專利名稱：輻射傳感器器件和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種使用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝輪廓的改進(jìn)型輻射傳感器器件 以及方法。
技術(shù)背景常規(guī)的輻射傳感器器件，比如紅外(IR)傳感器，包括在集成電 路芯片的活性表面中微加工并且安裝于有窗的金屬蓋帽中(窗允許傳 感器暴露于要感測的紅外射線)的紅外傳感元件。雖然這種方法是令 人滿意的，但是其也是相當(dāng)昂貴的。常規(guī)的集成電路封裝使用引線框 架，該引線框架連同集成電路芯片一起密封在環(huán)氧樹脂(舉例來說， Sumitomo G700 )中。引線框架通常包括支撐集成電路芯片的槳狀物 和用來接收用于集成電路芯片的導(dǎo)線接頭的引線。這比常規(guī)輻射傳感 器器件中所使用的封裝要便宜，但是塑料一般對于要感測應(yīng)的輻射(舉 例來說，紅外)是不透明的，并且因此不適合與具有輻射傳感器的集 成電路芯片一起使用。 發(fā)明內(nèi)容因此本發(fā)明的一個目標(biāo)是提供一種改進(jìn)的輻射傳感器器件及其制 造方法。因此本發(fā)明的 一個目標(biāo)是提供一種用于輻射傳感器器件的改進(jìn)封 裝方法。因此本發(fā)明的一個目標(biāo)是提供一種其使用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化封裝輪廓并 且避免需要定制包裝的改進(jìn)封裝方法。因此本發(fā)明的一個目標(biāo)是提供一種簡單但是有效且不昂貴的改進(jìn)封裝方法。因此本發(fā)明的一個目標(biāo)是提供這種克服模型滲料的改進(jìn)輻射傳感 器器件以及方法。因此本發(fā)明的 一個目標(biāo)是提供了這種可使用預(yù)模塑封裝的改進(jìn)傳 感器器件和方法。因此本發(fā)明的 一個目標(biāo)是提供了 一種產(chǎn)生更有效輻射感測的改進(jìn) 封裝方法。因此本發(fā)明的一個目標(biāo)是提供一種能使用透鏡以提高輻射感測效 果的改進(jìn)封裝方法。本發(fā)明來自于實現(xiàn)能使用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化封裝輪廓并產(chǎn)生改進(jìn)操作的改進(jìn)輻射傳感器器件和封裝，能通過如下來實現(xiàn)將蓋帽附著至集成 電路芯片，所述芯片的表面上具有輻射傳感器，并且蓋帽間隔開地覆 蓋輻射傳感器，蓋帽和集成電路芯片中的至少一個具有靠近輻射傳感 器且對將要感測的輻射透明的至少一部分。然而，在其它實施例中，本發(fā)明無需實現(xiàn)所有這些目標(biāo)并且其權(quán) 利要求不應(yīng)當(dāng)限制于能實現(xiàn)這些目標(biāo)的結(jié)構(gòu)或方法。本發(fā)明的特點(diǎn)在于一種包括集成電路芯片的輻射傳感器器件，并 且集成電路芯片的表面上具有輻射傳感器。蓋帽附著至集成電路芯片 并且間隔開地覆蓋輻射傳感器。蓋帽和集成電路芯片中的至少一個具 有靠近輻射傳感器且對將要感測的輻射透明的至少一個部分。在優(yōu)選實施例中，輻射傳感器可位于集成電路芯片的活性表面上 并且蓋帽可包括輻射透明部分。輻射傳感器可位于集成電路芯片的非 活性表面上并且集成電路可包括輻射透明部分。集成電路芯片可包括 位于其活性表面或其非活性表面上的焊料凸塊。蓋帽和具有輻射傳感 器的集成電路芯片可布置于封裝物中并且非活性表面在封裝物的邊界 處暴露。集成電路芯片的靠近輻射傳感器的至少一個部分可對于將要 感測的輻射而言是透明的。蓋帽和具有輻射傳感器的集成電路芯片可 布置于蓋帽在封裝物的邊界處暴露的封裝物中。蓋帽的靠近輻射傳感 器的至少一個部分可對于將要感測的輻射是透明的。