示例涉及用于生成光的概念及其應(yīng)用，并且特別涉及光發(fā)射器裝置、光聲氣體傳感器和用于形成光發(fā)射器裝置的方法。

背景技術(shù)：

光發(fā)射器裝置（例如微機(jī)電系統(tǒng)光發(fā)射器裝置）可能必須在成本方面進(jìn)行優(yōu)化。然而，期望形成具有降低的功率消耗的光發(fā)射器裝置。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

可能需要提供具有降低的功率消耗的光發(fā)射器裝置的概念。

這種需要可以由權(quán)利要求的主題內(nèi)容來滿足。

一些實(shí)施例涉及一種光發(fā)射器裝置。光發(fā)射器裝置包括發(fā)射器部件，所述發(fā)射器部件包括布置在膜結(jié)構(gòu)上的加熱器結(jié)構(gòu)。膜結(jié)構(gòu)位于第一腔上方。另外，第一腔位于膜結(jié)構(gòu)和發(fā)射器部件的支撐襯底的至少一部分之間。此外，加熱器結(jié)構(gòu)被配置為如果預(yù)定義電流流過加熱器結(jié)構(gòu)則發(fā)射光。另外，光發(fā)射器裝置包括具有凹部的蓋襯底。蓋襯底附接到發(fā)射器部件，使得凹部在膜結(jié)構(gòu)和蓋襯底之間形成第二腔。此外，第二腔中的壓強(qiáng)小于100毫巴（mbar）。

一些實(shí)施例涉及一種光聲氣體傳感器。光聲氣體傳感器包括光發(fā)射器裝置。

一些實(shí)施例涉及一種用于形成光發(fā)射器裝置的方法。該方法包括形成包括布置在膜結(jié)構(gòu)上的加熱器結(jié)構(gòu)的發(fā)射器部件。膜結(jié)構(gòu)位于第一腔上方。另外，第一腔位于膜結(jié)構(gòu)和發(fā)射器部件的支撐襯底的至少一部分之間。此外，加熱器結(jié)構(gòu)被配置為如果預(yù)定義電流流過加熱器結(jié)構(gòu)則發(fā)射光。另外，該方法包括將具有凹部的蓋襯底附接到發(fā)射器部件，使得該凹部在膜結(jié)構(gòu)和蓋襯底之間形成第二腔。第二腔中的壓強(qiáng)小于100mbar。

附圖說明

下文將僅作為示例并參考附圖來描述設(shè)備和/或方法的一些示例，在附圖中

圖1示出了光發(fā)射器裝置的一部分的示意性橫截面；

圖2示出了光聲氣體傳感器的示意性圖示；

圖3示出了用于形成光發(fā)射器裝置的方法的流程圖；

圖4a-4i示出了用于形成光發(fā)射器裝置的工藝步驟；

圖5a-5h示出了用于形成另一光發(fā)射器裝置的工藝步驟；

圖6a-6h示出了用于形成另一光發(fā)射器裝置的工藝步驟；和

圖7a-7h示出了用于形成另一光發(fā)射器裝置的工藝步驟。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參考附圖更完全地描述各種示例，在附圖中圖示了一些示例。在附圖中，為了清楚起見，線、層和/或區(qū)的厚度可能被放大。

因此，雖然另外的示例能夠具有各種修改和替代形式，但是該示例中的一些特定示例被示出在附圖中并且隨后將被詳細(xì)描述。然而，該詳細(xì)描述不將另外的示例限制為所描述的特定形式。另外的示例可以覆蓋落入本公開的范圍內(nèi)的所有修改、等同物和替代物。遍及附圖的描述，相同的附圖標(biāo)記指代相同或相似的元件，所述元件在彼此比較時(shí)可以同樣或以修改的形式實(shí)現(xiàn)，同時(shí)提供相同或相似的功能。

將理解的是，當(dāng)元件被稱為“連接”或“耦合”到另一元件時(shí)，這些元件可以直接連接或耦合或者經(jīng)由一個(gè)或多個(gè)中間元件連接或耦合。如果使用“或”來組合兩個(gè)元件a和b，則這要被理解為公開所有可能的組合，即僅a、僅b以及a和b。針對相同組合的替代措辭是“a和b中的至少一個(gè)”。這同樣適用于多于2個(gè)元件的組合。

本文出于描述特定示例的目的而使用的術(shù)語并不旨在限制另外的示例。每當(dāng)使用諸如“一”、“一個(gè)”和“該”的單數(shù)形式并且僅使用單個(gè)元件既不被明確地或隱含地定義為強(qiáng)制性的，則另外的示例也可以使用復(fù)數(shù)元件來實(shí)現(xiàn)相同的功能。同樣，當(dāng)隨后將功能描述為使用多個(gè)元件來實(shí)現(xiàn)時(shí)，另外的示例可以使用單個(gè)元件或處理實(shí)體來實(shí)現(xiàn)相同的功能。還將理解，術(shù)語“包含”和/或“包括”在被使用時(shí)指定所述特征、整體、步驟、操作、過程、動(dòng)作、元件和/或部件的存在，但不排除一個(gè)或多個(gè)其他特征、整體、步驟、操作、過程、動(dòng)作、元件、部件和/或其任何組的存在或添加。

除非另有定義，否則所有術(shù)語（包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語）在本文中以其示例所屬領(lǐng)域的普通含義進(jìn)行使用。

圖1示出了光發(fā)射器裝置100的一部分的示意性橫截面。光發(fā)射器裝置100包括發(fā)射器部件，所述發(fā)射器部件包括布置在膜結(jié)構(gòu)120上的加熱器結(jié)構(gòu)110。膜結(jié)構(gòu)120位于第一腔130上方。另外，第一腔130（垂直地）位于膜結(jié)構(gòu)120和發(fā)射器部件的支撐襯底140的至少一部分之間。此外，加熱器結(jié)構(gòu)110被配置為如果預(yù)定義電流流過加熱器結(jié)構(gòu)110則發(fā)射光。另外，光發(fā)射器裝置100包括具有凹部160的蓋襯底150。蓋襯底150附接到發(fā)射器部件，使得凹部160在膜結(jié)構(gòu)120和蓋襯底150之間形成第二腔170。此外，第二腔170中的（氣體）壓強(qiáng)小于100mbar（或小于10mbar，小于1mbar，或小于0.1mbar）。

