專(zhuān)利名稱(chēng)：控制材料的微波設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種控制材料的設(shè)備。本發(fā)明還涉及使用該設(shè)備的方法。
背景技術(shù)：
根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備可用于不同的應(yīng)用場(chǎng)合。
特別地，根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備可以控制不是完全由金屬組成的材料， 例如木頭、紙、石頭或玻璃絲、玻璃、塑料、農(nóng)業(yè)食品相容性材料
(agri-food compatible material)或放身寸性元素等。
對(duì)于這種材料，所述設(shè)備特別可以測(cè)量材料的物理性質(zhì)(密度、 濕度)，甚至檢測(cè)被控材料的缺陷(空腔、夾雜物等)。
在工業(yè)生產(chǎn)線上控制材料要求使用快速且經(jīng)常是非進(jìn)入性的設(shè) 備。已知的這種非進(jìn)入性設(shè)備包括例如X光、伽馬射線、紅外或超聲 設(shè)備，每種設(shè)備都有其特定的應(yīng)用場(chǎng)合。為了提高這些設(shè)備的性能，建議將這些設(shè)備組合使用，以至少可 以獲得單獨(dú)使用每種設(shè)備時(shí)的優(yōu)點(diǎn)。
但是，對(duì)于應(yīng)用非金屬材料，雖然使用基于特定的電磁波的設(shè)備 具有一定優(yōu)點(diǎn)(特別是電磁波實(shí)際進(jìn)入非金屬材料的內(nèi)部)，但是對(duì)于 工業(yè)應(yīng)用來(lái)說(shuō)，現(xiàn)有技術(shù)仍然是有限的。
實(shí)際上，這種工業(yè)應(yīng)用要求進(jìn)行實(shí)時(shí)測(cè)量，在實(shí)時(shí)測(cè)量中要考慮 待檢材料沿生產(chǎn)線的移動(dòng)速度以及考慮控制材料的大部件的必要性。
本發(fā)明的目的是彌補(bǔ)上述局限性。
更具體地說(shuō)，本發(fā)明的第一目的是提供一種能夠控制不是完全由 金屬組成的材料的設(shè)備。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種能夠?qū)嵤┎牧系膶?shí)時(shí)控制的設(shè)備。
本發(fā)明的再一個(gè)目的是實(shí)現(xiàn)對(duì)材料的大部分的控制。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種模塊化設(shè)備，其易于適用于各種 生產(chǎn)線，且容易安裝。

發(fā)明內(nèi)容
為此，本發(fā)明的目標(biāo)是提供一種控制材料的設(shè)備，所述設(shè)備至少
包括以載波頻率Fp來(lái)發(fā)射電磁信號(hào)以照射材料的裝置和接收該電磁信 號(hào)的裝置，其特征在于所述設(shè)備還包括以頻率Fml調(diào)制所述電磁信號(hào) 的第一調(diào)制裝置，所述調(diào)制裝置設(shè)置在所述發(fā)射裝置和所述材料之間 的信號(hào)路徑上，從而在空間上對(duì)所述發(fā)出的電磁信號(hào)取樣；以頻率Fm2 調(diào)制所述電磁信號(hào)的第二調(diào)制裝置，所述調(diào)制裝置設(shè)置在所述材料和 所述電磁信號(hào)接收裝置之間的信號(hào)路徑上，從而在空間上對(duì)通過(guò)所述 材料的電磁信號(hào)取樣。


參考附圖，通過(guò)閱讀以下的非限制性描述，將更容易理解本發(fā)明， 本發(fā)明的其他目的、目標(biāo)和優(yōu)點(diǎn)也會(huì)更加清楚，其中