蓋帽和具有輻射傳感器的集成電路芯片可連同引線框架一起布置于封裝物中。引線框 架可包括暴露的槳狀物或隱藏的槳狀物。集成電路芯片可以是附接至 引線框架的倒裝芯片。蓋帽和具有輻射傳感器的集成電路芯片可布置 于封裝物中。封裝物可包括凹槽。蓋帽可在凹槽中暴露。集成電路芯 片可在凹槽中暴露。還可以有具有基座的預(yù)模塑封裝物，基座用于支 撐蓋帽和具有輻射傳感器的集成電路芯片。預(yù)模塑封裝物可用封裝物 填充至直到蓋帽但沒有覆蓋蓋帽。在蓋帽上方可具有蓋，蓋至少具有 對于將要感測的輻射而言透明的一部分。傳感器可以是紅外輻射傳感 器。透明部分可以對于紅外輻射是透明的。蓋帽可提供位于輻射傳感 器處的真空。蓋帽可包括透鏡。封裝物可以是塑料的。封裝物可以是 環(huán)氧樹脂的。本發(fā)明的特點(diǎn)還在于一種包括集成電路芯片的輻射傳感器器件， 集成電路芯片的表面上具有集成輻射傳感器。蓋帽附著至集成電路芯 片并且間隔開地覆蓋輻射傳感器。蓋帽和集成電路芯片中的至少一個至少具有靠近輻射傳感器且對于要被感測的輻射而言是透明的部分。 還有封裝蓋帽和具有輻射傳感器的集成電路芯片的封裝物，其透明部 分暴露于封裝物的邊界處。在優(yōu)選實施例中，封裝物可包括塑料。本發(fā)明的特點(diǎn)還在于一種用于形成輻射傳感器器件的方法，包括 將蓋帽附著至其表面上具有輻射傳感器的集成電路芯片，并且蓋帽間 隔開地覆蓋輻射傳感器。該方法還包括將蓋帽和具有輻射傳感器的集 成電路芯片封裝在封裝物中，并且蓋帽和集成電路芯片中至少一個靠 近輻射傳感器的透明部分在封裝物的邊界處暴露。在優(yōu)選實施例中，封裝物可包括塑料。真空可在蓋帽中形成于輻 射傳感器周圍。犧牲層可形成于透明部分上方并且被蝕刻掉以將出現(xiàn) 在透明部分處的任何模塑滲料移除。可以有適應(yīng)層來防止透明部分處 的模塑滲料并保護(hù)透明部分。適應(yīng)層可以在周邊具有孔隙。


從以下優(yōu)選實施例的描述和附圖中，本領(lǐng)域技術(shù)人員將能想到其它方面、特點(diǎn)以及優(yōu)點(diǎn)，其中圖l是根據(jù)本發(fā)明使用封裝物的改進(jìn)型集成電路芯片輻射傳感器 封裝的示意性側(cè)視圖，其具有位于活性表面上且通過集成電路暴露的 非活性表面來感測的輻射傳感器；圖1A和1B是示出用來代替圖1中犧牲層的適應(yīng)模型插入物的側(cè) 視圖；圖2是類似于圖1的視圖，但是具有位于活性表面上且通過暴露 蓋帽活性表面上的輻射傳感器；圖3是類似于圖2的視圖，但是在引線框架中使用半蝕刻的槳狀物；圖3A是圖3的頂視圖，其中示出了半蝕刻槳狀物的懸掛； 圖4是類似于圖2的視圖，但是具有經(jīng)由通孔和焊料凸塊連接至引線框架的導(dǎo)線的活性表面；圖5是一種改進(jìn)型集成電路芯片輻射傳感器封裝的示意性側(cè)面橫截視圖，其未密封并且具有通過通孔連接至焊料凸塊的活性表面；圖6是類似于圖5的視圖，活性表面直接連接至焊料凸起并且示出了安裝在靠近蓋帽和輻射傳感器地具有孔徑或窗的電路板上； 圖7是類似于圖2的視圖，在蓋帽上方的封裝物中具有孔； 圖8是根據(jù)本發(fā)明的預(yù)模制封裝的示意性簡圖；并且 圖9是根據(jù)本發(fā)明在一個封裝中制作輻射傳感器的方法的框圖；具體實施方式
除了在下面所公開的優(yōu)選實施例或?qū)嵤├酝?，本發(fā)明能具有其它實施例并且能以多種方式實踐或執(zhí)行。因此，可以理解到，本發(fā)明 并不將其應(yīng)用限制于下面描述中所述或附圖中所示的構(gòu)造細(xì)節(jié)和部件布置。如果此處僅描述一個實施例，但是其權(quán)利要求并不限于該實施 例。此外，其權(quán)利要求不應(yīng)限制性地閱讀，除非存在著清楚且有力的 證據(jù)表明了某種排除、限制或放棄。圖1中示出了一種根據(jù)發(fā)明的改進(jìn)型輻射傳感器器件10，其包括 集成電路芯片12和輻射傳感器14。輻射傳感器14可以是通過在集成電路芯片12的表面上微處理所形成的紅外傳感器。