本發(fā)明屬于閥，具體涉及提升閥，尤其涉及一種用于半導(dǎo)體定量涂膠的氣動通斷回吸一體閥及其工作方法。

背景技術(shù)：

1、濕法清洗是指用化學(xué)溶液清洗晶圓，以去除一些金屬雜質(zhì)，防止在高溫過程下這些雜質(zhì)造成問題，影響工藝設(shè)備的運(yùn)行及投產(chǎn)后的成品率。

2、對晶圓的濕法清洗完成后，為了防止有多余的化學(xué)溶液滴落，此時需要用到回吸閥將化學(xué)溶液回吸防止污染。

3、在相關(guān)技術(shù)中，現(xiàn)有的回吸閥在打開瞬間，輸送的液體會瞬間進(jìn)入流道內(nèi)并沖擊在通斷膜片上，使得通斷膜片會受到很大的沖擊力，容易受到損傷。

4、因此，如何解決通斷膜片在開啟瞬間容易因沖擊力受損的技術(shù)問題是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需解決的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開實(shí)施例至少提供一種用于半導(dǎo)體定量涂膠的氣動通斷回吸一體閥及其工作方法。

2、第一方面，本公開實(shí)施例提供了一種用于半導(dǎo)體定量涂膠的氣動通斷回吸一體閥，其包括：閥體，其內(nèi)開設(shè)有流道，且在流道的上方、下方分別設(shè)置有回吸膜片、通斷膜片；下腔體底板，與閥體的下端部連接，且內(nèi)部設(shè)置有與通斷膜片相連的下活塞，所述下活塞通過彈力帶動通斷膜片上升以截?cái)嗔鞯?；氣缸體，與閥體的上端部連接，且內(nèi)部設(shè)置有與回吸膜片相連的上活塞，所述上活塞通過氣壓的增大帶動回吸膜片下降，并與通斷膜片相抵后使其跟隨下降以打開流道；其中在流道打開瞬間，所述通斷膜片帶動下活塞下降，將下活塞下方的氣體擠入通斷膜片下方的環(huán)形腔室內(nèi)，以緩沖流道打開瞬間液體對通斷膜片的沖擊力。

3、在一種可選的實(shí)施方式中，所述下腔體底板內(nèi)設(shè)置有導(dǎo)向筒；所述下活塞的下端部插設(shè)在導(dǎo)向筒內(nèi)，且所述導(dǎo)向筒的外圍套設(shè)有用于抵住下活塞的第一彈簧，以使下活塞的下端部與導(dǎo)向筒的筒底之間留有擠壓腔室；其中所述下活塞內(nèi)開設(shè)有連通環(huán)形腔室與擠壓腔室的氣道，在流道打開瞬間，所述下活塞下降以將擠壓腔室內(nèi)的氣體擠入環(huán)形腔室。

4、在一種可選的實(shí)施方式中，所述氣道內(nèi)設(shè)置有滑動塊；所述滑動塊開設(shè)有受壓腔室，所述受壓腔室一側(cè)開設(shè)有與擠壓腔室連通的進(jìn)氣口，所述受壓腔室的頂部開設(shè)有出氣口；在流道打開瞬間，所述下活塞下降加壓擠壓腔室內(nèi)的氣體，通過壓力的增大推動滑動塊后退至第一閾值，使出氣口與環(huán)形腔室連通，即向環(huán)形腔室內(nèi)充氣。

5、在一種可選的實(shí)施方式中，所述氣道開設(shè)有第一排氣口，所述受壓腔室的底部開設(shè)有第二排氣口；在流道打開的過程中，所述下活塞持續(xù)加壓擠壓腔室內(nèi)的氣體，通過壓力的增大推動滑動塊后退至第二閾值，使第二排氣口與第一排氣口連通以泄壓；在流道打開的過程中，當(dāng)通斷膜片破損時，所述下活塞持續(xù)加壓擠壓腔室內(nèi)的氣體，通過壓力的增大推動滑動塊后退維持在第一閾值，以阻止下活塞的下降。

6、在一種可選的實(shí)施方式中，所述滑動塊的下表面設(shè)置有跟隨滑動塊后退的擋塊，且所述擋塊由第一排氣口伸出下活塞；其中當(dāng)滑動塊后退至第一閾值，所述擋塊位于導(dǎo)向筒的正上方；當(dāng)滑動塊后退至第二閾值，所述擋塊位于與導(dǎo)向筒錯位。

7、在一種可選的實(shí)施方式中，所述第一排氣口的寬度大于第二排氣口的寬度；其中在滑動塊后退過程中，所述擋塊在第一排氣口內(nèi)跟隨滑動塊同步移動；所述氣道內(nèi)設(shè)置有用于推動滑動塊復(fù)位的第二彈簧；所述滑動塊的上表面設(shè)置有限位凸起，所述氣道的內(nèi)壁設(shè)置有與限位凸起適配的限位凹槽。