圖1顯示了發(fā)射模式中的控制材料的設(shè)備的示意圖2顯示了根據(jù)本發(fā)明的控制材料的設(shè)備的方框圖3顯示了反射模式中的根據(jù)本發(fā)明的控制材料的設(shè)備的示意圖4顯示了具有調(diào)制元件的傳感器的示意圖5顯示了具有根據(jù)圖4的具有調(diào)制元件的傳感器陣列圖。
具體實(shí)施例方式
1、發(fā)射模式中的控制材料的設(shè)備
圖1和2顯示了處于發(fā)射配置中的控制材料150的設(shè)備100。 控制設(shè)備100表現(xiàn)為如下形式
以載波頻率Fp發(fā)射電磁信號(hào)以照射被控材料150的發(fā)射裝置100; 以頻率Fm2調(diào)制從材料150接收的電磁信號(hào)的調(diào)制裝置140; 接收調(diào)制產(chǎn)生的電磁信號(hào)的接收裝置130。
調(diào)制裝置140設(shè)置在材料150和調(diào)制產(chǎn)生的電磁信號(hào)的 收裝置 130之間的信號(hào)路徑上。一方面，發(fā)射裝置110，另一方面，調(diào)制裝置140和接收裝置設(shè)置
在被檢材料150的任意一側(cè)，從而調(diào)制裝置140接收穿過(guò)材料150的 被傳輸?shù)男盘?hào)。
a. 發(fā)射裝置
發(fā)射裝置100包括用于以載波頻率Fp發(fā)射電磁信號(hào)的相鄰的發(fā)射 天線的陣列。更確切的說(shuō)，信號(hào)是平面電磁波。頻率Fp在微波頻率的 范圍內(nèi)。
天線優(yōu)選的是貼片天線(patch antennas)。
b. 調(diào)制裝置
調(diào)制裝置140包括傳感器200的陣列，該傳感器200的陣列朝向 材料150設(shè)置且排列在垂直于發(fā)射裝置110發(fā)射的信號(hào)的傳播方向的 公共平面內(nèi)。
調(diào)制裝置的作用是以調(diào)制頻率Fm2局部干擾電磁場(chǎng)，從而在空間 上對(duì)通過(guò)材料150的電磁信號(hào)進(jìn)行取樣，獨(dú)立信號(hào)的取樣數(shù)目等于傳 感器200的數(shù)目。
結(jié)合圖4和5將更詳細(xì)描述結(jié)合了用于空間分離的調(diào)制元件的傳 感器200。
此外，本發(fā)明的可選實(shí)施例提出產(chǎn)生如下調(diào)制頻率的調(diào)制裝置 Fm2、 Fm2-1、 Fm2-2……Fm2-i，其中"i"對(duì)應(yīng)于第n個(gè)傳感器。c. 接收裝置
接收裝置130還包括對(duì)齊的接收天線的陣列，該天線優(yōu)選的屬于 同一類(lèi)型，甚至是與發(fā)射陣列的天線相同。
接收天線的陣列位于空間調(diào)制傳感器200的陣列的后面。
所述接收天線的陣列用于以載波頻率收集信號(hào)，并以調(diào)制獲得的 調(diào)制頻率Fp士Fm收集信號(hào)。
在接收裝置130的一個(gè)變化實(shí)施例中，接收天線的陣列和空間調(diào) 制傳感器200的陣列可以是獨(dú)立元件的陣列，每個(gè)獨(dú)立元件包括一體 的接收天線和一體的空間調(diào)制傳感器。
d. 控制設(shè)備的其他元件
如圖2中所示，所述設(shè)備還包括對(duì)以頻率Fm2被調(diào)制的信號(hào)進(jìn)行 多路分配的裝置180。所述多路分配裝置180用于不同傳感器200的尋址，即其使接收裝置130區(qū)分來(lái)自傳感器200的不同信號(hào)的信號(hào)源。 所述多路分配裝置可以是時(shí)間多路分配裝置或空間多路分配裝置。
對(duì)于時(shí)間多路分配，通過(guò)將調(diào)制信號(hào)順序分配到不同傳感器200 來(lái)獲得區(qū)分。
對(duì)于空間多路分配，通過(guò)同時(shí)將不同的調(diào)制頻率Fm或者一套正交 的調(diào)制歸于陣列的每個(gè)傳感器200來(lái)獲得區(qū)分。
所述設(shè)備還包括接收裝置130接收的載波頻率為Fp且以頻率Fp 士Fm被調(diào)制的信號(hào)的濾波裝置190和放大裝置191。
