專利名稱：電鍍裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及例如在基片(襯底)等被鍍體的被鍍面上進(jìn)行電鍍的電鍍裝置，尤其涉及如下電鍍裝置，即，在半導(dǎo)體晶片等的表面上所設(shè)置的微細(xì)布線用溝槽和孔、導(dǎo)通孔(via hole)、穿通孔(throughhole)和抗蝕劑開口部上形成鍍膜，或者在半導(dǎo)體晶片表面上形成與封裝的電極等進(jìn)行電連接的凸起(突起狀電極)。
背景技術(shù)：
例如，TAB(Tape Automated Bonding載帶自動(dòng)接合)和FC(FlipChip倒裝片法)中，廣泛采用的方法是，在形成了布線的半導(dǎo)體芯片表面的規(guī)定部位(電極)上，形成了把金、銅、焊錫或無(wú)鉛焊錫和鎳、以及將它們重疊成多個(gè)層的突起狀連接電極(凸起bump)，通過(guò)該凸起而與封裝的電極和TAB電極進(jìn)行電連接。這種凸起的形成方法有電鍍法、蒸發(fā)淀積法、印刷法、球形凸起法等各種方法。隨著半導(dǎo)體芯片的I/O數(shù)增加和間距微細(xì)化，大量采用能實(shí)現(xiàn)微細(xì)化且性能比較穩(wěn)定的電鍍法。
若采用電鍍法，則容易獲得高純度金屬膜(鍍膜)，而且，不僅金屬膜的成膜速度較快，而且金屬膜的厚度也容易控制。
圖37表示采用所謂倒裝片方式的現(xiàn)有電鍍裝置的一例。該電鍍裝置具有電鍍槽12和基片支架14，其中，電鍍槽12的內(nèi)部裝有鍍液10且上方敞開，基片支架14能支承基片W使其表面(被鍍面)朝下(倒裝)，裝卸自如地上下移動(dòng)自如。在電鍍槽12的底部水平地布置了陽(yáng)極16，在上部的周圍設(shè)置了溢流槽18，并在電鍍槽12的底部上連結(jié)了鍍液供給噴咀20。
這樣，借助基片支架14而保持水平狀態(tài)的基片W，布置在對(duì)電鍍槽12的上端敞開部分進(jìn)行遮蓋的位置上，在此狀態(tài)下，從鍍液供給噴咀20向電鍍槽12的內(nèi)部供給鍍液10，使該鍍液10從電鍍槽12的上部溢流，使鍍液10接觸到由基片支架14保持的基片W的表面上，同時(shí)，通過(guò)導(dǎo)線22a把陽(yáng)極16連接到電源24的陽(yáng)極上；通過(guò)導(dǎo)線22b把基片W分別連接到電鍍電源24的陰極上。于是，利用基片W和陽(yáng)極16的電位差，使鍍液10中的金屬離子從基片W的表面接受電子，在基片W的表面上析出金屬，形成金屬膜。
若采用該電鍍裝置，則通過(guò)調(diào)節(jié)陽(yáng)極16的大小、陽(yáng)極16和基片W的極間距離和電位差、以及從鍍液供給噴咀20中供給的鍍液10的供給速度等，即可在一定程度上調(diào)節(jié)基片W表面上所形成的金屬膜的厚度均勻性。
圖38表示采用所謂浸漬(dip)方式的現(xiàn)有電鍍裝置的一例。該電鍍裝置具有鍍槽12a和基片支架14a，其中，鍍槽12a的內(nèi)部裝有鍍液10，基片支架14a能支承基片W使其周緣部水密封，表面(被鍍面)露出，裝卸自如地上下自如移動(dòng)。在電鍍槽12的內(nèi)部，陽(yáng)極16a由陽(yáng)極支架26支承，垂直布置，并且，由基片支架14a支承的基片W布置在與陽(yáng)極16a相對(duì)置的位置上時(shí)，具有中央孔28a的由電介質(zhì)構(gòu)成的調(diào)整板28布置在該陽(yáng)極16a和基片W之間。
這樣，把該陽(yáng)極16、基片W和調(diào)整板28浸漬到電鍍槽12a內(nèi)的鍍液中，同時(shí)，通過(guò)導(dǎo)線22a把陽(yáng)極16a連接到電鍍電源24的陽(yáng)極上，通過(guò)導(dǎo)線22b把基片W分別連接到電鍍電源24的陰極上。于是和上述情況相同，在基片W的表面上析出金屬，形成金屬膜。
若采用該電鍍裝置，則在陽(yáng)極16a以及與該陽(yáng)極16a相對(duì)置的位置上布置的基片W之間，布置具有中央孔28a的調(diào)整板28，由該調(diào)整板28來(lái)調(diào)節(jié)電鍍槽12a內(nèi)的電位分布，即可在某種程度上調(diào)節(jié)基片W表面上形成的金屬膜的厚度分布。
圖39是表示采用所謂浸漬方式的現(xiàn)有電鍍裝置的一例的另一例。該電鍍裝置與圖38所示的電鍍裝置的不同點(diǎn)是沒(méi)有調(diào)整板，具有環(huán)狀的擬似陰極(擬似電極)30，在基片W的周圍布置擬似陰極30，在此狀態(tài)下用基片支架14a來(lái)支承基片W，并且在電鍍處理時(shí)通過(guò)導(dǎo)線22c把擬似電極30連接到電鍍電源24的陰極上。
若采用該電鍍裝置，則通過(guò)調(diào)節(jié)擬似陰極30的電位，即可改善在基片W表面上形成的金屬膜的厚度均勻性。
另一方面，例如，當(dāng)在半導(dǎo)體基片(晶片)表面上形成布線用和凸起等的金屬膜(鍍膜)時(shí)，要求在跨過(guò)整個(gè)基片而形成的金屬膜的表面形狀和膜厚均勻一致。在近幾年的SOC(System On Chip)、WL-CSP(Wafer Level Chip Size Package)等高密度安裝技術(shù)中，對(duì)高精度的均勻性的要求日益提高，用這些現(xiàn)有電鍍裝置，很難形成與高精度的均勻性相適應(yīng)的金屬膜。
也就是說(shuō)，若用圖37所示的電鍍裝置在基片W上進(jìn)行電鍍，則形成的金屬膜受鍍液流的影響很大，若該鍍液流速度快，則如圖40A所示，金屬離子供給充分的基片W的中央部分與周圍部分相比，金屬膜P的厚度較大，為防止這種傾向，若把鍍液流速度減到很慢，則如圖40B所示，基片W的周緣部分與中央部分相比，金屬膜P的厚度增大。并且，若利用圖38所示的電鍍裝置在基片上進(jìn)行電鍍，則雖然利用在中央有中央孔的調(diào)整板來(lái)改善電位分布，能在一定程度上改善整個(gè)基片上的金屬膜的膜厚分布的均勻性，但是，形成的金屬膜P的膜厚分布，如圖40c所示出現(xiàn)在基片W的中央部分和周圍部分上金屬膜P的厚度增大的波浪狀。再者，在用圖39所示的電鍍裝置進(jìn)行電鍍時(shí)，不僅很難調(diào)整擬似電極(擬似陰極)電壓，而且必須除去擬似電極表面上附著的金屬膜，該操作很煩雜。
一般，現(xiàn)有的電鍍裝置，由于在基片表面上形成的表面電位分布而使作為受電部分的基片周圍部分的膜厚增加，基片表面的膜壓分布呈現(xiàn)U字形(參見圖40B)，成為損壞膜厚均勻性的重要原因之一。為了抑制這種現(xiàn)象，對(duì)供給到基片表面上的金屬離子進(jìn)行調(diào)整，也就是說(shuō)對(duì)鍍液流進(jìn)行調(diào)整，或者對(duì)基片表面的電位分布和電鍍槽內(nèi)的電場(chǎng)進(jìn)行控制、調(diào)整，采用的方法是利用調(diào)整板和擬似電極。
鍍液流的調(diào)整和用調(diào)整板的調(diào)節(jié)，其方法是把金屬離子和電場(chǎng)集中到基片中央部，使基片中央部的鍍膜增厚，這樣，把整個(gè)基片上的鍍膜膜厚分布調(diào)整成W字形，使脫離平均膜厚的膜變化達(dá)到最小(參見圖40c)。所以，鍍液流的調(diào)整和調(diào)整板的位置和中央心孔大小的選定以及微調(diào)整，均對(duì)膜厚均勻性有很大的影響，膜厚均勻性與調(diào)整(tuning)情況有很大關(guān)系。
另一方面，采用擬似電極的方法是，僅把基片表面上的電壓分布擴(kuò)展到基片外周的包括擬似電極的區(qū)域，把受電部分的膜厚的增加集中到擬似電極上，在基片表面上獲得很均勻的膜厚。并且，與該采用擬似電極的方法等效的也還有這樣的方法，即把基片內(nèi)的周緣部附近的圖形作為“廢棄芯片”使其發(fā)揮擬似電極的作用。采用擬似電極的方法，其電壓調(diào)整對(duì)膜厚均勻性有決定性作用。并且，必須定期清除附著在擬似電極上的金屬膜(鍍膜)，該操作復(fù)雜。再者，若把基片內(nèi)的周緣部附近的圖形作為“廢棄芯片”使其發(fā)揮擬似電極作用，則每一片基片的有效芯片減少，所以生產(chǎn)效率降低。
上述任一方法，從結(jié)果來(lái)看，均是調(diào)整膜厚分布，獲得均勻的膜厚分布。所以并非通過(guò)對(duì)陽(yáng)極和作為陰極的被鍍體之間形成的電鍍槽的電場(chǎng)積極地進(jìn)行控制和調(diào)整，來(lái)控制和改善被鍍體表面的電位分布，以此從本質(zhì)上消除和改善有變成U字形的傾向的鍍膜的膜厚分布。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒預(yù)以上情況而提出的方案，其目的在于提供電鍍裝置，裝置結(jié)構(gòu)比較簡(jiǎn)單，而且不需要復(fù)雜的運(yùn)轉(zhuǎn)方法和設(shè)定，即可在整個(gè)被鍍體上形成更均勻膜厚的金屬膜(鍍膜)。