8、在一種可選的實(shí)施方式中，所述下活塞與導(dǎo)向筒間隙配合，以在下活塞帶動通斷膜片上升截?cái)嗔鞯篮螅箶D壓腔室恢復(fù)常壓。

9、在一種可選的實(shí)施方式中，所述回吸膜片12位于氣缸體2與閥體1之間，并通過側(cè)邊的卡槽倒鉤硬密封；所述通斷膜片13下腔體底板3與閥體1之間，通過“z”字型側(cè)邊與密封圈的配合實(shí)現(xiàn)壓合密封；所述回吸膜片12和所述通斷膜片13均采用雙錐耦合結(jié)構(gòu)。

10、在一種可選的實(shí)施方式中，所述氣缸體內(nèi)設(shè)置有環(huán)形擋圈，所述環(huán)形擋圈位于回吸膜片的上方；其中所述環(huán)形擋圈朝向回吸膜片側(cè)設(shè)置有傾斜面，在回吸膜片上升時，所述回吸膜片與傾斜面相抵；所述回吸膜片的中部呈弧形，且朝向環(huán)形擋圈側(cè)彎曲設(shè)置；所述回吸膜片的中部包括：依次相連的第一弧段、第二弧段和第三弧段；所述第一弧段的外端部與回吸膜片的升降柱相連，所述第三弧段的外端部與回吸膜片側(cè)邊的卡槽倒鉤相連。

11、第二方面，本公開實(shí)施例還提供一種用于半導(dǎo)體定量涂膠的氣動通斷回吸一體閥的工作方法，其包括：通過下活塞帶動通斷膜片上升以截?cái)嗔鞯溃煌ㄟ^上活塞帶動回吸膜片下降以推動通斷膜片打開截?cái)嗔鞯?；通過通斷膜片的下降將下活塞下方的氣體擠入通斷膜片下方的環(huán)形腔室內(nèi)，以緩沖流道打開瞬間液體對通斷膜片的沖擊力；在流道打開瞬間，所述下活塞下降加壓擠壓腔室內(nèi)的氣體，通過壓力的增大推動滑動塊后退至第一閾值，使出氣口與環(huán)形腔室連通，即向環(huán)形腔室內(nèi)充氣；在流道打開的過程中，所述下活塞持續(xù)加壓擠壓腔室內(nèi)的氣體，通過壓力的增大推動滑動塊后退至第二閾值，使第二排氣口與第一排氣口連通以泄壓；在流道打開的過程中，當(dāng)通斷膜片破損時，所述下活塞持續(xù)加壓擠壓腔室內(nèi)的氣體，通過壓力的增大推動滑動塊后退維持在第一閾值，以阻止下活塞的下降。

12、本發(fā)明的有益效果是，本用于半導(dǎo)體定量涂膠的氣動通斷回吸一體閥及其工作方法通過在下活塞的下方設(shè)置有一腔室，在通斷膜片下降打開流道的同時，下活塞下降以將下活塞下方腔室內(nèi)的氣體擠入通斷膜片下方的環(huán)形腔室內(nèi)，從而使通斷膜片得到緩沖，以降低了受到的沖擊力。

13、本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。

14、為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，本文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說明如下。

技術(shù)特征：

1.一種用于半導(dǎo)體定量涂膠的氣動通斷回吸一體閥，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體定量涂膠的氣動通斷回吸一體閥，其特征在于，

3.如權(quán)利要求2所述的用于半導(dǎo)體定量涂膠的氣動通斷回吸一體閥，其特征在于，

4.如權(quán)利要求3所述的用于半導(dǎo)體定量涂膠的氣動通斷回吸一體閥，其特征在于，

5.如權(quán)利要求4所述的用于半導(dǎo)體定量涂膠的氣動通斷回吸一體閥，其特征在于，

6.如權(quán)利要求5所述的用于半導(dǎo)體定量涂膠的氣動通斷回吸一體閥，其特征在于，

7.如權(quán)利要求6所述的用于半導(dǎo)體定量涂膠的氣動通斷回吸一體閥，其特征在于，

8.如權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體定量涂膠的氣動通斷回吸一體閥，其特征在于，

9.如權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體定量涂膠的氣動通斷回吸一體閥，其特征在于，

10.一種如權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體定量涂膠的氣動通斷回吸一體閥的工作方法，其特征在于，包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于閥技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種用于半導(dǎo)體定量涂膠的氣動通斷回吸一體閥及其工作方法，本用于半導(dǎo)體定量涂膠的氣動通斷回吸一體閥包括：閥體，其內(nèi)開設(shè)有流道，且在流道的上方、下方分別設(shè)置有回吸膜片、通斷膜片；下腔體底板，與閥體的下端部連接，且內(nèi)部設(shè)置有與通斷膜片相連的下活塞，所述下活塞通過彈力帶動通斷膜片上升以截?cái)嗔鞯?；氣缸體，與閥體的上端部連接，且內(nèi)部設(shè)置有與回吸膜片相連的上活塞，本用于半導(dǎo)體定量涂膠的氣動通斷回吸一體閥通過在下活塞的下方設(shè)置有一腔室，在通斷膜片下降打開流道的同時，下活塞下降以將下活塞下方腔室內(nèi)的氣體擠入通斷膜片下方的環(huán)形腔室內(nèi)，從而使通斷膜片得到緩沖，以降低了受到的沖擊力。

技術(shù)研發(fā)人員：張生洲,祝約禮
受保護(hù)的技術(shù)使用者：科訊工業(yè)制造（深圳）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2