專利名稱：具有端子連接的基于自旋累積效應(yīng)的磁致電阻傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總地涉及磁致電阻(MR)傳感器，例如用于磁記錄盤驅(qū)動(dòng)器的MR讀取頭，更特別地，涉及基于自旋累積效應(yīng)(spin accumulation effect)的MR傳感器。
背景技術(shù)：
通常稱為“自旋閥”(SV)傳感器的一類常規(guī)MR傳感器具有層的堆疊，該堆疊包括由非磁間隔層分隔開的兩個(gè)鐵磁層。一個(gè)鐵磁層使其磁化方向例如通過(guò)與相鄰反鐵磁層的交換耦合被釘扎而被固定，另一鐵磁層使其磁化方向在存在外磁場(chǎng)時(shí)“自由”轉(zhuǎn)動(dòng)。利用施加到傳感器的檢測(cè)電流，自由層磁化相對(duì)于被固定層磁化的轉(zhuǎn)動(dòng)可檢測(cè)為電阻變化。用在所有當(dāng)前磁記錄硬盤驅(qū)動(dòng)器中的SV MR讀頭以與傳感器層堆疊中的層平面平行地傳導(dǎo)的檢測(cè)電流運(yùn)行，所以其被稱為面內(nèi)電流(CIP)傳感器。
已經(jīng)提出了基于磁隧道結(jié)(MTJ)的一類MR讀頭。在MTJ MR讀取頭中，自由與被固定鐵磁層之間的非磁間隔層是非磁隧道勢(shì)壘層，通常由氧化鋁形成。MTJ MR讀頭以垂直于傳感器堆疊中的層平面(CPP)的隧穿電流運(yùn)行，且垂直經(jīng)過(guò)所述層的隧穿電流依賴于兩個(gè)鐵磁層中磁化的相對(duì)取向。
在兩類MR讀頭中，沒有外磁場(chǎng)時(shí)，被固定或被釘扎層的磁化一般垂直于盤的平面，自由層的磁化一般平行于盤的平面。當(dāng)暴露于來(lái)自記錄在盤上的數(shù)據(jù)位的外磁場(chǎng)時(shí)，自由層磁化將轉(zhuǎn)動(dòng)，引起電阻變化。自由和被固定鐵磁層在面向盤的檢測(cè)端位于兩個(gè)磁屏蔽件之間。屏蔽件防止來(lái)自與正被讀取的位相鄰的位的磁場(chǎng)到達(dá)讀頭。屏蔽件銳化空間響應(yīng)(spatial response)并改善讀頭沿?cái)?shù)據(jù)道(data track)的分辨率。屏蔽件之間的間隔稱為讀間隙。讀間隙的尺寸影響讀頭沿道的分辨率且因此影響沿道的位密度，所以期望保持讀間隙盡可能小。
在US2005/0002128 A1和US 2004/0257714 A1中已經(jīng)提出了一種基于“自旋累積”的MR傳感器和讀頭。這類傳感器基于F.J.Jedema等公布的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，“Electrical detection of spin precession in a metallic mesoscopic spinvalve”，Nature，Vol.416，April 2002，pp.713-716。這類MR傳感器具有導(dǎo)電條帶，第一隧道勢(shì)壘和自由鐵磁層在該條帶的前或檢測(cè)端，第二隧道勢(shì)壘和被固定鐵磁層在該條帶的后端。當(dāng)電流從被固定鐵磁層經(jīng)第二隧道勢(shì)壘進(jìn)入條帶的后端且被固定鐵磁層沿一方向被磁化使得該層中自旋向上的電子的數(shù)量高于自旋向下的電子的數(shù)量時(shí)，則自旋向上的電子在第二隧道勢(shì)壘下面累積。然而，由于該條帶是非磁的，自旋累積程度指數(shù)地衰減，具有與該條帶材料中電子的自旋擴(kuò)散長(zhǎng)度相等的特征長(zhǎng)度水平。如果該條帶的前端以大約等于或短于自旋擴(kuò)散長(zhǎng)度的距離定位，則自旋累積被檢測(cè)為跨過(guò)前端的電壓。該電壓取決于自由鐵磁層的磁化方向，從而當(dāng)自由層暴露于外磁場(chǎng)時(shí)，跨過(guò)第一隧道勢(shì)壘的電阻改變。