更詳細(xì)地說(shuō)，濾波裝置190包括帶通濾波器，其中的截止頻率和 帶寬適于在調(diào)制信號(hào)的放大之前去除載波頻率Fp。
以頻率Fp士Fm被調(diào)制的信號(hào)的電平(level)通常在60-80dB的范 圍內(nèi)，其低于被選載波頻率Fp的電平，基于該信號(hào)更新收集通過(guò)材料 150的射線的傳感器163的功能的有效動(dòng)態(tài)范圍。
濾波裝置190允許載波頻率為Fp的信號(hào)使接收器163不飽和，從 而該設(shè)備可以獲得更好的動(dòng)態(tài)特性。
對(duì)于多載波頻率的設(shè)備，可以使用居中于每個(gè)載波頻率且沿著頻 帶移動(dòng)的濾波器，例如釔鐵石榴石YIG濾波器。
此外，放大裝置191包括低噪音放大器，其用于接收經(jīng)過(guò)濾波的 信號(hào)以及在信號(hào)被接收器163收集之前對(duì)信號(hào)進(jìn)行放大。
最后，所述設(shè)備具有與特定單元161 、 162和163通信的處理器170， 特定單元161、 162和163分別用于管理發(fā)射裝置110的信號(hào)發(fā)射、多 路分配裝置、以及連接到接收裝置的接收器163，以測(cè)量被調(diào)制的電磁 信號(hào)的實(shí)部和虛部。
同樣，處理器170包括用于處理來(lái)自接收器163的實(shí)信號(hào)和虛信 號(hào)的裝置，以增強(qiáng)對(duì)從發(fā)射裝置IIO發(fā)射的電磁信號(hào)的擾動(dòng)檢測(cè)。
處理器170還包括用于被控材料150的圖像的后處理顯示的顯示 裝置，所述圖像是基于調(diào)制產(chǎn)生的信號(hào)生成的。
e.控制設(shè)備的操作原理
通過(guò)這些裝置，可以使用電磁信號(hào)以頻率Fp被發(fā)射以照射被控材 料150的過(guò)程。此外， 一旦發(fā)射裝置110發(fā)射了電磁信號(hào)，電磁信號(hào)就傳播通過(guò) 被控材料150。
材料150的最輕微的非勻質(zhì)性或其密度、濕度或溫度的變化會(huì)導(dǎo) 致在材料150中傳播的電磁場(chǎng)的表現(xiàn)發(fā)生變化。
類(lèi)似地，缺陷的存在，由于其介電性或磁性與材料150不同，會(huì) 在缺陷所在處對(duì)材料150中傳播的電磁信號(hào)產(chǎn)生干擾。
這樣被改變的信號(hào)由調(diào)制裝置140的陣列的傳感器200接收。
然后，在其每個(gè)傳感器200中，材料150發(fā)出的電磁信號(hào)被以調(diào) 制頻率Fm2調(diào)制。隨后從每個(gè)傳感器200發(fā)出的被調(diào)制的信號(hào)被接收 裝置130的天線接收。
以這種方式，在接收裝置130接收到已經(jīng)被調(diào)制的信號(hào)之后，可 以識(shí)別出哪個(gè)(哪些)傳感器200檢測(cè)到了受干擾信號(hào)。這個(gè)特定傳 感器200將對(duì)應(yīng)于材料150的局部區(qū)域。
然后，這些被調(diào)制的以及被接收裝置130接收的信號(hào)被濾波、放 大和處理，以獲得被控材料150的圖像。
在一個(gè)或多個(gè)特定傳感器200的圖像上，可以看到由材料150的 區(qū)域中存在的缺陷引起的電磁信號(hào)的干擾，從而可以為缺陷定位。
類(lèi)似的，所述設(shè)備還能檢測(cè)出材料150中的非勻質(zhì)性或密度、濕 度或溫度的變化。
在圖1的可選實(shí)施例中，設(shè)備的發(fā)射部分是互易的，對(duì)通過(guò)接收 裝置130的天線來(lái)發(fā)射的發(fā)射裝置和通過(guò)發(fā)射裝置110的天線來(lái)接收 的接收裝置另行規(guī)定。
f.雙調(diào)制檢測(cè)設(shè)備
已經(jīng)允許在圖1的設(shè)備中加入以調(diào)制頻率Fml來(lái)調(diào)制由發(fā)射裝置 IOO發(fā)射的信號(hào)的裝置。
