專利名稱：檢查用探測器及檢查用探測器的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種檢查用探測器(inspection probe)以及檢查用探測器的制造方法。
背景技術：
在半導體加工工序中，在半導體晶片上形成多個IC芯片的情況下，直接對半導體晶片(未切斷半導體晶片)每一個IC芯片進行各種電特性的檢查并對劣質(zhì)產(chǎn)品進行篩選。
如特開2001-289874號公報、或特開2004-294063號公報所公開的那樣，在該檢查中通常使用探測器裝置。
一般，探測器裝置，是使探針板(probe card)的探針接觸半導體晶片上的各IC芯片所具有的電極端子，通過由探針施加規(guī)定的電壓而進行各IC芯片的導通試驗等的電氣檢查的。
在此，特開2001-289874號公報所公開的探測器具備多個由鎢(W)或錸鎢(ReW)構(gòu)成的探針。
另外，特開2004-294063號公報所公開的探測器具備多個由Ni、Be、Cu、Ti組成的合金所構(gòu)成的探針。
然而，在上述的現(xiàn)有技術中存在著以下敘述的問題。
近年，伴隨著半導體裝置的進一步高精細化，半導體裝置的輸入端子以及輸出端子間距變得較小(窄)。
由此，有必要使探針板的探針的間距也變小(窄)。
但是，在上述的現(xiàn)有技術的多個探針中，將探針的間距變窄是困難的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決所述問題而做出的，其目的在于，提供一種即使在半導體裝置的輸入端子以及輸出端子的間距變窄的情況下，仍能根據(jù)窄小的間距良好地檢查半導體裝置的、檢查用探測器以及該檢查用探測器的制造方法。
為了達到所述目的，本發(fā)明提供以下的手段。
本發(fā)明的檢查用探測器，用于對具有多個輸入端子和多個輸出端子的半導體裝置進行檢查，包括具有第1面和第2面的基板；輸入突起部，其由樹脂構(gòu)成，形成在所述基板的所述第1面，且與所述半導體裝置的多個所述輸入端子的排列對應而形成；輸出突起部，其由樹脂構(gòu)成，形成在所述基板的所述第1面，且與所述半導體裝置的多個所述輸出端子的排列對應而形成；多個輸入接觸部，形成在所述輸入突起部上，分別與所述半導體裝置的多個所述輸入端子的每一個接觸；多個輸出接觸部，形成在所述輸出突起部上，分別與所述半導體裝置的多個所述輸出端子的每一個接觸；多個輸入導電部，形成在所述基板的第1面上的與形成有所述輸入突起部的區(qū)域不同的區(qū)域，分別與多個所述輸入接觸部的每一個電連接；和多個輸出導電部，形成在所述基板的第1面上的與形成有所述輸出突起部的區(qū)域不同的區(qū)域，分別與多個所述輸出接觸部的每一個電連接。
在本發(fā)明涉及的檢查用探測器中，由于在突起部上形成輸入接觸部以及輸出接觸部，在基板上形成輸入導電部和輸出導電部，從而，應用半導體器件制造技術而可獲得微細的接觸部和導電部。
由此，能夠?qū)崿F(xiàn)與半導體裝置特別是輸出端子的間距的窄小化對應、具備微細的導電部的檢查用探測器。
再有，本發(fā)明的檢查用探測器，適于對一方的邊側(cè)備有輸入端子、另一方的邊側(cè)備有輸出端子的半導體裝置進行檢查。
在輸入接觸部與半導體裝置的輸入端子接觸、輸出接觸部與半導體裝置的輸出端子接觸的情況下，通過輸入接觸部以及輸出接觸部之下所形成的由樹脂構(gòu)成的輸入突起部以及輸出突起部的彈性作用，能夠使輸入接觸部可靠地接觸半導體裝置的輸入端子；能夠使輸出接觸部可靠地接觸半導體裝置的輸出端子。
由此，通過具備輸入突起部以及輸出突起部的檢查用探測器，能夠較好地對半導體裝置進行檢查。
再有，通過具備輸入導電部以及輸出導電部，在檢查半導體裝置時，易于由輸入導電部對半導體裝置的輸入端子輸入檢查信號等；易于由輸出導電部將檢查信號等從半導體裝置的輸出端子取出。
再有，本發(fā)明的檢查用探測器優(yōu)選多個所述輸入接觸部，與所述半導體裝置的多個所述輸入端子的排列方向?qū)帕行纬桑欢鄠€所述輸出接觸部，與所述半導體裝置的多個所述輸出端子的排列方向?qū)帕行纬桑欢鄠€所述輸入導電部的每一個被形成為與多個所述輸入接觸部的每一個對應；多個所述輸出導電部的每一個被形成為與多個所述輸出接觸部的每一個對應。
在本發(fā)明涉及的檢查用探測器中，由于多個輸入接觸部被形成為與半導體裝置的多個輸入端子的排列方向?qū)欢鄠€輸出接觸部被形成為與半導體裝置的多個輸出端子的排列方向?qū)?，從而，通過使多個輸入接觸部的每一個接觸半導體裝置的多個輸入端子的每一個；使多個輸出接觸部的每一個接觸半導體裝置的多個輸入端子的每一個，能夠較好地對半導體裝置進行檢查。
再有，由于輸入導電部與輸入接觸部對應而形成在基板上；輸出導電部與輸出接觸部對應而形成在基板上，故通過輸入導電部以及輸出導電部，使得對半導體裝置輸入檢查信號等、或從半導體裝置取出檢查信號變得容易。
再有，本發(fā)明的檢查用探測器，作為優(yōu)選，所述輸入突起部，在多個所述輸入接觸部的排列方向延伸；所述輸出突起部，在多個所述輸出接觸部的排列方向延伸。
本發(fā)明涉及的檢查用探測器中，由于所述輸入突起部，在多個所述輸入接觸部的排列方向延伸；所述輸出突起部，在多個所述輸出接觸部的排列方向延伸，從而，能夠?qū)⒍鄠€輸入接觸部形成在相同的突起部上；能夠?qū)⒍鄠€輸出接觸部形成在相同的突起部上。
由此，能使多個輸入接觸部的每一個距基板的高度幾乎均等；能使多個輸出接觸部的每一個距基板的高度幾乎均等。
其結(jié)果，能夠使多個輸入接觸部的每一個可靠地接觸半導體裝置的多個輸入端子的每一個；能夠使多個輸出接觸部的每一個可靠地接觸半導體裝置的多個輸出端子的每一個。
再有，本發(fā)明的檢查用探測器，作為優(yōu)選，從多個所述輸入接觸部排列的方向觀察，所述輸入突起部的截面形狀是從所述基板的所述第1面突出的圓弧狀；從多個所述輸出接觸部排列的方向觀察，所述輸出突起部的截面形狀是從所述基板的所述第1面突出的圓弧狀。