由于第二腔170中的低氣體壓強(qiáng)（例如，與海平面處1013mbar的平均大氣壓相比），可以降低通過第二腔170的熱傳導(dǎo)。以這種方式，可以降低由于熱傳導(dǎo)引起的光發(fā)射器裝置100的功率損耗。由此，可以降低光發(fā)射器裝置100的功率消耗。

例如，（準(zhǔn)）真空可以形成在第二腔170中。例如，第二腔中的氣體壓強(qiáng)可以大于0.001mbar或大于0.01mbar。例如，第一腔130中的氣體壓強(qiáng)可以等于第二腔170中的氣體壓強(qiáng)。例如，第一腔130和/或第二腔170可以填充有空氣或者填充有具有比空氣低的熱導(dǎo)率的氣體（例如，氡、氙或氬）。

例如，預(yù)定義電流的流動(dòng)可以通過向加熱器結(jié)構(gòu)110的電觸點(diǎn)施加電壓來生成。例如，預(yù)定義電流可以小于10ma（或小于1ma，小于0.1ma，小于0.01ma，或小于1μa）。預(yù)定義電流可以由實(shí)現(xiàn)在支撐襯底140上的電源電路或由外部電源電路供應(yīng)。

例如，通過加熱器結(jié)構(gòu)110的預(yù)定義電流的流動(dòng)可以引起加熱器結(jié)構(gòu)110的焦耳加熱并且因此可以導(dǎo)致加熱器結(jié)構(gòu)100發(fā)射熱輻射。例如，加熱器結(jié)構(gòu)100可以被配置為發(fā)射紅外光（例如，具有在700nm至1mm范圍內(nèi)的波長的光）、可見光（例如，具有在400nm至700nm范圍內(nèi)的波長的光）和/或其組合。例如，加熱器結(jié)構(gòu)110可以被配置為發(fā)射具有光譜的光，所述光譜包括在大于700nm且小于1mm的波長處的最大強(qiáng)度。例如，真空中的光的輻射或發(fā)射可以使通過小間隙內(nèi)的大空氣界面的熱傳導(dǎo)最小化。

例如，光發(fā)射器裝置100還可以包括垂直地位于第一腔130和支撐襯底140之間或者位于第二腔170和蓋襯底150之間的濾光器結(jié)構(gòu)。以這種方式，可以高效地控制發(fā)射的光的波長。另外，可以省略包括濾光器元件的分離裝置。由此，可以減小包括光發(fā)射器裝置100和濾光器元件的系統(tǒng)的尺寸（例如，大小或高度）。另外，可以降低系統(tǒng)的制造成本。例如，濾光器結(jié)構(gòu)可以包括在襯底上（例如在硅襯底上）具有不同多晶硅層和/或絕緣層（例如包括氧化硅或氮化硅的層）的布拉格濾波器。例如，濾光器結(jié)構(gòu)可以位于凹部160內(nèi)（例如，在蓋襯底150的表面處）或者位于支撐襯底140的前側(cè)表面處。例如，支撐襯底140的前側(cè)表面可以是膜結(jié)構(gòu)120所位于的支撐襯底140的表面。

例如，光反射層或光吸收層可以垂直地位于第一腔130和支撐襯底140之間或者位于第二腔170和蓋襯底150之間。由此，可以高效地控制光發(fā)射器裝置100的光發(fā)射方向。例如，光反射層可以反射大于50％（或大于80％）的入射光。例如，光反射層可以包括金屬薄膜。例如，光吸收層可以吸收大于50％（或大于80％）的入射光。光吸收層可以包括例如黑色層。例如，光反射層或光吸收層可以位于凹部160內(nèi)（例如，在蓋襯底150的表面處）或位于支撐襯底140的前側(cè)表面處。

例如，支撐襯底140可以包括在支撐襯底140的玻璃襯底或半導(dǎo)體襯底的前側(cè)表面上實(shí)現(xiàn)的支撐層。以這種方式，可以高效地實(shí)現(xiàn)膜結(jié)構(gòu)120。例如，支撐層可以通過去除支撐襯底140的一部分以形成第一腔130而形成。例如，支撐層可以形成為圍繞第一腔130的一個(gè)連續(xù)元件。替代地，支撐層可以形成第一腔130的至少一個(gè)壁。例如，膜結(jié)構(gòu)120可以安裝在支撐層上，固定到支撐層或錨定到支撐層。

例如，第一腔130和第二腔170可以通過穿過膜結(jié)構(gòu)120的至少一個(gè)開口連接。以這種方式，第一腔130中的氣體壓強(qiáng)可以與第二腔170中的氣體壓強(qiáng)平衡。例如，第一腔130中的氣體壓強(qiáng)可以等于第二腔170中的氣體壓強(qiáng)。

例如，光發(fā)射器裝置100還可以包括用于提供預(yù)定義電流的加熱器布線結(jié)構(gòu)。加熱器布線結(jié)構(gòu)可以包括延伸穿過支撐襯底140的通孔。由此，用于提供預(yù)定義電流或提供用于生成預(yù)定義電流的電壓的電觸點(diǎn)可以以氣密方式被高效地提供給加熱器結(jié)構(gòu)110。例如，可以在穿過支撐襯底140以形成通孔的孔中沉積導(dǎo)電材料（例如銅或鎢）。例如，通孔可以是硅通孔（tsv）。例如，通孔可以電連接到加熱器結(jié)構(gòu)110并且與支撐結(jié)構(gòu)140的半導(dǎo)體襯底絕緣。例如，電源電路可以向通孔提供預(yù)定義電流或提供用于生成預(yù)定義電流的電壓。

例如，加熱器布線結(jié)構(gòu)可以包括位于支撐襯底140的（背側(cè)）表面處的再分布層（rdl）內(nèi)的再分布布線。以這種方式，預(yù)定義電流或用于生成預(yù)定義電流的電壓的提供可以被簡化。例如，支撐襯底140的（背側(cè)）表面可以是與實(shí)現(xiàn)膜結(jié)構(gòu)120所在的前側(cè)表面相對的支撐襯底140的表面。例如，再分布層可以包括（或嵌入）由導(dǎo)電材料（例如銅或鎢）實(shí)現(xiàn)的一個(gè)或多個(gè)再分布布線結(jié)構(gòu)。例如，再分布布線可以電連接到通孔。