該調(diào)制頻率Fml可以等于或者不同于材料150接收到的電磁信號(hào) 的調(diào)制頻率。
這些裝置與上面參考圖4和5提及和描述的調(diào)制裝置140類(lèi)似。 此外，本發(fā)明的變化實(shí)施例提出一種表現(xiàn)如下調(diào)制的調(diào)制裝置 Fml、 Fml-l、 Fml-2……Fml-i，其中"i"對(duì)應(yīng)于第n個(gè)傳感器。
調(diào)制裝置設(shè)置在發(fā)射裝置110和被分析材料150之間的信號(hào)路徑上。
它們?cè)诳臻g上把發(fā)射裝置110發(fā)射的電磁信號(hào)取樣為與調(diào)制裝置 陣列中的傳感器數(shù)目相同的信號(hào)。
這樣就獲得了載波頻率為Fp的電磁信號(hào)的雙調(diào)制。 對(duì)于電磁信號(hào)的每個(gè)發(fā)射點(diǎn)，已通過(guò)材料的信號(hào)被調(diào)制裝置140
的陣列的傳感器200的集合接收。
因此，傳感器收集的信號(hào)對(duì)應(yīng)于穿過(guò)材料150的不同的電磁信號(hào)路徑。
這樣，點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的測(cè)量?jī)蓚€(gè)陣列中的所有傳感器之間的穿過(guò)材料150 的電磁信號(hào)路徑的集合。
這可以在被分析材料150中獲得多元靜態(tài)斷層影像(multistatic tomographic imagery )。
2、 反射模式中的控制材料的設(shè)備
圖3顯示了反射模式中的材料150的控制設(shè)備。其操作方法與原 理與發(fā)射模式中的控制設(shè)備相同。
差別主要在于發(fā)射裝置110、調(diào)制裝置140和接收裝置130的設(shè)置。
在反射模式中， 一方面，發(fā)射裝置，另一方面，調(diào)制裝置140和 接收裝置130設(shè)置在被控材料150的同側(cè)，從而調(diào)制裝置140接收從 材料150反射的信號(hào)。
由于在這種模式中，載波頻率的電磁信號(hào)兩次通過(guò)被檢材料150， 因此所述設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)在于雙發(fā)射操作。當(dāng)不能接近被測(cè)材料150的一 側(cè)或者待測(cè)材料150具有金屬表面時(shí)，這種設(shè)備是有利的。
一個(gè)實(shí)施例允許在被檢材料150后面與發(fā)射裝置110、調(diào)制裝置 140和接收裝置130相對(duì)的側(cè)面上放置金屬板，從而提高反射率。
3、 傳感器陣列
圖4中繪制的空間調(diào)制裝置傳感器200由四個(gè)主要元件構(gòu)成，即 發(fā)射線(radiating wires) 220的集合、非線性電子組件230、饋線(feed wires) 240和基板210。
參照位于材料150和接收裝置130之間的信號(hào)路徑上的調(diào)制裝置 140的傳感器200描述傳感器200的操作原理。描述如下。
傳感器200的發(fā)射線220將采集通過(guò)材料150的載波頻率為Fp的電磁信號(hào)。
線220還被非線性電子組件230充電，非線性電子組件230本身 在調(diào)制頻率Fm2的信號(hào)的輔助下被極化。
這樣，其產(chǎn)生以頻率Fp士Fm2被調(diào)制的信號(hào)，該信號(hào)將被接收裝 置130接收。
更具體的說(shuō)，每個(gè)傳感器200包括兩根發(fā)射線220，每一根發(fā)射線 連接到非線性電子組件230的任一端。
非線性電子組件230優(yōu)選的是電子二極管或光電二極管。 類(lèi)似地，其還可以是對(duì)溫度敏感的非線性電子組件，例如熱敏電阻。
傳感器200的調(diào)制有效性直接關(guān)系到二極管的開(kāi)狀態(tài)和關(guān)狀態(tài)之 間的對(duì)比。