為了達(dá)到上述目的，電鍍裝置，其特征在于具有電鍍槽，其用于保持鍍液；陽(yáng)極，其浸入并設(shè)置在上述電鍍槽內(nèi)的鍍液中；調(diào)整板，其設(shè)置在上述陽(yáng)極、及設(shè)置成與該陽(yáng)極相對(duì)置的被鍍體之間；以及電鍍電源，其用于在上述陽(yáng)極和被鍍體之間進(jìn)行通電；上述調(diào)整板被設(shè)置成把保存的上述電鍍槽內(nèi)的鍍液遮斷在上述陽(yáng)極和被鍍體側(cè)，內(nèi)部設(shè)置了由多個(gè)通孔構(gòu)成的通孔群。
這樣，使電場(chǎng)漏泄到電鍍槽內(nèi)設(shè)置的調(diào)整板的內(nèi)部設(shè)置的多個(gè)通孔內(nèi)，使漏泄的電場(chǎng)均勻地?cái)U(kuò)展，從而能使橫跨被鍍體的整個(gè)面上的電位分布更均勻，能進(jìn)一步提高被鍍體上形成的金屬膜的面內(nèi)均勻性。并且，對(duì)鍍液在電鍍槽內(nèi)設(shè)置的調(diào)整板內(nèi)部設(shè)置的多個(gè)通孔內(nèi)通過(guò)進(jìn)行控制，因此，能防止受到該鍍液流的影響而造成的被鍍體上形成的金屬膜厚度不均勻。
若采用本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，則電鍍裝置的特征在于上述通孔群包括多個(gè)長(zhǎng)孔，該長(zhǎng)孔向一個(gè)方向延伸成直線狀或圓弧狀的縫隙。這樣，使通孔形成縫隙狀的長(zhǎng)孔，于是能邊控制該長(zhǎng)孔內(nèi)的鍍液流通，邊促進(jìn)電場(chǎng)漏泄。該長(zhǎng)孔的寬度，例如為0.5～20mm，優(yōu)選為1～15mm，長(zhǎng)度由被鍍體的形狀決定。
若采用本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，則電鍍裝置的特征在于上述通孔群包括在縱向和橫向上延伸成十字狀的多個(gè)十字孔。
若采用本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，則電鍍裝置的特征在于上述通孔群由多個(gè)細(xì)孔、不同直徑的多個(gè)孔或者延伸成縫隙狀的長(zhǎng)孔任意組合而形成。這樣，因?yàn)橛啥鄠€(gè)細(xì)孔或多個(gè)直徑不同的孔的組合而形成通孔群，所以能提高生產(chǎn)效率。在此情況下，細(xì)孔、以及小孔(周邊孔)的直徑，例如為1～20mm，優(yōu)選為2～10mm，大孔(中央孔)的直徑，例如為50～300mm，優(yōu)選為30～100mm。
優(yōu)選上述通孔群橫跨上述調(diào)整板的與上述被鍍體相面對(duì)的區(qū)域的整個(gè)區(qū)域內(nèi)，形成在與被鍍體大致相似的形狀的區(qū)域內(nèi)。這樣通過(guò)形成通孔群，能夠形成在被鍍體的所有方向上均具有良好的膜厚均勻性的金屬膜。
優(yōu)選在上述被鍍體和上述調(diào)整板之間，具有對(duì)保持在上述電鍍槽內(nèi)的鍍液進(jìn)行攪拌的攪拌機(jī)構(gòu)。這樣，由于利用攪拌機(jī)構(gòu)在電鍍處理中對(duì)被鍍體和調(diào)整板之間的鍍液進(jìn)行攪拌，所以能更均勻地向被鍍體上供給充分的離子，能更迅速地形成更均勻的膜厚的金屬膜。
優(yōu)選上述攪拌機(jī)構(gòu)是攪棒式攪拌機(jī)構(gòu)，具有與上述被鍍體平行地往復(fù)運(yùn)動(dòng)的攪棒。這樣，在電鍍處理中，利用和被鍍體平行地往復(fù)運(yùn)動(dòng)的攪棒來(lái)攪拌鍍液，所以能邊消除鍍液流的方向性，邊向被鍍體均勻地供給充分的離子。
若采用本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，則電鍍裝置的特征在于上述陽(yáng)極和上述調(diào)整板設(shè)置在垂直方向上。這樣，能提供安裝面積小、易維修性的良好電鍍裝置。
本發(fā)明的另一電鍍裝置，其特征在于具有電鍍槽，其用于保持鍍液；陽(yáng)極，其浸入并設(shè)置在上述電鍍槽內(nèi)的鍍液中；調(diào)整板，其設(shè)置在上述陽(yáng)極、及設(shè)置成與該陽(yáng)極相對(duì)置的被鍍體之間；以及電鍍電源，其用于在上述陽(yáng)極和被鍍體之間進(jìn)行通電進(jìn)行電鍍；上述調(diào)整板被設(shè)置成把保存內(nèi)上述電鍍槽內(nèi)的鍍液遮斷在上述陽(yáng)極和被鍍體側(cè)，在內(nèi)部設(shè)置了邊使電場(chǎng)均勻通過(guò)，邊使鍍液流過(guò)的鍍液流路。
這樣，在電鍍槽內(nèi)陽(yáng)極和被鍍體之間形成的電場(chǎng)沿鍍液流路均勻地通過(guò)，不會(huì)漏泄到外部，因此，能調(diào)整和修正電場(chǎng)的畸變(失真)和偏差，使電場(chǎng)分布在橫跨被鍍體的整個(gè)表面上更加均勻，能進(jìn)一步提高被鍍體上形成的金屬膜的面內(nèi)均勻性。
鍍液流路的長(zhǎng)度，根據(jù)電鍍槽的形狀、陽(yáng)極和被鍍體之間的距離等而適當(dāng)?shù)卦O(shè)定，一般設(shè)定為10～90mm，優(yōu)選設(shè)定為20～75mm，最好設(shè)定為30～60mm。
優(yōu)選上述鍍液流路形成在筒狀體或矩形塊的內(nèi)周面。這樣，能夠簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)。
優(yōu)選在上述筒狀體的周壁，設(shè)置大小能防止電場(chǎng)漏泄的多個(gè)通孔。這樣，邊能防止電場(chǎng)漏泄，邊能使鍍液在筒狀體周壁上所設(shè)置的通孔內(nèi)流過(guò)，所以能防止在筒狀體內(nèi)外鍍液的濃度產(chǎn)生偏差。該通孔的形狀，例如可以是細(xì)孔和縫隙狀的長(zhǎng)孔，向縱橫方向延伸的十字孔、以及這些形狀的組合。
若采用本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，則電鍍裝置的特征在于在上述被鍍體和上述調(diào)整板之間、或者上述陰極和上述調(diào)整板之間的至少一方，具有對(duì)上述電鍍槽內(nèi)保持的鍍液進(jìn)行攪拌的攪拌機(jī)構(gòu)。這樣，由于在電鍍處理中對(duì)鍍液進(jìn)行攪拌，所以能使電鍍槽內(nèi)的含有各種金屬離子和各種添加劑的鍍液濃度在電鍍槽內(nèi)達(dá)到均勻一致，能向被鍍體供給濃度均勻的鍍液，所以，能進(jìn)一步迅速地形成更加均勻的膜厚的金屬膜。
優(yōu)選電鍍裝置的特征在于上述攪拌機(jī)構(gòu)是攪棒式攪拌機(jī)構(gòu)，具有與上述被鍍體平行地往復(fù)運(yùn)動(dòng)的攪棒。
上述攪拌機(jī)構(gòu)也可以是鍍液噴射式攪拌機(jī)構(gòu)，具有向上述被鍍體的方向噴射鍍液的多個(gè)鍍液噴射噴咀。這樣，從多個(gè)鍍液噴射噴咀中向被鍍體噴射鍍液，所以，能對(duì)電鍍槽內(nèi)的鍍液進(jìn)行攪拌，使鍍液濃度均勻一致，同時(shí)，能向被鍍體充分供給鍍液的各種成分，更迅速地形成更加均勻的膜厚的金屬膜。
電鍍裝置的特征在于上述鍍液流路也可以在上述調(diào)整板內(nèi)部設(shè)置成與該調(diào)整板形成整體。這樣，調(diào)整板使用板厚較厚的調(diào)整板，在調(diào)整板內(nèi)部設(shè)置通孔，所以也可以把該通孔作為鍍液流路。
本發(fā)明的另一電鍍裝置，其特征在于具有電鍍槽，其用于保持鍍液；陽(yáng)極，其浸入并設(shè)置在上述電鍍槽內(nèi)的鍍液中；調(diào)整板，其設(shè)置在上述陽(yáng)極、及設(shè)置成與該陽(yáng)極相對(duì)置的被鍍體之間，其設(shè)置狀態(tài)是把保存在上述電鍍槽內(nèi)的鍍液遮斷在上述陽(yáng)極和被鍍體側(cè)，內(nèi)部設(shè)置了使電場(chǎng)均勻通過(guò)并使鍍液流過(guò)的鍍液流路；電鍍電源，其用于在上述陽(yáng)極和被鍍體之間通電進(jìn)行電鍍；電場(chǎng)調(diào)整環(huán)，其位于上述鍍液流路的上述被鍍體側(cè)端部，用于調(diào)整該電鍍體的外周部的電場(chǎng)。
