專利名稱：用于密封物品中大泄漏檢測(cè)的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及密封物品中的泄漏檢測(cè)，更具體地說，涉及用于具有小內(nèi)部容積的氣密密封物品中的大泄漏檢測(cè)的方法和裝置。
背景技術(shù)：
氦質(zhì)譜儀檢漏是周知的檢漏技術(shù)。氦被用作示蹤氣體，其穿過密封試件漏縫中最小的漏縫。在穿過漏縫后，包含氦的試樣被吸入到檢漏儀器中并被測(cè)量。該儀器的重要部件是質(zhì)譜管，質(zhì)譜管檢測(cè)并測(cè)量氦。輸入試樣被電離并且由質(zhì)譜管對(duì)其進(jìn)行質(zhì)量分析，以分離氦成分。在一種方法中，使用氦對(duì)試件加壓。連接到檢漏儀測(cè)試端口的檢漏探頭(sniffer probe)圍繞試件外部移動(dòng)。氦穿過試件中的漏縫，被吸入探頭并且被檢漏儀測(cè)量。在另一種方法中，試件內(nèi)部被耦合到檢漏儀的測(cè)試端口，并且被抽真空。氦被噴射到試件外部，透過漏縫被吸入內(nèi)部，并且被檢漏儀測(cè)量。
氦質(zhì)譜儀檢漏的一個(gè)難點(diǎn)是質(zhì)譜管入口必須保持相對(duì)低壓，一般是2×10-4托。在所謂的傳統(tǒng)檢漏儀中，連接到試件或檢漏探頭的測(cè)試端口必須保持相對(duì)低壓。這樣，真空抽氣周期相對(duì)長。另外，在帶漏洞或大容積的部件的測(cè)試中，可能難以或者不可能達(dá)到所需的壓強(qiáng)水平。如果能夠達(dá)到所需的壓強(qiáng)水平，抽氣周期也是非常長的。
現(xiàn)有技術(shù)已經(jīng)提出了用于解決該難點(diǎn)的技術(shù)。1972年9月12日向Briggs授權(quán)的美國專利No.3,690,151中公開了一種逆流檢漏儀，其利用氦通過擴(kuò)散泵向質(zhì)譜儀反向流動(dòng)的技術(shù)。檢漏儀測(cè)試端口可以在擴(kuò)散泵前級(jí)管線的壓強(qiáng)下工作。一種相似的方法利用氦通過渦輪分子泵的反向流動(dòng)。1988年4月5日向Fruzzetti授權(quán)的美國專利No.4,735,084公開了一種用于粗檢漏的技術(shù)。示蹤氣體反向通過機(jī)械真空泵的一級(jí)或二級(jí)。這些技術(shù)允許測(cè)試端口的壓強(qiáng)高于用于傳統(tǒng)檢漏儀的壓強(qiáng)。雖然如此，當(dāng)測(cè)試大容積、不潔的部件或者具有大的泄漏的部件時(shí)，達(dá)到該較高的測(cè)試端口壓強(qiáng)可能仍是困難的。
在傳統(tǒng)氦檢漏中，如果在氣密密封的小部件中出現(xiàn)大的泄漏，則在初步抽氣(rough pump)周期期間，氦可以被快速抽走，以至于不能發(fā)現(xiàn)泄漏，并且接受了該泄漏部件。這種問題在工業(yè)界已經(jīng)存在了長時(shí)間。已對(duì)某些應(yīng)用使用了下述具有有限成效的方法(1)測(cè)量泄漏部件和非泄漏部件之間的抽真空時(shí)間差，和(2)體膨脹方法。這兩種技術(shù)都沒有提供足夠的分辨力。1997年4月29日向Mahoney等授權(quán)的美國專利No.5,625,141公開了與體積膨脹技術(shù)相結(jié)合的氦質(zhì)譜檢漏儀，用于粗檢漏。
1990年1月31日公布的歐洲專利申請(qǐng)No.0 352 371公開了包括離子泵的氦檢漏儀，該離子泵被連接到硅玻璃毛細(xì)管形式的探頭。該硅玻璃管被加熱到300℃到900℃之間的溫度，從而變得能夠能夠透過氦。1994年7月5日向De Simon授權(quán)的美國專利No.5,325,708公開了一種氦檢測(cè)單元，該氦檢測(cè)單元使用石英毛細(xì)管膜、用于對(duì)該膜進(jìn)行加熱的燈絲和離子泵。1997年8月26日向Bohm等授權(quán)的美國專利No.5,661,229公開了一種檢漏儀，該檢漏儀具有聚合物或者被加熱的石英窗口，用于有選擇地將氦傳送到耗氣真空計(jì)(gas-consuming vacuum gauge)。