例如，光發(fā)射器裝置100還可以包括布線結(jié)構(gòu)以用于向支撐襯底140或蓋襯底150的偏置結(jié)構(gòu)以及向膜結(jié)構(gòu)120提供不同的電壓，從而以靜電方式移動(dòng)膜結(jié)構(gòu)120的至少一部分朝向支撐襯底140或蓋襯底150。由此，膜結(jié)構(gòu)120以及由此還有加熱器結(jié)構(gòu)110可以通過接觸支撐襯底140或蓋襯底150而被高效地冷卻。例如，膜結(jié)構(gòu)120的部分可以在光發(fā)射器裝置100的發(fā)射或輻射操作模式期間遠(yuǎn)離支撐襯底140或蓋襯底150移動(dòng)，并且可以在光發(fā)射器裝置100的非發(fā)射或非輻射操作模式朝向支撐襯底140或蓋襯底150移動(dòng)并且由此冷卻下來。例如，可移動(dòng)膜結(jié)構(gòu)120可允許在輻射和非輻射操作模式之間的快速切換。

例如，支撐襯底140或蓋襯底150的偏置結(jié)構(gòu)可以包括位于第一腔130和支撐襯底140之間或者位于第二腔170和蓋襯底150之間的接地層。布線結(jié)構(gòu)可以電連接到接地層。以這種方式，支撐襯底140或蓋襯底150和膜結(jié)構(gòu)120可以高效地置于不同的電位。例如，接地層可位于支撐襯底140的前側(cè)表面處的第一腔130內(nèi)或位于蓋襯底150的表面處的凹部160內(nèi)。例如，接地層可包括銅、鎢或多晶硅。例如，光發(fā)射器裝置100可以包括用于向接地層和膜結(jié)構(gòu)120提供不同電壓的另一電源電路。該另一電源電路可以例如實(shí)現(xiàn)在支撐襯底140上或是外部另一電源電路。

例如，支撐襯底140的至少一部分可以是半導(dǎo)體襯底或玻璃襯底。例如，蓋襯底150的至少一部分可以是半導(dǎo)體襯底或玻璃襯底。例如，半導(dǎo)體襯底可以是硅基襯底、碳化硅（sic）基半導(dǎo)體襯底、砷化鎵（gaas）基半導(dǎo)體襯底或氮化鎵（gan）基半導(dǎo)體襯底。例如，半導(dǎo)體襯底可以是半導(dǎo)體晶片或半導(dǎo)體管芯，或者是半導(dǎo)體晶片或半導(dǎo)體管芯的一部分。例如，玻璃襯底可以是硅石（例如sio2）基玻璃襯底、硼硅酸鹽基玻璃襯底、鋁硅酸鹽基玻璃襯底或氧化物基玻璃襯底。玻璃襯底可以例如是玻璃晶片、玻璃蓋晶片或玻璃蓋，或者是玻璃晶片、玻璃蓋晶片或玻璃蓋的一部分。

例如，膜結(jié)構(gòu)120可以包括散熱器結(jié)構(gòu)。（第一）絕緣層可以位于散熱器結(jié)構(gòu)和加熱器結(jié)構(gòu)110之間。由此，可以實(shí)現(xiàn)光的更平滑發(fā)射。例如，散熱器結(jié)構(gòu)可以形成散熱器層。散熱器結(jié)構(gòu)可以包括例如在感興趣的波長中具有高光學(xué)發(fā)射率的材料（例如，黑色鉑、石墨烯、多晶硅或硅）。例如，（第一）絕緣層可以包括氮化物或氧化物（例如，氮化硅或氧化硅）。

例如，加熱器結(jié)構(gòu)110可以包含包括第一金屬的第一層和包括第二金屬的第二層。第二層可以覆蓋第一層。例如，第一金屬可以是鈦，并且第二金屬可以是鉑。替代地，加熱器結(jié)構(gòu)可以包括單個(gè)金屬層。例如，單個(gè)金屬層可以包括鎢。

例如，加熱器結(jié)構(gòu)110可以被第二絕緣層覆蓋。例如，第二絕緣層可以包括氮化物或氧化物（例如，氮化硅或氧化硅）。

例如，加熱器結(jié)構(gòu)110的至少一部分可以具有曲折形狀或環(huán)形形狀。以這種方式，可以增加加熱器結(jié)構(gòu)110的長度。由此，可以增加加熱器結(jié)構(gòu)110的電阻，并且由此增加由于預(yù)定義電流的流動(dòng)引起的加熱器結(jié)構(gòu)110的焦耳加熱。以這種方式，可以增加光的發(fā)射強(qiáng)度。例如，凹部160可以具有矩形（橫向）橫截面。

例如，蓋襯底150可以以氣密方式附接到發(fā)射器部件。以這種方式，可以省略光發(fā)射器裝置100的氣密密封。例如，蓋襯底150可以陽極接合到發(fā)射器部件。例如，在蓋襯底150和支撐襯底140的界面處，玻璃可以與半導(dǎo)體材料接觸。

例如，光發(fā)射器裝置100可形成微機(jī)電系統(tǒng)（mems）裝置。mems裝置可以包括位于支撐襯底140的表面處的錨定元件。另外，mems裝置可以包括：加熱器結(jié)構(gòu)110，通過錨定元件而錨定到支撐襯底140。mems裝置還可以包括在蓋襯底150的表面處具有凹部160的蓋襯底150。蓋襯底150可以接合到支撐襯底140，使得凹部160在支撐襯底140和蓋襯底150之間形成第二腔170。此外，加熱結(jié)構(gòu)110可以位于第二腔170內(nèi)部。另外，第二腔170中的氣體壓強(qiáng)可以小于100mbar。例如，錨定元件可以通過在支撐襯底140上生長氧化物層并且刻蝕生長的氧化物層而由氧化物（例如，氧化硅）形成。

光發(fā)射器裝置100可以是例如紅外（ir）發(fā)射器或memsir發(fā)射器。例如，光發(fā)射器裝置100可以是光聲氣體傳感器、光聲光譜學(xué)系統(tǒng)、熱流傳感器或移動(dòng)裝置（例如，智能電話或平板計(jì)算機(jī)）的元件。光發(fā)射器裝置100可用于實(shí)現(xiàn)任何其它氣體傳感器原理，其中所發(fā)射的光輻射例如用于觸發(fā)傳感器效應(yīng)，諸如ndir傳感器系統(tǒng)。

例如，光發(fā)射器裝置100（例如ir發(fā)射器芯片）可以實(shí)現(xiàn)為mems芯片，該mems芯片具有薄加熱器膜、硅襯底中的腔和可選地具有通氣孔。另外，紅外濾波器結(jié)構(gòu)（例如ir濾波器芯片）可以實(shí)現(xiàn)為在硅襯底上具有不同多晶硅/氧化物層的布拉格反射器。