這樣，用電場(chǎng)調(diào)整環(huán)來(lái)調(diào)整被鍍體外周部的電場(chǎng)，所以，能使形成在陽(yáng)極和被鍍體之間的電場(chǎng)，在被鍍體的整個(gè)面上更加均勻，也就是說(shuō)，在作為受電部的被鍍體的邊緣部也能更均勻，能進(jìn)一步提高形成在被鍍體上的金屬膜的面內(nèi)均勻性。
電場(chǎng)調(diào)整環(huán)的形狀根據(jù)電鍍槽和被鍍體的形狀、陽(yáng)極和被鍍體之間的間隔等適當(dāng)?shù)卦O(shè)定，一般其寬度設(shè)定為1～20mm，優(yōu)選設(shè)定為3～17mm，最好設(shè)定為5～15mm。
上述電場(chǎng)調(diào)整環(huán)與上述被鍍體的間隙，一般設(shè)定為0.5～30mm，優(yōu)選設(shè)定為1～15mm，最好設(shè)定為1.5～6mm。
若采用本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，則上述鍍液流路形成在筒狀體的內(nèi)周面，上述電場(chǎng)調(diào)整環(huán)與該筒狀體的被鍍體側(cè)端部相連結(jié)。
上述鍍液流路也可以形成在筒狀體的內(nèi)周面，上述電場(chǎng)調(diào)整環(huán)與該筒狀部相分離，設(shè)置在該筒狀體的被鍍體側(cè)端部。這樣，當(dāng)構(gòu)成鍍液流路時(shí)，筒狀體和電場(chǎng)調(diào)整環(huán)分離，所以能擴(kuò)大選擇的范圍。
上述鍍液流路也可以形成在筒狀體的內(nèi)周面，上述電場(chǎng)調(diào)整環(huán)形成在該筒狀體的被鍍體側(cè)端面。這樣，能減少零部件數(shù)量。


圖1是具有本發(fā)明的實(shí)施方式的電鍍裝置的電鍍處理裝置的整體布置圖。
圖2是圖1所示的電鍍處理裝置的電鍍空間內(nèi)具有的搬運(yùn)機(jī)械手的概要圖。
圖3是圖1所示的電鍍處理裝置具有的電鍍裝置的概要剖面圖。
圖4是圖3所示的電鍍裝置的主要部分的概要斜視圖。
圖5是圖3所示的電鍍裝置具有的調(diào)整板的平面圖。
圖6是利用圖3所示的電鍍裝置形成金屬膜(鍍膜)時(shí)的金屬膜狀態(tài)的示意圖。
圖7A～7E是按工序順序來(lái)表示在基片上形成凸起(突起狀電極)的過(guò)程的剖面圖。
圖8是表示調(diào)整板的另一例的平面圖。
圖9是表示調(diào)整板的另一例的平面圖。
圖10是表示調(diào)整板的另一例的平面圖。
圖11是表示調(diào)整板的另一例的平面圖。
圖12是表示調(diào)整板的另一例的平面圖。
圖13是表示調(diào)整板的另一例的平面圖。
圖14是表示調(diào)整板的另一例的平面圖。
圖15是表示調(diào)整板的另一例的平面圖。
圖16是表示調(diào)整板的另一例的平面圖。
圖17是表示調(diào)整板的另一例的平面圖。
圖18是表示調(diào)整板的另一例的平面圖。
圖19是表示調(diào)整板的另一例的平面圖。
圖20是表示本發(fā)明的另一實(shí)施方式的電鍍裝置的概要剖面圖。
圖21A是表示圖20所示的電鍍裝置中具有的調(diào)整板和圓筒體的斜視圖。
圖21B是表示圖21A的正面圖。
圖22是表示用圖20所示的電鍍裝置來(lái)形成金屬膜(鍍膜)時(shí)的金屬膜狀態(tài)的示意圖。
圖23是表示本發(fā)明的另一實(shí)施方式的電鍍裝置的概要剖面圖。
圖24A是表示調(diào)整板和圓筒體的另一例的斜視圖。
圖24B是表示圖24A的正面圖。
圖25A是表示調(diào)整板和圓筒體的另一例的斜視圖。
圖25B是表示圖25A的正面圖。
圖26A是表示調(diào)整板和圓筒體的另一例的斜視圖。
圖26B是表示圖26A的正面圖。
圖27A是表示調(diào)整板和圓筒體的另一例的斜視圖。
圖27B是表示圖27A的正面圖。
圖28是表示本發(fā)明的另一實(shí)施方式的電鍍裝置的概要剖面圖。
圖29A是表示圖28所示的電鍍裝置所具有的調(diào)整板，圓筒體和電場(chǎng)調(diào)整環(huán)的斜視圖，圖29B是表示圖29A的正面圖。
圖30是表示用圖28所示的電鍍裝置來(lái)形成金屬膜(鍍膜)時(shí)的金屬膜狀況的示意圖。
圖31是表示本發(fā)明的另一實(shí)施方式的電鍍裝置的概要剖面圖。
圖32A是表示調(diào)整板、圓筒體和電場(chǎng)調(diào)整環(huán)的另一例的斜視圖。
圖32B是表示圖32A的正面圖。
圖33A是表示調(diào)整板、圓筒體和電場(chǎng)調(diào)整環(huán)的另一例的斜視圖。
圖33B是表示圖33A的正面圖。
圖34A是表示調(diào)整板、圓筒體和電場(chǎng)調(diào)整環(huán)的另一例的斜視圖。
圖34B是表示圖34A的正面圖。
圖35A是表示調(diào)整板、圓筒體和電場(chǎng)調(diào)整環(huán)的另一例的斜視圖。
圖35B是表示圖35A的正面圖。
圖36是表示本發(fā)明的另一實(shí)施方式的電鍍裝置的概要剖面圖。
圖37是表示現(xiàn)有電鍍裝置的一例的概要剖面圖。
圖38是表示現(xiàn)有電鍍裝置的另一例的概要斜視圖。
圖39是表示現(xiàn)有電鍍裝置的再另一例的概要剖面圖。
圖40A～圖40C是表示用現(xiàn)有的電鍍裝置來(lái)形成的金屬膜(鍍膜)的各不相同的狀態(tài)的示意圖。
具體實(shí)施例方式
以下參照附圖，詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。而且，在以上的實(shí)施方式中，表示使半導(dǎo)體晶片等基片作為被鍍體的例子。
圖1是具有本發(fā)明的實(shí)施方式的電鍍裝置的電鍍處理裝置的整體布置圖。該電鍍處理裝置連續(xù)地自動(dòng)地進(jìn)行基片的預(yù)處理、電鍍處理和電鍍后處理的電鍍?nèi)^(guò)程，安裝了外裝面板的裝置框架110的內(nèi)部，利用隔板112分隔成進(jìn)行基片的電鍍處理和粘有鍍液的基片的處理的電鍍空間116、以及進(jìn)行除此以外的處理即不直接涉及鍍液的處理的清洗空間114。并且，在利用隔板112來(lái)對(duì)電鍍空間116和清洗空間114進(jìn)行分隔的被分隔部分內(nèi)，并排地布置了2個(gè)基片支架160(參見圖2)，具備基片裝卸臺(tái)162，該基片裝卸臺(tái)162作為在各基片支架160之間進(jìn)行基片裝卸的基片授受部分。在清洗空間114上連接了裝卸口120，用于放置裝有基片的基片盒，并且，在裝置框架110上具有操作面板121。
在清洗空間114的內(nèi)部，在其四個(gè)角的位置上布置了定位器122、2臺(tái)清洗/干燥裝置124、及預(yù)處理裝置126。定位器122用于把基片的定位面或缺口等的位置對(duì)準(zhǔn)到規(guī)定方向上。2臺(tái)清洗/干燥裝置124用于對(duì)電鍍處理后的基片進(jìn)行清洗，并高速旋轉(zhuǎn)進(jìn)行甩干。預(yù)處理裝置126用于進(jìn)行基片的預(yù)處理，例如，向基片表面(被鍍面)噴射純水，用純水來(lái)清洗基片表面，而且進(jìn)行用純水沾濕以改進(jìn)親水性的水洗預(yù)處理。再者，在這些處理裝置，即定位器122、清洗/干燥裝置124和預(yù)處理裝置126的大致中心位置上，布置第1搬運(yùn)機(jī)械手128，用于在各處理裝置122、124、126、上述基片裝卸臺(tái)162和上述裝卸口120處放置的基片盒之間進(jìn)行基片的搬運(yùn)和授受。
在此，布置在清洗空間114內(nèi)的定位器122、清洗/干燥裝置124和預(yù)處理裝置126，利用使表面向上的水平狀態(tài)對(duì)基片進(jìn)行保持和處理。搬運(yùn)機(jī)械手128和使表面向上的水平狀態(tài)下對(duì)基片進(jìn)行保持，來(lái)進(jìn)行基片的搬運(yùn)和授受。
