矩形井以保持矩形微型器件。每個單元面積的布陣點的數(shù)目取決于在分類芯片上的磁要素的大小和間距。例如，對圖1所示的大小為60x75微米的微型器件布陣的分類芯片可以在每平方毫米布陣大約IOO個微型器件。在其它實施例中，密度可以更高。例如，大小為20x25微米的微型器件可以被布陣并且以每個平方毫米大約1000個微型器件的密度分類。的器件兼容的任意大范圍的特征可以被合并到分類芯片的不可磁化的基板上，例如在MEMS中使用的那些(例如在Liu,C.，F(xiàn)oundationsofMEMS,PearsonPrenticeHall,UpperSaddleRiver，NJ，2006;Gal隱el-Hak,M.,MEMS(MechanicalEngineering),CRCPress,BocaRaton,2006所述)。優(yōu)選的例子是孩i通道。這樣的通道可以被用于從分類芯片表面?zhèn)鬟f和/或移除試劑和例如微型器件的其它材料。額外的優(yōu)選的例子包括具有在MEMS中使用的那些電光微傳感器(例如在Gardner,J.W.等人的Microsensors,MEMS,andSmartDevice,JohnWiley&Sons,WestSussex,2001)。分類芯片的》茲要素應(yīng)該與纟效型器件的》茲要素互補(complementary),但是不需要在尺寸或形狀上完全匹配微型器件的磁要素。制造可以使用多種處理的任何一種來制造微型器件和分類芯片。在優(yōu)選的實施例中，可以使用各種傳統(tǒng)的微加工和半導(dǎo)體制造方法來制造它們。在美國專利7015047和美國專利申請2002/0081714中，以及在討論光蝕刻法或MEMS制造技術(shù)的綜述和教科書中描述和參考了這樣的方法(例如在Banks,D.，Microengineering,MEMS,andInterfacing:ApracticalGuide,CRCPress,2006)?？杀鎰e的磁代碼磁編碼的微型器件包含使得微型器件能夠被分類的磁可辨別的代碼。磁可辨別的代碼是通過-茲手段可以與其它進(jìn)行辨別的代碼。磁可辨別的代碼在它們的磁材料的強度和或分布上不同。優(yōu)選的實施例包括在基板中的磁要素的分布。這樣的分布可以沿著任何軸發(fā)生(x，y或z,其中x軸是微型器件的長軸(長度)，y軸是微型器件的第二長的軸(寬度)，以及z軸是微型器件的短軸(高度))。圖1表示如何區(qū)別包含僅在沿著微型器件的z軸磁要素的位置上不同的那些磁要素的微型器件的例子。在這個例子中，包含磁條的布陣的微型器件經(jīng)受平行于布陣芯片中的磁條的長軸的磁布陣場。然后提供垂直于布陣芯片的平面的第二磁場。面向上的微型器件使得它們的》茲要素距布陣芯片的磁要素1.46微米，相反地，面向下的微型器件使得它們的磁要素距布陣芯片的磁要素2.26微米。這一在距離上的差異導(dǎo)致在布陣芯片》茲要素與面向上的微型器件和與面向下的微型器件之間的磁力差足夠大，使得面向下的微型器件可以通過磁手段從布陣芯片表面被選擇地提升。磁代碼可以僅包括單個要素并且仍然是可區(qū)別的(例如，當(dāng)在圖1所示的類型的布陣芯片上布陣時，由l微米二氧化硅封裝的單條磁鐵與由1.1微米二氧化硅封裝的單條,茲鐵是可區(qū)別的)。類似地，如果在分類芯片上的微型器件對接位置限制了正確對接的微型器件(例如通過井或柱)的運動，那么在x,y平面中的單個要素編碼也是可區(qū)別的。此外，在大小、形狀和包括磁要素的材料上不同的單個要素代碼是可區(qū)別的。形成代碼的磁要素不需要在大小上是相同的，只要在包含要被保持的代碼的正確布陣的微型器件的磁力和包含在未結(jié)合的部分要被移除的代碼的正確布陣的微型器件的磁力之間存在離散的差值，使得存在恰當(dāng)?shù)拈熤狄蕴嵘唇Y(jié)合的微型器件同時保持結(jié)合的微型器件。優(yōu)選的實施例是用于可區(qū)別的代碼的磁材料的分布中的差值存在于微型器件的x，y平面中。這樣的代碼的示例表達(dá)包括條形碼。條形碼設(shè)計處理的兩個主要的成份是代碼的數(shù)目和代碼可以被劃分的形式。編碼空間在等式1中定義由包含k要素的空間n編碼的代碼總數(shù)。例如，考慮在圖2所示的代碼中具有6個可用位置的條形碼。這對應(yīng)于在等式1中的n=6。存在k的6個可能的值。對于k=1，存在6個可能的代碼；對于k-2,存在15個可能的代碼；對于k-3，存在20個可能的代碼；對于k=4，存在15個可能的代碼；對于k-5，存在6個可能的代碼；對于k-6，僅存在l個可能的代碼。為了將所有代碼劃分為正交組，條的一些子集必須被用于捕獲。對于k-l,編碼空間可以:故劃分為2、3、4、5或6組，因為可以如圖2所示使用正交捕獲條的任意組合。例如，考慮如圖3所示兩個正交捕獲組，每個成員包括三個條。每個編碼的微型器件具有與每個捕獲芯片重疊的一個或零個條-如果存在一個條與一個捕獲芯片重疊，那么與其它成員重疊的就是零個條。對于1^=2，情況更復(fù)雜。使用被劃分為如圖3所示類型的兩個正交組的捕獲條，每個編碼的微型器件具有與捕獲芯片重疊的兩個、一個或零個條。