所有現(xiàn)有技術(shù)的氦檢漏儀都具有一個(gè)或多個(gè)缺點(diǎn)，包括受限的壓強(qiáng)范圍、易受污染性和/或高成本。因此，需要改進(jìn)的方法和裝置來檢漏。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種用于檢漏的裝置。所述裝置包括被配置來接收包含示蹤氣體的試件的第一可密封室、第二可密封室、耦合在第一與第二室之間的第一閥、具有測(cè)試端口的檢漏儀、耦合在第二室與檢漏儀的測(cè)試端口之間的示蹤氣體可透過構(gòu)件、具有入口的真空泵，以及耦合在第二室與真空泵的入口之間的第二閥。
可透過構(gòu)件對(duì)于氦可以是可透過的，并且可透過構(gòu)件的示蹤氣體透過率可以是可控的。在某些實(shí)施例中，可透過構(gòu)件包括石英構(gòu)件。裝置還可以包括與石英構(gòu)件熱接觸的加熱元件，以及配置來控制加熱元件的控制器。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種用于檢漏的裝置。所述裝置包括被配置來接收包含示蹤氣體的試件的第一可密封室、第二可密封室、耦合在第一與第二室之間的第一閥、包括測(cè)試端口和真空泵的檢漏儀、耦合在第二室與檢漏儀的測(cè)試端口之間的第二閥，以及耦合在第二室與檢漏儀的測(cè)試端口之間的示蹤氣體可透過構(gòu)件。
根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供了一種用于檢漏的方法。所述方法包括提供第一可密封室、第二可密封室和耦合在第一室和第二室之間的第一閥；在第一閥關(guān)閉的情況下，將包含示蹤氣體的試件放置到第一室中；在第一閥關(guān)閉的情況下，對(duì)第二室真空抽氣；開啟第一閥，其中第一室中的氣體膨脹到第二室中；提供耦合到第二室的示蹤氣體可透過構(gòu)件；以及通過感測(cè)穿過可透過構(gòu)件的示蹤氣體，檢測(cè)試件中的泄漏。
根據(jù)本發(fā)明的第四方面，提供了一種用于檢漏的裝置。所述裝置包括被配置來接收包含示蹤氣體的試件的第一可密封室、第二可密封室、耦合在第一與第二室之間的第一閥、包括測(cè)試端口和真空泵的第一檢漏儀、耦合在第二室與第一檢漏儀的測(cè)試端口之間的第二閥、具有測(cè)試端口的第二檢漏儀，以及耦合在第二室與第二檢漏儀的測(cè)試端口之間的示蹤氣體可透過構(gòu)件。


為了更好地理解本發(fā)明，參考附圖，附圖通過參考被結(jié)合于此，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的檢漏裝置的示意性框圖；圖1A是圖1的檢漏裝置的簡化的局部截面圖，其示出了可透過構(gòu)件；圖2是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的檢漏裝置的示意性框圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的檢漏裝置的示意性框圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于檢漏的方法的簡化流程圖；和圖5是現(xiàn)有技術(shù)的檢漏儀的示意性框圖。
具體實(shí)施例方式
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的檢漏裝置的示意性框圖。第一可密封室10容納有試件12。試件12的內(nèi)部空間利用氦被加壓，或者在被插入到檢漏裝置的第一室10之前，被暴露給高氦濃度。通過第一閥16，第二可密封室14連接到第一室10。通過第二閥22，具有入口21的真空泵20連接到第二室14。真空泵20可以是能夠?qū)簭?qiáng)抽真空至大約100毫巴的任何類型的真空泵。
氦檢測(cè)器組件30經(jīng)由真空法蘭32連接到第二室14。氦檢測(cè)器組件30包括離子泵34、離子泵控制器36和示蹤氣體可透過構(gòu)件40。離子泵34和可透過構(gòu)件40安裝在密封殼42中，其中可透過構(gòu)件40置于第二室14和離子泵34之間。經(jīng)由真空饋通(vacuum feedthrough)38，控制器36連接到離子泵34?？刂破?6向離子泵供電，并感測(cè)離子泵電流。
