專利名稱：探測(cè)設(shè)備中的校準(zhǔn)特征的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及探測(cè)元件。
(2)發(fā)明背景雖然本發(fā)明通常可適用于探測(cè)任何元件，但尤其適用于為測(cè)試集成電路探測(cè)集成電路。眾所周知，集成電路通常作為半導(dǎo)體晶片上的多個(gè)基片被制造。圖1示出了典型的用于測(cè)試半導(dǎo)體晶片124的測(cè)試系統(tǒng)100。如圖1中示出的示例性的測(cè)試系統(tǒng)包括測(cè)試儀102，測(cè)試頭118，探針卡106和探測(cè)器120。
半導(dǎo)體晶片124放在卡盤(pán)(也被常稱為載物臺(tái))114上，通常可以在“x”，“y”，和“z”的方向上移動(dòng)?？ūP(pán)114也可以旋轉(zhuǎn)，傾斜和做其它一些運(yùn)動(dòng)。一旦半導(dǎo)體晶片124放在卡盤(pán)114上，卡盤(pán)通常會(huì)在“x”，“y”方向上移動(dòng)以使得晶片124的基片上的接線端(未示出)與探針卡105上的探針108校準(zhǔn)。然后卡盤(pán)114通常將晶片124沿“z”方向向上移動(dòng)，將接線端與探針108相接觸。一個(gè)或多個(gè)照相機(jī)121，122可幫助校準(zhǔn)接線端和探針和確定探針108和接線端之間的接觸。
一旦基片的接線端(未示出)與探針108接觸，可以是計(jì)算機(jī)地的測(cè)試儀102，會(huì)產(chǎn)生測(cè)試數(shù)據(jù)。通過(guò)一條或多條通信鏈路104測(cè)試數(shù)據(jù)被傳送到測(cè)試頭118。測(cè)試數(shù)據(jù)通過(guò)互連裝置116(例如pogo插針)從測(cè)試頭118傳送到探針卡106，最后通過(guò)探針108傳送到基片的接線端(未示出)。基片產(chǎn)生響應(yīng)數(shù)據(jù)以相反方向傳送，從探針108，經(jīng)過(guò)探針卡106，經(jīng)過(guò)互連裝置116，經(jīng)過(guò)探針頭118，經(jīng)過(guò)通信鏈路114，到測(cè)試儀102。
通常，基片上的接線端和探針108較小。然而，不管接線端和探針的尺寸，需要有改進(jìn)的用于校準(zhǔn)接線端和探針的方法和技術(shù)。
(3)發(fā)明內(nèi)容.
本發(fā)明一般涉及探測(cè)一種元件。對(duì)探針的圖像尋找校準(zhǔn)特征。然后校準(zhǔn)特征被用來(lái)使接觸目標(biāo)和探針互相接觸。校準(zhǔn)特征可以是探針尖端中的一個(gè)或多個(gè)的特征。例如，這種特征可以是一個(gè)尖端中的一個(gè)轉(zhuǎn)角。
(4)


圖1示出了示例性的現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)。
圖2示出了示例性的測(cè)試系統(tǒng)。
圖3A和3B示出了示例性的探針卡。
圖4A示出了圖3A中探針382的局部側(cè)視圖。
圖4B示出了圖3A中探針382的局部俯視圖。
圖4C示出了圖3A中探針382的示例性的局部圖像。
圖4D示出了圖4A和4B中接觸結(jié)構(gòu)354的示意性的局部俯視圖。
圖5示出了圖3A中探針386的局部俯視圖。
圖6示出了圖3A中探針384的局部俯視圖。
圖7示出了展示校準(zhǔn)特征的示例性使用在探針上的示例性的方法。
圖8示出了圖3A的探針陣列的圖像。
圖9示出了用于制造具有校準(zhǔn)特征的示例性探針陣列的示例性方法。
圖10A至12B示出了制造具有校準(zhǔn)特征的探針陣列的例子。
圖13A至15B示出了制造具有校準(zhǔn)特征的探針陣列的另一個(gè)例子。
(5)具體實(shí)施方式
本發(fā)明大體涉及探測(cè)一種設(shè)備。本說(shuō)明書(shū)描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施例和應(yīng)用。然而，本發(fā)明不應(yīng)被局限于這些示例性的實(shí)施例和應(yīng)用，或者是局限于示例性實(shí)施例和應(yīng)用的操作方式或在此描述的方式。
圖2示出了示例性的半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)200，它在某些方面與圖1中示出的測(cè)試系統(tǒng)100大體相似。即，示例性的測(cè)試系統(tǒng)200包括測(cè)試儀202，一根或多根通信鏈路204，探測(cè)器220，測(cè)試頭218，探針卡206，在探針卡和測(cè)試頭之間的互連裝置216，在某些情況下它們?nèi)颗c上述圖1中相應(yīng)元件大體相似。出于方便的目的(不是作為限制)，圖二中的方向用“x”，“y”，“z”坐標(biāo)系標(biāo)識(shí)，其中“z”的方向相對(duì)于圖2是垂直的(上和下)，“x”的方向是水平地進(jìn)入和穿出圖2的頁(yè)面，“y”方向也是水平的但是在圖2中是向左和向右。
如圖2所示，測(cè)試系統(tǒng)200還包括基于微處理器的控制器230。如所示的那樣，控制器230包括數(shù)字存儲(chǔ)器232，微處理器234，輸入/輸出電子設(shè)備236，和輸入/輸出端口238。數(shù)字存儲(chǔ)器232可以是包括電子存儲(chǔ)器，光學(xué)存儲(chǔ)器，磁存儲(chǔ)器，或是上述存儲(chǔ)器的某些結(jié)合在內(nèi)的任何類型的存儲(chǔ)器。僅作為兩個(gè)例子，數(shù)字存儲(chǔ)器232可以是只讀存儲(chǔ)器，或者數(shù)字存儲(chǔ)器232可以是磁盤(pán)或光盤(pán)和隨機(jī)存儲(chǔ)器的結(jié)合。微處理器234執(zhí)行存儲(chǔ)在數(shù)字存儲(chǔ)器232中的指令或“軟件”，輸入/輸出電子設(shè)備236控制進(jìn)出控制器230的電子信號(hào)的輸入和輸出。(在此使用的術(shù)語(yǔ)“軟件”意圖是包括含有不受限微碼和固件的任何類型的機(jī)器可執(zhí)行指令。)經(jīng)由端口238接收輸入數(shù)據(jù)和信號(hào)及輸出數(shù)據(jù)和信號(hào)。各種數(shù)據(jù)可由口238輸入到控制器230。例如，這種數(shù)據(jù)可以包括表示卡盤(pán)214位置或當(dāng)前運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的數(shù)據(jù)，探針208和/或晶片224的圖像，等等。其中，用于控制卡盤(pán)組件214運(yùn)動(dòng)的控制信號(hào)可由控制器230經(jīng)端口238輸出。
