本發(fā)明涉及細胞分選檢測,具體涉及一種微流控芯片的制造方法。
背景技術:
1、微流控是指將流體限制在亞毫米尺度,從而達到精確控制和操縱流體行為的技術。微流控技術為生物學家創(chuàng)造了強大的工具來控制模擬完整的細胞微環(huán)境,其中包括調節(jié)細胞結構、功能、行為和生長的可溶性因子等?;谖⒘骺匦酒募毎诌x儀在微生物學和生物技術中具有巨大的單細胞分離潛力,具有精確分離、一次性(從而減少交叉污染)、易于使用、規(guī)模小、成本低、以及適用于各種樣品尺寸等優(yōu)點。將細胞培養(yǎng)技術與微流控芯片結合,在獨立腔室內進行單克隆細胞系的培育,期間持續(xù)注入新鮮的培養(yǎng)基,從而可以大大降低細胞培養(yǎng)的成本和時間。
2、微流控芯片的制作過程中,將基底與蓋片鍵合是至關重要的一步,鍵合的效果可以直接影響芯片的結構穩(wěn)定性和密封效果。為了基底能夠提供耐磨性、耐腐蝕性、反射率等效果,通常在基底上設置一層金屬膜。pdms預聚體具有良好的生物相容性、良好的光學透明性、化學穩(wěn)定性高,成本低、易加工,是一種蓋片的主流選擇。然而金屬或玻璃等基材與pdms預聚體直接鍵合是較為困難的,兩者的表面化學性質和物理性質存在顯著差異。兩者直接鍵合,通常會因界面不相容而導致附著力弱。
技術實現思路
1、本發(fā)明提供一種微流控芯片的制造方法,以解決pdms預聚體蓋片和金屬膜層基底直接鍵合困難的問題。
2、本發(fā)明提供一種微流控芯片的制造方法,包括以下步驟:提供基底;在所述基底的一側表面形成金屬膜層;提供蓋片,所述蓋片至少設置有微流道;在所述基底上形成中介鍵合層,覆蓋所述基底形成有所述金屬膜層的一側表面;對所述中介鍵合層做表面活化處理;將所述蓋片扣合至所述中介鍵合層,通過所述中介鍵合層與所述基底鍵合;其中,所述蓋片為pdms預聚體蓋片;所述中介鍵合層為二氧化硅層。
3、可選的,所述在所述基底上具有金屬膜層的一側表面形成中介鍵合層的步驟中,通過磁控濺射在所述基底上具有金屬膜層的一側表面形成二氧化硅層作為所述中介鍵合層;所述金屬膜層覆蓋其下的所述基底的整層表面,所述二氧化硅層覆蓋所述金屬膜層的整層表面。
4、可選的,所述在所述基底上具有金屬膜層的一側表面形成中介鍵合層的步驟中,通過磁控濺射在所述基底上具有金屬膜層的一側表面形成二氧化硅層作為所述中介鍵合層;所述金屬膜層的面積小于所述中介鍵合層的面積,所述中介鍵合層完全覆蓋所述金屬膜層,并延伸出所述金屬膜層的范圍,與所述基底直接連接。
5、可選的,所述表面活化處理的步驟中,采用等離子體轟擊所述中介鍵合層;等離子體轟擊過程中,使用氣體為空氣或氧氣;轟擊時間為20s~120s,功率為50w~200w,氣體流量速度為100μl/min。
6、可選的,所述將所述蓋片扣合至所述中介鍵合層,通過所述中介鍵合層與所述基底鍵合的步驟中:將所述蓋片放置于所述基底上的對應位置,使用工具點擊所述蓋片,將所述蓋片與所述基底間的空氣排出并緊密粘合。
7、可選的,所述空氣排出并緊密結合的過程,在一次點擊中完成;所述點擊的過程在所述表面活化處理完成后10min內完成;所述點擊的過程中,所述蓋片的表面被施加的壓力小于等于3n。
8、可選的,所述在所述基底的一側表面形成金屬膜層的步驟中,形成工藝包括蒸鍍工藝。
9、可選的,微流控芯片的制造方法還包括:在所述基底的一側表面形成金屬膜層的步驟前,對所述基底進行預清洗;所述預清洗的工藝包括水洗、有機溶劑清洗或超聲清洗。
10、可選的,微流控芯片的制造方法還包括:將所述蓋片扣合至所述中介鍵合層,通過所述中介鍵合層與所述基底鍵合后,對鍵合的所述蓋片和所述基底進行熱烘,使所述中介鍵合層固化。
11、可選的,所述熱烘步驟中,溫度為60℃~70℃恒溫,熱烘時間為10min~60min。
12、本發(fā)明的有益效果如下:
13、本發(fā)明提供的微流控芯片的制造方法,在形成有金屬膜層的基底上形成二氧化硅層作為中介鍵合層,再與pdms預聚體蓋片直接鍵合,由于二氧化硅與金屬膜層和pdms均有較佳的結合能力,可以使得具有金屬膜層的基底與pdms預聚體蓋片穩(wěn)定鍵合。并且,二氧化硅具有高度的化學穩(wěn)定性和惰性,不易降解,提供長期穩(wěn)定的鍵合效果。同時,二氧化硅對生物樣品無毒,并且可以隔絕部分基底材料的生物毒性,適合用于生物醫(yī)學和生物分析應用。此外,二氧化硅涂層可以承受較高的溫度而不降解,適用于需要高溫處理的應用情景。
1.一種微流控芯片的制造方法,其特征在于,包括以下步驟:
2.根據權利要求1所述的微流控芯片的制造方法,其特征在于,
3.根據權利要求1所述的微流控芯片的制造方法,其特征在于,
4.根據權利要求1所述的微流控芯片的制造方法,其特征在于,
5.根據權利要求1所述的微流控芯片的制造方法,其特征在于,
6.根據權利要求5所述的微流控芯片的制造方法,其特征在于,
7.根據權利要求1所述的微流控芯片的制造方法,其特征在于,
8.根據權利要求1所述的微流控芯片的制造方法,其特征在于,還包括:
9.根據權利要求1所述的微流控芯片的制造方法,其特征在于,還包括:
10.根據權利要求9所述的微流控芯片的制造方法,其特征在于,