這種技術(shù)公知為在 1982年IEEE關(guān)于電子器件的論文集中G.R. Lahiji， K.D. Wise的論文 "A batch- fabricated silicon thermopile infrared detector"中有教導(dǎo)，該論文整體地通過參考結(jié)合于此。蓋帽16利用膠粘劑(比如在美國專 利No. 6,893,574中教導(dǎo)的可從美國Ohio州Cleveland市Ferro^>司購 得的Ferro 11-036，該美國專利整體地通過參考結(jié)合于此)附著至集 成電路芯片12。蓋帽16保護(hù)輻射傳感器14不受操作和環(huán)境的損害。 還可以在空間18中形成真空，這通過最小化對流性和傳導(dǎo)性傳熱提高 了輻射性熱能的傳遞，這樣就為輻射傳感器產(chǎn)生了提高的效率，尤其 是在輻射傳感器是例如紅外傳感器時。輻射傳感器位于集成電路芯片 12的活性表面20上。導(dǎo)線22和24將集成電路芯片12的活性表面20 互連至引線框架30的引線26和28。根據(jù)本發(fā)明，引線框架30、蓋帽16和帶有輻射傳感器14的集成 電路芯片12的整個組件封裝在封裝物32中，封裝物32可以是塑料、 環(huán)氧樹脂、或某種其它材料，例如可從日本Sumitomo Bakelite公司 購得的Sumitomo G700。集成電路芯片12的非活性表面34在封裝物 32的周邊36處暴露。假定輻射傳感器是紅外傳感器，那么芯片12可 形成為至少其一部分38對于紅外輻射是透明的。這能通過使集成電路 芯片材料的一部分由對紅外輻射而言是透明的硅制成或者通過使集成 電路芯片的整個基片由硅制成來完成。如果使用了其它類型的輻射， 例如可見輻射，透明介質(zhì)將不是硅，例如玻璃或二氧化硅材料。在封裝過程期間有些封裝物32經(jīng)常會在透明部分38上滲出40。為了克服這個問題并防止蓋帽表面受到與模型的硬質(zhì)表面相接觸而引 起的機(jī)械損傷，在封裝之前，在集成電路芯片12的非活性表面34上 沉積有犧牲層42。其可以是水溶材料，比如可從英格蘭Surrey的 Concoat公司購得的Concoat CM553，其能與模型滲料40 —起洗掉從 而使暴露的非活性表面34潔凈?？朔@些問題的另一種方法是使用具 有與蓋帽接觸的"柔軟"表面的模型。這將在蓋帽上稍微變形，防止機(jī) 械接觸損傷和任何樹脂溢料。這種可選方案在圖1A中示出，其中對在圖1A中對具有上模腔和下模腔102、 104的常規(guī)模腔100進(jìn)行修改 以接受適應(yīng)嵌件106，例如由荷蘭Bilthoven的ASM International NV 制造的橡膠涂覆嵌件，其在一定數(shù)目的循環(huán)次數(shù)之后需要更換。這個 嵌件的目的是確保嵌件106和蓋帽16h的表面之間的壓縮密封，足以 防止模塑材料的進(jìn)入，否則將影響IR輻射通過蓋帽的傳輸。嵌件在 一定數(shù)目的循環(huán)次數(shù)之后可以更換?？蛇x地，嵌件106可以用圖IB 中具有孔隙108的周邊嵌件106a替換。在操作中，再參照圖1，紅外 輻射44穿過集成電路芯片12的透明部分38以觸發(fā)紅外傳感器14。 來自其它方向(也就是試圖穿過蓋帽16達(dá)到紅外傳感器14)的紅外 輻射將被封裝物32阻止。在另一構(gòu)造中，圖2，輻射傳感器器件10a將蓋帽16a的一個表 面46置于封裝物32a的邊界36a處。蓋帽16a那么就包括透明部分 38a，其例如在一個實施例中將是對紅外輻射44a透明的。那么輻射 44a將穿過透明部分38a和真空18a達(dá)到集成電路芯片12a的活性表 面20a處的輻射傳感器14a。集成電路芯片12a的非活性表面34a在 這里示出于連同引線26a和28a形成一部分引線框架30a的槳狀物48 上。