在其中，照相機(jī)221和222可以提供探針208和晶片224的圖像。正如看到的那樣，那些圖像可用來(lái)校準(zhǔn)晶片224上的接線端(未示出)和探針208。正如還將看到那樣，其中，控制器230中運(yùn)行的軟件可以對(duì)探針208的圖像尋找校正特征及移動(dòng)卡盤(pán)214以使得晶片224上的接線端(未示出)與探針208相接觸。
圖3A和3B示出了可用于測(cè)試系統(tǒng)200的示例性的探針卡306。圖3A示出了探針卡306的俯視圖，圖3B示出了側(cè)視圖。圖3B還示出了與探針卡306的探針相接觸的晶片324的局部側(cè)視圖。正如將看到的那樣，探針卡306包含有在探針圖像中可被可靠辨別的校準(zhǔn)特征。
示例性的探針卡306包括接線板基底302(例如印刷線路板)和探針頭304(例如陶瓷基底)。接線板基底302包括用于使互連裝置216接觸到測(cè)試頭218的接觸點(diǎn)362(見(jiàn)圖2)。每個(gè)探針包括本體部分352和接觸構(gòu)件354，探針被連接到探針頭304上的接觸點(diǎn)350。內(nèi)部的和/或外部的電氣連接(未示出)將接觸點(diǎn)362一頭和接觸點(diǎn)350一頭連接在一起。當(dāng)然，圖3A和3B中示出的探針卡306僅僅是示例性的，可以使用任何類型的探針接觸器，包括諸如第5,974,662號(hào)美國(guó)專利中示出的不受限制的探針卡組件，其整體通過(guò)引用包括在此。
圖3A和圖3B中示出的示例性的探針卡306配置成接觸四個(gè)基片，每個(gè)基片具有引線位于中心之構(gòu)造的十一個(gè)接線端。因此探針卡306具有四組探針308a。308b，308c，308d，每組用于接觸基片中的一個(gè)。(與探針相關(guān)的四個(gè)基片308a，308b，308c，308d的位置和在每一基片上十一個(gè)接線端340的位置在圖3A中用虛線示出。)但是，注意每組探針僅包括九個(gè)探針。在一些情況下，沒(méi)有必要接觸基片中的所有接線端來(lái)測(cè)試基片，并且這是假設(shè)為這個(gè)例子中的一種情形。對(duì)這個(gè)例子來(lái)說(shuō)，假設(shè)十一個(gè)接線端340中僅有九個(gè)需要被探測(cè)以測(cè)試基片。當(dāng)然，一次接觸的基片的數(shù)量以及接線端的配置，接線端的總數(shù)量，和每個(gè)基片上被探針實(shí)際接觸的接線端的數(shù)量?jī)H僅是示例性的。任何數(shù)量的基片可以被一次接觸(包括僅有一個(gè)基片或甚至少于一個(gè)基片)；每個(gè)基片上的接線端的數(shù)量和配置可以不同；每個(gè)基片被實(shí)際接觸的接線端的數(shù)量可以不同。
因?yàn)樵诰系湫偷倪h(yuǎn)多于四個(gè)基片，圖3A中示出的探針卡306將測(cè)試四個(gè)基片，被重新定位來(lái)接觸和測(cè)試四個(gè)其它基片，再被重新定位來(lái)接觸和測(cè)試四個(gè)其它基片，等等，直到晶片上的所有基片都被測(cè)試完。圖3B中示出的基片324e和324f是其它這樣的基片，或是已被測(cè)試過(guò)或是接下來(lái)將要被測(cè)試。應(yīng)當(dāng)注意的是可獲得能夠同時(shí)測(cè)試遠(yuǎn)多于四個(gè)基片的探針卡。實(shí)際上，探針卡具有足夠的探針以立即接觸和測(cè)試晶片上的所有基片。圖3A中示出的四個(gè)基片是為了簡(jiǎn)化用圖說(shuō)明。
正如將看到的那樣，探針組308a中的三個(gè)探針(探針382、384、386)和探針組308d中的三個(gè)探針(探針388、390、392)包含有在探針圖像中可被辨別的示例性的校準(zhǔn)特征。正如同樣將看到的那樣，探針382和388中的每個(gè)的示例性的校準(zhǔn)特征是探針上接觸尖端的一個(gè)轉(zhuǎn)角，探針384和390中的每一個(gè)的示例性的校準(zhǔn)特征是探針上接觸尖端的四個(gè)轉(zhuǎn)角，探針386和392中的每一個(gè)的示例性的校準(zhǔn)特征是探針上接觸尖端的兩個(gè)轉(zhuǎn)角。當(dāng)然，選擇具有校準(zhǔn)特征的探針組的數(shù)量和每個(gè)探針組的校準(zhǔn)特征的數(shù)量?jī)H僅是示例性的。圖3A中的308a和308d組中的三個(gè)探針僅用于例示。
圖4A和圖4B各自示出了示例性探針382的局部側(cè)視圖和局部俯視圖。如所示，探針382包括本體部分352和接觸構(gòu)件354。本體部分352的一端連接到探針頭304的接觸點(diǎn)350(見(jiàn)圖3B)，接觸構(gòu)件354連接到本體部分352的另一端。接觸構(gòu)件354包括支座456和尖端458。尖端458是與晶片上接線端實(shí)際接觸的探針部分。
包括四條邊460a，460b，460c，460d和四個(gè)轉(zhuǎn)角462a，462b，462c，462d的尖端458被設(shè)置在支座456d的最好是通常為平坦的表面上。如果相機(jī)，諸如探測(cè)器220中的相機(jī)221(見(jiàn)圖2)，聚焦于支座456，探針的圖像將通常看上去如圖4C所示。支座456將會(huì)顯得亮。尖端458的角狀表面及探針頭304的背景表面490將會(huì)顯得黑，因?yàn)檎障鄼C(jī)221沒(méi)有聚焦在探針體352上，它通常也會(huì)顯得黑或至少比支座456黑一些。