在電鍍空間116內(nèi)，從隔板112側(cè)起依次布置了對(duì)基片支架160進(jìn)行保管和暫時(shí)放置的儲(chǔ)料器164、利用例如硫酸或鹽酸等藥液對(duì)基片表面上形成的薄層表面的電阻大的氧化膜進(jìn)行腐蝕清除的活性化處理裝置166、用純水對(duì)基片表面進(jìn)行水洗的第1水洗裝置168a、進(jìn)行電鍍處理的電鍍裝置170、第2水洗裝置168b、以及對(duì)電鍍處理后的基片進(jìn)行除水的鼓風(fēng)裝置172。并且，在這些裝置的側(cè)面，布置了能沿軌道176移動(dòng)自如的2臺(tái)第2搬運(yùn)機(jī)械手174a、174b。該一方的第2搬運(yùn)機(jī)械手174a在基片裝卸臺(tái)162和儲(chǔ)料器164之間搬運(yùn)基片支架160，另一方的第2搬運(yùn)機(jī)械手174b在儲(chǔ)料器164、活性化處理裝置166、第1水洗裝置168a、電鍍裝置170、第2水洗裝置168b和鼓風(fēng)裝置172之間搬運(yùn)基片支架160。
該第2搬運(yùn)機(jī)械手174a、174b如圖2所示，具有向垂直方向延伸的機(jī)體178、以及沿該機(jī)體178上下移動(dòng)自如而且能以軸心為中心旋轉(zhuǎn)自如的臂桿180，在該臂桿180上并排設(shè)置了2個(gè)能對(duì)基片支架160裝卸自如并進(jìn)行保持的基片支架保持部182。在此，基片支架160在使表面露出對(duì)周緣部密封的狀態(tài)下，對(duì)基片W進(jìn)行保持，對(duì)基片W裝卸自如。
儲(chǔ)料器164、活性化處理裝置166、水洗裝置168a、168b和電鍍裝置170，對(duì)基片支架160的兩端部上設(shè)置的向外突出的突出部160a進(jìn)行釣接，使基片支架160在垂直方向上形成垂吊的狀態(tài)。并且，在活性化處理裝置166上具有在內(nèi)部保持藥液的2個(gè)活性化處理槽183，如圖2所示，使將裝有基片W的基片支架160保持成垂直狀態(tài)的第2搬運(yùn)機(jī)械手174b的臂桿180下降，根據(jù)需要對(duì)基片支架160在活性化處理槽183的上端部進(jìn)行釣接和垂吊，使基片支架160和基片W一起浸漬到活性化處理槽183內(nèi)的藥液中，進(jìn)行活性化處理。
同樣，在水洗裝置168a、168b中具有在內(nèi)部保持純水的各2個(gè)水洗槽184a、184b，在電鍍裝置170內(nèi)分別具有在內(nèi)部保持鍍液的多個(gè)電鍍槽186，與上述情況一樣，把基片支架160和基片W一起浸漬到這些水洗槽184a、184b內(nèi)的純水或電鍍槽186內(nèi)的鍍液中，進(jìn)行水洗處理或電鍍處理。并且，鼓風(fēng)裝置172使將裝有基片W的基片支架160保持在垂直狀態(tài)下的第2搬運(yùn)機(jī)械手174b的臂桿180下降，向裝在該基片支架160上的基片W噴射空氣或惰性氣體，吹掉附著在基片支架160和基片W上的液體，進(jìn)行脫水，進(jìn)行基片的吹洗處理。
電鍍裝置170的各個(gè)電鍍槽186如圖3和圖4所示，在內(nèi)部保持鍍液10，將基片W浸漬到鍍液10中，該基片W由基片支架160進(jìn)行保持、且水密封周緣部、表面(被鍍面)露出。
在電鍍槽186的兩側(cè)設(shè)置了溢流槽46，用于接收從電鍍槽186的溢流堰44上端溢流出的鍍液10，該溢流槽46和電鍍槽168由循環(huán)配管48進(jìn)行連結(jié)。并且，在該循環(huán)配管48的內(nèi)部，安裝了循環(huán)泵50、恒溫裝置52和過(guò)濾器54。因此，隨著循環(huán)泵50的驅(qū)動(dòng)，供給到電鍍槽186內(nèi)的鍍液10裝滿電鍍槽186內(nèi)部，然后從溢流堰44溢流出來(lái)，流入到溢流槽46內(nèi)，返回到循環(huán)泵50內(nèi)進(jìn)行循環(huán)。
在電鍍槽186內(nèi)部，沿基片W的形狀的圓形的陽(yáng)極56保持在陽(yáng)極支架58上，設(shè)置成垂直狀，當(dāng)電鍍槽186內(nèi)充滿鍍液10時(shí)，陽(yáng)極56被浸漬到該鍍液10中。并且，在陽(yáng)極56和基片支架160之間的位置設(shè)置了調(diào)整板60，用于把電鍍槽186的內(nèi)部分隔成陽(yáng)極側(cè)室40a和基片側(cè)室40b，把保持在電鍍槽186內(nèi)的鍍液10隔斷在陽(yáng)極側(cè)和基片側(cè)。
在基片支架160和調(diào)整板60之間，布置了攪棒式攪拌機(jī)構(gòu)64，其中具有多個(gè)向下垂的攪拌棒62，該攪拌棒62位于基片側(cè)室40b內(nèi)的鍍液10的內(nèi)部，與保持在基片支架160上的基片W相平行地往復(fù)運(yùn)動(dòng)，對(duì)基片側(cè)室40b內(nèi)的鍍液進(jìn)行攪拌。
調(diào)整板60例如厚度為0.5～10mm左右，由PVC、PP、PEEK、PES、HT-PVC、PFA、PTFE等樹脂類材料形成的電介質(zhì)構(gòu)成。并且，在該調(diào)整板60內(nèi)部的規(guī)定區(qū)域、即在用基片支架160來(lái)保持基片W將其布置在電鍍槽186內(nèi)的規(guī)定電鍍位置上時(shí)，橫跨與該基片W的表面相對(duì)置的區(qū)域的幾乎整個(gè)范圍，且與基片W相似的圓形區(qū)域內(nèi)，設(shè)置了由多個(gè)通孔66構(gòu)成的通孔群68。
在此，例如，如圖5所示，利用在橫向上直線延伸形成縫隙狀的長(zhǎng)孔而構(gòu)成了通孔66，該通孔(長(zhǎng)孔)66在沿基片W的外形而形成的圓形區(qū)域內(nèi)布置成直線狀而且是并排的，這樣構(gòu)成了通孔群68。該通孔(長(zhǎng)孔)66的寬度，一般是0.5～20mm，優(yōu)選是1～15mm，其長(zhǎng)度，根據(jù)基片W的大小(直徑)任意設(shè)定。
這樣，在調(diào)整板60的內(nèi)部設(shè)置由多個(gè)通孔66構(gòu)成的通孔群68，當(dāng)進(jìn)行電鍍處理時(shí)，電場(chǎng)在各通孔66內(nèi)漏泄，所漏泄的電場(chǎng)均勻地?cái)U(kuò)展，使橫跨整個(gè)基片W表面(被鍍面)的電位分布更均勻，能進(jìn)一步提高基片W表面上形成的金屬膜的面內(nèi)均勻性。并且，對(duì)鍍液10穿過(guò)在電鍍槽186內(nèi)設(shè)置的調(diào)整板60的內(nèi)部設(shè)置的多個(gè)通孔66進(jìn)行控制，因此，能防止由于受該鍍液10的流動(dòng)(鍍液返回)的影響而使基片W表面上形成的金屬膜的厚度產(chǎn)生不均勻。
尤其，通孔66采用縫隙狀的長(zhǎng)孔，所以既能控制該通孔(長(zhǎng)孔)66內(nèi)的鍍液10的流通，又能促進(jìn)電場(chǎng)漏泄。再者，橫跨調(diào)整板60的與基片W表面相對(duì)置的區(qū)域的幾乎整個(gè)區(qū)內(nèi)、且與基片W相似的形狀的圓形區(qū)域內(nèi)，形成由多個(gè)通孔66構(gòu)成的通孔群68，所以能夠形成對(duì)基片W表面的所有方向均具有良好的膜厚均勻性的金屬膜。
若采用該電鍍裝置170，則首先按上述方法在電鍍槽186內(nèi)部裝滿鍍液10，使鍍液10循環(huán)。在此狀態(tài)，使保持基片W的基片支架160下降，布置在能使基片W浸漬到電鍍槽186內(nèi)的鍍液10內(nèi)的規(guī)定位置上。在此狀態(tài)下，通過(guò)導(dǎo)線22a把陽(yáng)極56連接到電鍍電源24的陽(yáng)極上，通過(guò)導(dǎo)線22b把基片W連接到電鍍電源24的陰極上，同時(shí)，驅(qū)動(dòng)攪棒式攪拌機(jī)構(gòu)64，使攪棒62沿基片W表面往復(fù)運(yùn)動(dòng)，對(duì)基片側(cè)室40b內(nèi)的鍍液10進(jìn)行攪拌，這樣在基片W表面上析出金屬，形成金屬膜。
這時(shí)，如上所述，在調(diào)整板60的內(nèi)部所設(shè)置的多個(gè)通孔66內(nèi)電場(chǎng)漏泄，所漏泄的電場(chǎng)均勻擴(kuò)散，使橫跨基片W整個(gè)表面(被鍍面)的電位分布更均勻，如圖6所示，能在基片W表面上形成面內(nèi)均勻性更好的金屬膜P。而且，基片W和調(diào)整板60之間的鍍液10，在電鍍處理中由攪棒62進(jìn)行攪拌，在消除了鍍液流動(dòng)的方向性的同時(shí)，更均勻地向基片W的表面供給充分的離子，能更迅速地形成更均勻的厚度的金屬膜。
并且，電鍍結(jié)束后，把電鍍電源24從基片W和陽(yáng)極56上切斷，把基片支架160和基片W一起提升起來(lái)，進(jìn)行基片W的水洗和沖洗等必要處理后，把電鍍后的基片W搬運(yùn)到下一道工序。
