一種表面增強(qiáng)拉曼金屬納米圓盤陣列基底的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種表面增強(qiáng)拉曼檢測(cè)性能的金屬納米圓盤陣列基底的制備方法，表面增強(qiáng)拉曼檢測(cè)性能的金屬納米圓盤陣列基底制備方法步驟包括：在干凈的Si基底上旋涂一層光刻膠，烘烤；在同步輻射X射線環(huán)境下（上海光源BL08U1BXIL線站提供）使用X射線干涉曝光；用顯影液顯影得到光刻膠的孔狀陣列；用物理氣相沉積法沉積金屬薄膜；用丙酮去除剩余的光刻膠得到金屬納米圓盤陣列。本發(fā)明能夠制備出規(guī)整的，具有均勻直徑的高重復(fù)性和敏感性拉曼檢測(cè)性能的金屬納米圓盤陣列，具有通過改變圓盤直徑，厚度及雙金屬的方式來提高表面增強(qiáng)拉曼（SERS）的增強(qiáng)性能的特點(diǎn)。
【專利說明】一種表面增強(qiáng)拉曼金屬納米圓盤陣列基底的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及用于表面增強(qiáng)拉曼的檢測(cè)襯底材料領(lǐng)域，具體涉及一種表面增強(qiáng)拉曼檢測(cè)性能的金屬納米圓盤陣列基底的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]表面增強(qiáng)拉曼(SERS)作為在極低濃度下檢測(cè)分析物信息的一種有效的分析方法，從20世紀(jì)70年代首次發(fā)現(xiàn)就已引起了人們的相當(dāng)大的關(guān)注。SERS是基于增強(qiáng)基底局域表面等離子共振的激發(fā)增強(qiáng)了待測(cè)分析物分子的拉曼信號(hào)，因此SERS對(duì)增強(qiáng)基底有很大的依賴性。能合成出具有高重復(fù)性，高利用率和較高的增強(qiáng)因子的有序大面積的SERS增強(qiáng)基底是人們一直追尋的目標(biāo)。很多致力于這方面工作的研究工作者也研究出了很多高性能的SERS基底的方法，例如自下而上和自上而下的SERS基底合成方法，其中有的檢測(cè)基底可以檢測(cè)到待測(cè)物質(zhì)的單分子的拉曼信號(hào)。在一般情況下，大多數(shù)涉及到納米粒子的合成及納米粒子在基片等的自組裝，可以產(chǎn)生具有較高的靈敏度SERS襯底，但可重復(fù)性和均勻性比較差。有些自上而下的技術(shù)也用于制備具有重現(xiàn)性好的SERS增強(qiáng)襯底，如電子束光刻，納米球光刻技術(shù)，納米壓印光刻技術(shù)，以及其他的合成方法。然而，同時(shí)具有高靈敏度，大面積的均勻性和高重現(xiàn)性的SERS襯底的制備仍然是一直制約著SERS的實(shí)際應(yīng)用的關(guān)鍵因素。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)存在的以上問題，提供一種具有高重復(fù)性和敏感性表面增強(qiáng)拉曼檢測(cè)性能的金屬納米圓盤陣列的制備方法，通過同步輻射X射線干涉光刻(XIL)和電子束氣相沉積制備出規(guī)整的，具有均勻直徑的金屬納米圓盤陣列，并通過改變圓盤直徑，厚度及雙金屬的的方式來提高SERS的增強(qiáng)性能。
[0004]技術(shù)方案:本發(fā)明公開了一種表面增強(qiáng)拉曼金屬納米圓盤列陣基底的制備方法，包括如下步驟:(I)基底為2英寸的Si基底，分別用去離子水，無水乙醇，丙酮對(duì)基底進(jìn)行超聲處理，用氮?dú)鈽寣⑵浯蹈?。使用勻膠機(jī)在Si基底上旋涂一層70nm的光刻膠聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，勻膠機(jī)的轉(zhuǎn)速為4000rpm，時(shí)間lmin。