例如，垂直方向可以正交于支撐襯底140或蓋襯底150的前側(cè)表面進(jìn)行測量，并且橫向方向可以平行于支撐襯底140或蓋襯底150的前側(cè)表面進(jìn)行測量。支撐襯底140或蓋襯底150的前側(cè)或前側(cè)表面可以是用于實(shí)現(xiàn)比支撐襯底140或蓋襯底150的背側(cè)處的結(jié)構(gòu)更精致和復(fù)雜的結(jié)構(gòu)的側(cè)，因?yàn)槔缛绻Y(jié)構(gòu)已經(jīng)形成在支撐襯底140或蓋襯底150的一側(cè)，則工藝參數(shù)（例如溫度）和處理可以針對背側(cè)進(jìn)行限制。

圖2示出了光聲氣體傳感器200的示意性圖示。光聲氣體傳感器200包括光發(fā)射器裝置210。光發(fā)射器裝置210的實(shí)現(xiàn)方式可以類似于結(jié)合圖1描述的光發(fā)射器裝置的實(shí)現(xiàn)方式。光發(fā)射器裝置210布置在旨在填充有要分析的氣體（例如空氣或包括二氧化碳（co2）或一氧化碳（co）的氣體）的體積220內(nèi)。光聲氣體傳感器200還包括布置在參考?xì)怏w體積240內(nèi)的壓敏模塊230（例如麥克風(fēng)）。參考?xì)怏w體積240與旨在填充有要分析的氣體的體積220分離。另外，光發(fā)射器裝置210被配置為發(fā)射光脈沖250以通過與參考?xì)怏w體積240內(nèi)的參考?xì)怏w（例如氮?dú)猓┫嗷プ饔脕硪饏⒖細(xì)怏w體積240中的聲波260。壓敏模塊230可以被配置為檢測聲波260并且基于檢測到的聲波260生成指示關(guān)于聲波260的信息的傳感器信號(hào)。由于發(fā)射的光脈沖250經(jīng)過旨在填充有要分析的氣體的體積220的一部分，因此所生成的傳感器信號(hào)還可以指示關(guān)于在體積220內(nèi)要分析的氣體的信息（例如，co2濃度或co濃度）。此外，光聲氣體傳感器200可以包括入口和/或出口以用于用要分析的氣體填充體積220。

結(jié)合上文或下文描述的實(shí)施例提及更多細(xì)節(jié)和方面。圖2所示的實(shí)施例可以包括一個(gè)或多個(gè)可選的附加特征，所述一個(gè)或多個(gè)可選的附加特征對應(yīng)于結(jié)合所提出的概念或上文（例如圖1）或下文（例如圖3-7h）描述的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例所提及的一個(gè)或多個(gè)方面。

圖3示出了用于形成光發(fā)射器裝置的方法300的流程圖。方法300包括形成310發(fā)射器部件，所述發(fā)射器部件包括布置在膜結(jié)構(gòu)120上的加熱器結(jié)構(gòu)110。膜結(jié)構(gòu)120（垂直地）位于第一腔130上方。另外，第一腔130位于膜結(jié)構(gòu)120和發(fā)射器部件的支撐襯底140的至少一部分之間。此外，加熱器結(jié)構(gòu)110被配置為：如果預(yù)定義電流流過加熱器結(jié)構(gòu)110，則發(fā)射光。另外，方法300包括將具有凹部160的蓋襯底150附接到發(fā)射器部件，使得凹部160在膜結(jié)構(gòu)120和蓋襯底150之間形成第二腔170。第二腔170中的（氣體）壓強(qiáng)小于100mbar。

以這種方式，可以高效地形成由于熱傳導(dǎo)而具有低功率損耗的光發(fā)射器裝置。由此，可以形成具有降低的功率消耗的光發(fā)射器裝置。

例如，可以通過將散熱器結(jié)構(gòu)（例如，多晶硅層）沉積在支撐結(jié)構(gòu)140的基礎(chǔ)襯底上而形成膜結(jié)構(gòu)120。另外，散熱器結(jié)構(gòu)可以被絕緣層（例如，氮化物層）覆蓋?？梢酝ㄟ^將至少一個(gè)金屬層（例如，包括鎢或鈦/鉑）沉積在覆蓋散熱器結(jié)構(gòu)的絕緣層上而形成散熱器結(jié)構(gòu)110。可以例如在形成加熱器結(jié)構(gòu)110之后通過刻蝕支撐襯底140而形成第一腔130。例如，可以通過刻蝕工藝在蓋襯底150中形成凹部160。例如，可以在（準(zhǔn)）真空中或在小于100mbar（或小于10mbar，小于1mbar，或小于0.1mbar）的環(huán)境氣體壓強(qiáng)處執(zhí)行將蓋襯底150附接320到發(fā)射器部件。

將蓋襯底150附接320到發(fā)射器部件可以包括將蓋襯底150陽極接合到發(fā)射器部件。以這種方式，可以在支撐襯底140處高效地固定蓋襯底150。替代地，將蓋襯底150附接320到發(fā)射器部件可以包括金屬-金屬接合、晶片接合、共熔接合、氣密密封接合或旋涂玻璃接合。

結(jié)合上文或下文描述的實(shí)施例提及更多細(xì)節(jié)和方面。圖3所示的實(shí)施例可以包括一個(gè)或多個(gè)可選的附加特征，所述一個(gè)或多個(gè)可選的附加特征對應(yīng)于結(jié)合所提出的概念或上文（例如圖1-2）或下文（例如圖4a-7h）描述的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例所提及的一個(gè)或多個(gè)方面。

圖4a至4i示出了用于形成光發(fā)射器裝置400的工藝步驟。用于形成光發(fā)射器裝置400的方法可以類似于結(jié)合圖3描述的方法。圖4a示出了支撐襯底140，在支撐襯底140上形成紅外（ir）濾波器結(jié)構(gòu)410、第一絕緣層420、第二絕緣層430和膜結(jié)構(gòu)120。例如，支撐襯底140可以是硅基襯底。紅外濾波器結(jié)構(gòu)410可以例如包括多晶硅層和絕緣層（例如，氧化硅層或氮化硅層）的層堆疊。例如，紅外濾波器結(jié)構(gòu)410可以是具有不同多晶硅/氧化物層的布拉格反射器。例如，第一絕緣層420可以包括氧化物（例如，氧化硅），并且第二絕緣層430可以包括氮化物（例如，氮化硅）。膜結(jié)構(gòu)120可以包括散熱器結(jié)構(gòu)（例如，由多晶硅形成）。

