半導(dǎo)體封裝中提升銅磷陽極黑膜品質(zhì)的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，特別設(shè)及一種半導(dǎo)體封裝中提升銅憐陽極黑膜品質(zhì) 的方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 半導(dǎo)體封裝工藝中，銅電鍛采用憐銅陽極板，通過電解在憐銅陽極板表面產(chǎn)生一 層黑色的憐膜，主要成分為CU3P，運(yùn)層憐膜具有較好的導(dǎo)電性，同時(shí)又能減緩陽極銅的溶 解，減少添加劑耗用。但是在實(shí)際生產(chǎn)過程中會(huì)發(fā)生電鍛液添加劑附著，黑膜脫落等現(xiàn)象， 造成產(chǎn)品品質(zhì)變差，如銅鍛層粗糖突起。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 在下文中給出關(guān)于本發(fā)明的簡要概述，W便提供關(guān)于本發(fā)明的某些方面的基本理 解。應(yīng)當(dāng)理解，運(yùn)個(gè)概述并不是關(guān)于本發(fā)明的窮舉性概述。它并不是意圖確定本發(fā)明的關(guān)鍵 或重要部分，也不是意圖限定本發(fā)明的范圍。其目的僅僅是W簡化的形式給出某些概念，W 此作為稍后論述的更詳細(xì)描述的前序。
[0004] 本發(fā)明實(shí)施例的目的是針對上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種提升設(shè)備產(chǎn)能并保證 產(chǎn)品質(zhì)量的半導(dǎo)體封裝中提升銅憐陽極黑膜品質(zhì)的方法。
[0005] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采取的技術(shù)方案是：
[0006] -種半導(dǎo)體封裝中提升銅憐陽極黑膜品質(zhì)的方法，銅電鍛采用憐銅陽極板，將憐 銅陽極板放入硫酸體系銅電鍛液中，電解憐銅陽極板，使憐銅陽極板表面產(chǎn)生一層黑色的 憐膜;所述硫酸體系銅電鍛液中，氯離子濃度控制在50-80ml/L，每周用0.1-0.7安培/平方 分米電流密度對憐銅陽極板做一次電解。
[0007] 所述氯離子濃度控制在50-80ml/L，所述電流密度為0.1-0.7安培/平方分米。
[000引所述氯離子濃度控制在55-75ml/L，所述電流密度為0.2-0.5安培/平方分米。
[0009] 所述氯離子濃度控制在55-75ml/L，所述電流密度為0.3-0.4安培/平方分米。
[0010] 所述氯離子濃度控制在65ml/L，所述電流密度為0.35安培/平方分米。
[0011] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：
[0012] 為了保證產(chǎn)品質(zhì)量，本發(fā)明通過控制電鍛液中氯離子的含量和電解電流密度的關(guān) 系來保證黑膜品質(zhì)，從而提升設(shè)備產(chǎn)能并保證產(chǎn)品質(zhì)量。采用本發(fā)明的方法產(chǎn)生的黑膜可 有效阻止添加劑附著，且有較好的附著力，能在一段時(shí)間內(nèi)維持穩(wěn)定，減少添加劑損耗并減 少維護(hù)提高設(shè)備利用率。
【具體實(shí)施方式】
[0013] 為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面對本發(fā)明實(shí)施例中的 技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全 部的實(shí)施例。在本發(fā)明的一種實(shí)施方式中描述的元素和特征可W與一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施方式 中示出的元素和特征相結(jié)合。應(yīng)當(dāng)注意，為了清楚的目的，說明中省略了與本發(fā)明無關(guān)的、 本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的部件和處理的表示和描述。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普 通技術(shù)人員在沒有付出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的 范圍。
[0014] 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝中提升銅憐陽極黑膜品質(zhì)的方法，銅電鍛采用憐銅陽 極板，將憐銅陽極板放入硫酸體系銅電鍛液中，電解憐銅陽極板，使憐銅陽極板表面產(chǎn)生一 層黑色的憐膜;所述硫酸體系銅電鍛液中，氯離子濃度控制在50-80ml/L，每周用0.1-0.7安 培/平方分米電流密度對憐銅陽極板做一次電解。