離子泵34一般儀由控制器36提供的大約在2000到9000伏特之間的高電壓被賦能。離子泵電流與離子泵內(nèi)部的真空壓強(qiáng)成比例。透過可透過構(gòu)件40的氦以與泄漏率成比例的速率影響真空壓強(qiáng)。因此，離子泵電流與泄漏率成比例。
示蹤氣體可透過構(gòu)件40位于第二室14和離子泵34之間。可透過構(gòu)件40是檢漏裝置中所使用的示蹤氣體(一般是氦)在指定條件下可透過的材料?？赏高^構(gòu)件40基本上使示蹤氣體通過或者透過，而阻擋其他氣體、液體和微粒。從而，在允許示蹤氣體通過而阻止其他氣體、液體和微粒的意義上，可透過構(gòu)件40充當(dāng)示蹤氣體窗口?？赏高^構(gòu)件40可以具有例如盤狀的形狀。
石英或者硅玻璃是能夠透過氦的材料的例子。具體地說，石英的氦透過率隨溫度而變化。在被升高到300℃到900℃范圍內(nèi)的溫度處，石英具有相對(duì)高的氦透過率。在室溫處，石英具有相對(duì)低的氦透過率。如圖1A所示，檢漏裝置可以配備加熱元件50，其與石英可透過構(gòu)件40相熱接觸。加熱元件對(duì)石英材料進(jìn)行加熱，以增大氦透過率，同時(shí)石英有選擇地阻擋大多其他氣體、水蒸汽和微粒。石英對(duì)于給定的溫度具有恒定的透過率?？梢哉{(diào)節(jié)溫度來控制透過率，從而控制靈敏度?？梢杂煽刂破?2向加熱元件50賦能。通過控制可透過構(gòu)件40的溫度，提供了氦窗口。在相對(duì)高的溫度處(例如300℃到600℃)，氦透過率高，氦窗口打開。在相對(duì)低的溫度處(例如室溫)，氦透過率低，氦窗口關(guān)閉。可以通過電阻加熱、輻射加熱或者任何其他合適的加熱技術(shù)來對(duì)可透過構(gòu)件40進(jìn)行加熱。
可透過構(gòu)件40可以用能夠透過示蹤氣體(一般是氦)的任何合適的材料制成，并且可以具有任何形狀和尺寸。合適材料的示例包括石英和可透過聚合物，例如商標(biāo)為Teflon的四氟乙烯。在可透過聚合物的情形中，不需要加熱元件?？赏高^構(gòu)件可以在真空、大氣壓或者稍高于大氣壓的壓強(qiáng)下工作?？赏高^構(gòu)件可以在包含有氣體、微粒的氣氛中以及在潮濕的環(huán)境中工作。
在圖1的實(shí)施例中，真空泵20被單獨(dú)使用，其不是檢漏儀的一部分。在這種實(shí)施例中，不在大泄漏測(cè)試之后執(zhí)行精細(xì)泄漏測(cè)試。
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的檢漏裝置的示意性框圖。圖1和圖2中相似的元件具有相同的標(biāo)號(hào)。在圖2的實(shí)施例中，通過第二閥22，檢漏儀24的測(cè)試端口連接到第二室14。在圖2的實(shí)施例中，省略了真空泵20，并且檢漏儀24包括通過閥22可連接到第二室14的適當(dāng)?shù)恼婵毡?。在這種實(shí)施例中，可以在大泄漏測(cè)試之后可選地執(zhí)行精細(xì)泄漏測(cè)試。檢漏儀24可以是包括真空泵的任何檢漏儀。適合的檢漏儀的例子示出在圖5中，并且在下面將對(duì)其進(jìn)行描述。然而，檢漏儀并不限于圖5所示的例子。
室10和室14由第一閥16互連，并且真空泵20通過第二閥22連接到第二室14。氦檢測(cè)器組件30連接到第二室14。利用關(guān)閉第一閥16來將室10和室14相互分離，試件12被置于第一室10中。在測(cè)試開始時(shí)，第一室10中的氦濃度處于環(huán)境水平，或者可以使用沖氮操作來降低氦的濃度，以便增強(qiáng)大泄漏測(cè)量的靈敏度。
在第一閥16關(guān)閉的情況下，將第二閥22向真空泵20開啟，使得將第二室14抽至期望的真空水平。然后將閥22關(guān)閉，以不再對(duì)任一個(gè)室抽氣。然后將室10和室14之間的閥16打開，并且允許室10中的氣體流動(dòng)到室14中，直到達(dá)到壓強(qiáng)平衡。從試件12泄漏的氦進(jìn)入到第二室14中，并增加了真空環(huán)境中的氦濃度，直到達(dá)到壓強(qiáng)平衡?，F(xiàn)在可以測(cè)量第二室14中得到的氦濃度。