例如，支撐襯底140（例如，si襯底晶片）可以被預(yù)處理有紅外濾波器結(jié)構(gòu)410（例如，ir濾波器層）、第一絕緣層420（例如，氧化物層）和膜結(jié)構(gòu)120（例如，多晶硅散熱器層）。在該支撐襯底的頂部上，第二絕緣層430（例如，氮化物層）可以被沉積并且用于硅通孔（tsv）形成的硬掩模421可以被刻蝕。

如圖4b所示，將溝槽440刻蝕到支撐襯底140中。此外，絕緣層441形成在溝槽440內(nèi)部。另外，將導(dǎo)電材料442（例如，銅（cu）或鎢）沉積在溝槽440內(nèi)部。絕緣層441隔離導(dǎo)電材料與支撐襯底140。例如，溝槽440、絕緣層441和導(dǎo)電材料442可以形成tsv（例如，cu-tsv）。例如，可以通過溝槽刻蝕、隔離以及通常是銅或鎢填充而形成tsv?？梢韵颍ㄉ形葱纬傻模┘訜崞鹘Y(jié)構(gòu)110通過tsv或?qū)щ姴牧?42提供預(yù)定義電流。例如，另一tsv可以形成在支撐襯底140中以用于向加熱器結(jié)構(gòu)110提供預(yù)定義電流。

加熱器結(jié)構(gòu)110形成在膜結(jié)構(gòu)120上，如圖4c所示。加熱器結(jié)構(gòu)110包含包括第一金屬（例如鈦）的第一層451、包括第二金屬（例如鉑）并且覆蓋第一層451的第二層452、以及覆蓋第二層452的絕緣層453（例如氮化物）。第二絕緣層430位于加熱器結(jié)構(gòu)110和膜結(jié)構(gòu)120之間。

例如，加熱器結(jié)構(gòu)110或金屬加熱器（例如ti/pt或w）可以被形成并且被絕緣層453（例如氮化物層）覆蓋，絕緣層453在膜結(jié)構(gòu)120的散熱器層的間隔內(nèi)開口。例如，散熱器層可以包括在感興趣的波長中具有高光學(xué)發(fā)射率的材料，諸如黑色鉑、石墨烯或硅。紅外濾波器結(jié)構(gòu)410（例如濾波器層）和/或支撐襯底140也可以通過加熱器結(jié)構(gòu)110的金屬而進(jìn)行接觸（例如以形成散熱器層的對電極）。

如圖4d所示，通過刻蝕膜結(jié)構(gòu)120和紅外濾波器結(jié)構(gòu)410之間的第一絕緣層420而形成第一腔130。例如，可以在膜結(jié)構(gòu)120或其散熱器結(jié)構(gòu)（例如，散熱器層）和紅外濾波器結(jié)構(gòu)410（例如濾波器層）之間以及在區(qū)461、462處刻蝕第一絕緣層420（例如氧化物），在區(qū)461、462中可以隨后通過濕化學(xué)刻蝕來執(zhí)行陽極接合。第一絕緣層420的刻蝕可以例如包括氧化物釋放刻蝕。

如圖4e所示，具有凹部160的蓋襯底150（例如玻璃蓋晶片）附接到支撐襯底140。凹部160在膜結(jié)構(gòu)120和蓋襯底150之間形成第二腔170。膜結(jié)構(gòu)120包括將第一腔130與第二腔170連接的多個(gè)開口471。例如，蓋襯底150可以在真空中陽極接合到支撐襯底140。例如，在加熱器結(jié)構(gòu)110的區(qū)中具有凹部160（例如，刻蝕的腔）的蓋襯底150（例如蓋玻璃晶片）可以通過在真空下陽極接合而接合在支撐襯底140（例如襯底晶片）上。

圖4f示出了可選的工藝步驟，在所述工藝步驟中在蓋襯底150的凹部160內(nèi)形成涂層481。涂層481可以是光反射涂層（例如金屬薄膜）或光吸收涂層（例如黑色薄膜）。例如，形成涂層481可以包括在蓋襯底150上（例如在玻璃晶片上）沉積金屬薄膜。在形成涂層481期間，蓋襯底150可以附接到剝離抗蝕劑元件482。例如，可選地，可以完成蓋襯底150的反射和/或吸收涂層。

如圖4g所示，支撐襯底140被減薄，使得溝槽440打開，并且導(dǎo)電材料442可以在支撐襯底140的背側(cè)141處電接觸。例如，支撐襯底140（例如襯底晶片）可以通過晶片研磨和/或等離子體刻蝕來減薄。例如，可以在該減薄工藝期間打開tsv。

在支撐襯底140的背側(cè)141處或在支撐襯底140的背側(cè)141上形成絕緣層491（例如氧化物）和具有焊盤493的再分布層492，如圖4h所示。再分布層492電接觸導(dǎo)電材料442。例如，在支撐襯底140的背側(cè)141上，再分布層（rdl）492可形成有用于釘頭接合或凸塊的焊盤493。例如，任何類型或每種類型的金屬化和焊盤形成可以用在rdl492中。

如圖4i所示，將蓋襯底150（例如蓋晶片）減薄到目標(biāo)厚度，并且如箭頭494所指示的那樣執(zhí)行支撐襯底140和蓋襯底150的晶片鋸切以形成光發(fā)射器裝置400。蓋襯底150的垂直尺寸495可以根據(jù)第二腔170中的氣體壓強(qiáng)來選擇。例如，垂直尺寸495可以大于1μm（例如大于10μm，大于30μm，大于50μm或大于100μm）。支撐層140的垂直尺寸496可以例如大于1μm（例如大于10μm，大于30μm，大于50μm或大于100μm）。例如，加熱器結(jié)構(gòu)110和蓋襯底150之間的垂直距離497可以在500nm至10μm的范圍內(nèi)。膜結(jié)構(gòu)120和紅外濾波器結(jié)構(gòu)410之間的垂直距離498可以在500nm至5μm的范圍內(nèi)。圖4i示出了具有帶有tsv的集成ir發(fā)射器/濾波器的示例。

例如，可以通過兩個(gè)晶片的陽極接合工藝來處理包括加熱器膜和濾波器的腔。接合可以在低壓環(huán)境中完成，并且因此加熱器和濾波器處于（準(zhǔn)）真空下。由于加熱器可以被實(shí)現(xiàn)為可移動(dòng)膜，因此加熱器可以在非輻射操作模式期間以靜電方式移動(dòng)到襯底并冷卻下來，并且可以在輻射操作模式期間通過在襯底和散熱器層之間施加不同的電位而移動(dòng)遠(yuǎn)離襯底。