可選地，在傳感器器件10b中，圖3,暴露的或全部的槳狀物48 可由隱藏或半蝕刻的槳狀物48b替換，或者從引線框架30b的角部懸 掛在彈簧(比如圖3A中的支撐元件50、 52、 54和56)上以提供在封 裝過程期間相對于封裝物和模型的邊界36b保持蓋帽16b的表面46b 的偏壓力。在傳感器器件10c中，圖4，圖1、 2和3中相應(yīng)的引線22、 24、 22a、 24a、 22b、 24b由將活性表面20c互連至引線框架30c的引線26c 和28c的通孔22c和24c以及倒裝芯片焊料凸塊22c和24cc再次，輻 射44c (其可以是紅外輻射)穿過蓋帽16c的透明部分38c，其表面 46c顯示在封裝物32c的邊界36c處。其然后穿過包含真空的體積18c 以達(dá)到輻射傳感器14c。在另一實施例中，輻射傳感器器件10d，圖5，采用承載輻射傳感器14d的集成電路芯片12d，輻射傳感器14d由附接至集成電路芯片 12d并覆蓋輻射傳感器14d以形成包含真空的體積18d的蓋帽16d所 保護(hù)。這個實施例中沒有包括封裝物。通過通孔22d、 24d和倒裝芯 片焊料凸塊22dd和24dd從集成電路芯片12d的活性表面20d進(jìn)行電 連接。這里輻射44d可通過蓋帽16d的透明部分38d進(jìn)入，然后穿過 體積或真空18d達(dá)到輻射傳感器14d?？蛇x地或者另外地，輻射44dd 可穿過集成電路芯片12d的透明部分38dd。如果需要，可借助于涂層 防止輻射穿過表面12d的一部分或全部?？蛇x地，集成電路芯片12e， 在傳感器器件10e中，圖6，能倒裝以使得活性表面20e處于底部上 并且直接連接至焊球或凸塊22e、 24e。在此情況下，輻射44e能在蓋 帽16e的表面46e處穿過透明部分38e，然后穿過體積18e，到達(dá)輻射 傳感器14e和/或如同輻射44ee那樣在穿過集成電路芯片12e的透明 部分38ee時可從非活性表面穿入。在另一構(gòu)造中，器件10f,圖7，可包括封裝物32f中蓋帽16f上 方的開口 60以使得輻射44f能穿過至透明部分38f,然后穿過體積18f 到達(dá)輻射傳感器14f。開口 60能用對于輻射44f透明的材料62填充。 例如，如果輻射44f是紅外輻射，那么開口 60能為孔的或者填充紅外 透明材料62，比如珪。在器件10g的又一實施例中，圖8，集成電路芯片12g和蓋帽16g 可安裝在常規(guī)的預(yù)模塑封裝66中，該封裝66包括具有引線26g和28g 的基座30g以及槳狀物48g和壁68。封裝物32g然后可添加至通常不 超過表面46g以使得封裝物32g的邊界36g與表面46g —致或在其下 面。或者封裝物可填充至頂部(示出為32gg)但是留下可開口或填充 有透明介質(zhì)的孔62g。蓋70還可與透明部分72—起使用。其將利用 膠粘劑(比如可從美國中部Rancho Dominguez的Ablestik公司購得 的Ablestik 84-3 J)在74處附著至壁68。根據(jù)本發(fā)明制造輻射傳感器器件的方法包括在輻射傳感器80處 將蓋帽附著至集成電路芯片，圖9。在優(yōu)選實施例中，在輻射傳感器 82處，真空可形成于蓋帽下面。而且在優(yōu)選實施例中，比如ConcoatCM553之類的犧牲層可在透明部分84處應(yīng)用于蓋帽或集成電路芯片。 此后，施加封裝物86并移除任何犧牲層88。關(guān)于此的又一變化是使 用具有適應(yīng)表面的模型。引線框架和模具定位在模型中以使得蓋帽將 要暴露的表面壓靠在適應(yīng)表面上。這防止了模型溢料達(dá)到暴露的蓋帽 表面。盡管本發(fā)明的特定特點(diǎn)在一些附圖中示出而沒有在其它附圖中示 出，但是這僅是為了方便，因為根據(jù)本發(fā)明每個特點(diǎn)可與任何或所有 其它特點(diǎn)相組合。這里使用的詞語"包括"、"包含"、"具有"和"帶有" 應(yīng)當(dāng)寬泛和全面地解釋并且不應(yīng)當(dāng)限制于任何物理互連。而且，本申 請中公開的任何實施例都不視為是僅有的可能實施例。