然后在烘烤機(jī)上用180°C烘烤90s得到表面有70nm PMMA的Si基片；(2)把涂完光刻膠的Si基片放在同步輻射X射線干涉曝光腔中進(jìn)行曝光(上海光源BL08U1B XIL線站進(jìn)行)。(3)把曝光完的表面有PMMA的Si基底進(jìn)行顯影，使用的顯影液為甲基異丁基酮/異丙醇(MIBK/IPA) =1:3的配合混合溶液，顯影時(shí)間為60s。再用超純水清洗Si，清洗3次，再用氮?dú)鈽尨蹈?。制得PMMA孔狀陣列；(4)用電子束物理氣相沉積的方法在制得的PMMA孔狀陣列上沉積金屬薄膜，電子束物理氣相沉積金屬薄膜過程中腔體壓力為5X 10_6Torr，功率為11%，沉積速率為0.05nm/s，沉積2(T2000s后得到表面有金屬薄膜的PMMA孔狀陣列；(5)把步驟4所得的PMMA孔狀陣列樣品放在丙酮中超聲處理2min。去除PMMA孔狀模板，最后在超純水里清洗處理，再在氮?dú)鈽屧诟稍?，制得金屬納米圓盤陣列。
[0005]有益效果:此發(fā)明得到的表面增強(qiáng)拉曼基底實(shí)用性強(qiáng)、面積大，從而大大方便日常SERS檢測(cè)技術(shù)。此發(fā)明還可以制備更高SERS靈敏性和重復(fù)性的雙層雙金屬納米圓盤陣列基底，在相同的實(shí)驗(yàn)條件下，雙層雙金屬納米圓盤陣列基底比單一金屬納米盤陣列具有更高的靈敏度，重現(xiàn)性和很好的優(yōu)勢(shì)，很好的實(shí)現(xiàn)了 SERS檢測(cè)的實(shí)際應(yīng)用。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]圖1為【具體實(shí)施方式】的制備具有高重復(fù)性和敏感性表面增強(qiáng)拉曼檢測(cè)性能的金納米圓盤陣列的步驟示意圖。
[0007]圖2為實(shí)施例1中旋涂在Si基底上的PMMA在軟X射線環(huán)境下曝光，顯影后制得的160nm直徑的孔狀陣列的掃描電子顯微鏡(SEM)的形貌圖。
[0008]圖3為實(shí)施例1中制得的PMMA孔狀陣列上沉積IOnmAu薄膜的掃描電子顯微鏡(SEM)的形貌圖。
[0009]圖4為實(shí)施例1中制得的160nm直徑，IOnm厚度的Au納米圓盤陣列的掃描電子顯微鏡(SEM)的形貌圖。
[0010]圖5為實(shí)施例1中制得的160nm直徑，IOnm厚度的Au納米圓盤陣列的原子力顯微鏡(AFM)的2D形貌圖。
[0011]圖6為實(shí)施例1中制得的160nm直徑，IOnm厚度的Au納米圓盤陣列作為表面增強(qiáng)拉曼基底對(duì)不同濃度(ΙΟΙ，ΙΟΙ，I(T7M)的R6G的拉曼光譜圖。。
[0012]圖7為實(shí)施例1中在制得的160nm直徑，IOnm厚度的Au納米圓盤陣列表面增強(qiáng)拉曼基底上收集到的其對(duì)10_7M羅丹明6G的32個(gè)任意區(qū)域的拉曼光譜中三個(gè)主要峰位的強(qiáng)度分布圖。
[0013]圖8為從十二個(gè)本發(fā)明實(shí)施例1制得的IOnmAu納米圓盤陣列表面增強(qiáng)拉曼基底上收集到的其對(duì)10_6M羅丹明6G的拉曼光譜的三個(gè)主要峰位的強(qiáng)度分布圖。
[0014]圖9為實(shí)例I中制得的160nm直徑，IOnm厚度的Au納米圓盤陣列表面增強(qiáng)拉曼基底循環(huán)使用十次，每次在其收集到的對(duì)IO-6M羅丹明6G的拉曼光譜所在的1510CHT1峰位的強(qiáng)度分布圖。
[0015]圖10為實(shí)施例2中制得的不同厚度的(5nm, IOnm, 15nm) Au納米圓盤陣列作為表面增強(qiáng)拉曼基底對(duì)10_6M羅丹明6G的拉曼光譜比較圖。
[0016]圖11為實(shí)施例3中制得的不同直徑的(140nm, 160nm, 180nm) Au納米圓盤陣列的掃描電子顯微鏡(SEM)的形貌比較圖。