例如，由于相應(yīng)腔130、170中的真空，可以降低功率耗散，因?yàn)樵谡婵罩凶钚』療醾鲗?dǎo)，并且熱輻射現(xiàn)在可以是唯一的主導(dǎo)效應(yīng)。由可移動(dòng)膜進(jìn)行的冷卻可以有利于輻射和非輻射操作模式之間的快速切換。

結(jié)合上文或下文描述的實(shí)施例提及更多細(xì)節(jié)和方面。圖4a-4i所示的實(shí)施例可以包括一個(gè)或多個(gè)可選的附加特征，所述一個(gè)或多個(gè)可選的附加特征對應(yīng)于結(jié)合所提出的概念或上文（例如圖1-3）或下文（例如圖5a-7h）描述的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例所提及的一個(gè)或多個(gè)方面。

圖5a-5h示出了用于形成另一光發(fā)射器裝置500的工藝步驟。用于形成光發(fā)射器裝置500的方法可以類似于結(jié)合圖3描述的方法。圖5a示出了支撐襯底140，在支撐襯底140上形成接地層510、絕緣層520和膜結(jié)構(gòu)120。例如，支撐襯底140可以是玻璃基襯底。接地層510可以例如包括導(dǎo)電材料（例如銅、鎢或多晶硅）。例如，絕緣層520可以包括氮化物（例如，氮化硅）。膜結(jié)構(gòu)120可以包括散熱器結(jié)構(gòu)（例如由多晶硅形成）。例如，與圖4a-4i所示的工藝步驟相反，支撐襯底140（例如襯底晶片）可以由玻璃形成。例如，與圖4a-4i所示的工藝步驟相反，代替支撐襯底140（例如襯底晶片）中的紅外濾波器結(jié)構(gòu)410，可以實(shí)現(xiàn)（電）接地層510（例如地層）以使得能夠?qū)崿F(xiàn)可移動(dòng)膜結(jié)構(gòu)120（例如，可移動(dòng)加熱器元件）的連接的對電極。

如圖5b所示，將溝槽530刻蝕到支撐襯底140中。另外，導(dǎo)電材料531（例如銅（cu）或鎢）沉積在溝槽530內(nèi)部。例如，溝槽530和導(dǎo)電材料531可形成tsv（例如cu-tsv）。例如，與圖4a-4i所示的工藝步驟相反，可以省略tsv中的絕緣層441或隔離層，因?yàn)椴Ａб呀?jīng)是隔離層。可以通過tsv或?qū)щ姴牧?31提供預(yù)定義電流給（尚未形成的）加熱器結(jié)構(gòu)110。例如，可以在支撐襯底140中形成另一tsv以用于向加熱器結(jié)構(gòu)110提供預(yù)定義電流。

加熱器結(jié)構(gòu)110形成在膜結(jié)構(gòu)120上，如圖5c所示。加熱器結(jié)構(gòu)110包含包括第一金屬（例如鈦）的第一層451、包括第二金屬（例如鉑）并且覆蓋第一層451的第二層452、以及覆蓋第二層452的絕緣層453（例如氮化物）。第二絕緣層430位于加熱器結(jié)構(gòu)110和膜結(jié)構(gòu)120之間。

如圖5d所示，通過在膜結(jié)構(gòu)120和接地層510之間刻蝕支撐襯底140而形成第一腔130?？涛g第一支撐襯底140可以例如包括玻璃釋放刻蝕或氧化物釋放刻蝕。

如圖5e所示，具有凹部160的蓋襯底150（例如，結(jié)構(gòu)化的si或玻璃蓋晶片）附接到支撐襯底140。凹部160在膜結(jié)構(gòu)120和蓋襯底150之間形成第二腔170。紅外濾波器結(jié)構(gòu)410（例如，濾波器層）位于鄰近蓋襯底150。膜結(jié)構(gòu)120包括多個(gè)開口471，所述多個(gè)開口471將第一腔130與第二腔170連接。例如，蓋襯底150可以在真空中陽極接合到支撐襯底140。例如，蓋襯底150（例如蓋晶片）可以由硅或玻璃形成，并且紅外濾波器結(jié)構(gòu)410（例如，濾波器層）可以沉積在蓋襯底150（例如結(jié)構(gòu)化的蓋晶片）上。

如圖5f所示，將支撐襯底140減薄，使得溝槽530打開，并且導(dǎo)電材料531可以在支撐襯底140的背側(cè)141處電接觸。

具有焊盤493的再分布層492形成在支撐襯底140的背側(cè)141處或在支撐襯底140的背側(cè)141上，如圖5g所示。再分布層492電接觸導(dǎo)電材料531。例如，與圖4a-4i所示的工藝步驟相反，可以省略或略過背側(cè)141上（例如rdl492中）的絕緣層491（例如，隔離層），因?yàn)椴Ａб呀?jīng)是隔離層。

如圖5h所示，將蓋襯底150減薄至目標(biāo)厚度，并且如箭頭494所指示的那樣執(zhí)行支撐襯底140和蓋襯底150的晶片鋸切以形成光發(fā)射器裝置500。圖5h示出了在蓋晶片和玻璃襯底/si或玻璃蓋上具有濾波器的示例。

結(jié)合上文或下文描述的實(shí)施例提及更多細(xì)節(jié)和方面。圖5a-5h所示的實(shí)施例可以包括一個(gè)或多個(gè)可選的附加特征，所述一個(gè)或多個(gè)可選的附加特征對應(yīng)于結(jié)合所提出的概念或上文（例如圖1-4i）或下文（例如圖6a-7h）描述的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例所提及的一個(gè)或多個(gè)方面。

圖6a-6h示出了用于形成另一光發(fā)射器裝置600的工藝步驟。用于形成光發(fā)射器裝置600的方法可以類似于結(jié)合圖3描述的方法。圖6a示出了支撐襯底140，在支撐襯底140上形成紅外濾波器結(jié)構(gòu)410、絕緣層520和膜結(jié)構(gòu)120。例如，支撐襯底140可以是玻璃基襯底。膜結(jié)構(gòu)120可以包括散熱器結(jié)構(gòu)（例如由多晶硅形成）。例如，與圖5a-5h所示的工藝步驟相反，紅外濾波器結(jié)構(gòu)410（例如濾波器層）可以實(shí)現(xiàn)在支撐襯底150（例如襯底層）中。