[0015] W下是本發(fā)明實(shí)驗(yàn)階段收集的數(shù)據(jù)：
[0016] 實(shí)驗(yàn)背景：陽極憐含量0.04 %
[0017] 不同條件產(chǎn)生的陽極黑膜放置1天后，鍛層外觀基本都光滑，用好0K表示，如表1所 /J、- 〇
[001引 表1
[0019]
[0020] 不同條件產(chǎn)生的黑膜放置5天后，有較多會(huì)產(chǎn)生鍛層缺陷，如表2所示。
[0021] 表2
[0022]
[0023] 不同條件產(chǎn)生的黑膜放置10天后，只有0.3安培/平方分米(ASDK0.4ASD的部分條 件鍛層0K，其他均出現(xiàn)鍛層粗糖，如表3所示。
[0024] 表 3
[0025]
[0026] 本發(fā)明通過上述的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，硫酸體系銅電鍛液中，氯離子濃度控制在65ml/L左 右，每周用0.35ASD電流密度對陽極做一次電解，可保持黑膜狀態(tài)最佳，產(chǎn)品鍛層狀態(tài)0K，添 加劑消耗量減少30 %左右。
[0027] 最后應(yīng)說明的是：W上實(shí)施例僅用W說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制;盡管 參照前述實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可 W對前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換； 而運(yùn)些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和 范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種半導(dǎo)體封裝中提升銅磷陽極黑膜品質(zhì)的方法，其特征在于，銅電鍍采用磷銅陽 極板，將磷銅陽極板放入硫酸體系銅電鍍液中，電解磷銅陽極板，使磷銅陽極板表面產(chǎn)生一 層黑色的磷膜;所述硫酸體系銅電鍍液中，氯離子濃度控制在50-80ml/L，每周用0.1-0.7安 培/平方分米電流密度對磷銅陽極板做一次電解。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝中提升銅磷陽極黑膜品質(zhì)的方法，其特征在于，所 述氯離子濃度控制在50_80ml/L，所述電流密度為0.1-0.7安培/平方分米。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝中提升銅磷陽極黑膜品質(zhì)的方法，其特征在于，所 述氯離子濃度控制在55-75ml/L，所述電流密度為0.2-0.5安培/平方分米。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝中提升銅磷陽極黑膜品質(zhì)的方法，其特征在于，所 述氯離子濃度控制在55-75ml/L，所述電流密度為0.3-0.4安培/平方分米。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝中提升銅磷陽極黑膜品質(zhì)的方法，其特征在于，所 述氯離子濃度控制在65ml/L，所述電流密度為0.35安培/平方分米。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體封裝中提升銅磷陽極黑膜品質(zhì)的方法，銅電鍍采用磷銅陽極板，將磷銅陽極板放入硫酸體系銅電鍍液中，電解磷銅陽極板，使磷銅陽極板表面產(chǎn)生一層黑色的磷膜；所述硫酸體系銅電鍍液中，氯離子濃度控制在50-80ml/L，每周用0.1-0.7安培/平方分米電流密度對磷銅陽極板做一次電解。為了保證產(chǎn)品質(zhì)量，本發(fā)明通過控制電鍍液中氯離子的含量和電解電流密度的關(guān)系來保證黑膜品質(zhì)，從而提升設(shè)備產(chǎn)能并保證產(chǎn)品質(zhì)量。采用本發(fā)明的方法產(chǎn)生的黑膜可有效阻止添加劑附著，且有較好的附著力，能在一段時(shí)間內(nèi)維持穩(wěn)定，減少添加劑損耗并減少維護(hù)提高設(shè)備利用率。
【IPC分類】C25D21/14, C25D7/12
【公開號】CN105586630
【申請?zhí)枴緾N201510980495
【發(fā)明人】徐小鋒
【申請人】南通富士通微電子股份有限公司
【公開日】2016年5月18日
【申請日】2015年12月23日