只有氦穿過可透過構(gòu)件40，并且增加了離子泵34中的壓強(qiáng)。氦壓強(qiáng)的增加導(dǎo)致離子泵電流的增加，其與氦壓強(qiáng)的增加成比例，并與泄漏率成比例。氦除了穿過可透過構(gòu)件40的氦之外，檢測(cè)儀組件30在第二室14中具有基本為零的抽氣速率，并且不象現(xiàn)有技術(shù)設(shè)備中那樣從第二室14移除氣體。氦檢測(cè)儀組件30檢測(cè)氦泄漏，但并不將氦抽走，所以可以比現(xiàn)有技術(shù)的方法更精確、更可靠，并且靈敏度更高地檢測(cè)大的泄漏。
在圖1的實(shí)施例中，在對(duì)離子泵電流進(jìn)行測(cè)量，并且確定是否存在大的泄漏之后，過程結(jié)束。在檢漏儀24通過第二閥22被連接到第二室14的圖2的實(shí)施例中，如果由氦檢測(cè)儀組件30沒有檢測(cè)出大泄漏，則可以使用檢漏儀24來檢測(cè)小的泄漏。第二閥22被開啟，并且第二室14被抽氣至適于檢漏儀24工作的壓強(qiáng)水平。然后，使用檢漏儀24來檢測(cè)在試件12中是否存在小的泄漏。
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的檢漏裝置的示意性框圖。圖2和圖3中相似的元件具有相同的標(biāo)號(hào)。在圖3的實(shí)施例中，省略了離子泵34和離子泵控制器36，并且殼42通過導(dǎo)管50被連接到檢漏儀24的測(cè)試端口。
為了執(zhí)行大泄漏測(cè)試，試件12被置于第一室10中，并且第一閥16被關(guān)閉。第二閥22被開啟，并且用真空泵對(duì)第二室14抽氣，其中真空泵是檢漏儀24的一部分。然后，第二閥22關(guān)閉，并且第一閥16被開啟。這允許使第一室10與第二室14之間的壓強(qiáng)相等。從試件12泄漏的氦穿過可透過構(gòu)件40、殼42和導(dǎo)管60到達(dá)檢漏儀24。氦被檢漏儀24檢測(cè)，并且確定出是否存在泄漏。因?yàn)樵诖笮孤z測(cè)期間第二閥22是關(guān)閉的，所以除了穿過可透過構(gòu)件40的氦之外，第二室14中的壓強(qiáng)被保持。結(jié)果，氦沒有快速地被抽去，并且可以被檢測(cè)。
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于檢漏的方法的簡化流程圖。參考圖1～圖3所示并且在上面描述的檢漏裝置描述該方法。在步驟100中，試件12被置于第一室10中。在步驟102中，第一室10與第二室14之間的閥16被關(guān)閉。然后，在步驟104中，開啟閥22，并且第二室14被真空抽氣。在步驟106中，將閥22關(guān)閉，并且開啟第一室和第二室之間的閥16。這允許第一室10中的氣體膨脹到第二室14，從而使第一室和第二室中的壓強(qiáng)平衡。如果該裝置包括如圖1A所示的加熱元件50，則可以向該加熱元件賦能，來增加可透過構(gòu)件40的氦透過率。在步驟108中，在第二閥22關(guān)閉的情況下，感測(cè)第二室14中的氦。在圖2和圖2的實(shí)施例中，在步驟108中通過離子泵34感測(cè)氦。在圖3的實(shí)施例中，在步驟108中通過檢漏儀24感測(cè)氦。在步驟110中，基于所感測(cè)的穿過可透過構(gòu)件40的氦，作出在試件12中是否存在大泄漏的判斷。大泄漏檢測(cè)步驟110結(jié)束圖1的實(shí)施例的過程。在圖2和圖3的實(shí)施例中，在步驟112中將閥22開啟，并且第二室14被真空抽氣至較低的壓強(qiáng)水平，以允許小泄漏檢測(cè)。在包括用于對(duì)可透過構(gòu)件40加熱的加熱元件50的實(shí)施例中，可以在步驟112中對(duì)加熱元件去能。在步驟114中，由檢漏儀24執(zhí)行泄漏測(cè)試，并且在步驟116中檢測(cè)是否存在小泄漏。