對于任何給定對，僅存在將具有兩個條重疊的6個微型器件代碼以及將僅具有一個條重疊的9個代碼，并且由此不能被區(qū)別?？梢钥偸鞘褂闷椒步鈦矸诸悾?，僅精確匹配一個代碼的布陣圖案，并且這樣的方法可以如下所述非常有用。對于k=3,再次使用圖3所示的捕獲條集，每個編碼的微型器件具有與捕獲芯片重疊的三個、兩個、一個或零個條。然而，不像k-2的例子，不能平均地劃分三個條，結(jié)果對于任何捕獲對，每個代碼將具有僅與正交捕獲對的一個成員重疊的至少兩個條。由此，可以使用2個或更多條重疊的捕獲(選擇)基準(zhǔn)來平均地劃分編碼空間。對于k=4，每個編碼的微型器件具有與捕獲芯片重疊的三個、兩個或一個條，存在與k-2相同的問題，存在使用任何捕獲基準(zhǔn)不可辨別的9個代碼(與捕獲對的每個成員重疊的兩個條)。對于k-5,每個編碼的微型器件具有三個或兩個條重疊。不能平均地劃分五個條，結(jié)果對于任何捕獲對，每個代碼將具有僅與正交捕獲對的一個成員重疊的3個條。由此，三條重疊的捕獲基準(zhǔn)可以被用于平均地劃分編碼空間。對于k-6，僅存在一個代碼。除了將編碼空間劃分為兩個相等的組之外還存在其它的劃分方式，并且可以選擇編碼空間以使得分類空間適用于特定應(yīng)用。一個簡單的例子是肽合成。如果期望產(chǎn)生自然發(fā)生的三肽的全部組合，這需要8000個代碼以及將微型器件分成20個組的能力(對于每個自然發(fā)生的氨基酸的一個組)。圖4表示通過對于20個組使用三個分離的代碼來編碼這樣的處理的一個方法(n=6k=3)。選擇基準(zhǔn)變成了對于每個代碼的各個表達(dá)。這是如上所述的"平凡解"的一個有力的使用。通過合容易劃分的代碼，可以生成大的容易布陣的代碼空間。例如，考略目標(biāo)為DNA合成的編碼空間，其中期望分成四個組?？梢酝ㄟ^使用如圖5所示的四個成員代碼的多個副本(例如n-4，k=l或n-4，k=3)來使用與上述例子中相同的方法從而執(zhí)行劃分。為了易于識別已經(jīng)對這樣顯示的代碼進(jìn)行了編號。然而，所示的圖案是對稱的，并且由此在旋轉(zhuǎn)之后一些代碼不能與另一些代碼區(qū)別，由此減少了對于給定編碼空間可用的可區(qū)別的代碼的數(shù)目。如果期望以更有效的方式使用編碼空間，存在克服對稱性的多種方式。圖6中示出了若干例子。這些例子表示使用非對稱的多種圖案的對齊條。當(dāng)圖6所示的對齊條是更大寬度的對齊條時，不需要這樣情況，并且可以使用在寬度上與磁代碼寬度類似的對齊條。可選地，如果在形狀上與微型器件互補的井中執(zhí)行布陣處理，那么可以使用非對稱形狀的微型器件來消除代碼中的對稱性。微型器件的整體對稱性是個問題。結(jié)果，如果對稱平面和代碼的軸和形狀均不一致，對稱代碼和對稱形狀可以產(chǎn)生不對稱的微型器件。圖6表示若干不對稱的微型器件。這些例子是示意性的而不是窮舉的。在優(yōu)選實施例中，微型器件將包含對齊條。對齊條的放置可以發(fā)生在微型器件的任何位置。在另一個優(yōu)選實施例中，微型器件包含不對稱的對齊條。在進(jìn)一步的優(yōu)選實施例中，微型器件將包含對齊條和不對稱的形狀。雖然圖6表示在x,y平面中的代碼的不對稱排列，也可以通過如圖1所示的微型器件中沿著z軸(微型器件的高度)的磁條的不對稱的排列來生成不對稱的排列。為了簡化的目的，在進(jìn)一步的示意性例子中，當(dāng)顯示微型器件中的磁代碼的時候?qū)⑹褂貌粚ΨQ對的對齊條。迄今給出的例子直接地進(jìn)行編碼和分離，但是它們并沒有最有效地利用空間。通常，對于整個空間要被劃分為相等大小的組的分類應(yīng)用，通常最筒單地使得磁代碼中的位置總數(shù)(代碼空間)為偶數(shù)(被二整除)，并且在代碼中占用的位置的(要素)的數(shù)目為奇數(shù)，因為這保證了對于示例編碼空間n=6，k=3和11=6，k=5,代碼的總數(shù)可以使用如上所示的兩個正交(不重疊)的基于布陣的分類步驟來被平均地劃分?？紤]n=8，存在4艮多方式來編碼和分類8位置矩陣代碼-通過從8中選擇任意四個條而不是將位置限定為每四個位置中的一個條，最大數(shù)目的代碼是8!/4!4！或70。使用獨特的代碼將這樣的表達(dá)分類為兩個相等大小的正交組是更復(fù)雜的，因為如前所述k是偶數(shù)。該n=8個編碼空間可以被劃分為兩個n=4的空間或四個11=2的空間，每個將包含16個獨特的代碼。然而考慮另一個例子，從8個中選擇5個條，這產(chǎn)生56個代碼，并且由于k的值是奇數(shù)，容易劃分成兩個相等大小的組。圖7表示該表達(dá)的窮舉列舉，為了方便安排對向(referral)已經(jīng)被數(shù)字表示為1-56。為了將這些編碼的微型器件布陣到兩個相等的組，可以使用由4個條組成的磁布陣條。具有與分類芯片磁對齊的至少三個條的微型器件將是結(jié)合的，同時剩余的微型器件將是洗提的。對于圖7所示的示例編碼空間，存在可以被使用的35個獨特對的四個條。圖8表示用于將整個編碼空間劃分為兩個組的可能的正交布陣條圖案。