用這種結(jié)構(gòu)的電鍍處理裝置進(jìn)行的一連串凸起電鍍處理，參照?qǐng)D7進(jìn)行說(shuō)明。首先，如圖7A所示，在表面上形成作為供電層的薄層500，在該薄層500表面上例如全面涂敷高度H為20～120μm的抗蝕劑502，然后在該抗蝕劑502的規(guī)定位置上，例如設(shè)置直徑D1為20～120μm的開口部502a，這樣處理的基片W在其表面向上的狀態(tài)下放置到基片盒內(nèi)，把基片盒放到裝卸口120。
從放置到該裝卸口120處的基片盒中，由第1搬運(yùn)機(jī)械手128取出一片基片W，放到定位器122上，把定位面或缺口等的位置對(duì)準(zhǔn)到規(guī)定方向上。利用第1搬運(yùn)機(jī)械手128把由定位器122對(duì)準(zhǔn)了方向的基片W搬運(yùn)到預(yù)處理裝置126內(nèi)。并且在預(yù)處理裝置126內(nèi)進(jìn)行預(yù)處理液采用純水的預(yù)處理(水洗預(yù)處理)。另一方面，在儲(chǔ)料器164內(nèi)以垂直狀態(tài)保管的基片支架160由第2搬運(yùn)機(jī)械手174a取出，將其旋轉(zhuǎn)90℃使其成為水平狀態(tài)，兩個(gè)并排地放置在基片裝卸臺(tái)162上。
然后，經(jīng)過(guò)上述預(yù)處理(水洗預(yù)處理)的基片W安放到位于基片裝卸臺(tái)162上的基片支架160上，對(duì)其周緣部進(jìn)行密封。安放了該基片W的基片支架160，每次2個(gè)同時(shí)由第2搬運(yùn)機(jī)械手174a進(jìn)行抓持，使其上升，搬運(yùn)到儲(chǔ)料器164處，旋轉(zhuǎn)90℃使基片支架160變成垂直狀態(tài)，然后下降，這樣把2個(gè)基片支架160吊掛在儲(chǔ)料器164內(nèi)(暫時(shí)放置)。依次反復(fù)進(jìn)行上述動(dòng)作，依次把基片安放到已裝到儲(chǔ)料器164內(nèi)的基片支架160內(nèi)，依次吊掛保持(暫時(shí)放置)在儲(chǔ)料器164的規(guī)定位置上。
另一方面，第2搬運(yùn)機(jī)械手174b對(duì)安放基片、暫時(shí)放入儲(chǔ)料器164內(nèi)的基片支架160同時(shí)抓持2個(gè)，提升后搬運(yùn)到活性化處理裝置166內(nèi)，把基片浸漬到活性化處理槽183內(nèi)的硫酸或鹽酸等藥液內(nèi)，對(duì)薄層表面的電阻大的氧化膜進(jìn)行腐蝕，使清潔的金屬面露出。同樣地再把裝有該基片的基片支架160搬運(yùn)到第1水洗裝置168a內(nèi)，用裝在該水洗槽184a內(nèi)的純水對(duì)基片表面進(jìn)行水洗。
安放了水洗后的基片的基片支架160同樣地搬運(yùn)到電鍍裝置170內(nèi)，在浸漬到電鍍槽186內(nèi)的鍍液10中的狀態(tài)下吊掛保持在電鍍槽186內(nèi)，對(duì)基片W表面進(jìn)行電鍍處理。并且，經(jīng)過(guò)規(guī)定時(shí)間后，再次用第2搬運(yùn)機(jī)械手174b抓住裝有基片的基片支架160，從電鍍槽186中提升上來(lái)結(jié)束電鍍處理。
并且，與前面說(shuō)述一樣，把基片支架160搬運(yùn)到第2水洗裝置168b處，浸漬到該水洗槽184b的純水中，對(duì)基片表面進(jìn)行純水清洗。然后，把裝有基片的基片支架160同樣地搬運(yùn)到鼓風(fēng)裝置172內(nèi)，向基片上噴射惰性氣體或空氣，除去基片支架16上附著的鍍液和水滴。然后，把裝有基片的基片支架160同樣的送回到儲(chǔ)料器164的規(guī)定位置上進(jìn)行吊掛保存。
第2搬運(yùn)機(jī)械手174b依次反復(fù)進(jìn)行上述作業(yè)，把裝有電鍍結(jié)束后的基片的基片支架160依次送回到儲(chǔ)料器164的規(guī)定位置上，進(jìn)行吊掛保存。
另一方面，第2搬運(yùn)機(jī)械手174a對(duì)于裝有電鍍結(jié)束后的基片送回到儲(chǔ)料器164內(nèi)的基片支架160同時(shí)抓持2個(gè)，同樣地放置到基片裝卸臺(tái)162上。
然后，由布置在清洗空間114內(nèi)的第1搬運(yùn)機(jī)械手128從放在該基片裝卸臺(tái)162上的基片支架160中取出基片，搬運(yùn)到某一清洗/干燥裝置124內(nèi)。并且，在該清洗/干燥裝置124中，對(duì)表面朝上保持水平的基片用純水清洗，高速旋轉(zhuǎn)進(jìn)行甩干，然后用第1搬運(yùn)機(jī)械手128把該基片送回到裝卸口120上的基片盒內(nèi)，結(jié)束一連串的電鍍處理。這樣，如圖7B所示獲得了抗蝕劑502上的開口部502a內(nèi)生長(zhǎng)了鍍膜504的基片W。
并且，以上經(jīng)過(guò)甩干的基片W，例如浸漬到溫度50～60℃的丙酮等溶劑內(nèi)，如圖7℃所示，剝離除去基片W上的抗蝕劑502，再如圖7D所示除去電鍍后露出到外部的不需要的薄層500。然后對(duì)形成在該基片W上的鍍膜504進(jìn)行回流焊，如圖7E所示，形成因表面張力而變成圓球形凸起506。并且，對(duì)該基片W例如在100℃以上的溫度下進(jìn)行退火，除去凸起506內(nèi)的殘留應(yīng)力。
若采用該例，則電鍍空間116內(nèi)的基片授受利用電鍍空間116內(nèi)的第2搬運(yùn)機(jī)械手174a、174b來(lái)進(jìn)行，清洗空間114內(nèi)的基片授受利用該清洗空間114內(nèi)的第1搬運(yùn)機(jī)械手128來(lái)進(jìn)行。所以，基片的預(yù)處理、電鍍處理和電鍍后處理的全部電鍍工序連續(xù)自動(dòng)進(jìn)行，提高了電鍍處理裝置內(nèi)部的基片周圍的潔凈度，而且能提高電鍍處理裝置的處理能力，減輕電鍍處理裝置的附屬設(shè)備的負(fù)荷，能使電鍍處理裝置更加小型化。
在該例中，進(jìn)行電鍍處理的電鍍裝置170采用了機(jī)座小的電鍍槽186的電鍍裝置，所以，能使具有多個(gè)電鍍槽186的電鍍裝置更加小型化，同時(shí)，能更加減輕工廠附屬設(shè)備的負(fù)荷。而且，也可以把圖1中設(shè)置了2臺(tái)清洗/干燥裝置124中的一臺(tái)裝置換成預(yù)處理裝置。
圖8～圖19表示調(diào)整板60的由多個(gè)通孔構(gòu)成的通孔群的各種不同例。也就是說(shuō)，圖8是利用縱向延伸成直線狀縫隙的長(zhǎng)孔來(lái)構(gòu)成通孔66a，該通孔(長(zhǎng)孔)66a在沿基片W的外形的圓形區(qū)域內(nèi)并排地布置成直線狀，形成了通孔群68a。圖9是為了適應(yīng)基片W采用矩形的情況，把通孔(長(zhǎng)孔)66b在沿基片W外形的矩形區(qū)域內(nèi)并排地布置成直線狀，形成了通孔群68b。
圖10是在橫跨調(diào)整板60的與基片W的表面相面對(duì)的區(qū)域的整個(gè)寬度上，利用由延伸成直線縫隙狀的長(zhǎng)孔組成的多個(gè)通孔(長(zhǎng)孔)66c構(gòu)成了通孔群68c。在此情況下，也可以使用矩形的基片W，如圖11所示把通孔(長(zhǎng)孔)66d并排地布置在沿基片W外形的矩形區(qū)域內(nèi)，構(gòu)成通孔群68d。并且也可以使這些通孔66d在縱向上延伸成直線狀。
圖12是在縱向和橫向上延伸成十字狀的十字孔所構(gòu)成的多個(gè)通孔(十字孔)66e均等地布置在圓形區(qū)域內(nèi)構(gòu)成了通孔群68e。在此情況下也可以在使用矩形的基片W的情況下，如圖13所示把通孔(十字孔)66f均等地布置在沿基片W外形的矩形區(qū)域內(nèi)構(gòu)成通孔群68f。
圖14是把由細(xì)孔組成的多個(gè)通孔(細(xì)孔)66g均等地布置在圓形區(qū)域內(nèi)，構(gòu)成通孔群68g。各通孔(細(xì)孔)66g的直徑在該例中設(shè)定為2mm，在圖示的例中共計(jì)設(shè)置了633個(gè)。該通孔66g，再者下述的小孔(周邊孔)66h2～66h5的直徑，例如在1～20mm范圍內(nèi)任意設(shè)定。優(yōu)選是2～10mm。這樣，用通孔(細(xì)孔)66g來(lái)構(gòu)成通孔群68g，因此，能提高調(diào)整板60的生產(chǎn)效率。