在所提出的基于自旋累積效應(yīng)的MR讀頭中，電端子位于檢測(cè)端，與自由層接觸且因此在磁屏蔽件之間的讀間隙中。因?yàn)榇┻^(guò)條帶的后端導(dǎo)向的電流利用屏蔽件作為電引線，所以端子必須具有相關(guān)的絕緣層從而與屏蔽件電隔離。因此端子和絕緣層兩者都增加了讀間隙的尺寸。
所需要的是基于自旋累積效應(yīng)的MR傳感器，其具有最小化讀間隙的尺寸的電引線結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及基于自旋累積效應(yīng)的盤驅(qū)動(dòng)器MR讀頭，其在讀間隙中沒有電端子和相關(guān)的絕緣層。導(dǎo)電條帶位于下磁屏蔽件上的絕緣層上。在頭的面向盤的檢測(cè)端，上磁屏蔽件位于自由層上而沒有絕緣層。上屏蔽件延伸到頭的后端。電阻檢測(cè)電路在頭的后端電耦接到上屏蔽件和下屏蔽件。在頭的后端，電端子位于被固定層上且與上屏蔽件電絕緣。電流供應(yīng)電路在頭的后端電耦接到該端子和下屏蔽件。因?yàn)闆]有與自由層接觸的電端子，因而不需要相關(guān)的絕緣層，讀間隙的尺寸被減小。
為了更充分理解本發(fā)明的本質(zhì)和優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)該參考下面結(jié)合附圖的詳細(xì)描述。


圖1是去掉罩的常規(guī)磁記錄硬盤驅(qū)動(dòng)器的示意性頂視圖；圖2是沿圖1的方向2-2截取的滑塊和部分盤的放大端視圖；圖3是沿圖2的方向3-3的視圖，示出了從盤觀察時(shí)疊置在部分?jǐn)?shù)據(jù)道上方的讀/寫頭的端部；圖4A-4B分別示出了基于自旋累積效應(yīng)的現(xiàn)有技術(shù)MR讀頭的透視和側(cè)剖面圖；圖5A是本發(fā)明傳感器的透視圖，描繪了移去上屏蔽件的MR讀頭；圖5B是圖5A的MR讀頭沿截面5B-5B截取的側(cè)剖視圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的傳感器可用作用于磁記錄盤驅(qū)動(dòng)器的磁致電阻(MR)讀頭，因此將參照?qǐng)D1-3簡(jiǎn)要描述常規(guī)盤驅(qū)動(dòng)器的運(yùn)行。然而，本發(fā)明的傳感器完全可以應(yīng)用為磁場(chǎng)傳感器以及作為用于除了磁記錄盤之外的磁記錄媒質(zhì)的讀頭。
圖1是常規(guī)磁記錄硬盤驅(qū)動(dòng)器的結(jié)構(gòu)圖。該盤驅(qū)動(dòng)器包括磁記錄盤12和支承在盤驅(qū)動(dòng)器外殼或基體16上的旋轉(zhuǎn)的音圈馬達(dá)(VCM)致動(dòng)器14。盤12具有旋轉(zhuǎn)中心13并通過(guò)安裝到基體16的心軸馬達(dá)(spindle motor)(未示出)沿方向15旋轉(zhuǎn)。致動(dòng)器14繞軸17旋轉(zhuǎn)且包括剛性致動(dòng)臂18。通常柔性的懸臂20包括撓曲元件23且連接到臂18的末端。頭載具或氣墊(air-bearing)滑塊22附著到撓曲件23。磁記錄讀/寫頭24形成在滑塊22的尾表面25上。撓曲件23和懸臂20使滑塊能夠在旋轉(zhuǎn)的盤12產(chǎn)生的氣墊上“俯仰(pitch)”和“橫轉(zhuǎn)(roll)”。通常，有多個(gè)盤堆疊在被心軸馬達(dá)旋轉(zhuǎn)的軸(hub)上，各個(gè)滑塊和讀/寫頭與每個(gè)盤表面相關(guān)聯(lián)。