表1表示對于每對正交四布陣條集合的分離處理的完整表達(dá)。通過以不同正交集重復(fù)分類處理來對每個組進(jìn)行子劃分。結(jié)果，為了使用三對正交集將任何給定的空間劃分成四組，將需要如圖9示意性示出的一共6個分類步驟。然而，當(dāng)將空間劃分為組時，并不必須執(zhí)行最終步驟，因為在倒數(shù)第二步之后剩余的那些微型器件都是相同組的成員。結(jié)果，最終分離步驟并不真的是分離步驟，因為它捕獲了目標(biāo)組的全部成員。例如，當(dāng)將組劃分為四個時，如圖IO所示，僅如圖11所示的前三個步驟是必須的。類似地，當(dāng)使用將空間劃分為兩個組的分類芯片集的時候，如圖12所示，僅三個步驟是必須的。由此，為了將微型器件的組劃分為四個組，多分離分類方法和時序的分類方法僅需要三個分類步驟。然而，在保持最后步驟中可能是個優(yōu)點，因為最后步驟將應(yīng)該已經(jīng)在前面的步驟中被捕獲的任何微型器件移除，以及移除任何損壞的或有缺陷的微型器件。多分離分類處理依然可以僅使用五個步驟而維持該質(zhì)量控制處理在。這樣的優(yōu)選實施例在圖13中示出。對簡單的時序分類方法和多分離分類方法的比較產(chǎn)生了所有可能的10mer低核苷酸的集合(使用A、C、T、G)-這需要1048576個代碼(41Q)。使用四代碼方法將使用40的代碼空間和40個分類步驟。使用多分離分類方法可以使用至少23個編碼空間(n=23k=ll編碼1352078個圖案)和50個分類步驟。編碼的恰當(dāng)選擇取決于應(yīng)用。存在各種可以被使用的其它編碼選項，這允許空間以允許分類的方式被子劃分。這可以涉及選擇更大空間的子集_圖4所示的例子，n=6k=3的三個集合表示11=181^=9空間的子集。也可以涉及選取特定選擇基準(zhǔn)-存在可以被使用的布陣芯片的大范圍的正交集合。例如，在圖2c中，可以通過使用圖2C所示的正交對將n=6k=5組劃分為兩個相等的組，其中選擇基準(zhǔn)是使用三個條來選擇三個條。然而，通過如圖14所示使用四個條來選擇四個條，相同的編碼空間可以被劃分為三個相等的組。這個例子也證明了當(dāng)分類處理將空間劃分為三個正交組時，在每個集中的分類芯片每個具有與該集合的任何其它成員共同的兩個要素。編碼空間也可以被劃分為更復(fù)雜的編碼機(jī)制。一個這樣的例子通過重新排列空間使得每個位置被表示為列而更容易描述，其中每個列包含要素的多于一個可能的排列；由字母m表示每個列的要素排列的數(shù)目。圖15所示的例子表示16個條形碼，包含11=8111=2或者11=4111=2的兩個集。在下面的等式中定義代碼的總數(shù)(2)編碼空間=~^~W對于n和m的給定值，存在可以被使用的k值的范圍。為了簡單的目的，考慮圖15中表示n-4m-2的兩個集合的下面板。為了容易地將微型器件分離到四個組，可以使用k=1導(dǎo)致64個代碼。然而，k-3在將空間子劃分為四個組中是等效的，并且導(dǎo)致在編碼空間中的16倍增加，即1024個代碼。圖16表示用于n=4m=2k=3編碼表達(dá)的32個編碼圖案。例如圖15和16所示的那些編碼表達(dá)的一個優(yōu)點是它們可以更有效地利用空間。因為在一列中僅使用一個條，那么在條之間不需要空間，并且實際上位置可以大量重疊。結(jié)果，在如圖15所示的完全獨立的16要素代碼的空間中可以包含如圖17所示的相同大小的24個要素。對應(yīng)的n=8，k=7,m=3表達(dá)將導(dǎo)致17496個代碼。這比n=16k=8表達(dá)多了36%的代碼，并且比分類友善的n二16!^7表達(dá)多了超過50%。形式上，n=8，k=7，m=3表達(dá)是n=24k=7表達(dá)的子集。在優(yōu)選實施例中，圖案包括在全部微型器件上的對齊條的公共集合，4吏得不管其代碼是什么，所有微型器件都布陣在分類芯片上。當(dāng)對每個分類芯片使用多于一個圖案來執(zhí)行分類處理時，優(yōu)選實施例僅對每個分類芯片使用單個代碼，使得在分類芯片上的所有布陣部位是相等的。這導(dǎo)致布陣處理成為在與本申"i貪同日^是交的名為"MicrodeviceArraysFormedbyMagneticAssembly"的未決美國專利申請No。12/018319中描述的魯棒布陣處理。在分類芯片上的磁要素的排列取決于在分類芯片上的磁要素的磁屬性以及微型器件的磁要素的磁屬性。微型器件的優(yōu)選實施例是它們的磁要素具有低矯頑性和低剩磁，使得它們在缺乏外部磁場時不會強烈的自關(guān)聯(lián)。對于這種類型的微型器件，可以使用包含大范圍的磁材料的分類芯片。一個優(yōu)選實施例是在分類芯片中的磁要素具有低矯頑性。為了通過這些種類型的要素在分類芯片上布陣和分類微型器件，可以使用磁重疊，其中北極和南極重疊。圖18表示使用這樣的條布陣的磁條的示意性例子。圖19和20表示通過不對稱的對齊條使用n=4k=l編碼的微型器件的低矯頑性要素的分類處理的示意性例子。不考慮整體磁感應(yīng)強度，在布陣芯片上的條的長度相對于在微型器件上的條的長度可以是重要的。