圖15是直徑不同的多個(gè)孔，即位于中央部的大徑的大孔(中央孔)66h1、以及在該大孔66h1的外面沿圓周方向布置，隨著在直徑方向上向外移動(dòng)，孔徑越來(lái)越小的多個(gè)行(圖示中為4行)的小孔(周邊孔)66h2～66h5組成的多個(gè)通孔66h，共同構(gòu)成了通孔群68h。該大孔(中央孔)66h1的直徑，在該例中設(shè)定為84mm，但可以在例如50～300mm的范圍內(nèi)任意設(shè)定，優(yōu)選是30～100mm。并且，小孔(周邊孔)66h2～66h5的直徑分別設(shè)定為10mm、8mm、7mm和6mm。
圖16是位于中央的中央孔66i1及中央孔66i1的外面布置的、多個(gè)行(圖示中為5行)向圓周方向延伸的長(zhǎng)孔66i2～66i6組成的多個(gè)通孔66i，共同構(gòu)成通孔群68i。該中央孔66i1的直徑，在該例中設(shè)定為34mm，長(zhǎng)孔66i2～66i6的寬度分別設(shè)定為27mm、18.5mm、7mm、7mm、7mm。
圖17是位于中央部的大徑的大孔(中央孔)66j1、沿圓周方向布置在該中央孔66j1的外面的向圓周方向延伸的長(zhǎng)孔66j2、以及布置在該長(zhǎng)孔66j2外面的隨著在直徑方向上向外移動(dòng)而孔徑越來(lái)越小的多個(gè)行(圖示中為4行)的小孔(周邊孔)66j3～66j6所組成的多個(gè)通孔66j，共同構(gòu)成通孔群68j。該大孔(中央孔)66j1的直徑，在該例中設(shè)定為67mm，長(zhǎng)孔66j2的寬度設(shè)定為17mm，小孔(周邊孔)66j3～66j6的直徑分別設(shè)定為9mm、8mm、7mm、6mm。
圖18是位于中央部的大徑的大孔(中央孔)66k1、沿圓周方向布置在該中央孔66k1的外面的向圓周方向延伸的多個(gè)行(圖示中為2行)的長(zhǎng)孔66k2、66k3、以及布置在該長(zhǎng)孔66k3外面的隨著在直徑方向上向外移動(dòng)而孔徑越來(lái)越小的多個(gè)行(圖示中為2行)的小孔(周邊孔)66k4～66k5所組成的多個(gè)通孔66k，共同構(gòu)成通孔群68k。該大孔(中央孔)66k1的直徑，在該例中設(shè)定為80mm，長(zhǎng)孔66k2、66k3、的寬度設(shè)定為17mm，小孔(周邊孔)66k4～66k5的直徑分別設(shè)定為6mm和4mm。
圖19是位于中央的大徑的大孔(中央孔)6611、沿圓周方向按規(guī)定間距布置在該中央孔6611的外面的在半徑方向上延伸成直線狀的多個(gè)縫隙狀的長(zhǎng)孔6612所組成的多個(gè)通孔661，共同構(gòu)成通孔群681。該長(zhǎng)孔6612的寬度，一般是0.5～20mm，優(yōu)選是1～15mm。并且，長(zhǎng)度根據(jù)被鍍面的形狀而任意設(shè)定。
這樣，多個(gè)細(xì)孔、直徑不同的多個(gè)孔或者延伸成縫隙狀的長(zhǎng)孔等任意形狀的多個(gè)通孔，組合起來(lái)構(gòu)成通孔群。所以能滿足電鍍場(chǎng)所和條件等的任意要求。
而且，在上述圖14～圖19所示的例中，表示把通孔布置在圓形區(qū)域的內(nèi)部，形成通孔群的例子。但與前述一樣地使用矩形的基片的情況下，當(dāng)然，也可以把這些通孔布置在沿基片外形的矩形區(qū)域內(nèi)。
如以上所說(shuō)那樣，若采用本發(fā)明，則在電鍍槽內(nèi)設(shè)置的調(diào)整板內(nèi)部所設(shè)置的多個(gè)通孔內(nèi)有電場(chǎng)漏泄，所漏泄的電場(chǎng)均勻地?cái)U(kuò)展，使橫跨被鍍體整個(gè)面的電位分布更均勻，能進(jìn)一步提高被鍍體上形成的金屬膜的面內(nèi)均勻性。并且對(duì)鍍液穿過(guò)電鍍槽內(nèi)設(shè)置的調(diào)整板的內(nèi)部設(shè)置的多個(gè)通孔進(jìn)行抑制，因此，能防止由于受該鍍液的流動(dòng)的影響而使被鍍體上形成的金屬膜的厚度產(chǎn)生不均勻。
圖20表示本發(fā)明的另一實(shí)施方式的電鍍裝置170a；圖21表示該電鍍裝置170a所使用的調(diào)整板和形成鍍液流路的圓筒體。該電鍍裝置170a與圖3～圖5所示的例的不同點(diǎn)是使用的調(diào)整板60，例如板厚0.5～10mm左右，其中央具有與由基片支架160保持的基片W相對(duì)置，與該基板W的外徑相配合的內(nèi)徑D的中央孔60a，并且，在該調(diào)整板60的基片支架160側(cè)的表面上，連接了內(nèi)徑等于上述中央孔60a的內(nèi)徑D的圓筒體200并使其形成同心狀，這樣，在該圓筒體200的內(nèi)周面，形成了邊使電場(chǎng)均勻通過(guò)，邊使鍍液10流通的鍍液流路200a。該圓筒體200與調(diào)整板60一樣，其結(jié)構(gòu)材料采用例如PVC、PP、PEEK、PES、HT-PVC、PFA、PTFE等樹脂類材料構(gòu)成的電介質(zhì)。其他結(jié)構(gòu)與圖3～圖5所示相同。
在此，調(diào)整板60的中央孔和圓筒體200的內(nèi)徑D，一般設(shè)定為與基片W的電鍍表面外徑(被鍍表面外徑)相等的直徑±16mm，優(yōu)選是與被鍍表面外徑相等的直徑±5mm，最好是與被鍍表面外徑相等的直徑±1mm。并且，圓筒體200的長(zhǎng)度L根據(jù)電鍍槽186的形狀、陽(yáng)極56和基片W的距離等而適當(dāng)決定。一般為10～90mm，優(yōu)選是20～75mm，最好是30～60mm。
這樣，在電鍍槽186內(nèi)在陽(yáng)極56和基片W之間形成的電場(chǎng)沿鍍液流路200a，即，在圓筒體200內(nèi)部均勻地通過(guò)，不會(huì)漏泄到該圓筒體200的外部，因此，能對(duì)電場(chǎng)畸變和偏差進(jìn)行調(diào)整和修正，使橫跨基片W整個(gè)表面的電位分布更均勻，如圖22所示，雖然在基片W的表面上，在基片W的邊緣部膜厚稍厚，但能形成使面內(nèi)均勻性更高的金屬膜P。
也就是說(shuō)，僅依靠在內(nèi)部設(shè)置了中央孔60a的調(diào)整板60，該調(diào)整板60的板厚，一般較薄，約為0.5～10m，因此，在電鍍槽186內(nèi)，陽(yáng)極56和基片W之間形成的電場(chǎng)僅僅依靠調(diào)整板60進(jìn)行控制是不夠的，電場(chǎng)產(chǎn)生畸變和偏差，尤其作為受電部的基片邊緣部的膜厚度增加。像該例那樣在圓筒體200的長(zhǎng)度L上對(duì)電場(chǎng)的通過(guò)進(jìn)行限制，所以，能防止這種危害，提高金屬膜的面內(nèi)均勻性。
而且，在該例中，和上述圖3～圖5所示的例一樣，在圓筒體200和用基板支架160保持的基片W之間，布置具有向下垂的多個(gè)攪棒62的攪棒式攪拌機(jī)構(gòu)64，在電鍍中對(duì)攪棒式攪拌機(jī)構(gòu)64進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，使攪棒62沿基片W表面往復(fù)運(yùn)動(dòng)，對(duì)基片側(cè)室40b內(nèi)的鍍液10進(jìn)行攪拌，所以，能邊消除鍍液流的方向性，邊更均勻地由基片W表面供給充分的離子，能更迅速地形成更均勻的膜厚的金屬膜。
圖23表示本發(fā)明的另一實(shí)施方式的電鍍裝置170b。該電鍍裝置170b與圖21和圖22所示的例的不同點(diǎn)是在圓筒體200和由基片支架160保持的基片W之間，布置了鍍液噴射式攪拌機(jī)構(gòu)202來(lái)代替攪棒式攪拌機(jī)構(gòu)64。也就是說(shuō)，該鍍液噴射式攪拌機(jī)構(gòu)202具有鍍液供給管204和多個(gè)鍍液噴射噴咀206。鍍液供給管204例如由環(huán)形管構(gòu)成，與配管48相連通，布置成浸漬到電鍍槽186的鍍液10內(nèi)。多個(gè)鍍液噴射噴咀206安裝在沿該鍍液供給管204圓周方向的規(guī)定位置上，把鍍液10噴射到由基片支架160保持的基片W上。并且，隨著泵50的驅(qū)動(dòng)而輸送的鍍液10，供給到鍍液供給管204內(nèi)，從鍍液噴射噴咀206向基片上噴射，引入到電鍍槽186內(nèi)，再?gòu)囊缌餮?4的上端溢流進(jìn)行循環(huán)。
這樣，從多個(gè)鍍液噴射噴咀206向基片W噴射鍍液10，所以對(duì)電鍍槽186內(nèi)的鍍液10進(jìn)行攪拌，使其濃度均勻，同時(shí)能向基片W充分供給鍍液10的各成分，能更迅速地形成更均勻的膜厚的金屬膜。