圖5示出了現(xiàn)有技術(shù)檢漏儀的一種實(shí)施例，其適于在圖2和圖3的檢漏裝置中使用。通過粗調(diào)閥(roughing valve)232，測(cè)試端口230耦合到低真空泵(roughing pump)234。測(cè)試端口230還通過測(cè)試閥236被耦合到高真空泵240的前級(jí)管線238。真空泵240可以是渦輪分子泵、擴(kuò)散泵，或者包括有軸向泵浦級(jí)和分子拖曳級(jí)的混和渦輪分子泵。前級(jí)管線238還被耦合到前級(jí)泵242，該前級(jí)泵維持前級(jí)管線238處所需的工作壓強(qiáng)。真空泵240的入口耦合到質(zhì)譜管244的入口。
在工作中，低真空泵234最初將測(cè)試端口230和第二室14抽真空至在100毫托到300毫托范圍內(nèi)的壓強(qiáng)。然后將測(cè)試閥236開啟，通過測(cè)試端口230吸入的氦示蹤氣體以相反的方向穿過真空泵240到質(zhì)譜管244。由于真空泵240對(duì)于樣本中較重的氣體具有低得多的反向流率，所以其阻擋了這些氣體到質(zhì)譜管244，從而有效地將示蹤氣體分離。
已經(jīng)如此描述了各種示例性的非限定實(shí)施例及其各個(gè)方面，但是對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，各種修改和替換是明顯的。這些修改和替換將被包括在本公開中，本公開的目的是示例和解釋，而不是要定義本發(fā)明的限制。本發(fā)明的范圍應(yīng)當(dāng)由所附權(quán)利要求及其等同物的正確解釋來確定。
權(quán)利要求
1.一種用于檢漏的裝置，包括第一可密封室，被配置以接收包含示蹤氣體的試件；第二可密封室；第一閥，耦合在所述第一與第二室之間；具有測(cè)試端口的檢漏儀；示蹤氣體可透過構(gòu)件，耦合在所述第二室與所述檢漏儀的所述測(cè)試端口之間；具有入口的真空泵；和第二閥，耦合在所述第二室與所述真空泵的入口之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述檢漏儀包括離子泵。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述可透過構(gòu)件對(duì)于氦是可透過的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述可透過構(gòu)件包括石英構(gòu)件，所述裝置還包括與所述石英構(gòu)件熱接觸的加熱元件，以及被配置來控制所述加熱元件的控制器。
5.一種用于檢漏的裝置，包括第一可密封室，被配置以接收包含示蹤氣體的試件；第二可密封室；第一閥，耦合在所述第一與第二室之間；檢漏儀，包括測(cè)試端口和真空泵；第二閥，耦合在所述第二室與所述檢漏儀的所述測(cè)試端口之間；和示蹤氣體可透過構(gòu)件，耦合在所述第二室與所述檢漏儀的所述測(cè)試端口之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其中，所述第二閥在所述第二室中相對(duì)高壓時(shí)關(guān)閉，并且其中，所述第二閥在所述第二室中相對(duì)低壓時(shí)開啟。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其中，所述可透過構(gòu)件包括石英構(gòu)件，所述裝置還包括與所述石英構(gòu)件熱接觸的加熱元件，以及被配置來控制所述加熱元件的控制器。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其中，所述可透過構(gòu)件的示蹤氣體透過率是可控的。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其中，所述可透過構(gòu)件對(duì)于氦是可透過的。