許多圖像處理算法已知為用于發(fā)現(xiàn)圖像的特殊特征，這類算法通常包括規(guī)定最小間隔要求的設(shè)計(jì)規(guī)則，如果遵守設(shè)計(jì)規(guī)則，就創(chuàng)造了算法發(fā)現(xiàn)圖像中特征的相對(duì)高的可能性。正如將看到的那樣，支座456被成型及尖端458被定位以使得尖端458的一個(gè)轉(zhuǎn)角462C滿足假定圖像處理算法的示例性最小間隔的要求。這種最小間隔的要求通常被稱為“設(shè)計(jì)規(guī)則”。設(shè)計(jì)規(guī)則規(guī)定用于特征的最小間隔以使得特征在具有充足對(duì)比度的圖像中更加明顯，這樣算法將可靠地發(fā)現(xiàn)圖像中的特征。用另一種說(shuō)法，設(shè)計(jì)規(guī)則意圖保證在圖像中被發(fā)現(xiàn)的特征被不同顏色的背景充分包圍以使得圖像處理算法能夠可靠地發(fā)現(xiàn)圖像中的特征。根據(jù)圖像搜尋算法的設(shè)計(jì)規(guī)則形成的特征可以說(shuō)成是在包括特征的圖像中是“可見(jiàn)的”。
表示支座456和探針352的尖端458的圖4D，示出了示例性設(shè)計(jì)規(guī)則，用于保證借助假定圖像搜尋算法在探針382圖像中發(fā)現(xiàn)一個(gè)轉(zhuǎn)角(本例中是轉(zhuǎn)角462C)，諸如圖4C所示的圖像。按圖4D中示出的示例性設(shè)計(jì)規(guī)則，如果形成轉(zhuǎn)角的邊沿著邊的最短長(zhǎng)度470離支座456的周邊的間隔為最小距離472，則轉(zhuǎn)角是“可見(jiàn)的”。如圖4D可見(jiàn)的那樣，兩條邊460a和460d形成轉(zhuǎn)角462c。雖然邊460d的整個(gè)長(zhǎng)度離支座456的周邊的間隔未達(dá)到距離472，有等于或大于470長(zhǎng)度的邊460d離支座456的周邊的間隔達(dá)到距離472。正如也可以看到的那樣，邊460a很容易滿足上述的設(shè)計(jì)規(guī)則。
正如可以看到的那樣，轉(zhuǎn)角462a，462b，462d不滿足上述的設(shè)計(jì)規(guī)則。即，形成每一個(gè)那些轉(zhuǎn)角的邊離轉(zhuǎn)角的長(zhǎng)度470，從轉(zhuǎn)角離支座456的周邊的間隔不是最小距離472。應(yīng)當(dāng)注意的是轉(zhuǎn)角462a和462d離支座456的周邊有間隔，因此在圖4C顯示的圖像中可顯示出清楚的轉(zhuǎn)角的形狀。雖然，有很少的明亮顏色的支座456包圍這些轉(zhuǎn)角，但至少在這個(gè)例子中可以確信假定的圖像搜尋算法可以可靠地發(fā)現(xiàn)轉(zhuǎn)角。
規(guī)定為470和472的具體距離和長(zhǎng)度將取決于實(shí)際使用的圖像處理算法。僅作為一個(gè)例子，距離為十微米或以上的間隔472和長(zhǎng)度為十微米或以上的長(zhǎng)度470被認(rèn)為是對(duì)已知的圖像處理算法都是足夠的。作為另一個(gè)例子，長(zhǎng)度470可以是邊長(zhǎng)的1/3，邊長(zhǎng)可能是大約50微米。這樣的距離和長(zhǎng)度僅是示例性的，但是，對(duì)特殊的圖像處理算法較小的距離和長(zhǎng)度可能是足夠的。
圖5示出了探針386的局部俯視圖(見(jiàn)圖3A)。示例性探針386與圖4A和圖4B中示出的探針382大體相似，除了支座556被成形及尖端458被定位成使得尖端的兩個(gè)轉(zhuǎn)角，即轉(zhuǎn)角462a和462b滿足上述示例性的設(shè)計(jì)規(guī)則。這樣，用假定的圖像搜尋算法可以可靠地發(fā)現(xiàn)兩個(gè)轉(zhuǎn)角462a和462b。
圖6示出了示例性探針384的局部俯視圖(見(jiàn)圖3A)。示例性探針384與圖4A和圖4B，圖5中示出的探針382和386大體相似，除了支座656成形及尖端458定位成使得尖端的所有四個(gè)轉(zhuǎn)角462a，462b，462c，462d滿足上述示例性的設(shè)計(jì)規(guī)則。這樣，用假定的圖像搜尋算法可以可靠地發(fā)現(xiàn)四個(gè)轉(zhuǎn)角462a，462b，462c，462d。
圖7示出了利用諸如圖4A-6所示的示例性校準(zhǔn)特征的校準(zhǔn)特征使半導(dǎo)體晶片的接線端與探針卡的探針相接觸的示例性過(guò)程。該過(guò)程可以在類似測(cè)試系統(tǒng)200的測(cè)試系統(tǒng)上執(zhí)行及在諸如控制器230(見(jiàn)圖2)的基于微處理器的控制器通過(guò)軟件全部或部分實(shí)施。
如所示，圖7在步驟702以得到探針的一個(gè)(或多個(gè))數(shù)字圖像為開(kāi)始。俘獲和數(shù)字化圖像的設(shè)備和方法是公知的，不需要在此描述。例如，在探測(cè)器220中的一個(gè)或多個(gè)照相機(jī)，如照相機(jī)222可以產(chǎn)生探針卡206的探針208的圖像。這個(gè)圖像可由控制器230經(jīng)端口238接收。圖8示出了由照相機(jī)222俘獲的探針卡306(圖3A)的探針的示例性圖像。
再回到圖7，在步驟704對(duì)探針的圖像搜尋一個(gè)或多個(gè)校準(zhǔn)特征。此外，搜尋圖像的特殊特征的設(shè)備和方法是公知的，可以使用任何這類的設(shè)備和方法。例如，用于發(fā)現(xiàn)圖像中轉(zhuǎn)角的計(jì)算機(jī)算法是公知的。這樣的算法可以通過(guò)尋找會(huì)聚形成為大致垂直角度的兩條邊來(lái)搜尋圖像中的轉(zhuǎn)角。這種算法可以通過(guò)尋找圖像中的鄰接部分來(lái)識(shí)別邊，在鄰接部分中有從一種顏色變換到另一種顏色的大體均勻的和急劇的變化(所說(shuō)的“顏色”包括但不局限于純二進(jìn)制圖像中的黑與白及純灰度圖像中的不同灰度梯度)。