圖2是沿圖1的方向2-2截取的滑塊22和部分盤12的放大端視圖?；瑝K22附著到撓曲件23且具有面向盤12的氣墊面(ABS)27和一般垂直于ABS的端面或尾表面25。ABS 27使得來(lái)自旋轉(zhuǎn)的盤12的氣流產(chǎn)生氣墊，該氣墊支承滑塊20非常接近盤12的表面或幾乎與其接觸。讀/寫頭24形成在滑塊的尾表面25上且通過(guò)至尾表面25上的端子盤29的電連接連接到盤驅(qū)動(dòng)器讀/寫電子組件。
圖3是沿圖2的方向3-3的視圖，示出從盤12觀察時(shí)疊置在數(shù)據(jù)道43上方的ABS 27上讀/寫頭24的端部。讀/寫頭24是滑塊22上沉積且光刻構(gòu)圖的一系列薄膜?；瑝K22通常是陶瓷材料或硅的晶片，所述陶瓷材料例如為氧化鋁(Al2O3)和鈦碳化物(TiC)的復(fù)合材料。
寫頭包括由寫間隙30分隔開的磁寫極P1和P2。當(dāng)寫電流送往寫頭時(shí)，跨過(guò)寫間隙30在沿?cái)?shù)據(jù)道43的方向產(chǎn)生磁場(chǎng)從而磁化數(shù)據(jù)道區(qū)域。MR傳感器或讀頭100位于通常由氧化鋁形成的兩個(gè)絕緣間隙層G1、G2之間。間隙層G1、G2位于磁屏蔽件S1和S2之間。屏蔽件通常由坡莫合金(NiFe)或山達(dá)斯特合金(FeAlSi)形成。當(dāng)讀頭100檢測(cè)來(lái)自數(shù)據(jù)道43的磁轉(zhuǎn)變(數(shù)據(jù)“位”)時(shí)，屏蔽件S1、S2防止來(lái)自數(shù)據(jù)道中相鄰轉(zhuǎn)變的磁通到達(dá)讀頭。該屏蔽件銳化空間響應(yīng)并改善讀頭100沿道方向的分辨率。S1與S2之間的間隔稱為讀間隙。讀間隙的尺寸影響讀頭沿道的分辨率以及因此的沿道位密度，所以期望保持讀間隙盡可能小。
圖4A是基于自旋累積效應(yīng)的MR讀頭的透視圖，頭的上磁屏蔽件S2被部分剖切。圖4B是圖4A的MR讀頭沿截面4B-4B截取的剖面圖。已公開申請(qǐng)US 2005/0002128 A1和US 2004/0257714 A1描述了基于自旋累積效應(yīng)的盤驅(qū)動(dòng)器MR讀頭。用于頭的襯底是滑塊22的體(body)，S1形成在該體上且G1形成在S1上。頭包括導(dǎo)電條帶103，導(dǎo)電條帶103具有ABS附近的第一或檢測(cè)端103a以及從ABS凹進(jìn)的第二或后端103b。條帶103由導(dǎo)電材料例如鋁(Al)、銅(Cu)或半導(dǎo)體材料例如GaAs形成。第一隧道勢(shì)壘104沉積在第一端103a上，第二隧道勢(shì)壘108沉積在第二端103b上。隧道勢(shì)壘材料通常為氧化鋁、氧化鎂(MgO)或建議用于磁隧道結(jié)器件中的任何公知材料。