在本發(fā)明涉及的檢查用探測器中，由于多個輸入接觸部的每一個形成在剖面視為圓弧狀的輸入突起部的表面，多個輸出接觸部的每一個形成在剖面視為圓弧狀的輸出突起部的表面，故能使多個輸入接觸部的每一個較好地接觸半導體裝置的輸入端子，能使多個輸出接觸部的每一個較好地接觸半導體裝置的輸出端子。
再有，由于輸入突起部以及輸出突起部的表面被形成為剖面視為圓弧狀，故在將多個輸入接觸部的每一個形成在輸入突起部的表面時，能夠較好地密接；在將多個輸出接觸部的每一個形成在輸出突起部的表面時，能夠較好地密接。
再有，本發(fā)明的檢查用探測器，作為優(yōu)選，在所述輸入突起部的表面中的與形成多個所述輸入接觸部的區(qū)域不同的區(qū)域、和在所述輸出突起部的表面中的與形成多個所述輸出接觸部的區(qū)域不同的區(qū)域，形成凹部。
在本發(fā)明涉及的檢查用探測器中，由于在輸入突起部的表面中的與形成有多個輸入接觸部的區(qū)域不同的區(qū)域形成有凹部，換言之，由于多個輸入接觸部的每一個之間的區(qū)域發(fā)生凹陷，故在多個輸入接觸部的每一個與半導體裝置的多個輸入端子的每一個接觸的情況下，輸入接觸部的基底即輸入突起部易于產(chǎn)生撓曲形變。
再有，同樣地，由于在輸出突起部的表面中的與形成有多個輸出接觸部的區(qū)域不同的區(qū)域形成有凹部，換言之，由于多個輸出接觸部的每一個之間的區(qū)域發(fā)生凹陷，故在多個輸出接觸部的每一個與半導體裝置的多個輸出端子的每一個接觸的情況下，輸出接觸部的基底即輸出突起部易于產(chǎn)生撓曲形變。
由此，通過該撓曲形變，輸入接觸部能與半導體裝置的輸入端子較好地接觸；輸出接觸部能與半導體裝置的輸出端子較好地接觸；進而，能夠防止相互相鄰的多個輸入接觸部的短路、或相互相鄰的多個輸出接觸部的短路。
再有，本發(fā)明的檢查用探測器，作為優(yōu)選，包括多個輸入導通部，分別與多個所述輸入導電部的每一個電連接，并從所述基板的所述第1面貫通到所述第2面；多個輸出導通部，分別與多個所述輸出導電部的每一個電連接，并從所述基板的所述第1面貫通到所述第2面；多個輸入連接導電部，形成在所述基板的所述第2面，分別與多個所述輸入導通部的每一個電連接；和多個輸出連接導電部，形成在所述基板的所述第2面，分別與多個所述輸出導通部的每一個電連接。
在本發(fā)明涉及的檢查用探測器中，多個輸入接觸部的每一個，介由多個輸入導通部的每一個，與形成于基板的第2面的多個輸入連接導電部的每一個電連接。
另外，多個輸出接觸部的每一個，介由多個輸出導通部的每一個，與形成于基板的第2面的多個輸出連接導電部的每一個電連接。
由此，在使輸入突起部與半導體裝置的輸入端子對向來檢查半導體裝置時，能夠從與半導體裝置的輸入端子對向的面(第1面)不同的面(第2面)，通過輸入連接導電部而將檢查信號等輸入半導體裝置的輸入端子。
再有，在使輸出突起部與半導體裝置的輸出端子對向而檢查半導體裝置時，能夠從與半導體裝置的輸出端子對向的面(第1面)不同的面(第2面)，通過輸出連接導電部而將由半導體裝置輸出的檢查信號等從輸出端子取出。
再有，與輸入連接導電部以及輸出連接導電部形成在基板的第1面的情況相比，檢查信號等的輸入以及取出變得容易，使得半導體裝置100的檢查易于執(zhí)行。
再有，將檢查用探測器安裝于檢查單元時的作業(yè)變得容易。
再有，本發(fā)明的檢查用探測器，作為優(yōu)選，多個所述輸入連接導電部的每一個相鄰的間隔，比多個所述輸入導電部的每一個相鄰的間隔要寬；多個所述輸出連接導電部的每一個相鄰的間隔，比多個所述輸出導電部的每一個相鄰的間隔要寬。
在本發(fā)明涉及的檢查用探測器中，由于多個輸入連接導電部的每一個相鄰的間隔，形成得比基板的第1面上形成的多個所述輸入導電部的每一個相鄰的間隔要寬，所以在檢查半導體裝置時，能夠防止相鄰的輸入導電部彼此的檢查信號等的短路，故能夠正確地進行檢查。
再有，由于多個輸出連接導電部的每一個相鄰的間隔，形成得比基板的第1面上形成的多個輸出導電部的每一個相鄰的間隔要寬，所以在檢查半導體裝置時，能夠防止相鄰的輸出導電部彼此的檢查信號等的短路，故能夠正確地進行檢查。
由此，能夠?qū)⒍鄠€輸入導電部以及多個輸出導電部形成為窄間距。
再有，本發(fā)明的檢查探測器，作為優(yōu)選，具有覆蓋多個所述輸入導電部以及多個所述輸出導電部的絕緣層。
在本發(fā)明涉及的檢查用探測器中，通過形成覆蓋輸入導電部以及輸出導電部的絕緣層，故能防止輸入導電部與半導體裝置的短路、或輸出導電部與半導體裝置的短路；能防止多個輸入導電部的每一個之間的短路、或多個輸出導電部的每一個之間的短路。
本發(fā)明的檢查用探測器的制造方法，所述檢查用探測器用于對具有多個輸入端子和多個輸出端子的半導體裝置進行檢查，該制造方法具有以下步驟準備基板；在所述基板上形成與所述半導體裝置的多個所述輸入端子的排列對應、且由樹脂構(gòu)成的輸入突起部；在所述基板上形成與所述半導體裝置的多個所述輸出端子的排列對應、且由樹脂構(gòu)成的輸出突起部；在所述輸入突起部上形成多個輸入接觸部；在所述輸出突起部上形成多個輸出接觸部；
在所述基板上的與形成有所述輸入突起部的區(qū)域不同的區(qū)域，形成多個輸入導電部；在所述基板上的與形成有所述輸出突起部的區(qū)域不同的區(qū)域，形成多個輸出導電部。
在本發(fā)明涉及的檢查用探測器的制造方法中，由于在基板上形成輸入突起部以及輸出突起部之后，形成多個輸入接觸部以及多個輸出接觸部，從而，應用半導體器件制造技術則可獲得微細的接觸部和導電部。
由此，能夠?qū)崿F(xiàn)與半導體裝置特別是輸出端子的間距的窄小化對應、具備微細的接觸部和導電部的檢查用探測器。
再有，輸入接觸部以及輸出接觸部，在分別與半導體裝置的輸入端子以及輸出端子接觸的情況下，通過所配置的作為輸入接觸部以及輸出接觸部的基底的由樹脂構(gòu)成的輸入突起部以及輸出突起部的彈性作用，能夠可靠地與半導體裝置的輸入端子以及輸出端子接觸。