因為在磁區(qū)域的接近末端"磁荷，，是集中的，對于低矯頑性分類芯片，完全重疊的條之間的相互作用是互斥的。然而，在長條和短條之間重疊的情況下，相互作用可以是吸引的，特別是當(dāng)短條與長條的中心區(qū)域重疊的時候。當(dāng)與更短的條重疊時長條具有期望的^茲相互作用的能力可以被用于創(chuàng)建布陣芯片圖案，這增加了期望的布陣相互作用的整體強度，并且改善了布陣和分類的效率。在這個過程中，布陣的微型器件的磁條完全與更小的條重疊，同時通過與其它兩個條部分重疊來致力于期望的相互作用。在優(yōu)選實施例中，在陣列上完全重疊的條的長度比在布陣的微型器件上的重疊條的長度小50%。在優(yōu)選實施例中，分類芯片包含交替的大條和小條。在進(jìn)一步的優(yōu)選實施例中，小條小于更大條之間的縫隙的60%。圖21表示包含比要被布陣的微型器件上的磁條更小的磁條的分類芯片的示意性例子。圖22表示使用這種類型的條圖案可以被分類的分類芯片和微型器件的實際例子。在這個例子中，分類芯片確切對應(yīng)于一個微型器件，而另一個微型器件僅具有五個磁要素中的兩個與分類芯片共有。結(jié)果，可以使用3、4或5對齊的》茲要素的選擇基準(zhǔn)來區(qū)別這些微型器件。微型器件的大小是60x75x3微米。圖23表示正在被分類的那些微型器件的例子。圖23的最左面板表示處于布陣形式的部分布陣芯片，包含圖22中的每種微型器件。在應(yīng)用提升場之后，從如中心面板所示的表面升起不互補的微型器件。應(yīng)用流體力(通過實驗室微吸移管來提供)來移除升起的微型器件(如在圖9-13所述移除未結(jié)合的微型器件)。然后如圖9-13所述通過增加提升場和應(yīng)用流體力來"洗提"結(jié)合的微型器件，以完成分類步驟。另一個優(yōu)選實施例是分類芯片中的磁要素具有高矯頑性。為了使用這種類型的要素在分類芯片上布陣和分類微型器件，可以使用磁重疊。與發(fā)生在低矯頑性磁要素之間的磁重疊不同，在低矯頑性磁要素和高矯頑性磁要素之間的磁重疊取決于在外部磁場上的特定方向。圖24表示使用具有在平行或非平行于高矯頑性要素的磁化方向上運行的外部場的條來布陣的磁條的示意性例子。對于高矯頑性要素，不需要存在縫隙以布陣和分類。優(yōu)選實施例是這樣的布置布置磁性要素從而在磁性要素之間不提供井狀縫隙。圖25和26表示正在被分類的微型器件，其中微型器件和分類芯片滿足該標(biāo)準(zhǔn)。在這個例子中，編碼空間(n=32,k=15)可以包含超過565百萬個不同的代碼，但是可以使用單個分類芯片以有效地將微型器件劃分到已知組成的兩個組。上述例子不用于限制。分類不需要分成相同大小的組。此外，在連續(xù)的分類周期中不需要使用相同的基準(zhǔn)。例如，第一選擇可以包括三條的集合，該三條的集合正在被用于選擇包含這些條的所有微型器件圖案，而第二選擇步驟可以對應(yīng)于需要完美匹配的四條，甚至5條，用于選擇包含三個或更多條的所有組合。對本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說顯而易見，可以以各種方式子劃分編碼空間。此外，單個分類芯片可以被用于通過順序地洗提微型器件來劃分空間。這樣的順序洗提處理涉及連續(xù)地洗提更弱保持的微型器件。例如，在包含5個磁要素的代碼中，例如圖7所示，可以基于重疊的條的數(shù)目(1、2、3或4)從單個四要素分類將微型器件洗提到四個分離的組中。例如，可以使用這樣的順序洗提過程來使用小數(shù)目的分類芯片來隔離指定代碼。也可能通過生成本地提升場來使得單個微型器件用于洗提，從而在提升場區(qū)域中的僅一個微型器件或小數(shù)目的微型器件將被洗提。這可以使用小的電磁鐵或小的永久磁鐵完成。在高密度布陣條件下，可能將提升多于一個微型器件，但是被洗提的微型器件可以以更低的密度被重新布陣，并且重復(fù)處理以分離感興趣的微型器件。此外，可以結(jié)合使用順序洗提和本地提升場，以快速地分離各個微型器件。非隨機(jī)布陣可以對每個分類芯片使用多于一個圖案來執(zhí)行分類處理。在這種情況下，將通過與布陣芯片上特定位置的磁互補性來對微型器件進(jìn)行布陣。在一個實施例中，陣列包含磁代碼的子集，并且可以使用選擇基準(zhǔn)來選擇將被保留在特定陣列位置的微型器件的子集。在另一個優(yōu)選實施例中，布陣芯片包含與每個磁編碼的微型器件相對應(yīng)的;茲要素的獨特圖案。因為在布陣芯片上的特定編碼的微型器件的位置是由其互補的磁圖案的位置確定的，所以這樣的粒子陣列不再是隨機(jī)的。圖27表示在高矯頑性布陣芯片上的這樣的陣列的示意圖，其中每個布陣部位是獨特的。圖28表示其中使用了兩個不同的布陣圖案的更簡單的低矯頑性布陣芯片以及可以在例如陣列上布陣的兩個孩i型器件的示意性例子。圖29表示對應(yīng)于圖28中的示意性例子的實際例子。微型器件是60x75x3微米，并且包含5個50x3x0.4微米的磁要素。圖30表示使用圖29所示的微型器件和布陣芯片形成的實際非隨機(jī)陣列。