如前所述，步驟704可以用設(shè)計(jì)成發(fā)現(xiàn)操作控制器230中運(yùn)行的圖像的轉(zhuǎn)角的基于軟件的圖像處理算法來(lái)實(shí)施。(此類圖像處理算法是公知的，不需要在此描述。)典型的，圖像中期望的特征的類型和數(shù)量被編程入算法。如上所述，圖3A中的探針382和388配置成使它們尖端的一個(gè)轉(zhuǎn)角“可見(jiàn)”；探針384和390配置成使它們尖端的所有四個(gè)轉(zhuǎn)角“可見(jiàn)”；探針386和392被布置成使它們尖端的兩個(gè)轉(zhuǎn)角“可見(jiàn)”。因此，在控制器230上運(yùn)行的圖像搜尋算法可被編程為發(fā)現(xiàn)四個(gè)轉(zhuǎn)角的兩組，每組形成正方形或矩形(每組與探針384或390中的一個(gè)相對(duì)應(yīng))，由線段相連的兩個(gè)轉(zhuǎn)角的兩組(每組與探針386或392中的一個(gè)相對(duì)應(yīng))，及兩個(gè)隔離的轉(zhuǎn)角(每個(gè)轉(zhuǎn)角與探針382或388中的一個(gè)相對(duì)應(yīng))。
可是，應(yīng)注意的是把算法編程為只發(fā)現(xiàn)轉(zhuǎn)角是有利的(不是設(shè)置為多個(gè)形狀的特殊形狀，如四個(gè)正方形或矩形的轉(zhuǎn)角)。這是因?yàn)樗槠瑢?huì)堆積在探針卡的探針的尖端上，這樣的碎片會(huì)弄暗尖端的轉(zhuǎn)角。因此，即使尖端的多個(gè)轉(zhuǎn)角配置成滿足算法的設(shè)計(jì)規(guī)則，對(duì)搜尋一個(gè)轉(zhuǎn)角的圖像搜尋算法來(lái)也可以是有利的，從而對(duì)算法而言是可靠的“可見(jiàn)的”。例如，探針經(jīng)常被設(shè)計(jì)成擦過(guò)晶片的接線端。擦過(guò)行為會(huì)引起堆積在探針尖端一側(cè)的碎片。因此，配置此類探針的碎片以使得位于遠(yuǎn)離碎片易堆積的位置的轉(zhuǎn)角滿足圖像搜尋算法的設(shè)計(jì)原則是有利的(例如，在擦過(guò)行為相反的方向的尖端上的轉(zhuǎn)角)。
發(fā)現(xiàn)圖像中校準(zhǔn)特征的步驟(步驟704)還包括確定探針上與晶片上接線端實(shí)際接觸的點(diǎn)的物理位置。表示來(lái)源于校準(zhǔn)特征的接觸點(diǎn)的物理位置的數(shù)據(jù)可以被數(shù)字化存儲(chǔ)，例如存儲(chǔ)在控制器230中，且可被應(yīng)用于做此類計(jì)算。例如，對(duì)在圖4A和4B中示出的示例性探針382而言與接線端相接觸的實(shí)際點(diǎn)是尖端458的截?cái)喽?。表示?shí)際接觸點(diǎn)且不在轉(zhuǎn)角的規(guī)定方向上的規(guī)定的距離的矢量數(shù)據(jù)可以被存儲(chǔ)在控制器230中且被控制器用來(lái)計(jì)算尖端458截?cái)喽讼鄬?duì)于所發(fā)現(xiàn)的轉(zhuǎn)角的位置。即使尖端458的截?cái)喽吮焕缢槠逊e弄暗，它們的位置這樣也可計(jì)算出來(lái)。
仍參照?qǐng)D7，下一步驟706是使晶片224(或324)的接線端與探針208(或308a，308b，308c，308d)相接觸。確定晶片上接線端的位置的設(shè)備和方法是公知的，可使用任何這類設(shè)備和方法。此類公知方法的一個(gè)例子是用照相機(jī)221產(chǎn)生晶片224的全部或部分圖像。然后使用圖像處理軟件來(lái)發(fā)現(xiàn)晶片上的校準(zhǔn)特征。在實(shí)踐中經(jīng)常利用晶片的自然特征作為校準(zhǔn)特征。例如，集成電路圖的部分獨(dú)特形狀與晶片上的接線端的位置和搜尋獨(dú)特形狀的晶片的圖像預(yù)先關(guān)聯(lián)?？刂破?30上運(yùn)行的軟件可以接收晶片上的圖像(例如用照相機(jī)221產(chǎn)生的)，搜尋晶片的校準(zhǔn)特征，確定接線端的位置。
利用現(xiàn)在已知的探針位置(從步驟704)和接線端的位置，卡盤(pán)214移動(dòng)晶片224(或324)以使得所選擇的晶片接線端與探針相接觸，形成暫時(shí)的電氣連接。此外，在控制器230上運(yùn)行的軟件可以發(fā)布命令控制卡盤(pán)214的移動(dòng)。
雖然未在圖7中示出，一旦接線端與探針接觸，已接觸的接線端位于其上的晶片基片被測(cè)試。此后，如果有必要，晶片被重新定位以使得晶片上的不同基片的接線端與探針和已測(cè)試基片相接觸。這個(gè)接觸接線端，測(cè)試基片，和重新定位晶片以接觸和測(cè)試其它基片的過(guò)程可以持續(xù)直到晶片上的所有基片都被測(cè)試完。
圖9示出了用校準(zhǔn)標(biāo)記制造探針陣列的示例性方法，這種示例性的探針陣列如圖3A和3B所示。如圖9所示，該過(guò)程由布置探針的位置的步驟902開(kāi)始。典型的，接收標(biāo)識(shí)被測(cè)基片上接線端的數(shù)量，位置和指定信號(hào)的數(shù)據(jù)，布置探針使每個(gè)探針與探針頭304上的接觸點(diǎn)350相連且定位成使它的接觸尖端與被測(cè)基片上接線端340的位置相對(duì)應(yīng)(見(jiàn)圖3B).當(dāng)然，探針頭上接觸點(diǎn)350必須與接線板基底上的接觸點(diǎn)362成通路，接線板基底與基片接線端要接收和/或輸出的信號(hào)類型相一致。