由此，通過具備輸入突起部以及輸出突起部的檢查用探測器，能夠較好地對半導體裝置進行檢查。
再有，本發(fā)明的檢查用探測器的制造方法，作為優(yōu)選，通過半蝕刻法，除去所述輸入突起部的表面中與形成多個所述輸入接觸部的區(qū)域不同的區(qū)域而形成凹部；除去所述輸出突起部的表面中與形成多個所述輸出接觸部的區(qū)域不同的區(qū)域而形成凹部；多個所述輸入接觸部，與所述半導體裝置的多個所述輸入端子的排列方向?qū)帕行纬?；多個所述輸出接觸部，與所述半導體裝置的多個所述輸出端子的排列方向?qū)帕行纬伞?br> 在本發(fā)明涉及的檢查用探測器的制造方法中，由于在輸入突起部的表面中的與形成有多個輸入接觸部的區(qū)域不同的區(qū)域形成有凹部，換言之，由于多個輸入接觸部的每一個之間的區(qū)域發(fā)生凹陷，故在多個輸入接觸部的每一個與半導體裝置的多個輸入端子的每一個接觸的情況下，輸入接觸部的基底即輸入突起部易于產(chǎn)生撓曲形變。
而且，同樣地，由于在輸出突起部的表面中的與形成有多個輸出接觸部的區(qū)域不同的區(qū)域形成有凹部，換言之，由于多個輸出接觸部的每一個之間的區(qū)域發(fā)生凹陷，故在多個輸出接觸部的每一個與半導體裝置的多個輸出端子的每一個接觸的情況下，輸出接觸部的基底即輸出突起部易于產(chǎn)生撓曲形變。
由此，通過該撓曲形變，輸入接觸部能與半導體裝置的輸入端子較好地接觸；輸出接觸部能與半導體裝置的輸出端子較好地接觸；進而，能夠防止相互相鄰的多個輸入接觸部的短路、或相互相鄰的多個輸出接觸部的短路。
再有，通過調(diào)節(jié)蝕刻時間，能夠?qū)疾啃纬蔀槠谕纳疃取?br> 由此，通過簡易的方法，能夠在輸入突起部以及輸出突起部形成凹部，能夠使輸入接觸部以及輸出接觸部較好地接觸半導體裝置的輸入端子以及輸出端子。
再有，本發(fā)明的檢查用探測器的裝置方法，優(yōu)選所述輸入突起部以及所述輸出突起部由感光性樹脂構(gòu)成。
在本發(fā)明涉及的檢查用探測器的制造方法中，利用感光性樹脂，通過光刻法等，能夠高精度地形成輸入突起部以及輸出突起部。
再有，通過曝光、顯影或改變固化條件等，能夠獲得由樹脂構(gòu)成的期望形狀的輸入突起部以及輸出突起部。
再有，本發(fā)明的檢查用探測器的制造方法，作為優(yōu)選，通過液滴噴出法將含有樹脂材料的功能液噴出到所述基板上，而在所述基板上形成所述輸入突起部以及所述輸出突起部。
在本發(fā)明涉及的檢查用探測器的制造方法中，由于通過液滴噴出法正確地噴出含有樹脂的功能液，所以能形成期望形狀的輸入突起部以及輸出突起部。
由此，也沒有材料的浪費，所以可謀求制造成本的降低。
再有，本發(fā)明的檢查用探測器的制造方法，作為優(yōu)選，多個所述輸入接觸部、多個所述輸入導電部、多個所述輸出接觸部、以及多個所述輸出導電部，通過濺射法或鍍覆法而形成。
在本發(fā)明涉及的檢查用探測器的制造方法中，通過利用濺射法或鍍覆法，能夠在基板上的所定位置高精度且窄間距地形成多個輸入接觸部、多個輸入導電部、多個輸出接觸部、以及多個輸出導電部。
再有，本發(fā)明的檢查用探測器的制造方法，作為優(yōu)選，通過液滴噴出法在所述基板上形成多個所述輸入接觸部、多個所述輸入導電部、多個所述輸出接觸部、以及多個所述輸出導電部。
在本發(fā)明涉及的檢查用探測器的制造方法中，由于能通過液滴噴出法在所定位置形成多個輸入接觸部、多個輸入導電部、多個輸出接觸部、以及多個輸出導電部，從而控制材料的浪費而能謀求制造成本的降低。
再有，本發(fā)明的檢查用探測器的制造方法，作為優(yōu)選，準備母材基板，在所述母材基板上形成分別與多個所述檢查用探測器的每一個對應的多個探測器形成區(qū)域，并以每一個所述區(qū)域切斷母材基板，從而獲得多個單片化的檢查用探測器。
在本發(fā)明涉及的檢查用探測器的制造方法中，在母材基板上同時形成多個探測器形成區(qū)域之后，通過以每一個區(qū)域切斷母材基板，從而獲得單片化的多個檢查用探測器。
由此，能夠高效地制造多個檢查用探測器，能夠?qū)崿F(xiàn)檢查用探測器的制造成本的降低。


圖1是表示本發(fā)明的檢查用探測器以及半導體晶片的立體圖。
圖2是表示本發(fā)明的檢查用探測器的第1實施方式的立體圖。
圖3是將圖2的檢查用探測器從Y側(cè)進行觀察的截面圖。
圖4是圖3的檢查用探測器的A-A向視的截面圖。
圖5是硅晶片的截面圖；是用于對檢查用探測器的制造工序的一例進行說明的圖。
圖6是硅晶片的截面圖；是用于對檢查用探測器的制造工序的一例進行說明的圖。
圖7是表示本發(fā)明的檢查用探測器的第2實施方式的俯視圖；是表示輸入導電部以及輸出導電部的俯視圖。
圖8是表示成為檢查對象的半導體裝置的一例的截面圖。
具體實施例方式
以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。
另外，在以下的說明中，設定XYZ正交坐標系；參照該XYZ坐標系對各部件的位置關系進行說明。
于是，將水平面內(nèi)的規(guī)定方向設為X軸方向；將水平面內(nèi)與X軸方向正交的方向設為Y軸方向；將與X軸方向以及Y軸方向分別正交的方向(即垂直方向)設為Z軸方向。
(檢查用探測器的第1實施方式)參照附圖，對檢查用探測器1的一實施方式進行說明。
圖1，表示作為由本發(fā)明的檢查用探測器檢查的檢查對象的半導體裝置100；也是表示形成在半導體晶片上的多個半導體裝置100通過探測器1進行檢查的狀態(tài)的立體圖。
圖2是本實施方式涉及的檢查用探測器1的立體圖。
圖3是從Y軸方向觀察檢查用探測器1的側(cè)截面圖。
圖4是從X軸方向觀察檢查用探測器1的側(cè)截面圖。
檢查用探測器1，檢查具有輸入端子101以及輸出端子102的半導體裝置100。