另外，在本專利進(jìn)行專利申請期間出現(xiàn)的任何修改不是對于所提 交的申請中出現(xiàn)的任何權(quán)利要求要素的放棄盡管本領(lǐng)域技術(shù)人員可 合理地預(yù)期設(shè)計出在文字上涵蓋所有可能等同概念的權(quán)利要求，但是 在修改時很多等同概念是不能預(yù)知的并且超越了將被放棄的公平解釋 (如有有的話)，因此修改之下的基本原則不具有對于很多等同概念的膚淺關(guān)系，和/或存在著很多其它原因使得不能期望申請人描述對于所 修改的任何權(quán)利要求要素的某些不重要的替換。,,一 T v、- ，-—— ," r印利要求的范圍內(nèi)
權(quán)利要求
1.一種輻射傳感器器件，包括集成電路芯片，其包括位于所述集成電路芯片的表面上的集成輻射傳感器；和附著至所述集成電路芯片并且間隔開地覆蓋所述輻射傳感器的蓋帽，所述蓋帽和所述集成電路芯片中的至少一個具有靠近所述輻射傳感器且對于要被感測的輻射而言是透明的至少一部分。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的輻射傳感器器件，其中所述輻射傳感器位于 所述集成電路芯片的活性表面上并且所述蓋帽包括輻射透明部分。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1的輻射傳感器器件，其中所述輻射傳感器位于 所述集成電路芯片的非活性表面上并且所述集成電路包括輻射透明部 分。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1的輻射傳感器器件，其中所述集成電路芯片包 括位于其活性表面上的焊料凸塊連接件。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1的輻射傳感器器件，其中所述集成電路芯片包 括位于其非活性表面上的焊料凸塊連接件。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l的輻射傳感器器件，其中所述蓋帽和具有所述 輻射傳感器的所述集成電路芯片布置于封裝物中，并且非活性表面在 所述封裝物的邊界處暴露。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6的輻射傳感器器件，其中所述集成電路的靠近 所述輻射傳感器的所述至少一部分對于將要感測的輻射而言是透明 的。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1的輻射傳感器器件，其中所述蓋帽和具有所述 輻射傳感器的所述集成電路芯片布置于封裝物中，并且蓋帽在所述封 裝物的邊界處暴露。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8的輻射傳感器器件，其中所述蓋帽的靠近所述 輻射傳感器的至少一部分對于將要感測的輻射而言是透明的。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1的輻射傳感器器件，其中所述蓋帽和具有所述輻射傳感器的所述集成電路芯片連同引線框架一起布置于封裝物 中。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10的輻射傳感器器件，其中所述引線框架包括暴露的槳狀物。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10的輻射傳感器器件，其中所述引線框架包括 隱藏的槳狀物。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10的輻射傳感器器件，其中所述集成電路芯片 是附接至所述引線框架的倒裝芯片。
14，根據(jù)權(quán)利要求1的輻射傳感器器件，其中所述蓋帽和具有所 述輻射傳感器的所述集成電路芯片布置于封裝物中。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14的輻射傳感器器件，其中所述封裝物包括凹