再回到圖9，在步驟904確定探針陣列中的校準(zhǔn)特征的位置。在圖3A和8中應(yīng)當(dāng)清楚，陣列中在一些相鄰探針上的尖端彼此可以非常相近以致很少有甚至沒(méi)有在數(shù)字圖像中可能被區(qū)別的校準(zhǔn)特征的空間(即，沒(méi)有滿足被用于圖像搜尋算法的設(shè)計(jì)規(guī)則的校準(zhǔn)特征的空間)。如圖3A中所示的示例性的探針布置圖，在探針組308a中外部探針382和386被選擇為具有校準(zhǔn)特征。因?yàn)樘结樦車卸嘤嗟目臻g存在探針384也被選擇。類似的選擇用于探針組308d。在這個(gè)例子中，因?yàn)樵谔结樈M308a和308d中6個(gè)被選的探針382，384，386，388，390，392提供了足夠數(shù)量的參考點(diǎn)以正確地校準(zhǔn)探針308a，308b，308c，308d同接線端340，所以在探針組308b或308c中沒(méi)有探針被選擇。
然而，必須理解，為具有圖3A和8所示的校準(zhǔn)特征在步驟904中所選的探針的數(shù)量和圖案僅僅是示例性的且被選擇為說(shuō)明各種尖端形狀?？梢允褂镁哂锌杀鎰e轉(zhuǎn)角的任何數(shù)量和/或圖案的尖端。例如，具有可區(qū)別轉(zhuǎn)角的尖端可以安置在所有的探針上。作為另一個(gè)例子，具有可區(qū)別轉(zhuǎn)角的尖端僅可以安置在探針基底302上的兩個(gè)探針上。作為外一個(gè)例子，具有可區(qū)別轉(zhuǎn)角的尖端可以安置在每一個(gè)探針組308a，308b，308c，308d的兩個(gè)探針上。前述的示例性圖案是不完全的，圖案不是決定性的，可選擇任何圖案。
類似的，圖3A和8所示的兩個(gè)具有一個(gè)“可見(jiàn)”轉(zhuǎn)角的探針的選擇，兩個(gè)具有兩個(gè)“可見(jiàn)”轉(zhuǎn)角的探針的選擇，兩個(gè)具有四個(gè)“可見(jiàn)”轉(zhuǎn)角的探針的選擇，僅僅是示例性的。在實(shí)踐中，所有配置為起著如校準(zhǔn)標(biāo)記功能的尖端可以配置成具有同樣數(shù)量的“可見(jiàn)”轉(zhuǎn)角。另一方面，可以使用“可見(jiàn)”轉(zhuǎn)角形狀的任何結(jié)合。
再參考圖9，下一步驟906是用步驟902確定的探針的布置和步驟904確定的校準(zhǔn)標(biāo)記來(lái)加工探針陣列。圖10A-12B示出了步驟906的第一個(gè)例子，圖13A-15B示出了第二個(gè)例子。
先看圖10A-12B，這些圖示出了加工探針陣列的一個(gè)例子，在這個(gè)例子中，接觸構(gòu)件1160a，1160b(各自包含支座1156和尖端1158)被分開(kāi)加工然后被連接到探針本體1152上。為使插圖簡(jiǎn)潔，陣列中僅有兩個(gè)探針1208a，1208b在圖10A-12B中示出。正如將看到的那樣這些探針中的一個(gè)1208a將加工為具有校準(zhǔn)標(biāo)記，這個(gè)標(biāo)記為尖端1158a的一個(gè)“可見(jiàn)”轉(zhuǎn)角；另一個(gè)探針1208b將加工為不具有校準(zhǔn)標(biāo)記。
圖10A-11B示出了接觸構(gòu)件1160a，1160b在犧牲襯底1072的成形，犧牲襯底例如可以是硅晶片。如圖10A和10B所示，在在犧牲襯底1072上制出確定接觸結(jié)構(gòu)形狀的模型。在圖10A和10B所示的例子中，模型包括凹點(diǎn)1058a，1058b和開(kāi)口1156a，1156b。凹點(diǎn)1058a，1058b在犧牲襯底1072上刻蝕并限定要形成的接觸構(gòu)件1160a，1160b的尖端1158a，1158b。開(kāi)口156a，1156b以在犧牲襯底1072上淀積的掩模材料1074層的方式加上圖案。凹點(diǎn)1058a，1058b和開(kāi)口1056a，1056b可以以合適的方式成形。例如，凹點(diǎn)可以選擇性地使用諸如氫氧化鉀的溶液通過(guò)掩?？涛g。掩模材料1074可包含光刻膠。
注意，在圖10A和10B所示的例子中，開(kāi)口1056a形成為凹點(diǎn)1058a的一個(gè)轉(zhuǎn)角1059的周圍提供足夠空間的圖案以使得在凹點(diǎn)1058a形成的尖端1158a的相應(yīng)轉(zhuǎn)角將在探針1208a的圖像中“可見(jiàn)”。在此例中，開(kāi)口1056a和凹點(diǎn)1058a形成圖案并且被布置成與圖4A和4B示出的示例性支座456和尖端458相類似。另一方面，開(kāi)口1056b不形成為凹點(diǎn)1058b的任何轉(zhuǎn)角的周圍提供足夠空間的圖案以使得尖端1058b的任何轉(zhuǎn)角在探針1208b的圖像中“可見(jiàn)”。
在圖11A和11B所示，一種或多種材料然后淀積在凹點(diǎn)1058a，1058b和開(kāi)口1156a，1156b中以形成接觸構(gòu)件1160a，1160b，每一接觸構(gòu)件包含安置在支座1156a，1156b上的尖端1158a，1158b。一種材料可以是各種結(jié)構(gòu)材料的任一種包括但不限于鈀，金，銠，鎳，鈷，銀，鉑，導(dǎo)電氮化物，導(dǎo)電碳化物，鎢，鈦，鉬，錸，銦，鋨，銅及高熔點(diǎn)金屬；以及所有上述材料的合金，包括由一種或多種上述材料結(jié)合構(gòu)成的合金。淀積一種或多種材料的方法不受限制，包括電鍍，化學(xué)氣相淀積，物理氣相淀積，濺射淀積，無(wú)電極淀積，電子束淀積，和熱蒸發(fā)。
應(yīng)當(dāng)注意到其它材料層可在施加掩模層1074前施加到犧牲襯底1072。例如，可施加脫離層(未示出)以便于接觸構(gòu)件1060a，1060b從犧牲層1072脫離；可施加晶?；蚨搪穼?未示出)以便于電鍍；可施加材料(未示出)以促進(jìn)接觸構(gòu)件材料的粘結(jié)。當(dāng)然，一種材料層可服務(wù)于一個(gè)以上的上述目的。此外，附加的材料可用于接觸構(gòu)件1060a，1060b。