微型器件僅被布陣在完全匹配它們的磁代碼的陣列上的位置上。磁場發(fā)生器磁場發(fā)生器可以是電磁的、或者可以包括永磁鐵、或者二者的組合。優(yōu)選的實施例包括能夠在分類芯片的表面上產(chǎn)生均衡場的電磁發(fā)生器。外部磁場發(fā)生器也可以是電磁的、或者可以包括永,茲鐵、或者二者的組合。在分類處理中的最初的步驟是微型器件的布陣。在與本申請同日提交的名為"MicrodeviceArraysFormedbyMagneticAssembely，，的未決美國專利申i青No.12/018319中描述了該處理。任何特定外部磁場發(fā)生器的適合性取決于特定應(yīng)用，特別是編碼空間和選擇基準(zhǔn)。在優(yōu)選實施例中，磁場發(fā)生器由嵌套(nested)的電磁線圈組(例如Helmholtz線圈)構(gòu)成，其沿著多個軸(例如x、y、z)引導(dǎo)^茲場。在優(yōu)選實施例中，^磁場發(fā)生器包括各個嵌套的電,茲線圈組，類似于Hdmholtz線圈，但是其中將包括Helmholtz線圈的各個線圈可以被單獨調(diào)節(jié)。在進(jìn)一步的優(yōu)選實施例中，線圈包含例如鐵或鐵氧體(ferrite)的》茲芯。在另一個優(yōu)選實施例中，磁場發(fā)生系統(tǒng)包含能夠產(chǎn)生正的或負(fù)的極性的輸出的DC電源。在另一個優(yōu)選實施例中，磁場發(fā)生系統(tǒng)包含AC電源或與能夠驅(qū)動電磁線圈的放大器耦合的頻率發(fā)生器。在進(jìn)一步的優(yōu)選實施例中，磁場發(fā)生系統(tǒng)包含適于產(chǎn)生去;茲脈沖的AC電源。在優(yōu)選實施例中，^磁場發(fā)生器是可控的，使得可以以可編程的方式執(zhí)行磁場改變的順序(例如通過由數(shù)字可控的電源激勵的電》茲線圈組)。用于移除非結(jié)合的微型器件的力發(fā)生器如圖l所示，磁辨別可以將微型器件分開到結(jié)合的和非結(jié)合的狀態(tài)。非結(jié)合的微型器件是當(dāng)應(yīng)用提升力是不保留被布陣的微型器件。由于磁相互作用對距離的依賴，提升微型器件所需要的力遠(yuǎn)大于將微型器件保持在提升狀態(tài)的力。結(jié)果，當(dāng)已經(jīng)從表面提升非結(jié)合的微型器件時，保持非結(jié)合的微型器件向上的磁場(例如z軸場)可以被減少，以減弱將非結(jié)合的微型器件保持在分類芯片表面的磁力強度。當(dāng)已經(jīng)減少了z軸場時，可以沿著任意軸引入更大的磁場偏差以將非結(jié)合的微型器件吸入到收集區(qū)域。流體力是有優(yōu)勢的并且可以獨自使用或與磁場梯度結(jié)合使用-在低z軸場(例如在已經(jīng)減少了場之后)處于直立形式的微型器件更容易被移走-即使是酒精至分類芯片表面上的水溶液中的額外滴入也產(chǎn)生足夠的湍流以移走非結(jié)合的微型器件。如在圖23中所示的結(jié)果，使用實驗室微吸移管對于移除非結(jié)合的微型器件是特別有效的。優(yōu)選實施例包括那些單獨使用流體力或與磁力發(fā)生器結(jié)合使用的。額外的優(yōu)選實施例包括使用如美國專利申請20020137059中描述的振動力、流體力、聲音力、電泳(diaelectrophoretic)力等。這些力可以單獨使用或組合使用，這些組合可以包括^t力發(fā)生器。合成磁分類和布陣在庫合成和篩選領(lǐng)域提供顯著的優(yōu)勢。可以通過將化合物直接合成到微型器件上來產(chǎn)生基于粒子的庫。固相合成方法是廣泛使用的，并且可以構(gòu)建微型器件表面化學(xué)來與現(xiàn)有的固相合成協(xié)議兼容。在此描述的實施例可以被用于在隨機(jī)分離和混合方法中追蹤微型器件。在優(yōu)選實施例中，可以對微型器件分配特定的合成步驟，使得要被合成的化合物與特定磁代碼或部分磁代碼相關(guān)聯(lián)。在優(yōu)選實施例中，微型器件包含光代碼。這個代碼可以是^茲代碼，或者可以是獨立的非磁層。分類處理導(dǎo)致以布陣的格式顯示所有的微型器件?？梢岳门c光可檢測的代碼相呼應(yīng)的特征來在分類處理過程中監(jiān)視微型器件。在優(yōu)選實施例中，可以執(zhí)行光質(zhì)量檢查以驗證布陣精度。在另一個優(yōu)選實施例中，可以使用光可檢測保護(hù)組(例如熒光標(biāo)記的)來執(zhí)行合成處理，或可以執(zhí)行耦合有效性的光可4企測測試，使得在合成處理的任何步驟可以估測耦合有效性(例如Lam等人在Chem.Rel.97:411-448(1997)的"Theone-bead-one-compoundcombinatorialmethod"中描述的)。在另一個優(yōu)選實施例中，每個微型器件具有獨特的光代碼，使得可以在合成處理的步驟中確定在每個微型器件上的化合物的耦合有效性。在另一個優(yōu)選實施例中，微型器件包含獨立的磁組代碼以允許收集代碼的預(yù)定子集。