如圖6b所示，將溝槽530刻蝕到支撐襯底140中。另外，導(dǎo)電材料531（例如銅（cu）或鎢）沉積在溝槽530內(nèi)部。例如，溝槽530和導(dǎo)電材料531可形成tsv（例如cu-tsv）?？梢酝ㄟ^tsv或?qū)щ姴牧?31提供預(yù)定義電流給（尚未形成的）加熱器結(jié)構(gòu)110。例如，可以在支撐襯底140中形成另一tsv以用于向加熱器結(jié)構(gòu)110提供預(yù)定義電流。

加熱器結(jié)構(gòu)110形成在膜結(jié)構(gòu)120上，如圖6c所示。加熱器結(jié)構(gòu)110包含包括第一金屬（例如鈦）的第一層451、包括第二金屬（例如鉑）并且覆蓋第一層451的第二層452、以及覆蓋第二層452的絕緣層453（例如氮化物）。第二絕緣層430位于加熱器結(jié)構(gòu)110和膜結(jié)構(gòu)120之間。

如圖6d所示，通過在膜結(jié)構(gòu)120和紅外濾波器結(jié)構(gòu)410之間刻蝕支撐襯底140而形成第一腔130?？涛g第一支撐襯底140可以例如包括玻璃釋放刻蝕或氧化物釋放刻蝕。

如圖6e所示，具有凹部160的蓋襯底150（例如，硅蓋晶片）附接到支撐襯底140。凹部160在膜結(jié)構(gòu)120和蓋襯底150之間形成第二腔170。膜結(jié)構(gòu)120包括將第一腔130與第二腔170連接的多個(gè)開口471。例如，蓋襯底150可以在真空中陽極接合到支撐襯底140。

如圖6f所示，將支撐襯底140減薄，使得溝槽530打開，并且導(dǎo)電材料531可以在支撐襯底140的背側(cè)141處電接觸。

具有焊盤493的再分布層492形成在支撐襯底140的背側(cè)141處或在支撐襯底140的背側(cè)141上，如圖6g所示。再分布層492電接觸導(dǎo)電材料531。

如圖6h所示，將蓋襯底150減薄至目標(biāo)厚度，并且如箭頭494所指示的那樣執(zhí)行支撐襯底140和蓋襯底150的晶片鋸切，以形成光發(fā)射器裝置600。圖6h示出了在襯底晶片和玻璃襯底/si蓋上具有濾光器的示例。

結(jié)合上文或下文描述的實(shí)施例提及更多細(xì)節(jié)和方面。圖6a-6h所示的實(shí)施例可以包括一個(gè)或多個(gè)可選的附加特征，所述一個(gè)或多個(gè)可選的附加特征對應(yīng)于結(jié)合所提出的概念或上文（例如圖1-5h）或下文（例如圖7a-7h）描述的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例所提及的一個(gè)或多個(gè)方面。

圖7a至7h示出了用于形成另一光發(fā)射器裝置700的工藝步驟。用于形成光發(fā)射器裝置700的方法可以類似于結(jié)合圖3描述的方法。圖7a示出了支撐襯底140，在支撐襯底140上形成第一絕緣層420、第二絕緣層430和膜結(jié)構(gòu)120。例如，支撐襯底140可以是硅基襯底。膜結(jié)構(gòu)120可以包括散熱器結(jié)構(gòu)（例如由多晶硅形成）。

如圖7b所示，將溝槽440刻蝕到支撐襯底140中。此外，在溝槽440內(nèi)部形成絕緣層441。此外，在溝槽440內(nèi)部沉積導(dǎo)電材料442（例如銅（cu）或鎢）。絕緣層441隔離導(dǎo)電材料與支撐襯底140。例如，溝槽440、絕緣層441和導(dǎo)電材料442可以形成tsv（例如cu-tsv）。可以通過tsv或?qū)щ姴牧?42提供預(yù)定義電流給（尚未形成的）加熱器結(jié)構(gòu)110。例如，可以在支撐襯底140中形成另一tsv以用于向加熱器結(jié)構(gòu)110提供預(yù)定義電流。

加熱器結(jié)構(gòu)110形成在膜結(jié)構(gòu)120上，如圖7c所示。加熱器結(jié)構(gòu)110包含包括第一金屬（例如鈦）的第一層451、包括第二金屬（例如鉑）并且覆蓋第一層451的第二層452、以及覆蓋第二層452的絕緣層453（例如氮化物）。第二絕緣層430位于加熱器結(jié)構(gòu)110和膜結(jié)構(gòu)120之間。

如圖7d所示，通過在膜結(jié)構(gòu)120和支撐襯底140的前側(cè)142之間刻蝕第一絕緣層420來形成第一腔130。

如圖7e所示，具有凹部160的蓋襯底150（例如，結(jié)構(gòu)化的si或玻璃蓋晶片）附接到支撐襯底140。紅外濾波器結(jié)構(gòu)410位于凹部160內(nèi)部。另外，凹部160在膜結(jié)構(gòu)120和蓋襯底150之間形成第二腔170。膜結(jié)構(gòu)120包括多個(gè)開口471，所述多個(gè)開口471將第一腔130與第二腔170連接。例如，蓋襯底150可以在真空中陽極接合到支撐襯底140。例如，可以在蓋襯底150（例如蓋玻璃晶片）上形成結(jié)構(gòu)化的濾波器層。例如，支撐襯底150可以是硅晶片。

如圖7f所示，將支撐襯底140減薄，使得溝槽440打開，并且導(dǎo)電材料442可以在支撐襯底140的背側(cè)141處電接觸。

如圖7g所示，在支撐襯底140的背側(cè)141處或在支撐襯底140的背側(cè)141上形成絕緣層491（例如氧化物）和具有焊盤493的再分布層492。再分布層492電接觸導(dǎo)電材料442。

如圖7h所示，將蓋襯底150減薄至目標(biāo)厚度，并且如箭頭494所指示的那樣執(zhí)行支撐襯底140和蓋襯底150的晶片鋸切，以形成光發(fā)射器裝置700。圖7h示出了在蓋晶片和si襯底/玻璃蓋上具有濾波器的示例。

結(jié)合上文或下文描述的實(shí)施例提及更多細(xì)節(jié)和方面。圖7a-7h所示的實(shí)施例可以包括一個(gè)或多個(gè)可選的附加特征，所述一個(gè)或多個(gè)可選的附加特征對應(yīng)于結(jié)合所提出的概念或上文（例如圖1-6h）或下文描述的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例所提及的一個(gè)或多個(gè)方面。