兩根發(fā)射線220優(yōu)選的是矩形片形狀的。在一個(gè)變化例中，發(fā)射 線220的其他形狀也是可能的。
優(yōu)選的，線220的尺寸與波長(zhǎng)相比較小。
應(yīng)注意，線220的表面越大，以頻率Fp士Fm2被調(diào)制的電磁信號(hào) 的振幅越大。
此外，根據(jù)發(fā)射裝置110的天線陣列的極化方向確定線220的角 度配置。線的縱向與天線陣列的極化方向之間的角度a可以在0°到 180。之間。
優(yōu)選的，線220相對(duì)于發(fā)射裝置110的天線陣列的極化方向定位 在。=45。。
其優(yōu)點(diǎn)在于減小了陣列中不同傳感器200之間的間隔，從而增加 了傳感器200的密度且增大了設(shè)備100的空間分辨率，下面將參考圖5 進(jìn)行描述。
這樣，通過(guò)調(diào)整形狀或增大或減小線220的長(zhǎng)度或?qū)挾纫约案鶕?jù) 發(fā)射裝置110的天線陣列的極化方向?yàn)榫€220定位，可以為發(fā)射線220 采用多種配置。
每個(gè)傳感器200還包括為非線性電子組件230饋 信號(hào)的兩個(gè)饋 線240，優(yōu)選的，所述饋線240垂直于發(fā)射裝置110的天線陣列的極化 方向設(shè)置。其優(yōu)點(diǎn)在于減小了饋線240對(duì)入射電磁場(chǎng)的影響。
此外，饋線240和線220相對(duì)于發(fā)射天線陣列的極化方向分別為 垂直和成a二45。的配置允許沿著饋線240，特別是沿著低通濾波器自 由使用濾波裝置，該低通濾波器用于阻礙線上以頻率Fp產(chǎn)生的信號(hào)同 時(shí)保證通過(guò)調(diào)制頻率Fm2的信號(hào)。
此外，其他元件集合所在的基板210可以是柔性的或剛性的。其 有利地具有介電性和最小的厚度，從而可以限制界面上的反射并減小 入射電磁信號(hào)的振幅損耗。
對(duì)于基板210是柔性的情況，傳感器200的陣列可以是適應(yīng)性結(jié) 構(gòu)。例如，圓形的傳感器200的陣列可以適用于控制例如沿管狀延伸 的材料。
結(jié)合在傳感器200中的調(diào)制元件230優(yōu)選地是電光組件 (electro-photonic components)類(lèi)的非線性電子組件。
饋線240可以是印制電線或非印制電線，對(duì)于電光傳感器的情況， 饋線240被光纖或激光束代替。
圖5繪制了與傳感器200相同的傳感器的陣列，將結(jié)合圖4進(jìn)行描述。
陣列的長(zhǎng)度應(yīng)該等于或大于被控材料150的寬度，從而可以完全 控制所述材料。
優(yōu)選地，陣列中的傳感器200規(guī)律地間隔分布。更具體的說(shuō)，傳 感器以確定的距離D被間隔，這可以限定設(shè)備的空間分辨率。
實(shí)際上，距離D越小，傳感器200分析的材料150的區(qū)域的寬度 越小。
此外，位于陣列中的傳感器200中的每一個(gè)都可以具有相對(duì)于發(fā) 射裝置110的天線陣列的極化方向不同的尺寸和角度位置。
一個(gè)變化實(shí)施例可以連續(xù)設(shè)置傳感器200使其線220相對(duì)于發(fā)射 裝置110的天線陣列的極化方向定位為a =+45°和a =-45° 。
這可以為接收器200的陣列生成雙極化，還可以測(cè)量入射電磁場(chǎng) 的兩個(gè)分量。
另一個(gè)變化實(shí)施例提出通過(guò)例如對(duì)傳感器的線220充電來(lái)使用串 聯(lián)設(shè)置的多個(gè)非線性電子組件230的結(jié)構(gòu)。此外，另一個(gè)變化實(shí)施例包括分割傳感器的線220，該線220由多 個(gè)非線性電子組件230的結(jié)構(gòu)進(jìn)行充電。
此外，另一個(gè)變化實(shí)施例允許層積兩個(gè)傳感器200，這兩個(gè)傳感器 200具有與發(fā)射裝置110的天線陣列的極化方向不同的兩個(gè)角度位置。 這可以使形成的整體傳感器200產(chǎn)生雙極化，還能測(cè)量局部重合的入 射電磁場(chǎng)的兩個(gè)分量。