分類和顯示微型器件的能力允許產(chǎn)生和研究大的化合物指定粒子庫。化合物指數(shù)基于粒子的庫是隨機(jī)的，涉及分離和混合類型的過程(在Lam等人1997年所述的)。然而，除非產(chǎn)生的庫是"完全組合的"，否則不能確定在分離和混合庫中包含的特定化合物，意味著庫包含構(gòu)建塊(例如氨基酸、核苷等)的全部可能組合。由于這樣的組合庫通常特別大，實際上隨機(jī)庫的實際化合物是未知的。通過在每個分離和混合步驟之前和/或之后布陣，以及通過微型器件的編碼圖案的標(biāo)識來追蹤微型器件的身份，可以確定隨機(jī)庫的精確組成。此外，這樣的信息允許在每個編碼的微型器件上的化合物的身份被獲知，其有助于篩選處理。相反，化合物指定庫允許該庫包含化合物的任意期望的子集。這樣的化合物指定庫是通過引導(dǎo)的分類處理產(chǎn)生的，其中在合成處理的每個步驟中，已知身份的粒子被引導(dǎo)到粒子反應(yīng)室。使用NEXUS生物系統(tǒng)IRORI固相組合化學(xué)合成系統(tǒng)產(chǎn)生的庫是由引導(dǎo)的分類處理產(chǎn)生的化合物指定庫的廣泛商用的例子。這樣的商用庫通常包含少于10000個化合物。例如，考慮包含由20個自然產(chǎn)生的氨基酸組成的10殘基的肽(residuepeptide)的庫。在庫中存在多于1013個不同的可能的肽(201G)。隨機(jī)的基于粒子的庫需要包含比可能的化合物更多的粒子，以具有包含所有可能的肽的庫?？蛇x地，隨機(jī)庫可以僅包含10個殘基的肽的隨機(jī)子集。相反地，化合物指定粒子庫可以包括10個殘基的肽的任何期望的預(yù)定子集，因為每個磁編碼的粒子可以被分配到特定肽。例如，包括人體基因組中所有可能的肽的10個殘基的肽庫可以被用于篩選生物相關(guān)的處理，例如酶特異性、可溶性受體的結(jié)合、抗體結(jié)合、激酶活性等。存在大約107個這樣由人體基因組編碼的肽，但是隨機(jī)庫需要包含1013個化合物以包含這些肽。忽略篩選這樣的隨機(jī)庫所需的大容量，在從1013個非生理相關(guān)的肽篩選的過程中還存在很大的干擾。相反地，可以構(gòu)建化合物指定庫以僅包含107個期望的肽。的身份之外，還可以通過使用非破壞性測定(例如，比色或熒光)來確定在每個單個微型器件上的合成步驟的耦合有效性的測量。例如，在肽合成的情況下，在隨機(jī)珠庫，由于使用當(dāng)前的珠編碼技術(shù)不能常規(guī)地解碼整個庫，這個信息的可用性是有限的。確定耦合步驟的有效性大于珠的95%或處于珠的95%并不能確定任何單個的珠上的主要副產(chǎn)物的級別或純度或組成。當(dāng)解釋從研究(例如篩選功能或活性)庫得到的結(jié)果時，這樣的粒子指定信息是十分重要的。例如，包含十分不同的主要產(chǎn)物的一組微型器件可以包含顯著數(shù)量的類似的副產(chǎn)物，這是由于在合成的不同步驟中發(fā)生不完全反應(yīng)造成的。通過在合成的每個步驟追蹤該信息，可以記錄副產(chǎn)物的分布。微型器件包含傳感器或其他類型的庫中提供額外的優(yōu)勢。下面的例子用于證明這些實施例的可用性。使用1千萬個^t型器件來進(jìn)行100000個化合物的庫的合成。微型器件包含化學(xué)反應(yīng)部位(例如包含顯示恰當(dāng)?shù)倪B接器的化學(xué)反應(yīng)表面的井)。用于分類庫的磁編碼空間具有大于1百萬的表達(dá)。磁編碼空間被劃分，使得存在至少100000磁分類代碼和IO個組代碼。組代碼僅是劃分磁編碼空間的另一個方式，使得微型器件的指定集合可以被分類為組。在特定例子中，將組代碼統(tǒng)一分配給每個分類代碼，使得對于在庫中的每個分類代碼的100個副本，正好有IO個包含任意特定組代碼。由此，每個微型器件具有獨特的光代碼、由IOO個其它微型器件共享的磁分類代碼、以及由1百萬個其它^f斂型器件共享的組代碼。在開始合成處理之前，每個要被合成的化合物被分配f茲分類代碼。該分配將確定在合成處理的每個步驟每個微型器件將被放置的反應(yīng)室。微型器件被放置在分類芯片上，并且被分類到洗提組(例如見圖13)以及在第一合成步驟被放置在恰當(dāng)?shù)姆磻?yīng)容器中的組。在恰當(dāng)?shù)姆磻?yīng)時間之后，沖洗微型器件并將其布陣在分類芯片上，并放置在光學(xué)閱讀器中(例如顯微鏡或熒光掃描器)，確定它們的光代碼并且該光學(xué)代碼與用于監(jiān)視反應(yīng)的熒光或比色測定的結(jié)果一起被記錄。執(zhí)行另一個分類處理并且開始下一個合成步驟。重復(fù)該處理直到完成庫的合成(例如IO個殘基的肽的庫將需要10個這樣的周期)。在合成處理的結(jié)尾，已經(jīng)對每個光代碼確定了百分比的產(chǎn)量和雜質(zhì)的分布。合成之后，基于微型器件的組代碼來分類微型器件以產(chǎn)生10組。每組包含每個類型的^茲代碼的IO個副本。該處理產(chǎn)生庫的10個副本，每個庫的副本包含每個化合物的IO個副本，其中已經(jīng)表征了每個微型器件上合成的化合物的純度。