檢查用探測器1，從輸入端子101將檢查信號等輸入半導體裝置100，從半導體裝置100的輸出端子102取出檢查信號等，對半導體裝置100的短路或斷線、特性等進行檢查。
如圖1所示，半導體裝置100，以多個排列的方式形成在半導體晶片上。
再有，多個半導體裝置100，在半導體晶片上由交界線100a、100b劃分。
半導體裝置100的輸入端子101，沿交界線100a而形成；輸出端子102，沿與交界線100a對向的交界線100b而形成。
再有，半導體裝置100的多個輸入端子101的每一個，例如如圖1所示那樣是正方形狀。
半導體裝置100的多個輸出端子102的每一個，例如朝向輸入端子101而為長的長方形狀。
多個輸出端子102的每一個的間隔，比多個輸入端子101的每一個的間隔要窄。
如圖2所示，檢查用探測器1具有硅基板(基板)2、輸入突起部11、輸出突起部21、多個輸入布線部12、以及多個輸出布線部22。
輸入突起部11以及輸出突起部21形成在硅基板2的第1面2a上，并與半導體裝置100的多個輸入端子101的排列方向、和多個輸出端子102的排列方向?qū)?br> 而且，輸入突起部11以及輸出突起部21的材料是樹脂。
在檢查時，多個輸入布線部12分別與半導體裝置100的多個輸入端子101的每一個接觸；多個輸出端子102分別與半導體裝置100的多個輸出布線部22的每一個接觸。
多個輸入布線部12的每一個被構(gòu)成為包括輸入接觸(contact)部13和輸入導電部14。
另外，多個輸出布線部22的每一個被構(gòu)成為包括輸出接觸部23和輸出導電部24。
輸入接觸部13形成在硅基板2上的輸入突起部11的表面。
輸出接觸部23形成在硅基板2上的輸出突起部21的表面。
輸入導電部14，形成在硅基板2的第1面2a上的、與形成有輸入突起部11的區(qū)域不同的區(qū)域。
輸出導電部24，形成在硅基板2的第1面2a上的、與形成有輸出突起部21的區(qū)域不同的區(qū)域。
如圖2以及圖3所示，檢查用探測器1的多個輸入接觸部13被形成為排列在半導體裝置100的多個輸入端子101的排列方向。
檢查用探測器1的多個輸出接觸部23被形成為排列在半導體裝置100的多個輸出端子102的排列方向。
而且，多個輸入接觸部13的每一個被形成為與多個輸入端子101的每一個對應。
多個輸出接觸部23的每一個被形成為與多個輸出端子102的每一個對應。
即，多個輸入接觸部13的每一個的間隔(距離，檢查用探測器1的輸入接觸部13的間距)，與半導體裝置100的多個輸入端子101的每一個的間隔(間距)對應。
多個輸出接觸部23的每一個的間隔(距離，檢查用探測器1的輸出接觸部23的間距)，與半導體裝置100的多個輸出端子102的每一個的間隔(間距)對應。
另外，輸入導電部14，與輸入接觸部13的每一個對應而形成了多個。
輸入導電部14的每一個與輸入接觸部13的每一個連接，在形成于硅基板2的表面氧化膜31上的、與形成輸入突起部11的區(qū)域不同的區(qū)域，以朝X軸方向延伸、在Y軸方向多個排列的方式而形成多個輸入導電部14。
另外，輸出導電部24，與輸出接觸部23的每一個對應而形成了多個。
輸出導電部24的每一個，與輸出接觸部23的每一個連接，且在形成于硅基板2的表面氧化膜31上的、與形成輸出突起部21的區(qū)域不同的區(qū)域，以朝X軸方向延伸、在Y軸方向多個排列的方式而形成。
具體而言，如圖2所示，多個輸入導電部14的每一個被形成為間距朝+X方向增寬。
形成于輸入突起部11上的多個輸入接觸部13的每一個之間的間距例如是100μm。在第1面2a上的硅基板2的端面2c側(cè)形成的多個輸入導電部14的每一個之間的間距為100μm以上。
另外，多個輸出導電部24的每一個，也與輸入導電部14同樣地形成為間距朝-X方向增寬。
形成于輸出突起部21上的多個輸出接觸部23的每一個之間的間距例如是10～50μm。于第1面2a上的硅基板2的端面2c的相反側(cè)的端面2d側(cè)形成的多個輸出導電部24的每一個之間的間距為50μm以上。
輸入接觸部13、輸出接觸部23、輸入導電部14、以及輸出導電部24的材料，可以列舉出金(Au)、銅(Cu)、銀(Ag)、鈦(Ti)、鎢(W)、鈦鎢(TiW)、氮化鈦(TiN)、鎳(Ni)、鎳釩(NiV)、鉻(Cr)、鋁(Al)、鈀(Pd)等。
再有，輸入布線部12以及輸出布線部22的結(jié)構(gòu)，也可以是由上述材料構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)；也可以是使多個材料層疊的層疊結(jié)構(gòu)。
如圖2以及圖3所示，輸入突起部11以及輸出突起部21，形成在硅基板2上的幾乎中央部、并朝Y軸方向延伸。
而且，輸入突起部11，支撐多個輸入接觸部13的每一個。
而且，輸出突起部21，支撐多個輸出接觸部23的每一個。
在此，如果從輸入接觸部13以及輸出接觸部23排列的方向(Y方向)進行觀察，輸入突起部11以及輸出突起部21被形成為其剖面視為圓弧狀，使朝硅基板2的垂直方向、即朝+Z方向突出。
由此，輸入突起部11以及輸出突起部21的表面具有曲面。
再有，如圖4所示，輸出突起部21的表面中的、與形成有多個輸出接觸部23的區(qū)域不同的區(qū)域產(chǎn)生凹陷。多個輸出接觸部23的每一個之間形成有凹部3D。
還有，圖4中表示了輸出突起部21的截面，但輸入突起部11的截面中也同樣地形成有凹部3D，且與形成有多個輸入接觸部13的區(qū)域不同的區(qū)域也產(chǎn)生凹陷。
再有，輸入突起部11以及輸出突起部21，由樹脂(合成樹脂)形成。輸入突起部11以及輸出突起部21的材料，也可以是感光性樹脂。
該輸入突起部11以及輸出突起部21的材料，可以列舉出聚酰亞胺樹脂、硅變性(silicon denaturation)聚酰亞胺樹脂、環(huán)氧樹脂、硅變性環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、酚醛樹脂、BCB(benzocyclobutene)以及PBO(polybenzoxazole)等的絕緣材料。