一些實(shí)施例涉及用于具有最小化的功率消耗的集成ir發(fā)射器和濾波器的結(jié)構(gòu)和方法。

根據(jù)一方面，比如mems的集成電路可以關(guān)于大小和高度以及功率耗散被優(yōu)化，特別是如果芯片旨在用于實(shí)現(xiàn)在比如智能手機(jī)或平板電腦的移動(dòng)設(shè)備中的話。另外，可以關(guān)于低成本來優(yōu)化mems解決方案。

根據(jù)一方面，ir發(fā)射器和ir濾波器可以用最低可能的大小/高度和成本與附加其它芯片一起實(shí)現(xiàn)在單個(gè)封裝中。

根據(jù)一方面，在光發(fā)射器裝置中，可以優(yōu)化完整的ir發(fā)射器/濾波器系統(tǒng)，并且同時(shí)可以使成本最小化。同時(shí)，在應(yīng)用中可以使功率耗散最小化，并且對于某些變型可以避免由于過壓而引起的聲學(xué)交叉耦合。

根據(jù)一方面，為了減小大小和高度并且還為了降低成本，光發(fā)射器裝置的形成可以基于晶片級(jí)工藝和晶片到晶片接合工藝。

根據(jù)一方面，濾波器和加熱器系統(tǒng)在晶片級(jí)上的集成可以降低成本并且可以允許緊湊的系統(tǒng)。

根據(jù)一方面，可以用較低成本、較低高度/大小和低功率消耗來實(shí)現(xiàn)光發(fā)射器裝置。

根據(jù)一方面，其他材料以及其他制造步驟可以用在用于形成光發(fā)射器裝置或用于組裝該光發(fā)射器裝置或同類系統(tǒng)的方法中。

根據(jù)一方面，將加熱的膜結(jié)構(gòu)朝向“冷”系統(tǒng)吸引以提供快速冷卻的原理可能對于“頻率非臨界”或穩(wěn)態(tài)系統(tǒng)（諸如ndir或慢光聲光譜學(xué)（pas）系統(tǒng)）是可選的。

與一個(gè)或多個(gè)先前詳細(xì)的示例和附圖一起提及和描述的方面和特征也可以與一個(gè)或多個(gè)其他示例組合，以便替換另一示例的類似特征或者以便另外引入特征到另一示例。

示例還可以是具有程序代碼的計(jì)算機(jī)程序或涉及具有程序代碼的計(jì)算機(jī)程序，所述程序代碼用于當(dāng)在計(jì)算機(jī)或處理器上執(zhí)行計(jì)算機(jī)程序時(shí)執(zhí)行以上方法中的一個(gè)或多個(gè)。各種上述方法的步驟、操作或過程可以由編程的計(jì)算機(jī)或處理器執(zhí)行。示例還可以覆蓋諸如數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的程序存儲(chǔ)裝置，所述程序存儲(chǔ)裝置是機(jī)器、處理器或計(jì)算機(jī)可讀的并且編碼機(jī)器可執(zhí)行的、處理器可執(zhí)行的或計(jì)算機(jī)可執(zhí)行的程序指令。指令執(zhí)行上述方法的一些或全部動(dòng)作或引起執(zhí)行上述方法的一些或全部動(dòng)作。程序存儲(chǔ)裝置可以包括或可以是例如：數(shù)字存儲(chǔ)器、諸如磁盤和磁帶的磁存儲(chǔ)介質(zhì)、硬盤驅(qū)動(dòng)器或光學(xué)可讀數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。另外的示例還可以覆蓋：被編程為執(zhí)行上述方法的動(dòng)作的計(jì)算機(jī)、處理器或控制單元，或者被編程為執(zhí)行上述方法的動(dòng)作的（現(xiàn)場）可編程邏輯陣列（（f）pla）或（現(xiàn)場）可編程門陣列（（f）pga）。

描述和附圖僅圖示本公開的原理。此外，本文所陳述的所有示例主要明確旨在僅僅出于教學(xué)目的，以幫助讀者理解為促進(jìn)本領(lǐng)域而由（一個(gè)或多個(gè)）發(fā)明人貢獻(xiàn)的概念和本公開的原理。本文中陳述本公開的原理、方面和示例及其特定示例的所有陳述旨在涵蓋其等同物。

框圖可以例如圖示實(shí)現(xiàn)本公開的原理的高級(jí)電路圖。類似地，流程圖表、流程圖、狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖、偽代碼等可以表示各種過程、操作或步驟，所述各種過程、操作或步驟可以例如基本上被表示在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中并且因此由計(jì)算機(jī)或處理器執(zhí)行，無論這樣的計(jì)算機(jī)或處理器是否被明確地示出。在說明書中或在權(quán)利要求書中公開的方法可以通過具有用于執(zhí)行這些方法的每個(gè)相應(yīng)動(dòng)作的構(gòu)件的裝置來實(shí)現(xiàn)。

要理解的是，在說明書或權(quán)利要求中公開的多個(gè)動(dòng)作、過程、操作、步驟或功能的公開可以不被解釋為在特定順序內(nèi)，除非例如出于技術(shù)原因而明確地或暗示地另有陳述。因此，多個(gè)動(dòng)作或功能的公開將不會(huì)限制這些為特定順序，除非這樣的動(dòng)作或功能出于技術(shù)原因而不可互換。此外，在一些示例中，單個(gè)動(dòng)作、功能、過程、操作或步驟可以分別包括或可以被分成多個(gè)子動(dòng)作、子功能、子過程、子操作或子步驟。這樣的子動(dòng)作可以被包括并且是該單個(gè)動(dòng)作的公開的一部分，除非被明確地排除。

此外，所附權(quán)利要求書由此被并入到詳細(xì)描述中，其中每個(gè)權(quán)利要求可以獨(dú)立作為分離的示例。雖然每個(gè)權(quán)利要求可以獨(dú)立作為分離的示例，但是要注意的是，盡管從屬權(quán)利要求可以在權(quán)利要求中指代與一個(gè)或多個(gè)其他權(quán)利要求的特定組合，但是其他示例還可以包括從屬權(quán)利要求與每個(gè)其他從屬或獨(dú)立權(quán)利要求的主題內(nèi)容的組合。這樣的組合在本文中被明確地提出，除非聲明并不旨在特定組合。此外，旨在將權(quán)利要求的特征還包括到任何其他獨(dú)立權(quán)利要求，即使該權(quán)利要求不直接從屬于該獨(dú)立權(quán)利要求。