在頭的第一或檢測(cè)端，第一或檢測(cè)鐵磁層105形成在第一隧道勢(shì)壘104上。在沒有外磁場(chǎng)即來(lái)自盤的磁記錄層中所記錄的數(shù)據(jù)位的磁場(chǎng)時(shí)，檢測(cè)鐵磁層105使其面內(nèi)磁矩或磁化方向105a通常取向?yàn)槠叫杏贏BS。檢測(cè)鐵磁層105被稱為“自由”層，因?yàn)槠浯呕较?05在存在來(lái)自記錄數(shù)據(jù)的磁場(chǎng)時(shí)自由轉(zhuǎn)動(dòng)。在頭的第二或后端，第二或“被固定”鐵磁層109形成在第二隧道勢(shì)壘108上。被固定鐵磁層109使其面內(nèi)磁矩或磁化方向109a基本取向?yàn)榕cABS直交且被阻止在存在關(guān)注范圍內(nèi)的磁場(chǎng)即來(lái)自記錄數(shù)據(jù)的磁場(chǎng)時(shí)的轉(zhuǎn)動(dòng)。被固定的鐵磁層109通常是被釘扎鐵磁層，其與反鐵磁釘扎層110交換耦合，導(dǎo)致層109的磁化方向109a被“釘扎”而在存在來(lái)自記錄數(shù)據(jù)的磁場(chǎng)時(shí)不能轉(zhuǎn)動(dòng)。被固定層109也可以是公知的反平行被釘扎(AP被釘扎)結(jié)構(gòu)，其也稱為“層疊”被釘扎層，如美國(guó)專利5465185中所描述的。AP被釘扎結(jié)構(gòu)包括鐵磁被釘扎層、非磁間隔層和鐵磁參考層。
自由層105和被固定層109通常由Co、Fe和Ni中的一種或多種的合金、或兩種合金的雙層例如CoFe-NiFe雙層形成。反鐵磁層110通常由足夠厚的Mn合金層(PtMn、NiMn、FeMn、IrMn、PdMn、PtPdMn或RhMn)形成。PtMn層需要厚于約100從而退火后變成化學(xué)有序且反鐵磁性，IrMn層當(dāng)其厚于約40時(shí)沉積時(shí)就是反鐵磁的。這些反鐵磁Mn合金還可以包括少量的其它元素諸如Cr、V、Pt、Pd和Ni，其通常被加入來(lái)改善耐蝕性或增加電阻。盡管圖4A-4B中沒有示出，但是該頭可以在檢測(cè)端包括常規(guī)鐵磁偏置層或多個(gè)層，用于偏置自由層105的磁矩從而沿平行于ABS的方向105a縱向地穩(wěn)定化其磁矩并線性化頭的輸出。
圖4A中，頭的上磁屏蔽件S2以剖切方式示出從而可以示出頭的檢測(cè)端。電端子(electrical terminal)114位于自由層105上且朝向頭的后端延伸。如圖4B所示，端子114通過(guò)間隙層G2的通常為氧化鋁的電絕緣材料與S2電絕緣。描繪為電壓測(cè)量電路的電阻檢測(cè)電路130在頭的后端電耦接到端子114和導(dǎo)電屏蔽件S1。
如圖4B所示，電流供應(yīng)電路132電耦接到導(dǎo)電屏蔽件S1、S2。電接觸層或引線111、112在頭的后端分別位于被固定層109的下方和上方。電路132通過(guò)S2、接觸層112、釘扎層110、被固定層109、隧道勢(shì)壘108和接觸層111向屏蔽件S1供應(yīng)電流(由箭頭120示出)。該電流路徑通過(guò)圍繞的通常為氧化鋁的絕緣材料116與端子114電絕緣。當(dāng)電流通過(guò)電路132經(jīng)過(guò)頭的后端時(shí)，隧道勢(shì)壘108提供高的電子自旋相關(guān)電阻，這增加了注入到條帶103的后端103b的電流的自旋極化。自旋累積，即自旋向上和自旋向下電子的不相等的密度，發(fā)生在條帶103中，且沿條帶103的長(zhǎng)度向前端103a擴(kuò)散。該自旋累積通過(guò)電路130被檢測(cè)為跨過(guò)頭的檢測(cè)端的電壓。當(dāng)自由層105暴露于來(lái)自記錄數(shù)據(jù)的外磁場(chǎng)同時(shí)電流在頭的后端流過(guò)時(shí)，跨過(guò)隧道勢(shì)壘104的電阻改變且通過(guò)電路130被檢測(cè)。