如圖3所示，在硅基板2和輸入導電部14之間、以及硅基板2和輸出導電部24之間，形成有表面氧化膜31。
而且，在硅基板2和輸入突起部11之間、以及硅基板2和輸出突起部21之間，也形成有表面氧化膜31。
而且，在硅基板2中的第1面2a的相反側(cè)的第2面2b中，形成有背面氧化膜32。
在與形成有輸入突起部11以及輸出突起部21的區(qū)域不同的區(qū)域中，形成有保護絕緣層(絕緣層)33。
保護絕緣層33，覆蓋輸入導電部14以及輸出導電部24。
輸入導電部14以及輸出導電部24由保護絕緣層33保護。
保護絕緣層33的材料，例如能夠利用感光性樹脂。
如圖3所示，在硅基板2中，形成有從硅基板2的第1面2a貫通到第2面2b的輸入貫通孔51以及輸出貫通孔52。
輸入貫通孔51，與多個輸入導電部14的數(shù)目對應而形成了多個。
而且，輸出貫通孔52，與多個輸出導電部24的數(shù)目對應而形成了多個。
在多個輸入貫通孔51的每一個的內(nèi)部，形成有與輸入導電部14電連接的輸入貫通電極(輸入導通部)53。
而且，在多個輸出貫通孔52的每一個的內(nèi)部，形成有與輸出導電部24電連接的輸出貫通電極(輸出導通部)54。
進一步，如圖1以及圖3所示，多個輸入貫通電極53分別與于硅基板2的第2面2b形成的多個輸入背面導電部(輸入連接導電部)55的每一個電連接。
另外，多個輸出貫通電極54分別與于硅基板2的第2面2b形成的多個輸出背面導電部(輸出連接導電部)56的每一個電連接。
接著，利用由以上的結(jié)構(gòu)構(gòu)成的本實施方式的檢查用探測器1，對半導體裝置100的檢查方法進行說明。
最初，將檢查用探測器1放置到半導體檢查裝置(省略圖示)。
然后，將檢查用探測器1的輸入背面導電部55以及輸出背面導電部56與半導體檢查裝置的布線連接。
然后，使半導體裝置100的輸入端子101和檢查用探測器1的輸入接觸部13對位；也使半導體裝置100的輸出端子102和檢查用探測器1的輸出接觸部23對位。
如圖2所示，使檢查用探測器1的輸入接觸部13的每一個接觸半導體裝置100的輸入端子101；也使檢查用探測器1的輸出接觸部23的每一個接觸半導體裝置100的輸出端子102。
將檢查用探測器1的硅基板2對半導體裝置100按壓。
由此，多個輸入端子101分別與多個輸入接觸部13的每一個密接；多個輸出端子102分別與多個輸出接觸部23的每一個密接；從而獲得電連接。
根據(jù)本實施方式涉及的半導體裝置100的檢查用探測器1，由于硅基板2上形成有輸入布線部12以及輸出布線部22，從而，應用半導體器件制造技術而可獲得微細的輸入布線部12以及輸出布線部22。
由此，即使在半導體裝置100高精細化、輸出端子101以及輸出端子102的間距窄小化的情況下，也能夠?qū)崿F(xiàn)具備與輸入端子101以及輸出端子102的間距的窄小化對應的、微細的輸入接觸部13以及輸出接觸部23的檢查用探測器。
再有，與半導體裝置100的輸入端子101以及輸出端子102直接接觸的輸入接觸部13以及輸出接觸部23，由于被形成在由樹脂構(gòu)成的輸入突起部11以及輸出突起部21上，故在輸入接觸部13以及輸出接觸部23與半導體裝置100的輸入端子101以及輸出端子102接觸時，通過輸入突起部11以及輸出突起部21的彈性作用，可以較好地與半導體裝置100的輸入端子101以及輸出端子102接觸。
再有，多個輸入接觸部13以及多個輸出接觸部23，由于被配置成在Y軸方向上多個排列，以與半導體裝置100的多個輸入端子101以及多個輸出端子102對應，所以使多個輸入接觸部13分別與多個輸入端子101的每一個接觸，使多個輸出接觸部23分別與多個輸出端子102的每一個接觸，從而可以由檢查用探測器1良好地檢查半導體裝置100。
再有，通過利用如銀(Ag)那樣柔軟的材料來作為輸入接觸部13以及輸出接觸部23(輸入布線部12以及輸出布線部22)的材料，可以獲得與半導體裝置100的輸入端子101以及輸出端子102的良好的密接性。
再有，輸入突起部11以及輸出突起部21被形成為沿多個輸入接觸部13以及多個輸出接觸部23的排列方向的Y軸方向而延伸，從而，可以將多個輸入接觸部13形成在輸入突起部11上；也可以將多個輸出接觸部23形成在輸出突起部21上。
由此，能夠抑制多個輸入接觸部13以及多個輸出接觸部23的高度方向相關的位置的零散偏差。
再有，輸入突起部11以及輸出突起部21被形成為剖面視是圓弧狀，從而，能使輸入接觸部13以及輸出接觸部23較好地接觸半導體裝置的輸入端子101以及輸出端子102。
進一步，在將輸入接觸部13形成在輸入突起部11的表面時、或?qū)⑤敵鼋佑|部23形成在輸出突起部21的表面時，能使輸入接觸部13與輸入突起部11的表面較好地密接、也能使輸出接觸部23與輸出突起部21的表面較好地密接。
再有，由于在輸入突起部11的表面中的、多個輸入接觸部13的每一個之間形成有凹部3D，故在輸入接觸部13與半導體裝置100的輸入端子101接觸時，該輸入接觸部13的基底即輸入突起部11產(chǎn)生撓曲形變。
再有，由于在輸出突起部21的表面中的、多個輸出接觸部23的每一個之間形成有凹部3D，故在輸出接觸部23與半導體裝置100的輸出端子102接觸時，該輸出接觸部23的基底即輸出突起部21產(chǎn)生撓曲形變。
由此，通過輸入突起部11以及輸出突起部21的撓曲形變，輸入接觸部13能與輸入端子101較好地接觸；輸出接觸部23能與輸出端子102較好地接觸。
在此，優(yōu)選輸入突起部11以及輸出突起部21的凹部3D的深度為5μm以上。
為此，能夠獲得輸入突起部11以及輸出突起部21的充分的撓曲形變。
進一步，在硅基板2的第2面2b上，形成輸入檢查半導體裝置時的檢查信號等的輸入背面導電部55；和取出檢查信號等的背面導電部56。
多個輸入接觸部13的每一個，介由多個輸入貫通電極53的每一個，與于硅基板2的第2面2b形成的多個輸入背面導電部55的每一個電連接。