一旦接觸構(gòu)件1060a，1060b在如圖11A和11B所示的犧牲襯底1072上成形，接觸構(gòu)件1060a，1060b與探針本體1252連接，探針本體自身與探針頭1204的接觸點(diǎn)1250連接。接觸構(gòu)件1060a，1060b可使用任何合適的方式與探針本體1252連接，包括釬焊，銅焊和焊接。圖12A中示出的示例性的探針體1252包含有綁定在接觸點(diǎn)1250一端的導(dǎo)線。(注意圖12A未示出橫截面。)導(dǎo)線可以由如第5,476,211號(hào)，第5,917,707號(hào)，第6,336,269號(hào)美國(guó)專利中的任何一個(gè)所描述的在其上有較硬材料的涂層的軟材料組成，所有上述專利整體通過(guò)引用包括在此。
另一方面，探針本體1252可以是任何類型的探針，包括但不限于針式探針，彎曲束橫梁，(例如“COBRA”探針)，突起，支柱，和彈簧探針。彈簧探針?lè)桥潘缘睦涌捎糜谔结槺倔w1252，包括但不限于在第5,917,707號(hào)美國(guó)專利；第6,268,015號(hào)美國(guó)專利；第6,482,013號(hào)美國(guó)專利；第5,947,662號(hào)美國(guó)專利；第2001/000108號(hào)美國(guó)專利申請(qǐng)公布；2001年9月14號(hào)提出的第09/953,666號(hào)美國(guó)專利申請(qǐng)公布(待批)中描述的探針。所有上述美國(guó)專利及公布和待批的專利申請(qǐng)作為整體通過(guò)引用包括在此。
在犧牲層上形成接觸構(gòu)件及接下來(lái)連接接觸構(gòu)件到探針本體的其它例子和進(jìn)一步論述可參見(jiàn)第5,947,662號(hào)美國(guó)專利，第6,441,315號(hào)美國(guó)專利，和2001年9月14號(hào)提出的序列號(hào)為09/953號(hào)美國(guó)專利申請(qǐng)(待批)，所有上述美國(guó)專利及待批的專利申請(qǐng)作為整體引用包括在此。
應(yīng)當(dāng)清楚的是，支座1156a是定形的及尖端1158a安置在支座1156a上以使得尖端1158a的一個(gè)轉(zhuǎn)角將在探針1208a的圖像中“可見(jiàn)”。探針1208a因此包括校準(zhǔn)標(biāo)記(即可見(jiàn)轉(zhuǎn)角)，并與圖3A中的探針282和288相似。另一方面，因?yàn)橹ё?156b沒(méi)有定形且尖端1158b沒(méi)有安置在支座1156b上，以致尖端1158b的任意轉(zhuǎn)角將在探針1208a的圖像中可靠地“可見(jiàn)”，故探針1508b不包括校準(zhǔn)標(biāo)記。應(yīng)當(dāng)清楚的是，尖端1158a的兩個(gè)，三個(gè)或四個(gè)轉(zhuǎn)角能夠被制成為“可見(jiàn)”的是通過(guò)對(duì)開(kāi)口1156a加上圖形以限定支座1156a的形狀和定位凹點(diǎn)1158a以在支座1156a上定位尖端1158a，以致尖端1158a的兩個(gè)轉(zhuǎn)角是”可見(jiàn)”的(例如，如圖5所示)，尖端1158a的三個(gè)轉(zhuǎn)角是“可見(jiàn)”的，或尖端1158a的所有四個(gè)轉(zhuǎn)角是“可見(jiàn)”的(例如，如圖6所示)。當(dāng)然，尖端1158b也可以成形以使得尖端1158b的一個(gè)或更多的轉(zhuǎn)角是“可見(jiàn)”的。
接下來(lái)看圖13A-15B，這些圖示出了加工探針陣列的例子，在探針陣列中尖端在橫梁1456a，1456b上成形。此外，為簡(jiǎn)化插圖，圖13A-15B只示出了陣列中的兩個(gè)探針1508a，1508b。正如可以看到的那樣，其中的一個(gè)探針1508a將加工成具有校準(zhǔn)標(biāo)記，校準(zhǔn)標(biāo)記將是尖端1458a的四個(gè)“可見(jiàn)”轉(zhuǎn)角；另一個(gè)探針1508b將加工成不具有校準(zhǔn)標(biāo)記。
圖13A-14B示出了橫梁1356a，1356b在犧牲層1372上成形。一般來(lái)說(shuō)，圖13A-14B示出的步驟和材料與前面闡述的圖10A-12B示出的步驟和材料大致相似，除了在掩模層1374的開(kāi)口1356a，1356b被定形形成橫梁。例如，凹點(diǎn)1358a，1358b與凹點(diǎn)1058a，1058b大致相似，淀積在開(kāi)口1356a，1356b(如圖14A和14B)的材料與淀積在開(kāi)口1056a，1056b的材料大致相似。同樣，其它的材料(未示出)，諸如脫離材料，晶粒，和/或粘結(jié)材料可以如上面在圖10A-12B中闡述的一樣在形成掩模層1373之前淀積在犧牲層1372上。
注意，在圖13A和13B示出的例子中，開(kāi)口1356a形成為凹點(diǎn)1358a的所有四個(gè)轉(zhuǎn)角的周圍提供足夠空間的圖案以使得在凹點(diǎn)1358a形成的1458a尖端的相應(yīng)四個(gè)轉(zhuǎn)角將在探針1508a的圖像中“可見(jiàn)”。在此例中，開(kāi)口1156a和凹點(diǎn)1058a加上圖案并且被定位在某些方面與圖6示出的示例性支座656和尖端458相類似。另一方面，開(kāi)口1356b不形成為凹點(diǎn)1358b的任何轉(zhuǎn)角的周圍提供足夠空間的圖案以使得在凹點(diǎn)1358b中成形的尖端的轉(zhuǎn)角在探針1508b的圖像中可靠地“可見(jiàn)”。
如圖14A和14B所示，一旦橫梁1456a，1456b在犧牲層1372上成形，橫梁1460a，1460b被連接到立柱構(gòu)件1580上，立柱構(gòu)件自身連接到探針頭1504的接觸點(diǎn)1550上。橫梁1456a，1456b可以以任何方式連接到立柱構(gòu)件1580上，包括釬焊，銅焊，和焊接。圖15A和15B中示出的示例性的立柱構(gòu)件1580包含有綁定在接觸點(diǎn)1550一端的導(dǎo)線。(注意圖15A未示出橫截面。)導(dǎo)線可以如第2001/0012739號(hào)美國(guó)專利申請(qǐng)公布所描述的在其上帶有涂層，上述專利作為整體通過(guò)引用包括在此。