16. 根據(jù)權(quán)利要求15的輻射傳感器器件，其中所述蓋帽在所述凹 槽中暴露。
17，根據(jù)權(quán)利要求15的輻射傳感器器件，其中所述集成電路芯片 在所述凹槽中暴露。
18. 根據(jù)權(quán)利要求1的輻射傳感器器件，還包括具有基座的預(yù)模 制封裝物，所述基座用于支撐所述蓋帽和具有所述輻射傳感器的所述 集成電路芯片。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18的輻射傳感器器件，還包括填充封裝物直到 所述蓋帽并且沒有覆蓋所述蓋帽的所述預(yù)模制封裝物。
20. 根據(jù)權(quán)利要求18的輻射傳感器器件，其中所述預(yù)模制封裝物 包括在所述蓋帽上方的蓋，所述蓋具有對于將要感測的輻射而言是透 明的至少一部分。
21. 根據(jù)權(quán)利要求8的輻射傳感器器件，其中所述傳感器是紅外 輻射傳感器。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21的輻射傳感器器件，其中所述透明部分對于紅外輻射是透明的。
23. 根據(jù)權(quán)利要求1的輻射傳感器器件，其中所述蓋帽在所述輻射傳感器處提供真空。
24. 根據(jù)權(quán)利要求2的輻射傳感器器件，其中所述蓋帽包括透鏡。
25. 根據(jù)權(quán)利要求14的輻射傳感器器件，其中所述封裝物包括塑料。
26. 根據(jù)權(quán)利要求14的輻射傳感器器件，其中所述封裝物包括環(huán) 氧樹脂。
27. —種輻射傳感器器件，包括集成電路芯片，其包括位于所述集成電路芯片的表面上的集成輻 射傳感器； 附著至所述集成電路芯片并且間隔開地覆蓋所述輻射傳感器的蓋 帽，所述蓋帽和所述集成電路芯片中的至少一個具有靠近所述輻射傳 感器且對于要被感測的輻射而言是透明的至少一部分；和封裝所述蓋帽和具有所述輻射傳感器的所述集成電路芯片的封裝 物，并且所述透明部分在所述封裝物的邊界處暴露。
28. 根據(jù)權(quán)利要求27的輻射傳感器器件，其中所述封裝物包括塑料。
29. —種用于形成輻射傳感器器件的方法，包括 將蓋帽附著至其表面上具有輻射傳感器的集成電路芯片，并且蓋帽間隔開地覆蓋所述輻射傳感器；以及將所述蓋帽和具有所述輻射傳感器的所述集成電路芯片封裝在封 裝物中，并且使所述蓋帽和所述集成電路芯片中的至少一個上的靠近 所述輻射傳感器的透明部分在所述封裝物的邊界處暴露。
30. 根據(jù)權(quán)利要求29的方法，其中所述封裝物包括塑料。
31. 根據(jù)權(quán)利要求29的方法，其中在所述蓋帽中在所述輻射傳感器周圍形成真空。
32. 根據(jù)權(quán)利要求29的方法，其中在透明部分上方形成犧牲層， 并且將該犧牲層蝕刻掉以去除出現(xiàn)在透明部分處的任何模制滲料。
33. 根據(jù)權(quán)利要求29的方法，其中在透明部分上方形成適應(yīng)層， 以防止模制滲料出現(xiàn)在透明部分處并且保護(hù)透明部分。
34. 根據(jù)權(quán)利要求33的方法，其中適應(yīng)層包括孔隙。
全文摘要
一種改進(jìn)的輻射傳感器器件，包括附著至集成電路芯片的蓋帽，所述集成電路芯片包括位于表面上的輻射傳感器，并且蓋帽間隔開地覆蓋該輻射傳感器；蓋帽和具有輻射傳感器的集成電路芯片被封裝在封裝物中，并且蓋帽和集成電路芯片中至少一個的靠近輻射傳感器的一個透明部分在封裝物的邊界處暴露。
文檔編號G01J5/00GK101268345SQ200680034968
公開日2008年9月17日 申請日期2006年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月21日
發(fā)明者E·海因斯, O·吉爾斯 申請人:阿納洛格裝置公司