而且，多個輸出接觸部23的每一個，介由多個輸出貫通電極54的每一個，與于硅基板2的第2面2b形成的多個輸出背面導電部56的每一個電連接。
由此，在使輸入突起部11與半導體裝置100的輸入端子101對向來檢查半導體裝置100時，能夠從與半導體裝置100的輸入端子101對向的面(第1面2a)不同的面(第2面2b)，通過輸入背面導電部55將檢查信號等輸入到半導體裝置100的輸入端子101。
再有，在使輸出突起部21與半導體裝置100的輸出端子102對向來檢查半導體裝置100時，能夠從與半導體裝置100的輸出端子102對向的面(第1面2a)不同的面(第2面2b)，通過輸出背面導電部56將由半導體裝置100輸出的檢查信號等從輸出端子102取出。
再有，與輸入背面導電部55以及輸出背面導電部56形成在硅基板2的第1面2a的情況相比，檢查信號等的輸入以及取出變得容易，使得半導體裝置100的檢查易于執(zhí)行。
再有，將檢查用探測器安裝于檢查單元時的作業(yè)變得容易。
再有，由于在硅基板2的第1面2a，形成有覆蓋輸入導電部14以及輸出導電部24的保護絕緣層33，故能防止輸入導電部14以及輸出導電部24與半導體裝置100等的短路、或輸入導電部14以及輸出導電部24相互之間的短路。
(檢查用探測器的制造方法)接著，參照圖5以及圖6，對制造檢查用探測器1的方法進行說明。
檢查用探測器1的制造方法，是在硅晶片等的母材基板上，形成成為檢查用探測器1的多個探測器形成區(qū)域，并以每一個該區(qū)域切斷母材基板，從而制造多個單片化的檢查用探測器1。
由此，能將多個檢查用探測器1同時、一并形成在母材基板上。
以下，對檢查探測器的制造方法進行詳細敘述。
還有，通過切斷硅晶片200獲得多個硅基板2，從而制造多個檢查用探測器1。
由此，在硅晶片200中，對與構(gòu)成上述檢查探測器1的部位相同的部分付與相同的符號。
首先，如圖5A所示，準備作為母材基板的硅晶片200。
接著，分別形成從硅晶片200的第1面2a貫通到第2面2b的輸入貫通孔51以及輸出貫通孔52。
這些輸入貫通孔51以及輸出貫通孔52，通過機械加工以外的激光加工、干蝕刻法、濕蝕刻法、或?qū)⑦@些并用的方法而形成。
接著，如圖5B所示，通過將硅晶片200熱氧化處理，在硅晶片200的第1面2a形成表面氧化膜31；在第2面2b形成背面氧化膜32；在輸入貫通孔51以及輸出貫通孔52的內(nèi)壁形成絕緣層34。
為此，硅晶片200所露出的全部的面具有電絕緣性。
接著，利用電化學電鍍(ECP)法，對輸入、輸出貫通孔51、52的內(nèi)側(cè)施行鍍覆處理，形成導電性材料，以填埋該輸入貫通孔51以及輸出貫通孔52。
該導電性材料，是輸入貫通電極53以及輸出貫通電極54的材料。
作為輸入貫通電極53以及輸出貫通電極54的材料，例如可以利用銅(Cu)。
由此，使銅(Cu)埋入輸入貫通孔51以及輸出貫通孔52。
為此，如圖5C所示，在形成輸入貫通電極53以及輸出貫通電極54的同時，在硅晶片200的第2面2b上，形成與輸入貫通電極53電連接的輸入背面導電部55；也形成與輸出貫通電極54電連接的輸出背面導電部56。
還有，作為輸入、輸出貫通電極53、54的形成方法，不限于所述的方法，也可以埋入導電膏、熔融金屬、金屬線等。
接著，如圖6A所示，為了形成輸入突起部11以及輸出突起部21，在表面氧化膜31上的所定區(qū)域配置樹脂。
在硅晶片200上，輸入突起部11以及輸出突起部21在規(guī)定方向(Y軸方向)上延伸。
而且，輸入突起部11以及輸出突起部21的截面形狀，從Y方向觀察呈圓弧狀。
在本實施方式中，利用液滴噴出法(ink jet法)形成輸入突起部11以及輸出突起部21。
在液滴噴出法中，如圖6A所示，含有用于形成輸入突起部11以及輸出突起部21的樹脂的功能液的液滴3B，從液滴噴頭(inkjet head)50噴出到硅晶片200(表面氧化膜31)上。
由此，在硅晶片200上，形成輸入突起部11以及輸出突起部21，它們的表面從硅晶片200突出并且剖面視為圓弧狀(距表面氧化膜31的高度為5μm～30μm)。
通過利用液滴噴出法形成輸入突起部11以及輸出突起部21，能夠節(jié)制浪費材料而有效地形成輸入突起部11以及輸出突起部21。
接著，如圖6B所示，分別在輸入突起部11以及輸出突起部21上以及表面氧化膜31上，形成包括輸入接觸部13以及輸出接觸部23、輸入導電部14以及輸出導電部24的輸入布線部12以及輸出布線部22。
輸入布線部12以及輸出布線部22，能夠利用濺射法、鍍覆法或液滴噴出法(ink jet法)而形成。
在本實施方式中，利用濺射法形成輸入布線部12以及輸出布線部22。
首先，利用濺射法將TiW、Au等的金屬膜形成(層疊)在硅晶片200上。
其后，利用公知的光刻法以及蝕刻法，將抗蝕膜圖案化。
其后，通過抗蝕膜的開口部對金屬膜進行蝕刻。
其后，除去抗蝕膜。
由此，如圖6B所示，在輸入突起部11上，與半導體裝置100的輸入端子101對應的多個輸入接觸部13被形成為排列在輸入突起部11的長度方向上。
而且，在輸出突起部21上，與半導體裝置100的輸出端子102對應的多個輸出接觸部23被形成為排列在輸出突起部21的長度方向上。
在此，在多個輸入接觸部13的每一個之間，輸入突起部11的表面露出。
另外，在硅晶片200上，與形成輸入突起部11以及輸出突起部21的區(qū)域不同的區(qū)域，形成與輸入接觸部13電連接的輸入導電部14；也形成與輸出接觸部23電連接的輸出導電部24。
接著，通過對輸入突起部11以及輸出突起部21施行O2等離子體處理，將輸入接觸部13以及輸出接觸部23作為掩模，選擇性地半蝕刻與形成有輸入接觸部13以及輸出接觸部23不同的區(qū)域(露出的區(qū)域)。
為此，如圖4所示，在多個輸入接觸部13的每一個之間、以及多個輸出接觸部23的每一個之間形成凹部3D。
接著，如圖6C所示，形成保護絕緣層33以覆蓋輸入導電部14以及輸出導電部24。