最后，另一個(gè)變化實(shí)施例提出使用發(fā)射裝置的天線和/或雙極化的 接收裝置結(jié)合雙極化的傳感器，從而可以影響材料中缺陷的偏振測(cè)量。
權(quán)利要求
1、一種控制材料(150)的設(shè)備(100)，所述設(shè)備(100)至少包括發(fā)射裝置(110)和接收裝置(130)，所述發(fā)射裝置(110)以載波頻率Fp發(fā)射電磁信號(hào)以照射材料(150)，所述接收裝置(130)接收該電磁信號(hào)，其特征在于所述設(shè)備(100)還包括以頻率Fm1調(diào)制所述電磁信號(hào)的第一調(diào)制裝置，所述調(diào)制裝置設(shè)置在所述發(fā)射裝置(110)和所述材料(150)之間的信號(hào)路徑上，從而在空間上對(duì)發(fā)出的電磁信號(hào)取樣；以頻率Fm2調(diào)制所述電磁信號(hào)的第二調(diào)制裝置(140)，所述調(diào)制裝置(140)設(shè)置在所述材料(150)和所述電磁信號(hào)接收裝置(130)之間的信號(hào)路徑上，從而在空間上對(duì)通過(guò)所述材料(150)的電磁信號(hào)取樣。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于所述第一和第二調(diào)制 裝置(141， 140)包括用于空間調(diào)制的傳感器(200)的陣列，每個(gè)傳 感器(200)由非線性電子組件形成或者由非線性電子組件(230)的 陣列形成，所述非線性電子組件以期望的調(diào)制頻率Fm被饋給信號(hào)且對(duì) 連接到所述組件上的兩個(gè)或多個(gè)發(fā)射線(220)充電。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其特征在于每個(gè)傳感器(200) 包括為所述非線性電子組件(230)饋給信號(hào)的兩根饋線(240)，所述 饋線(240)垂直于所述發(fā)射裝置(110)的極化方向設(shè)置。
4、 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的設(shè)備，其特征在于所述非線性電子 組件(230)是電子二極管、光電二極管或熱敏電阻，且所述饋線(240) 可以是印制電線、或非印制電線、或光纖。
5、 根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其特征在于所述傳 感器(200)是由非線性元件，例如電子二極管、光電二極管或熱敏電 阻進(jìn)行充電的電偶極。
6、 根據(jù)權(quán)利要求2至5中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其特征在于陣列中的所述傳感器(200)是規(guī)律間隔的。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其特征在于每一陣列的所有傳感 器(200)朝向材料(150)設(shè)置，且排列在垂直于所述發(fā)射裝置(110) 發(fā)射的信號(hào)的傳播方向的公共平面中的一行或多行內(nèi)。
8、 根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的設(shè)備，其特征在于每個(gè)傳感器(200) 包括相對(duì)于所述發(fā)射裝置(110)的極化方向以±45°定位的發(fā)射線(220)。
9、 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其特征在于一方面所 述發(fā)射裝置(110)，另一方面所述第二調(diào)制裝置(140)和接收裝置(130)，設(shè)置在所述材料(150)的任意一側(cè)，從而所述第二調(diào)制裝置 (140)接收傳輸通過(guò)材料(150)的信號(hào)。