立柱構(gòu)件1580不必由圖15A和15B所示的兩個(gè)構(gòu)件組成，但可由一個(gè)構(gòu)件或多于一個(gè)的構(gòu)件組成。此外，立柱構(gòu)件1580不必是導(dǎo)線而是適于支撐橫梁的任何類型的構(gòu)件。例如，立柱構(gòu)件1580可以是如第6,268,015號(hào)美國(guó)專利所述的光刻成形的立柱。作為另一個(gè)示例，不論是導(dǎo)線或其它結(jié)構(gòu)，當(dāng)橫梁仍在犧牲層1372(見(jiàn)圖14A和14B)上時(shí)立柱構(gòu)件1580可以成形在橫梁1456a，1456b上或連接在橫梁1456a，1456b，此過(guò)程后立柱將連接到接觸點(diǎn)1550且橫梁從犧牲層上脫離。橫梁的另外許多變化也是可能的，例如，通過(guò)把掩模層1274定形和/或利用多個(gè)掩模層1274可以使探針有不同的形狀和結(jié)構(gòu)。上述例子可參見(jiàn)第6,482,013號(hào)美國(guó)專利，第6,184,053號(hào)美國(guó)專利，第6,268,015號(hào)美國(guó)專利，第2001/0001080號(hào)美國(guó)專利申請(qǐng)公布，和1999年3月30號(hào)提出的流水號(hào)為09/539,287號(hào)美國(guó)專利申請(qǐng)(待批)，所有上述專利作為整體通過(guò)引用包括在此。
應(yīng)當(dāng)清楚的是，橫梁1456a是定形的及尖端1458a安置在橫梁1456a上以使得尖端1458a的所有四個(gè)轉(zhuǎn)角將在探針1508a的圖像中“可見(jiàn)”。因此，探針1508a包括校準(zhǔn)標(biāo)記(即“可見(jiàn)”轉(zhuǎn)角)。另一方面，因?yàn)闄M梁1456b沒(méi)有定形且它的尖端(未示出)沒(méi)有安置在橫梁1456b上，探針1508b不包括校準(zhǔn)標(biāo)記，以致尖端的任意轉(zhuǎn)角將在探針1508a的圖像中可靠地“可見(jiàn)”。應(yīng)當(dāng)清楚的是，尖端1458a的一個(gè)，兩個(gè)或三個(gè)轉(zhuǎn)角能夠被制成為“可見(jiàn)”的(例如，如圖4A，4B，4C所示)，這可通過(guò)對(duì)開(kāi)口1456a加上圖案以限定橫梁1456a和定位凹點(diǎn)1358a以在橫梁1456a上定位尖端1458a，使尖端1458a僅一個(gè)轉(zhuǎn)角是“可見(jiàn)”的(例如，如圖4A，4B，和4D所示)，尖端1458a的兩個(gè)轉(zhuǎn)角是“可見(jiàn)”的(例如，如圖5所示)，或者尖端1458a的三個(gè)轉(zhuǎn)角是“可見(jiàn)”的。當(dāng)然，橫梁1456b上的尖端(未示出)也可以成形以使得其尖端的一個(gè)或更多的轉(zhuǎn)角是“可見(jiàn)”的。
應(yīng)當(dāng)注意的是圖形不必依比例繪制。例如，圖3A和3B示出的探針與探針頭304和接線板基底302相比通常要小的多。同樣，晶片上基片324b，324d，324e，324f要比圖3B示出的通常靠近的多。為圖示之目的，圖3A和3B中探針顯得更大，基片間隔的更遠(yuǎn)。類似的，其它圖形也不必依比例繪制。
雖然本發(fā)明的原理已經(jīng)在說(shuō)明書(shū)實(shí)施例的內(nèi)容中作了圖示說(shuō)明和闡述，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解為在不背離本發(fā)明的原理下對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施例做出各種修改。
例如，雖然上述示例性的實(shí)施例示出了本發(fā)明應(yīng)用于探測(cè)半導(dǎo)體晶片的探測(cè)器，但本發(fā)明同樣可應(yīng)用于任何電子元件的探測(cè)，其中，為測(cè)試電子元件的目的，使探針與該電子器件的接線端或其它接觸點(diǎn)或特征接觸。上述例子包括用于包括單個(gè)半導(dǎo)體基片在內(nèi)的封裝或未封裝電子元件的插孔和測(cè)試探針。實(shí)際上，本發(fā)明適用于任何類型的探針與任何類型元件的接觸點(diǎn)或接觸特征相校準(zhǔn)的應(yīng)用。
作為另一個(gè)例子，雖然圖10A-15B示出了在犧牲襯底上探針的至少一部分的成形，探針可變換地直接地在探針基底304，1204，1504上整體或部分成形。此類例子在第6,268,015號(hào)美國(guó)專利中有過(guò)描述，在此作為整體通過(guò)引用包括在此。作為另一種變換，多個(gè)探針可以在多個(gè)犧牲層上以多個(gè)步驟成形，在第6,520,778號(hào)美國(guó)專利中有過(guò)描述，在此作為整體引用包括在此。
作為一個(gè)例子，雖然控制器230被描述成是基于微處理器的和在軟件控制下運(yùn)作，控制器230可以用由操作者手工操作的人工控制器代替。例如，操作者可以手工地搜尋圖像和然后手工地移動(dòng)卡盤(pán)214。或者，控制器230可以是部分自動(dòng)化的操作和部分手工的操作。當(dāng)然，控制器230可以被不是基于微處理器的控制器或部分基于微處理器的控制器所代替。
其它的變化包括但不限于利用探針上特征的轉(zhuǎn)角而不是尖端的轉(zhuǎn)角作為校準(zhǔn)標(biāo)記；放置校準(zhǔn)特征在仿真的探針上(即，探針不與晶片接線端接觸)或放置校準(zhǔn)特征在平臺(tái)或支座上而不是在探針上。
權(quán)利要求