于是，如圖6D所示，以每一個成為檢查用探測器1的探測器形成區(qū)域，切斷硅晶片200。
這樣，將多個檢查用探測器1幾乎同時地形成在硅晶片200上，并通過切斷硅晶片200，可以獲得圖3所示那樣的單片化的多個檢查用探測器1。
這樣，能夠有效地制造多個檢查用探測器1，并能夠?qū)崿F(xiàn)檢查用探測器1的低成本化。
還有，本發(fā)明的技術范圍并非限定于所述實施方式，可在不超越本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)進行種種的變更。
例如，代替與輸入貫通電極53電連接的輸入背面導電部55，也可以如圖7所示那樣形成輸入連接導電部61。
而且，多個輸入連接導電部61的每一個的間隔，也可以形成得朝硅基板2的內(nèi)側(cè)增寬。
這時，多個輸入連接導電部61的每一個的間隔，比多個輸入導電部14的每一個的間隔要寬。
另外，代替與輸出貫通電極54電連接的輸出背面導電部56，也可以如圖7所示那樣形成輸出連接導電部62。
于是，多個輸出連接導電部62的每一個的間隔，也可以形成得朝硅基板2的內(nèi)側(cè)增寬。
這時，多個輸出連接導電部62的每一個的間隔，比多個輸出導電部24的每一個的間隔要寬。
在此構(gòu)成中，在檢查半導體裝置100時，由于能夠防止多個輸入連接導電部61的相互間的短路、或多個輸出連接導電部62的相互間的短路，從而能正確地檢查半導體裝置100。
進一步，通過將朝向硅基板2的表面內(nèi)側(cè)的多個輸入連接導電部61的每一個的間隔、或多個輸出連接導電部62的每一個的間隔形成得較大，使得即使在半導體裝置100的端子是窄間距的情況下，也能實現(xiàn)與該窄間距對應的檢查用探測器1。
再有，能夠?qū)崿F(xiàn)硅基板2的緊湊化可能的檢查用探測器。
再有，作為輸入突起部11以及輸出突起部21的形成方法，并不限于液滴噴出法，例如也可以通過光刻法形成。
在該方法的情況，輸入突起部11以及輸出突起部21是利用感光性樹脂而形成的，并通過曝光、顯影或固化條件等，能夠容易地且高精度地形成剖面視為幾乎圓弧狀的輸入突起部11以及輸出突起部21。
進一步，輸入布線部12以及輸出布線部22通過濺射法而形成，但是并非限于此，例如，也可以是鍍覆法。
在該方法中，在表面氧化膜31上濺射TiW、Au之后，通過涂覆抗蝕膜、并將該抗蝕膜圖案化，形成用于由鍍覆法形成輸入導電部21以及輸出導電部22的抗蝕圖案。
接著，進行Au電解鍍覆，將Au(金)埋入抗蝕圖案，從而，形成輸入布線部12以及輸出布線部22。
其后，進行抗蝕膜的剝離，并進行TiW、Au蝕刻。
再有，也可以將輸入布線部12以及輸出布線部22通過液滴噴出法(inkjet法)而形成。
在該方法的情況，在通過Ag(銀)液滴、對輸入布線部12以及輸出布線部22進行描繪而形成之后，進行燒制，并通過無電解Ni/Au鍍覆而進行成膜。
再有，作為檢查用探測器1的制造方法，是在硅晶片200上形成了輸入貫通孔51以及輸出貫通孔52的，但是，并非限定于此，例如，也可以形成保護絕緣層33以覆蓋輸入導電部14以及輸出導電部24，之后形成輸入貫通孔51以及輸出貫通孔52，并將導電性材料埋入這些貫通孔51、52，形成輸入背面導電部55以及輸出背面導電部56。
再有，如圖1所示，所述檢查用探測器1，適于進行形成有多個半導體裝置100的半導體晶片上的檢查。
再有，作為檢查對象的半導體裝置100的輸入、輸出端子101、102，適于Au凸起(bump)、Ni凸起、焊錫凸起等的金屬凸起的情況。
在輸入接觸部13以及輸出接觸部23，分別與半導體裝置100的輸入端子101以及輸出端子102接觸時，通過輸入突起部11以及輸出突起部21的彈性作用，能夠吸收金屬凸起的高度零散偏差。
由此，能夠使輸入端子101和輸入接觸部13可靠地接觸；也能夠使輸出端子102和輸出接觸部23可靠地接觸。
進一步，代替半導體裝置100的輸入端子101以及輸出端子102，如圖8所示，檢查用探測器1，也適于形成有凸起71的半導體裝置70的檢查，該凸起71具有以樹脂為芯的樹脂芯(core)72。
即如上所述，通過由樹脂構(gòu)成的輸入突起部11的彈性作用，吸收輸入接觸部13和凸起71接觸時的凸起71的彈性，能夠防止在凸起71的表面形成的端子101a的破損。
再有，通過由樹脂構(gòu)成的輸出突起部21的彈性作用，吸收輸出接觸部23和凸起71接觸時的凸起71的彈性，能夠防止在凸起71的表面形成的端子101b的破損。
權(quán)利要求
1.一種檢查用探測器，用于對具有多個輸入端子和多個輸出端子的半導體裝置進行檢查，包括具有第1面和第2面的基板；輸入突起部，其由樹脂構(gòu)成，形成在所述基板的所述第1面，且與所述半導體裝置的多個所述輸入端子的排列對應而形成；輸出突起部，其由樹脂構(gòu)成，形成在所述基板的所述第1面，且與所述半導體裝置的多個所述輸出端子的排列對應而形成；多個輸入接觸部，形成在所述輸入突起部上，分別與所述半導體裝置的多個所述輸入端子的每一個接觸；多個輸出接觸部，形成在所述輸出突起部上，分別與所述半導體裝置的多個所述輸出端子的每一個接觸；多個輸入導電部，形成在所述基板的第1面上的與形成有所述輸入突起部的區(qū)域不同的區(qū)域，分別與多個所述輸入接觸部的每一個電連接；和多個輸出導電部，形成在所述基板的第1面上的與形成有所述輸出突起部的區(qū)域不同的區(qū)域，分別與多個所述輸出接觸部的每一個電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢查用探測器，其特征在于，多個所述輸入接觸部，與所述半導體裝置的多個所述輸入端子的排列方向?qū)帕行纬?；多個所述輸出接觸部，與所述半導體裝置的多個所述輸出端子的排列方向?qū)帕行纬?；多個所述輸入導電部的每一個被形成為與多個所述輸入接觸部的每一個對應；多個所述輸出導電部的每一個被形成為與多個所述輸出接觸部的每一個對應。