技術(shù)特征：

1.一種智能分離的微系統(tǒng)制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種智能分離的微系統(tǒng)制備方法，其特征在于：步驟s1中，所述硅晶圓(1)的厚度為500μm～800μm，所述第一損傷層(21)到所述硅晶圓(1)上表面的距離為100μm～200μm，所述第二損傷層(22)到所述硅晶圓(1)上表面的距離為200μm～300μm，所述第一損傷層(21)和所述第二損傷層(22)的厚度均為20μm～30μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種智能分離的微系統(tǒng)制備方法，其特征在于：步驟s2包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種智能分離的微系統(tǒng)制備方法，其特征在于：步驟s21、s23中，刻蝕的方法均包括：反應(yīng)離子刻蝕、電感耦合等離子體刻蝕；所述第一tsv通孔(31)、所述第二tsv通孔(32)中均填充金屬cu、刻蝕深度均到達(dá)所述第一損傷層(21)；

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種智能分離的微系統(tǒng)制備方法，其特征在于：步驟s3包括以下步驟：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種智能分離的微系統(tǒng)制備方法，其特征在于：當(dāng)所述轉(zhuǎn)接板c的厚度和所述轉(zhuǎn)接板b厚度相同時(shí)，步驟s33、s34可合并到一起，同時(shí)制備所述第三tsv通孔(33)和所述第四tsv通孔(34)；所述第三tsv通孔(33)和所述第四tsv通孔(34)可為完全相同的tsv，填充金屬后，同時(shí)使用金屬刻蝕的方法使金屬露頭。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種智能分離的微系統(tǒng)制備方法，其特征在于：

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種智能分離的微系統(tǒng)制備方法，其特征在于：步驟s4包括以下步驟：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種智能分離的微系統(tǒng)制備方法，其特征在于：當(dāng)步驟s1中通過離子注入得到所述第一損傷層(21)和所述第二損傷層(22)時(shí)，步驟s41中通過在300℃～600℃之間的溫度退火使所述第一損傷層(21)、所述第二損傷層(22)中產(chǎn)生氣泡得到獨(dú)立的轉(zhuǎn)接板a、轉(zhuǎn)接板b和轉(zhuǎn)接板c；

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種智能分離的微系統(tǒng)制備方法，其特征在于：步驟s42中，所述第一空腔(41)的數(shù)量為至少兩個(gè)，在所述第一空腔(41)中嵌入芯片c1和c2，使所述轉(zhuǎn)接板b未設(shè)置第三空腔(43)的表面朝上并表貼芯片c3；

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種智能分離的微系統(tǒng)制備方法，預(yù)先在轉(zhuǎn)接板晶圓不同深度處注入離子或者照射激光形成損傷層，完成轉(zhuǎn)接板工藝后再利用退火或者化學(xué)方法使晶圓在損傷層處分離。本發(fā)明可將一片晶圓分離成三片使用，提高了晶圓的利用效率，降低了生產(chǎn)成本；由于晶圓最終被一分為三，無需襯底減薄即可實(shí)現(xiàn)整體封裝的小型化，簡化了工藝流程。同時(shí)，轉(zhuǎn)接板挖腔、TSV等工藝過程均使用厚晶圓，無需臨時(shí)鍵合就能給晶圓提供工藝機(jī)械支撐，因此降低了工藝難度和復(fù)雜性；由于兩片轉(zhuǎn)接板在一面加工，如TSV刻蝕、鈍化層沉積以及通孔金屬填充等工序經(jīng)過合理設(shè)計(jì)能夠合并為一起。相比于單片分別加工的方式，簡化了工藝流程，提高了工藝均一性。

技術(shù)研發(fā)人員：崔素寧,景翠,袁曉明,尹蒙蒙,宋濤,康楠,劉亞威,薛廷
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京遙測技術(shù)研究所
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2