[0017]圖12為實(shí)施例3中制得的不同直徑的(140nm, 160nm, 180nm) Au納米圓盤陣列作為表面增強(qiáng)拉曼基底對(duì)10_6M羅丹明6G的拉曼光譜比較圖。
[0018]圖13為實(shí)施例4中制得的160nm直徑，IOnm厚度的Au/Ag (7nm Ag下層，3nm Au上層)納米圓盤陣列與實(shí)施例1中制得的160nm直徑,IOnm厚度的Au納米圓盤陣列作為表面增強(qiáng)拉曼基底對(duì)10_7M羅丹明6G的拉曼光譜比較圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]實(shí)施例1
表面增強(qiáng)拉曼金屬納米圓盤陣列基底的制備方法，包括如下步驟:(I)基底為2英寸的Si基底，分別用去離子水，無水乙醇，丙酮對(duì)基底進(jìn)行超聲處理，用氮?dú)鈽寣⑵浯蹈?。使用勻膠機(jī)在Si基底上旋涂一層70nm的光刻膠聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，勻膠機(jī)的轉(zhuǎn)速為4000rpm,時(shí)間lmin。然后在烘烤機(jī)上用180°C烘烤90s得到表面有70nmPMMA的Si基片；(2)把涂完光刻膠的Si基片放在同步輻射X射線干涉曝光腔中進(jìn)行曝光，曝光光柵為四光柵曝光。在具體的曝光通量的情況下，使用曝光時(shí)間為13s ; (3)把曝光完的表面有PMMA的Si基底進(jìn)行顯影，使用的顯影液為甲基異丁基酮/異丙醇(MIBK/IPA) =1:3的配合混合溶液，顯影時(shí)間為60s。再用超純水清洗Si，清洗3次，再用氮?dú)鈽尨蹈?。制得如圖2所示的直徑為160nm，周期為200X200nm的PMMA孔狀陣列；(4)用電子束物理氣相沉積的方法在制得的PMMA孔狀陣列上沉積IOnmAu薄膜，電子束物理氣相沉積Au薄膜過程中腔體壓力為5X10_6Torr，功率為11%，沉積速率為0.05nm/s，沉積200s得到如圖3所示的直徑為160nm，周期為200X 200nm，表面有IOnmAu薄膜的PMMA孔狀陣列；(5)把步驟4所得的表面有IOnmAu薄膜的PMMA孔狀陣列樣品放在丙酮中超聲處理2min。去除PMMA孔狀模板，最后在超純水里清洗處理，再用氮?dú)鈽屜赂稍?，制得如圖4所示的直徑為160nm，周期為200X200nm，厚度為IOnm的Au納米圓盤陣列。
[0020]實(shí)施例1制備的大面積PMMA孔狀陣列，表面沉積IOnmAu薄膜的PMMA孔狀陣列，直徑為160nm，周期為200 X 200nm，厚度為IOnmAu納米圓盤陣列形貌見圖2、3、4、5，由圖中可以看到，制備的周期為200 X 200nm,厚度為IOnmAu納米圓盤陣列的直徑非常均勻，在160nm左右。使用此法制備的Au納米圓盤陣列作為表面拉曼增強(qiáng)基底對(duì)不同濃度的R6G甲醇溶液的檢測(cè)見圖6，由圖中可以看到，制備出的Au納米圓盤陣列作為表面拉曼增強(qiáng)基底對(duì)不同濃度(10_5，10_6，I(T7M)的R6G溶液都有很強(qiáng)的拉曼信號(hào)，甚至對(duì)低濃度(I(T7M)下的R6G溶液，其拉曼光譜在特征峰位1180，1313，1363，1510，1575和1650CHT1的強(qiáng)度也是清晰可見的。檢測(cè)限(LOD)大約為10_8M。此方法制備出的SERS增強(qiáng)基底對(duì)10-7Μ濃度R6G在32個(gè)任意的不同區(qū)域點(diǎn)的拉曼信號(hào)信息如圖7，由圖中可知，制備出的Au納米圓盤陣列作為表面拉曼增強(qiáng)基底本身具有很好的SERS重復(fù)性，R6G在基底上的拉曼信號(hào)中的主要的三個(gè)峰位的強(qiáng)度的標(biāo)準(zhǔn)偏差都小于20%，說明其有很高的重復(fù)性。