在其中每個微型器件包含獨特的光代碼的庫中，每個化合物可以由多個光代碼(例如10個)表示。這允許在合成處理過程中識別誤差并且在分析庫的過程中忽略或記錄誤差。例如，在分類處理的每個布陣步驟的結(jié)束時可以監(jiān)^L在微型器件上的光代碼，結(jié)果如果在15步處理的第8步過程中包含光代碼2341的微型器件被誤布陣，那么在該微型器件上的化合物的組成是已知的，并且由此對于該微型器件的任何分析結(jié)果將不會對共享相同的磁分類代碼并假定包含相同的化合物的其它微型器件的分析不利。組代碼的使用相對于進(jìn)行庫的多個副本的其它方法具有顯著的優(yōu)勢，因為它克服了當(dāng)將大量對象隨機(jī)劃分到組時發(fā)生的泊松分布問題。除了能夠進(jìn)行化合物指定庫合成，本發(fā)明的實施例還在制造和篩選隨機(jī)庫方面提供了實質(zhì)性改善。從以定向形式顯示粒子的能力獲得的應(yīng)用到化合物指定庫的全部優(yōu)點也應(yīng)用至隨機(jī)庫。合成已知的預(yù)定成分和大尺寸的庫的能力允許執(zhí)行順序庫合成以快速地識別感興趣的化合物。例如，在篩選第一庫之后，可以基于研究第一庫得到的結(jié)果來設(shè)計新的第二庫?？梢岳^續(xù)該處理直到獲得期望的篩選結(jié)果以及識別具有期望的屬性的合成化合物。這樣的合成化合物包括禁止的分子、藥物、結(jié)合的分子、催化劑等?？梢栽谳d體上合成的任何化合物落入本發(fā)明的范圍內(nèi)。目標(biāo)隔離在此描述的實施例可以用于隔離連接至微型器件并通過某個光過程(直接或間接)可以辨別的感興趣的任何項目。優(yōu)選的例子是稀有細(xì)胞的隔離?？梢詫⒓?xì)胞的混合連接至微型器件，使得多個微型器件包含單個細(xì)胞。在布陣之后，可以通過光方法(例如熒光)以及那些隔離的微型器件識別包含感興趣的細(xì)胞的微型器件?？梢栽诠鈾z測步驟之前的任何步驟通過光標(biāo)記來瞄準(zhǔn)細(xì)胞。然后隔離的細(xì)胞可以被用于進(jìn)一步分析(例如基因表示、SNP分析、蛋白質(zhì)概況等)。對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說顯而易見，除了已經(jīng)描述的實施例之外的更多變型例也不偏離本發(fā)明的范圍。此外，在解釋該公開時，所有的術(shù)語應(yīng)該以與上下文一致的最寬可能的方式解釋。特別是術(shù)語"包含"應(yīng)該被解釋為指的是非窮舉形式的要素、成分或步驟，指示參考的要素、成分或步驟的存在，利用或與沒有被明確參考的其它要素、成分或步驟的組合。當(dāng)說明書和權(quán)利要求中指的是從A、B、C...以及N組成的組中選擇出來的至少一個某物，文字應(yīng)該被解釋為從組中僅需要一個要素，而不是A加上N或B加上N等。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage33</column></row><table>權(quán)利要求1.一種分類微型器件的方法，包括提供具有離散區(qū)域的陣列，所述離散區(qū)域施加磁力；使用所述磁力來關(guān)于所述區(qū)域定向微型器件；以及在從所述陣列移除微型器件的適當(dāng)子集的情況下，向已被定向的微型器件應(yīng)用移除力，作為微型器件的不同定向的函數(shù)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，微型器件具有0.1到500pm的最長線性尺寸，包含0.1pim和500pm。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括重復(fù)使用磁力和應(yīng)用移除步驟的步驟。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括利用微型器件的集合，所述微型器件利用支持至少IO個選擇的磁編碼空間。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括利用微型器件的集合，所述微型器件利用支持至少103個選擇的磁編碼空間。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括利用微型器件的集合，所述微型器件利用支持至少106個選擇的磁編碼空間。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括利用具有預(yù)定的磁化優(yōu)選軸并且長寬比至少為1.2的^t型器件的集合。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，使用磁力來定向微型器件的步驟包括使得微型器件的子集的成員相對于所述子集之外的微型器件豎立。9.一種分類方法，包括使用具有預(yù)定的》茲化優(yōu)選軸并且利用能夠支持至少10個選擇的磁編碼空間的《效型器4牛；以及使用磁力來定向微型器件。