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的檢查用探測器，其特征在于，所述輸入突起部在多個所述輸入接觸部的排列方向延伸；所述輸出突起部在多個所述輸出接觸部的排列方向延伸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的檢查用探測器，其特征在于，從多個所述輸入接觸部排列的方向觀察的、所述輸入突起部的截面形狀，是從所述基板的所述第1面突出的圓弧狀；從多個所述輸出接觸部排列的方向觀察的、所述輸出突起部的截面形狀，是從所述基板的所述第1面突出的圓弧狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項所述的檢查用探測器，其特征在于，在所述輸入突起部的表面中的與形成多個所述輸入接觸部的區(qū)域不同的區(qū)域、和所述輸出突起部的表面中的與形成多個所述輸出接觸部的區(qū)域不同的區(qū)域，形成凹部。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項所述的檢查用探測器，其特征在于，包括多個輸入導通部，分別與多個所述輸入導電部的每一個電連接，并從所述基板的所述第1面貫通到所述第2面；多個輸出導通部，分別與多個所述輸出導電部的每一個電連接，并從所述基板的所述第1面貫通到所述第2面；多個輸入連接導電部，形成在所述基板的所述第2面，分別與多個所述輸入導通部的每一個電連接；和多個輸出連接導電部，形成在所述基板的所述第2面，分別與多個所述輸出導通部的每一個電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的檢查用探測器，其特征在于，多個所述輸入連接導電部的每一個相鄰的間隔，比多個所述輸入導電部的每一個相鄰的間隔要寬；多個所述輸出連接導電部的每一個相鄰的間隔，比多個所述輸出導電部的每一個相鄰的間隔要寬。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項所述的檢查用探測器，其特征在于，具有絕緣層，其覆蓋多個所述輸入導電部以及多個所述輸出導電部。
9.一種檢查用探測器的制造方法，所述檢查用探測器用于對具有多個輸入端子和多個輸出端子的半導體裝置進行檢查，該制造方法具有以下步驟準備基板；在所述基板上形成與所述半導體裝置的多個所述輸入端子的排列對應、且由樹脂構(gòu)成的輸入突起部；在所述基板上形成與所述半導體裝置的多個所述輸出端子的排列對應、且由樹脂構(gòu)成的輸出突起部；在所述輸入突起部上形成多個輸入接觸部；在所述輸出突起部上形成多個輸出接觸部；在所述基板上的與形成有所述輸入突起部的區(qū)域不同的區(qū)域，形成多個輸入導電部；在所述基板上的與形成有所述輸出突起部的區(qū)域不同的區(qū)域，形成多個輸出導電部。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的檢查用探測器的制造方法，其特征在于，通過半蝕刻法，除去所述輸入突起部的表面中與形成多個所述輸入接觸部的區(qū)域不同的區(qū)域而形成凹部；除去所述輸出突起部的表面中與形成多個所述輸出接觸部的區(qū)域不同的區(qū)域而形成凹部；多個所述輸入接觸部，與所述半導體裝置的多個所述輸入端子的排列方向?qū)帕行纬?；多個所述輸出接觸部，與所述半導體裝置的多個所述輸出端子的排列方向?qū)帕行纬伞?br> 11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的檢查用探測器的制造方法，其特征在于，所述輸入突起部以及所述輸出突起部由感光性樹脂構(gòu)成。
12.根據(jù)權(quán)利要求9～11中任一項所述的檢查用探測器的制造方法，其特征在于，通過液滴噴出法將含有樹脂材料的功能液噴出到所述基板上，而在所述基板上形成所述輸入突起部以及所述輸出突起部。
13.根據(jù)權(quán)利要求9～12中任一項所述的檢查用探測器的制造方法，其特征在于，多個所述輸入接觸部、多個所述輸入導電部、多個所述輸出接觸部、以及多個所述輸出導電部，通過濺射法或鍍覆法形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求9～13中任一項所述的檢查用探測器的制造方法，其特征在于，通過液滴噴出法，在所述基板上形成多個所述輸入接觸部、多個所述輸入導電部、多個所述輸出接觸部、以及多個所述輸出導電部。
15.根據(jù)權(quán)利要求9～14中任一項所述的檢查用探測器的制造方法，其特征在于，準備母材基板，在所述母材基板上形成分別與多個所述檢查用探測器的每一個對應的多個探測器形成區(qū)域，以每一個所述區(qū)域切斷所述母材基板，獲得多個單片化的檢查用探測器。
全文摘要
一種檢查用探測器，包括具有第1面和第2面的基板；輸入突起部，形成在基板的第1面，且與半導體裝置的多個輸入端子的排列對應而形成；輸出突起部，形成在基板的第1面，且與半導體裝置的多個輸出端子的排列對應而形成；多個輸入接觸部，形成在輸入突起部上，分別與半導體裝置的多個輸入端子的每一個接觸；多個輸出接觸部，形成在輸出突起部上，分別與半導體裝置的多個輸出端子的每一個接觸；多個輸入導電部，形成在基板的第1面上的與形成有輸入突起部的區(qū)域不同的區(qū)域，分別與多個輸入接觸部的每一個電連接；和多個輸出導電部，形成在基板的第1面上的與形成有輸出突起部的區(qū)域不同的區(qū)域，分別與多個輸出接觸部的每一個電連接。
文檔編號G01R31/26GK1866490SQ20061008199
公開日2006年11月22日 申請日期2006年5月17日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月20日
發(fā)明者伊東春樹 申請人:精工愛普生株式會社