1.一種探測(cè)電子元件的方法，所述方法包括以下步驟在多個(gè)探針的電子圖像中發(fā)現(xiàn)校準(zhǔn)特征；以及把所述電子元件上的諸接觸目標(biāo)和所述探針的諸尖端相接觸；其中所述校準(zhǔn)特征包含所述尖端中其中之一的一部分。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述發(fā)現(xiàn)步驟還包含在所述電子圖像中發(fā)現(xiàn)多個(gè)校準(zhǔn)特征；以及每個(gè)所述的校準(zhǔn)特征包含所述尖端其中之一的一部分。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述尖端中所述其中之一的所述部分包含所述尖端中所述的其中之一的轉(zhuǎn)角。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于所述尖端中所述其中之一的所述部分包含所述尖端中所述的其中之一的多個(gè)轉(zhuǎn)角。
5.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于所述轉(zhuǎn)角設(shè)置于構(gòu)件的表面，所述轉(zhuǎn)角包含所述尖端中所述的其中之一的會(huì)聚邊；每個(gè)所述邊的至少一部分設(shè)置在離所述表面周邊的預(yù)定距離處。
6.一種探測(cè)裝置，包括基底；布置于所述基底上的多個(gè)探針，每個(gè)所述探針包含接觸尖端；其中多個(gè)所述多個(gè)接觸尖端的每一個(gè)被設(shè)置于構(gòu)件的表面以使得所述接觸尖端的轉(zhuǎn)角在所述探針的圖像中能夠被區(qū)分。
7.如權(quán)利要求6所述的探針裝置，其特征在于所述多個(gè)接觸點(diǎn)的每一個(gè)被設(shè)置于構(gòu)件的表面以使得所述接觸點(diǎn)的多個(gè)轉(zhuǎn)角在所述探針的圖像中能夠被分辨。
8.如權(quán)利要求6所述的探針裝置，其特征在于所述轉(zhuǎn)角包含所述接觸尖端的會(huì)聚邊；每個(gè)所述邊的至少一部分設(shè)置在離所述表面周邊的預(yù)定距離處。
9.一種制造所述探針陣列的方法，所述方法包括確定多個(gè)探針的布局圖，每個(gè)所述探針設(shè)置在所述布局圖上以使得所述探針的尖端與電子元件上的接觸目標(biāo)相對(duì)應(yīng)；用間隔識(shí)別所述探針的其中一些的校準(zhǔn)特征；和制造所述的多個(gè)探針，其中所述的所述探針的其中一些的至少一個(gè)所述的尖端被設(shè)置在構(gòu)件的表面以使得所述的至少一個(gè)尖端的轉(zhuǎn)角在所述探針的圖像中能夠被區(qū)分。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于所述的至少一個(gè)所述尖端被設(shè)置在構(gòu)件的表面以使得所述尖端的多個(gè)轉(zhuǎn)角在所述探針的圖像中能夠被區(qū)分。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于所述轉(zhuǎn)角包含所述尖端的會(huì)聚邊，以及每個(gè)所述邊的至少一部分設(shè)置在離所述表面周邊的預(yù)定距離處。
12.一種用于探測(cè)電子元件的一種裝置，所述裝置包括在多個(gè)探針的電子圖像中發(fā)現(xiàn)校準(zhǔn)特征的裝置；和將所述電子元件上的接觸目標(biāo)與所述探針的尖端相接觸的裝置；其中所述的校準(zhǔn)特征包含所述尖端中的一個(gè)的一部分。
13.如權(quán)利要求12所述的裝置，其特征在于所述尖端中其中之一的所述部分包含所述的所述尖端中其中之一的轉(zhuǎn)角。
14.一種存儲(chǔ)用于使控制器執(zhí)行一種方法的機(jī)器可執(zhí)行指令的方法，所述方法包括在多個(gè)探針的電子圖像中發(fā)現(xiàn)校準(zhǔn)特征；產(chǎn)生控制信號(hào)以將所述電子元件上的接觸目標(biāo)與所述探針的尖端相接觸；其中所述校準(zhǔn)特征包含所述尖端中其中之一的一部分。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于所述尖端中其中之一的所述部分包含所述尖端中其中之一的轉(zhuǎn)角。
16.一種探測(cè)電子元件的方法，所述方法包括以下步驟在多個(gè)探針的電子圖像中發(fā)現(xiàn)校準(zhǔn)特征的轉(zhuǎn)角；將所述電子元件上的接觸目標(biāo)與所述探針相接觸。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于所述探針包含接觸所述目標(biāo)的尖端；以及所述尖端中其中之一是所述的校準(zhǔn)特征。
18.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于所述的發(fā)現(xiàn)步驟還包括在所述的電子圖像中發(fā)現(xiàn)多個(gè)校準(zhǔn)特征中的每一個(gè)上的轉(zhuǎn)角。
19.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于所述的發(fā)現(xiàn)步驟還包括發(fā)現(xiàn)所述校準(zhǔn)特征的多個(gè)轉(zhuǎn)角。
20.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于所述轉(zhuǎn)角設(shè)置在構(gòu)件的表面上；所述轉(zhuǎn)角包含所述校準(zhǔn)特征的會(huì)聚邊；以及每個(gè)所述邊的至少一部分設(shè)置在離所述表面周邊的預(yù)定距離處。
全文摘要
探針陣列的圖像搜尋的校準(zhǔn)特征。然后利用校準(zhǔn)特征讓接觸目標(biāo)和探針相互接觸。校準(zhǔn)特征可以是探針的一個(gè)或多個(gè)尖端的特征。例如，這種特征可以是一個(gè)尖端的轉(zhuǎn)角(462b)?？梢孕纬删哂羞@樣校準(zhǔn)特征的探針陣列。
文檔編號(hào)G01R1/067GK1788203SQ200480013141
公開(kāi)日2006年6月14日 申請(qǐng)日期2004年4月12日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月10日
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