如圖4B所示，端子114和G2都位于S1與S2之間頭的檢測(cè)端。端子114和G2對(duì)讀間隙的尺寸有貢獻(xiàn)。因?yàn)镾2必須位于ABS處且因?yàn)槎俗?14必須與S2電隔離以避免電流供應(yīng)電路132的短路，所以要求絕緣間隙層G2位于端子114與S2之間。
圖5A是本發(fā)明傳感器的透視圖，描繪為移去上屏蔽件的MR讀頭。圖5B是圖5A的MR讀頭沿截面5B-5B截取的剖視圖。在頭的檢測(cè)端，上磁屏蔽件S2位于自由層105上而沒有絕緣間隙層G2。導(dǎo)電非磁間隔層118位于自由鐵磁層105與磁屏蔽件S2之間。層118可以由材料如Ta、Rh、Cu或Au形成，并防止層105與S2之間的磁耦合或相互作用，同時(shí)提供層105與S2之間的電連接。S2包括S2之上的背部分S2’，從而S2延伸到頭的后端，即從ABS處的檢測(cè)端凹進(jìn)的端。因此在頭的后端S1與S2’之間的間隔大于在檢測(cè)端(讀間隙)S1與S2之間的間隔。S2和S2’示出為兩個(gè)不同的層，但它們可以是單個(gè)保形層，沉積之后具有如圖5A所示的一般形狀。示出為電壓測(cè)量電路的電阻檢測(cè)電路230在頭的后端電耦接到導(dǎo)電屏蔽件S1和S2’。
電流供應(yīng)電路232在頭的后端電耦接到電端子214和下屏蔽件S1。電端子214位于被固定鐵磁層109上。如果被固定層109是被釘扎層，則反鐵磁釘扎層110與被固定層109接觸且端子214與釘扎層110接觸。可選的電接觸層(未示出，但類似于圖4B中的層112)可以位于釘扎層110與端子214之間。電接觸層111位于條帶的后端103b下方，后者位于被固定層109下方。電路232通過(guò)端子214、可選的接觸層(未示出)、釘扎層110、被固定層109、隧道勢(shì)壘108和接觸層111向屏蔽件S1提供電流(由箭頭220示出)。該電路路徑通過(guò)圍繞的通常為氧化鋁的絕緣材料116與S2電絕緣。
端子214、接觸層111和可選的接觸層112可以由Cu或在常規(guī)MR頭中用作電引線的任何公知材料如Ta、Rh、Cu或Au形成。盡管兩個(gè)電路230和232示出為具有通過(guò)下屏蔽件S1和接觸層111至導(dǎo)電條帶103的端部103b的電連接，但兩個(gè)電路都可以利用合適的電引線直接連接到條帶103。
如圖5B所示，因?yàn)樵陬^的檢測(cè)端沒有端子與自由層105接觸，所以讀間隙的尺寸通過(guò)端子的厚度被減小。另外，因?yàn)樵谧x間隙中沒有端子，所以不必將其與屏蔽件S2絕緣，因此在檢測(cè)端不必具有間隙層G2，這進(jìn)一步減小了讀間隙的尺寸。
盡管本發(fā)明參照其優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行了特定示出和描述，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解，在不脫離本發(fā)明的權(quán)利要求所定義的精神和范圍的情況下可以進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。因此，所公開的發(fā)明認(rèn)為僅是說(shuō)明性的且限制在僅如權(quán)利要求所限定的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種磁致電阻傳感器，其能夠檢測(cè)外磁場(chǎng)且具有用于暴露到所述外磁場(chǎng)的檢測(cè)端以及與所述檢測(cè)端間隔開的后端，所述傳感器包括導(dǎo)電襯底；所述導(dǎo)電襯底上的第一電絕緣體；導(dǎo)電條帶，其在所述絕緣體上且具有在所述傳感器的所述檢測(cè)端的第一端以及在所述