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，微型器件具有0.1到500pm的最長線性尺寸，包含0.1jLim和500iLim;并且至少一些微型器件利用支持至少103個選擇的磁編碼空間。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，至少一些微型器件利用支持至少106個選擇的^茲編碼空間。12.—種分類方法在陣列上定位微型器件的集合；以改變微型器件的子集和所述陣列之間的磁相互作用的方式將磁場應(yīng)用至微型器件；以及從所述陣列選擇地移除所述微型器件的子集。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述集合中的每個微型器件具有0.1到500pm的最長線性尺寸，包含O.lpm和500|um，以及化學(xué)活性部位。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，進(jìn)一步包括至少重復(fù)五次應(yīng)用磁力并選擇地移除的步驟。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，進(jìn)一步包括利用微型器件的集合，所述微型器件利用多個磁編碼區(qū)域，所述多個磁編碼區(qū)域利用支持至少10個選擇的編碼空間。16.—種執(zhí)行組合化學(xué)的方法，包括提供多個磁可定向的微型器件，每個微型器件包括化學(xué)反應(yīng)部位，并且每個微型器件包括磁代碼；使用微型器件的磁定向來將微型器件劃分為至少第一集合和第二集合；在第一集合和第二集合的微型器件的反應(yīng)部位執(zhí)行不同的反應(yīng)，然后重新組合至少部分第一集合和第二集合的微型器件；使用微型器件的磁定向來將重新組合的第一集合和第二集合中的微型器件劃分到至少第三集合和第四集合；以及在第三集合和第四集合的微型器件的反應(yīng)部位執(zhí)行不同的反應(yīng)，然后重新組合至少部分第三集合和第四集合的微型器件。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，進(jìn)一步包括至少部分分類至少一些微型器件，作為在陣列上的這樣的微型器件的定向的函數(shù)。18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，進(jìn)一步包括使用分類的步驟以助于將重新組合的第一集合和第二集合中微型器件劃分為至少第三集合和第四集合。19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，至少一些代碼支持至少103個不同的選擇。20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，至少一些代碼支持至少106個不同的選擇。21.—種顯示方法，包括提供微型器件的集合，不同的微型器件的集合包括不同的磁代碼；提供具有與不同的;茲代碼互補的第一和第二布陣部位的陣列；將微型器件加入到所述陣列；以及對所述陣列應(yīng)用外部磁場，使得微型器件的不同子集分別選擇第一和第二部位。22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，進(jìn)一步包括至少額外的8個布陣部位，所述至少額外的8個布陣部位與來自第一和第二布陣部位的不同磁代碼互補。23.—種庫，包含第一、第二和第三微型器件，每個微型器件具有相互不同的f茲代碼，以及具有相互不同的化學(xué)部分的區(qū)域。24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的庫，其中，每個相互不同的化學(xué)部分是聚合體。25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的庫，其中，每個相互不同的化學(xué)部分是肽或核酸。26.—種通過使用權(quán)利要求23的庫而研究的化學(xué)實體。全文摘要粒子或其它微型器件被布置在具有離散區(qū)域(例如磁條)的陣列中，在磁場內(nèi)定向，并且在從陣列中移除微型器件的適當(dāng)子集的情況下通過應(yīng)用移除力來進(jìn)行分類，作為微型器件的不同定向的函數(shù)。也考慮了使用磁圖案通過磁互補性來分類微型器件的收集的方法。優(yōu)選的方法使用捕獲和釋放處理來分類微型器件，并且不像傳統(tǒng)的分類器，不需要高粒子流速率。也考慮了微型器件庫，其中微型器件具有相互不同的磁代碼，以及具有相互不同的聚合的或其它化學(xué)部分的區(qū)域。文檔編號G01N33/553GK101589307SQ200880002824公開日2009年11月25日申請日期2008年1月23日優(yōu)先權(quán)日2007年1月24日發(fā)明者戴維·羅斯沃夫申請人:阿瑞歐米克斯公司