10、 根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其特征在于一方 面所述發(fā)射裝置(110)，另一方面所述第二調(diào)制裝置(140)和接收裝 置(130)，相對(duì)于所述材料(150)設(shè)置在同側(cè)，從而所述調(diào)制裝置(140) 接收從所述材料(150)反射的信號(hào)。
11、 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其特征在于所述發(fā) 射裝置(110)和所述接收裝置(130)均包括相同類(lèi)型的天線的陣列。
12、 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其特征在于其包括 將所述調(diào)制信號(hào)多路分配到所述第二調(diào)制裝置(140)的多路分配裝置(180)。
13、 根據(jù)前一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其特征在于所述多路分配裝 置(180)是時(shí)間多路分配裝置或空間多路分配裝置。
14、 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其特征在于所述設(shè)備還包括濾波裝置(190)，用于對(duì)通過(guò)所述接收裝置(130)接收的信 號(hào)進(jìn)行濾波。
15、 根據(jù)權(quán)利要求2至14中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其特征在于所述 傳感器(200)包括能形成每個(gè)傳感器陣列(200)的柔性基板。
16、 一種控制材料(150)的方法，其特征在于以頻率Fp發(fā)射電 磁信號(hào)以照射所述材料(150)，在被發(fā)射的電磁信號(hào)到達(dá)所述材料(150)之前，所述電磁信號(hào)以調(diào)制頻率Fml被調(diào)制，來(lái)自所述材料 (150)的電磁信號(hào)以調(diào)制頻率Fm2被調(diào)制并被接收，基于所述調(diào)制產(chǎn) 生的信號(hào)獲得所述材料(150)的圖像。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種控制材料(150)的控制設(shè)備(100)，其至少包括發(fā)射裝置(110)和接收裝置(130)，所述發(fā)射裝置(110)以載波頻率Fp發(fā)射電磁信號(hào)以照射材料(150)，所述接收裝置(130)接收該電磁信號(hào)，其特征在于所述設(shè)備(100)還包括以頻率Fm1調(diào)制所述電磁信號(hào)的第一調(diào)制裝置，所述調(diào)制裝置設(shè)置在所述發(fā)射裝置(110)和所述材料(150)之間的信號(hào)路徑上以在空間上離散所述發(fā)出的電磁信號(hào)，以頻率Fm2調(diào)制所述電磁信號(hào)的第二調(diào)制裝置(140)，所述調(diào)制裝置(140)設(shè)置在所述材料(150)和所述電磁信號(hào)接收裝置(130)之間的信號(hào)路徑上以在所述電磁信號(hào)穿過(guò)所述材料后在空間上離散所述電磁信號(hào)。所述設(shè)備可主要用于檢測(cè)材料中的缺陷或用于確定所述材料的物理性質(zhì)。
文檔編號(hào)G01N22/00GK101627299SQ200780039165
公開(kāi)日2010年1月13日 申請(qǐng)日期2007年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月25日
發(fā)明者A·岡杜瓦, J·德雷昂, L·迪朗, L·迪歇納, N·羅比克, P·伊韋爾松, P·加羅, V·泰西耶 申請(qǐng)人:微波圖像應(yīng)用技術(shù)公司