傳感器的所述后端的第二端；第一隧道勢(shì)壘，其在所述第一端位于所述條帶上；檢測(cè)鐵磁層，其在所述第一隧道勢(shì)壘上且具有在不存在外磁場(chǎng)時(shí)基本沿第一方向取向的面內(nèi)磁化方向，所述檢測(cè)層磁化方向在存在外磁場(chǎng)時(shí)基本自由轉(zhuǎn)動(dòng)；所述檢測(cè)層上的導(dǎo)電層；第二隧道勢(shì)壘，其在所述第二端位于所述條帶上；被固定鐵磁層，其在所述第二隧道勢(shì)壘上且具有沿與所述第一方向基本直交的第二方向取向的面內(nèi)磁化方向，當(dāng)存在關(guān)注范圍內(nèi)的外加磁場(chǎng)時(shí)該磁化方向被基本阻止轉(zhuǎn)動(dòng)；以及電端子，其在所述被固定層上，所述端子與所述檢測(cè)層上的所述導(dǎo)電層電絕緣；由此當(dāng)電流在所述傳感器的所述后端被導(dǎo)引經(jīng)過(guò)所述端子、所述被固定層和所述第二隧道勢(shì)壘進(jìn)入所述條帶的所述第二端時(shí)，所述檢測(cè)層上的所述導(dǎo)電層與所述導(dǎo)電襯底之間的電阻變化的檢測(cè)將指示在所述傳感器的所述檢測(cè)端外磁場(chǎng)的存在。
2.如權(quán)利要求1所述的傳感器，還包括與所述被固定層交換耦合的反鐵磁層，用于基本防止在存在關(guān)注范圍內(nèi)的外磁場(chǎng)時(shí)所述被固定層的磁化方向的轉(zhuǎn)動(dòng)，所述反鐵磁層位于所述被固定層與所述端子之間。
3.如權(quán)利要求1所述的傳感器，還包括所述檢測(cè)層與所述導(dǎo)電層之間的非磁間隔層。
4.如權(quán)利要求1所述的傳感器，還包括在所述傳感器的所述后端處所述條帶的所述第二端與所述導(dǎo)電襯底之間的導(dǎo)電接觸層，由此當(dāng)電流被引導(dǎo)通過(guò)所述端子、所述被固定層和所述第二隧道勢(shì)壘進(jìn)入所述條帶的所述第二端時(shí)，其經(jīng)過(guò)所述接觸層進(jìn)入所述襯底。
5.如權(quán)利要求4所述的傳感器，還包括電耦接到所述端子和所述襯底的電流供應(yīng)電路。
6.如權(quán)利要求1所述的傳感器，還包括電耦接到所述端子和所述條帶的所述第二端的電流供應(yīng)電路。
7.如權(quán)利要求1所述的傳感器，還包括電耦接到所述傳感器的所述檢測(cè)端處所述檢測(cè)層上的所述導(dǎo)電層以及電耦接到所述襯底的電阻檢測(cè)電路。
8.如權(quán)利要求1所述的傳感器，其中所述傳感器是用于從磁記錄介質(zhì)讀取磁記錄數(shù)據(jù)的磁致電阻讀頭，其中所述襯底是由導(dǎo)磁材料形成的第一屏蔽件S1，所述檢測(cè)層上的所述導(dǎo)電層是由導(dǎo)磁材料形成的第二屏蔽件S2，在所述讀頭的所述檢測(cè)端處S1與S2之間的間隔定義讀間隙。
9.如權(quán)利要求8所述的傳感器，其中所述第一電絕緣體是S1上的第一間隙層G1，且其中所述讀間隙中沒有第二間隙層G2。
10.如權(quán)利要求8所述的傳感器，其中在所述讀頭的所述后端處S1與S2之間的間距大于所述讀間隙。