10.一種用于檢漏的方法，包括提供第一可密封室、第二可密封室和耦合在所述第一和第二室之間的第一閥；在所述第一閥關(guān)閉的情況下，將包含示蹤氣體的試件放置到所述第一室中；在所述第一閥關(guān)閉的情況下，對(duì)所述第二室真空抽氣；開啟所述第一閥，其中所述第一室中的氣體膨脹到所述第二室中；提供耦合到所述第二室的示蹤氣體可透過構(gòu)件；以及通過感測(cè)穿過所述可透過構(gòu)件的所述示蹤氣體，檢測(cè)所述試件中的泄漏。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括在所述第一閥開啟的情況下，對(duì)所述第二室真空抽氣，以及感測(cè)從所述第二室所抽的所述示蹤氣體，以檢測(cè)小泄漏。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括在所述第二室中相對(duì)高壓時(shí)將所述可透過構(gòu)件控制在高示蹤氣體透過率，并且在所述第二室中相對(duì)低壓時(shí)將所述可透過構(gòu)件控制在低示蹤氣體透過率。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，控制所述可透過構(gòu)件包括對(duì)所述可透過構(gòu)件加熱。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，感測(cè)穿過所述可透過構(gòu)件的所述示蹤氣體包括利用離子泵感測(cè)所述示蹤氣體以及監(jiān)視離子泵電流。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，感測(cè)穿過所述可透過構(gòu)件的所述示蹤氣體包括利用包括質(zhì)譜儀的檢漏儀感測(cè)所述示蹤氣體。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，感測(cè)從所述第二室所抽的所述氣體包括利用檢漏儀感測(cè)所述示蹤氣體。
17.一種用于檢漏的裝置，包括第一可密封室，被配置以接收包含示蹤氣體的試件；第二可密封室；第一閥，耦合在所述第一與第二室之間；第一檢漏儀，包括測(cè)試端口和真空泵；第二閥，耦合在所述第二室與所述第一檢漏儀的所述測(cè)試端口之間；具有測(cè)試端口的第二檢漏儀；和示蹤氣體可透過構(gòu)件，耦合在所述第二室與所述第二檢漏儀的所述測(cè)試端口之間。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，其中，所述第二閥在所述第二室中相對(duì)高壓時(shí)關(guān)閉，并且其中，所述第二閥在所述第二室中相對(duì)低壓時(shí)開啟。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，其中，所述可透過構(gòu)件包括石英構(gòu)件，所述裝置還包括與所述石英構(gòu)件熱接觸的加熱元件，以及被配置來控制所述加熱元件的控制器。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，其中，所述可透過構(gòu)件的示蹤氣體透過率是可控的。
21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，其中，所述可透過構(gòu)件對(duì)于氦是可透過的。
22.根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，其中，所述第二檢漏儀包括離子泵。
全文摘要
提供了用于檢測(cè)密封物品中的大泄漏的方法和裝置。用于檢漏的裝置包括被配置來接收包含示蹤氣體的試件的第一可密封室、第二可密封室、耦合在第一與第二室之間的第一閥、具有測(cè)試端口的檢漏儀、耦合在第二室與檢漏儀的測(cè)試端口之間的示蹤氣體可透過構(gòu)件、具有入口的真空泵以及耦合在第二室與真空泵的入口之間的第二閥?？赏高^構(gòu)件可以是石英，當(dāng)被加熱時(shí)其對(duì)于氦是可透過的。檢漏儀可以是離子泵或者氦質(zhì)譜檢漏儀。
文檔編號(hào)G01M3/22GK1720432SQ200480001643
公開日2006年1月11日 申請(qǐng)日期2004年6月9日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月11日
發(fā)明者查爾斯·伯金斯, 彼得·N·帕倫斯蒂恩 申請(qǐng)人:瓦里安有限公司