而且，在上述例中表示了把圓筒體200連結(jié)到調(diào)整板60的基片W側(cè)的表面上的例子。如圖24所示，也可以在調(diào)整板60上設(shè)置嵌接孔60b，內(nèi)徑為D、長(zhǎng)度為L(zhǎng)，以內(nèi)周面作為鍍液流路200a的圓筒體200嵌接到該嵌接孔60b內(nèi)，把圓筒體200保持在沿圓筒體200的長(zhǎng)度方向上的規(guī)定位置上。這樣，即使在調(diào)整板60和攪棒62(參見圖20)或鍍液供給管204(參見圖23)的距離短的情況下，也能使圓筒體200向調(diào)整板60的后方突出，因此能確保圓筒體200的充分長(zhǎng)度L。
并且，如圖25所示，也可以在圓筒體200的周壁上設(shè)置大小能防止電場(chǎng)泄漏的多個(gè)通孔200b。這樣，能邊防止電場(chǎng)漏泄，邊使鍍液10在圓筒體200的周壁設(shè)置的通孔200b內(nèi)流通，因此，能防止鍍液10的濃度在圓筒體200內(nèi)外產(chǎn)生偏差。該通孔的形狀，除了該例的細(xì)孔外，還有縫隙狀的長(zhǎng)孔、縱橫方向延伸的十字孔、及其組合。
再者，如圖26所示，也可以用具有充分厚度的板體來(lái)構(gòu)成調(diào)整板210，在該調(diào)整板210的規(guī)定位置上設(shè)置規(guī)定內(nèi)徑的穿通孔，利用該穿通孔來(lái)形成具有規(guī)定內(nèi)徑D和規(guī)定長(zhǎng)度L的鍍液流路210a，在該例的情況下，能減少零部件數(shù)量。
并且，如圖27所示，也可以準(zhǔn)備具有充分厚度的矩形塊212，利用設(shè)置在該矩形塊212上的穿通孔來(lái)形成規(guī)定內(nèi)徑D和規(guī)定長(zhǎng)度L的鍍液流路210a，把該矩形塊212連結(jié)到調(diào)整板60的靠近基片W側(cè)的表面，其中，上述調(diào)整板60具有中央孔60a。
圖28表示本發(fā)明的另一實(shí)施方式的電鍍裝置170c；圖29表示圖28所示的電鍍裝置170c中使用的調(diào)整板、形成鍍液流路的圓筒體和電場(chǎng)調(diào)整圓環(huán)。該電鍍裝置170c與圖20和圖21所示的例的不同點(diǎn)如下。也就是說(shuō)，在內(nèi)周面形成了鍍液流路200a的圓筒體200的基片W側(cè)端面，按照與圓筒體200的內(nèi)徑D相等的內(nèi)徑，以同心狀安裝寬度為A的電場(chǎng)調(diào)整環(huán)220，把該電場(chǎng)調(diào)整環(huán)220布置成接近基片W的狀態(tài)，并與基片W之間保持間隙G1。再者，攪棒式攪拌機(jī)構(gòu)64具有多個(gè)攪棒62，該攪棒向下垂吊，與由基片支架160保持的基片W相平行地往復(fù)運(yùn)動(dòng)來(lái)攪拌鍍液，將該攪拌機(jī)構(gòu)64布置在陽(yáng)極側(cè)室40a側(cè)的陽(yáng)極56和調(diào)整板60之間，用該攪棒式攪拌機(jī)構(gòu)64來(lái)攪拌陽(yáng)極側(cè)室40a內(nèi)的鍍液10。其他結(jié)構(gòu)與圖20和圖21所示的例子相同。
在此，電場(chǎng)調(diào)整環(huán)220與調(diào)整板60和圓筒體200一樣，例如，由PVC、PP、PEEK、PES、HT-PVC、PFA、PTFE等樹脂類材料形成的電介質(zhì)構(gòu)成。根據(jù)電鍍槽186和基片W的形狀、陽(yáng)極56和基片W之間的距離等，適當(dāng)?shù)卦O(shè)定電場(chǎng)調(diào)整環(huán)220的形狀。其寬度A一般為1～20mm，優(yōu)選是3～17mm，最好是5～15mm。另外，電場(chǎng)調(diào)整環(huán)220和基片W的間隙G1，一般設(shè)定為0.5～30mm，更好的是1～15mm，最好是1.5～6mm。
該電場(chǎng)調(diào)整環(huán)220用于在接近基片W的外周部的位置上按規(guī)定寬度進(jìn)行覆蓋，對(duì)該基片W的外周部的電場(chǎng)進(jìn)行調(diào)整。這樣用電場(chǎng)調(diào)整環(huán)220對(duì)基片W的外周部的電場(chǎng)進(jìn)行調(diào)整，能使陽(yáng)極56和基片W之間形成的電場(chǎng)在整個(gè)基片W上更均勻，也就是說(shuō)，一直到作為受電部的基片W邊緣部都是均勻的，如圖30所示，能在基片W的表面，包括基片W的邊緣部，形成面內(nèi)均勻性更高的金屬膜P。
圖31表示本發(fā)明的另一實(shí)施方式的電鍍裝置170d。該電鍍裝置170d在陽(yáng)極側(cè)室40a的陽(yáng)極56和調(diào)整板60之間，布置了圖23所示的鍍液噴射式攪拌機(jī)構(gòu)202，取代了圖28和圖29所示的電鍍裝置的攪棒式攪拌機(jī)構(gòu)64。也就是說(shuō)，該例是把隨著泵50的驅(qū)動(dòng)而送來(lái)的鍍液10供給到鍍液供給管204內(nèi)，從鍍液噴射噴咀206向圓筒體200的鍍液流路200a噴射，引入到電鍍槽186內(nèi)，再使其從溢流擋板44的上端溢流出來(lái)進(jìn)行循環(huán)。其他結(jié)構(gòu)與圖28和圖29所示的相同。
這樣，把鍍液噴射式攪拌機(jī)構(gòu)202布置在陽(yáng)極側(cè)室40a內(nèi)，從鍍液噴射噴咀206向圓筒體200的鍍液流路200a噴射鍍液，所以，即使在電場(chǎng)調(diào)整環(huán)220和由基片支架160保持的基片W的間隙G1較窄的情況下，也能通過(guò)該鍍液流路200a把鍍液供給到由基片支架160保持的基片W上。
在此，如圖32所示，和上述圖24所示的情況大致相同，也可以在調(diào)整板60上設(shè)置嵌接孔60b，內(nèi)徑為D、長(zhǎng)度為L(zhǎng)，以內(nèi)周面為鍍液流路200a在端部上設(shè)置了電場(chǎng)調(diào)整環(huán)220的圓筒體220嵌接到該嵌接孔60b內(nèi)，把圓筒體200保持在沿圓筒體200的長(zhǎng)度方向的規(guī)定位置上。
并且，如圖33所示，和上述圖25所示的情況大致相同，也可以在端面上設(shè)置了電場(chǎng)調(diào)整環(huán)220的圓筒體200的周壁上，設(shè)置大小能防止電場(chǎng)漏泄的多個(gè)通孔200b，一方面能防止電場(chǎng)漏泄，另一方面能使鍍液10通過(guò)圓筒體200的周壁上所設(shè)置的通孔200b。
再者，如圖34所示，也可以不把電場(chǎng)調(diào)整環(huán)220固定在圓筒體200的端面上，而是用支架222進(jìn)行支承，布置在圓筒體200的基片W側(cè)端面的前方，與基片W之間保持間隙G2。該間隙G2和上述電場(chǎng)調(diào)整環(huán)220與基片W的間隙G1一樣，一般設(shè)定為0.5～30mm，優(yōu)選是1～15mm，最好是1.5mm～6mm。這樣，若構(gòu)成鍍液流路200a，則使圓筒體200和電場(chǎng)調(diào)整環(huán)220分離，所以能擴(kuò)大選擇的范圍。
并且，如圖35所示，也可以利用具有充分厚度的厚壁環(huán)224的內(nèi)周面，構(gòu)成具有規(guī)定內(nèi)徑D和長(zhǎng)度L的鍍液流路224a，利用該厚壁環(huán)224的基片側(cè)端面構(gòu)成具有規(guī)定寬度A的電場(chǎng)調(diào)整環(huán)224b。這樣能減少零部件數(shù)量。
而且，在上述各例中，表示了對(duì)采用所謂浸漬方式的電鍍裝置適用的例子。但也可適用于采用面朝上(倒裝)方式和面朝上方式的電鍍裝置。
圖36表示適用于采用了倒裝方式的電鍍裝置的例子。該例在圖37所示的現(xiàn)有電鍍裝置上增加了以下結(jié)構(gòu)。也就是說(shuō)，在電鍍槽12的上部布置了內(nèi)部具有中央孔230a的調(diào)整板230，把電鍍槽12的內(nèi)部隔離成陽(yáng)極側(cè)室12a和基片側(cè)室12b，并且，在調(diào)整板230的上表面，以同心狀向上突出的方式安裝了筒狀體232，該圓筒體232的內(nèi)徑與該中央孔230a相同、且內(nèi)周面形成了鍍液流路232a。這樣，在電鍍槽12內(nèi)陽(yáng)極16和基片W之間所形成的電場(chǎng)沿著鍍液流路232a、即圓筒體232的內(nèi)部均勻地通過(guò)而不會(huì)向該圓筒體232a外部漏泄，所以，能對(duì)電場(chǎng)的畸變和偏差進(jìn)行調(diào)整和修正，使橫跨整個(gè)基片W表面的電位分布更均勻。