11.一種基于自旋累積效應(yīng)的磁致電阻讀頭，用于從磁記錄介質(zhì)讀取磁記錄數(shù)據(jù)，所述頭具有用于面向所述介質(zhì)的檢測(cè)端以及從所述檢測(cè)端凹進(jìn)的后端，所述頭包括頭載具，其具有基本平坦的襯底；第一磁屏蔽件S1，其在所述襯底上；第一電絕緣間隙層G1，其在S1上；導(dǎo)電條帶，其在G1上且具有在所述檢測(cè)端的第一端以及在所述后端的第二端；第一隧道勢(shì)壘，其在所述頭的所述檢測(cè)端處位于所述條帶上；自由鐵磁層，其在所述第一隧道勢(shì)壘上并且具有在不存在來(lái)自所述介質(zhì)的磁場(chǎng)時(shí)基本沿第一方向取向且在存在來(lái)自所述介質(zhì)的磁場(chǎng)時(shí)基本自由轉(zhuǎn)動(dòng)的面內(nèi)磁化方向；所述自由層上的非磁間隔層；所述自由層上的第二磁屏蔽件S2；第二隧道勢(shì)壘，其在所述頭的所述后端處位于所述條帶上；被固定鐵磁層，其在所述第二隧道勢(shì)壘上并且具有沿與所述第一方向基本直交的第二方向取向且當(dāng)存在來(lái)自所述介質(zhì)的磁場(chǎng)時(shí)基本被阻止轉(zhuǎn)動(dòng)的面內(nèi)磁化方向；反鐵磁釘扎層，其與所述被釘扎層交換耦合，用于基本防止所述被釘扎層的所述磁化方向的轉(zhuǎn)動(dòng)；以及電端子，其在所述釘扎層上，所述端子與S2電絕緣；由此當(dāng)電流在所述頭的所述后端被引導(dǎo)經(jīng)過(guò)所述端子、所述釘扎層、所述被釘扎層和所述第二隧道勢(shì)壘進(jìn)入所述條帶的所述第二端時(shí)，S2與S1之間的電阻變化的檢測(cè)指示在所述頭的所述檢測(cè)端處來(lái)自所述介質(zhì)的磁場(chǎng)的存在。
12.如權(quán)利要求11所述的頭，還包括在所述頭的所述后端在所述條帶的所述第二端與S1之間的導(dǎo)電接觸層，由此當(dāng)電流被引導(dǎo)經(jīng)過(guò)所述端子、所述釘扎層、所述被釘扎層和所述第二隧道勢(shì)壘進(jìn)入所述條帶的所述第二端時(shí)，其通過(guò)所述接觸層進(jìn)入S1。
13.如權(quán)利要求12所述的頭，還包括在所述頭的所述后端電耦接到所述端子和S1的電流供應(yīng)電路。
14.如權(quán)利要求11所述的頭，還包括在所述頭的所述后端電耦接到所述端子和所述條帶的所述第二端的電流供應(yīng)電路。
15.如權(quán)利要求11所述的頭，其中S2延伸到所述頭的所述后端，且還包括在所述頭的所述后端電耦接到S2和S1的電阻檢測(cè)電路。
16.如權(quán)利要求15所述的頭，其中在所述讀頭的所述后端處S1與S2之間的間距大于在所述頭的所述檢測(cè)端處S1與S2之間的間距。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種基于自旋累積效應(yīng)的盤驅(qū)動(dòng)器磁致電阻(MR)讀頭，其在讀間隙中沒有電端子和相關(guān)的絕緣層。自旋累積型MR讀頭具有位于下磁屏蔽件上絕緣層上的導(dǎo)電條帶，該條帶具有在頭的檢測(cè)端的面向盤的第一端以及在頭的后端從所述檢測(cè)端凹進(jìn)的第二端。在頭的檢測(cè)端，上磁屏蔽件位于自由層上而沒有絕緣層。在頭的后端電阻檢測(cè)電路電耦接到上屏蔽件和下屏蔽件。在頭的后端，電端子位于被固定層上且與上屏蔽件電絕緣。在頭的后端，電流供應(yīng)電路電耦接到端子和下屏蔽件。
文檔編號(hào)G01R33/09GK1866566SQ200610082730
公開日2006年11月22日 申請(qǐng)日期2006年5月15日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月17日
發(fā)明者馬修·J·卡里, 布魯斯·A·格尼 申請(qǐng)人:日立環(huán)球儲(chǔ)存科技荷蘭有限公司