而且，在圓筒體的上端面，以同心狀安裝內(nèi)徑等于圓筒體內(nèi)徑、且具有規(guī)定寬度的電場(chǎng)調(diào)整環(huán)，利用該電場(chǎng)調(diào)整環(huán)，對(duì)基片W的外周部在接近的位置上按規(guī)定寬度進(jìn)行覆蓋，對(duì)該基片W的外周部的電場(chǎng)進(jìn)行調(diào)整，這樣，當(dāng)然也可以使陽(yáng)極和基片之間所形成的電場(chǎng)在作為受電部的基片邊緣部分也能更加均勻，在基片表面，包括基片邊緣部分，形成面內(nèi)均勻性更好的金屬膜。
權(quán)利要求
1.一種電鍍裝置，其特征在于具有電鍍槽，其用于保持鍍液；陽(yáng)極，其浸入并設(shè)置在上述電鍍槽內(nèi)的鍍液中；調(diào)整板，其設(shè)置在上述陽(yáng)極、及設(shè)置成與該陽(yáng)極相對(duì)置的被鍍體之間；以及電鍍電源，其用于在上述陽(yáng)極和被鍍體之間通電進(jìn)行電鍍；上述調(diào)整板被設(shè)置成把保存在上述電鍍槽內(nèi)的鍍液遮斷在上述陽(yáng)極側(cè)和被鍍體側(cè)，內(nèi)部設(shè)置了由多個(gè)通孔構(gòu)成的通孔群。
2.如權(quán)利要求1所述的電鍍裝置，其特征在于上述通孔群包括多個(gè)長(zhǎng)孔，該長(zhǎng)孔向一個(gè)方向延伸成直線狀或圓弧狀的縫隙。
3.如權(quán)利要求1所述的電鍍裝置，其特征在于上述通孔群包括在縱向和橫向上延伸成十字狀的多個(gè)十字孔。
4.如權(quán)利要求1所述的電鍍裝置，其特征在于上述通孔群由多個(gè)細(xì)孔、不同直徑的多個(gè)孔或者延伸成縫隙狀的長(zhǎng)孔任意組合而形成。
5.如權(quán)利要求1所述的電鍍裝置，其特征在于上述通孔群橫跨上述調(diào)整板的與上述被鍍體相面對(duì)的區(qū)域的大致整個(gè)區(qū)域，形成在與被鍍體形狀大致相似的區(qū)域內(nèi)。
6.如權(quán)利要求1所述的電鍍裝置，其特征在于在上述被鍍體和上述調(diào)整板之間，具有對(duì)保持在上述電鍍槽內(nèi)的鍍液進(jìn)行攪拌的攪拌機(jī)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求6所述的電鍍裝置，其特征在于上述攪拌機(jī)構(gòu)是攪棒式攪拌機(jī)構(gòu)，具有與上述被鍍體平行地往復(fù)運(yùn)動(dòng)的攪棒。
8.如權(quán)利要求1所述的電鍍裝置，其特征在于上述陽(yáng)極和上述調(diào)整板設(shè)置在垂直方向上。
9.一種電鍍裝置，其特征在于具有電鍍槽，其用于保持鍍液；陽(yáng)極，其浸入并設(shè)置在上述電鍍槽內(nèi)的鍍液中；調(diào)整板，其設(shè)置在上述陽(yáng)極、及設(shè)置成與該陽(yáng)極相對(duì)置的被鍍體之間；以及電鍍電源，其用于在上述陽(yáng)極和被鍍體之間通電進(jìn)行電鍍；上述調(diào)整板被設(shè)置成把保存在上述電鍍槽內(nèi)的鍍液遮斷在上述陽(yáng)極側(cè)和被鍍體側(cè)，在內(nèi)部設(shè)置了邊使電場(chǎng)均勻通過(guò)，邊使鍍液流過(guò)的鍍液流路。
10.如權(quán)利要求9所述的電鍍裝置，其特征在于上述鍍液流路的長(zhǎng)度，設(shè)定為10～90mm。
11.如權(quán)利要求9所述的電鍍裝置，其特征在于上述鍍液流路形成在筒狀體或矩形塊的內(nèi)周面。
12.如權(quán)利要求11所述的電鍍裝置，其特征在于在上述筒狀體的周壁，設(shè)置大小能防止電場(chǎng)漏泄的多個(gè)通孔。
13.如權(quán)利要求9所述的電鍍裝置，其特征在于在上述被鍍體和上述調(diào)整板之間、或者上述陰極和上述調(diào)整板之間的至少一方，具有對(duì)上述電鍍槽內(nèi)保持的鍍液進(jìn)行攪拌的攪拌機(jī)構(gòu)。
14.如權(quán)利要求13所述的電鍍裝置，其特征在于上述攪拌機(jī)構(gòu)是攪棒式攪拌機(jī)構(gòu)，具有與上述被鍍體平行地往復(fù)運(yùn)動(dòng)的攪棒。
15.如權(quán)利要求13所述的電鍍裝置，其特征在于上述攪拌機(jī)構(gòu)是鍍液噴射式攪拌機(jī)構(gòu)，具有向上述被鍍體的方向噴射鍍液的多個(gè)鍍液噴射噴咀。
16.如權(quán)利要求13所述的確電鍍裝置，其特征在于上述鍍液流路在上述調(diào)整板內(nèi)部設(shè)置成與該調(diào)整板形成整體。
17.一電鍍裝置，其特征在于具有電鍍槽，其用于保持鍍液；陽(yáng)極，其浸入并設(shè)置在上述電鍍槽內(nèi)的鍍液中；調(diào)整板，其在上述陽(yáng)極以及設(shè)置成與該陽(yáng)極相對(duì)置的被鍍體之間，被設(shè)置成把保存在上述電鍍槽內(nèi)的鍍液遮斷在上述陽(yáng)極和被鍍體側(cè)，在內(nèi)部設(shè)置了使電場(chǎng)均勻通過(guò)并使鍍液流過(guò)的鍍液流路；電鍍電源，其用于在上述陽(yáng)極和被鍍體之間通電進(jìn)行電鍍；以及電場(chǎng)調(diào)整環(huán)，其位于上述鍍液流路的上述被鍍體側(cè)端部，用于調(diào)整該被鍍體的外周部的電場(chǎng)。
18.如權(quán)利要求17所述的電鍍裝置，其特征在于上述電場(chǎng)調(diào)整環(huán)的寬度設(shè)定為1～20mm。
19.如權(quán)利要求17所述的電鍍裝置，其特征在于上述電場(chǎng)調(diào)整環(huán)與上述被鍍體的間隙，設(shè)定為0.5～30mm。
20.如權(quán)利要求17所述的電鍍裝置，其特征在于上述鍍液流路形成在筒狀體的內(nèi)周面，上述電場(chǎng)調(diào)整環(huán)與該筒狀體的被鍍體側(cè)端部相連結(jié)。
21.如權(quán)利要求20所述的電鍍裝置，其特征在于在上述筒狀體的周壁，設(shè)置了大小能防止電場(chǎng)漏泄的多個(gè)通孔。
22.如權(quán)利要求17所述的電鍍裝置，其特征在于上述鍍液流路形成在筒狀體的內(nèi)周面，上述電場(chǎng)調(diào)整環(huán)與該筒狀體分離并布置在該筒狀體的被鍍體側(cè)端部。
23.如權(quán)利要求17所述的電鍍裝置，其特征在于上述鍍液流路形成在筒狀體的內(nèi)周面，上述電場(chǎng)調(diào)整環(huán)形成在該筒狀體的被鍍體側(cè)端面。
24.如權(quán)利要求17所述的電鍍裝置，其特征在于在上述被鍍體和上述調(diào)整板之間、或者上述陰極和上述調(diào)整板之間的至少一方，具有對(duì)上述電鍍槽內(nèi)保持的鍍液進(jìn)行攪拌的攪拌機(jī)構(gòu)。
25.如權(quán)利要求24所述的電鍍裝置，其特征在于上述攪拌機(jī)構(gòu)是攪棒式攪拌機(jī)構(gòu)，具有與上述被鍍體平行地往復(fù)運(yùn)動(dòng)的攪棒。
26.如權(quán)利要求24所述的電鍍裝置，其特征在于上述攪拌機(jī)構(gòu)是鍍液噴射式攪拌機(jī)構(gòu)，具有向上述被鍍體的方向噴射鍍液的多個(gè)鍍液噴射噴咀。
全文摘要
本發(fā)明提供電鍍裝置，其特征在于具有電鍍槽(40)，用于保持鍍液(10)；陽(yáng)極(56)，其浸入并設(shè)置在上述電鍍槽(40)內(nèi)的鍍液(10)中；調(diào)整板(60)，其設(shè)置在上述陽(yáng)極(56)以及設(shè)置成與該陽(yáng)極(56)相對(duì)置的基片(W)之間；以及電鍍電源(24)，其用于在上述陽(yáng)極(56)和基片(W)之間通電進(jìn)行電鍍；上述調(diào)整板(60)，其設(shè)置狀態(tài)是把保存在上述電鍍槽(40)內(nèi)的鍍液(10)遮斷在上述陽(yáng)極和被鍍體側(cè)，內(nèi)部設(shè)置了由多個(gè)通孔(66)構(gòu)成的通孔群(68)。
文檔編號(hào)C25D21/12GK1610769SQ0380181
公開日2005年4月27日 申請(qǐng)日期2003年7月18日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月18日
發(fā)明者矢島利一, 竹村隆, 黃海, 齋藤信利, 栗山文夫, 木村誠(chéng)章 申請(qǐng)人:株式會(huì)社荏原制作所