此方法制備出的十二個(gè)SERS增強(qiáng)基底對(duì)10_6M濃度R6G拉曼信號(hào)信息如圖8，由圖中可知，制備出的十二個(gè)Au納米圓盤陣列SERS基底都有很好的SERS性能，R6G在十二個(gè)基底上的拉曼信號(hào)中的主要的三個(gè)峰位的強(qiáng)度的標(biāo)準(zhǔn)偏差都小于20%,說明此方法制備SERS基底其有很高的重復(fù)性。此方法制備出的SERS增強(qiáng)基底重復(fù)使用十次，每次對(duì)10_6M濃度R6G的的拉曼信號(hào)中的主要峰位1510CHT1的強(qiáng)度信息如圖9，由圖中可知，制備出的Au納米圓盤陣列作為表面拉曼增強(qiáng)基底具有很好的SERS重復(fù)性。
[0021]實(shí)施例2
表面增強(qiáng)拉曼金屬納米圓盤陣列基底的制備方法，包括如下步驟:(I)基底為2英寸的Si基底，分別用去離子水，無水乙醇，丙酮對(duì)基底進(jìn)行超聲處理，用氮?dú)鈽寣⑵浯蹈伞Ｊ褂脛蚰z機(jī)在Si基底上旋涂一層70nm的光刻膠聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，勻膠機(jī)的轉(zhuǎn)速為4000rpm,時(shí)間lmin。然后在烘烤機(jī)上用180°C烘烤90s得到表面有70nmPMMA的Si基片；(2)把涂完光刻膠的Si基片放在同步輻射X射線干涉曝光腔中進(jìn)行曝光，曝光光柵為四光柵曝光。在具體的曝光通量的情況下，使用曝光時(shí)間為13s ; (3)把曝光完的表面有PMMA的Si基底進(jìn)行顯影，使用的顯影液為甲基異丁基酮/異丙醇(MIBK/IPA) =1:3的配合混合溶液，顯影時(shí)間為60s。再用超純水清洗Si，清洗3次，再用氮?dú)鈽尨蹈伞Ｖ频萌鐖D2直徑為160nm，周期為200X200nm的PMMA孔狀陣列；(4)用電子束物理氣相沉積的方法在制得的PMMA孔狀陣列上分別沉積5nm, IOnm, 15nmAu薄膜，電子束物理氣相沉積Au薄膜過程中腔體壓力為5X l(T6Torr，功率為11%，沉積速率為0.05nm/s，分別沉積100s, 200s, 300s得到直徑為160nm，周期為200 X 200nm，表面有厚度分別為5nm，10nm，15nmAu薄膜的PMMA孔狀陣列；(5)把步驟4所得的表面有厚度分別為5nm，10nm，15nmAu薄膜的PMMA孔狀陣列樣品放在丙酮中超聲處理2min。去除PMMA孔狀模板，最后在超純水里清洗處理，再在氮?dú)鈽屜赂稍铮频萌鐖D4所示的直徑為160nm，周期為200 X 200nm，厚度分別為5nm，IOnm, 15nmAu納米圓盤陣列。
[0022]實(shí)施例2制備的大面積厚度分別為:5nm，IOnm, 15nmAu納米圓盤陣列作為SERS基底對(duì)10_6M的R6G溶液拉曼信號(hào)中的主要的三個(gè)峰位的強(qiáng)度圖如圖10，從圖中可以看出不同厚度的Au納米圓盤陣列作為SERS基底對(duì)R6G溶液的拉曼信號(hào)強(qiáng)度是不同的，但是都會(huì)有比較敏感的拉曼信號(hào)，而且IOnm, 15nmAu納米圓盤陣列的SERS增強(qiáng)信號(hào)會(huì)比5nm厚度的Au納米圓盤陣列的SERS增強(qiáng)信號(hào)要強(qiáng)。
[0023]實(shí)施例3
表面增強(qiáng)拉曼金屬納米圓盤陣列基底的制備方法，包括如下步驟:(I)基底為2英寸的Si基底，分別用去離子水，無水乙醇，丙酮對(duì)基底進(jìn)行超聲處理，用氮?dú)鈽寣⑵浯蹈?。使用勻膠機(jī)在Si基底上旋涂一層70nm的光刻膠聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，勻膠機(jī)的轉(zhuǎn)速為4000rpm,時(shí)間lmin。然后在烘烤機(jī)上用180°C烘烤90s得到表面有70nmPMMA的Si基片；
(2)把涂完光刻膠的Si基片放在同步輻射X射線干涉曝光腔中進(jìn)行曝光，曝光光柵為四光柵曝光。在特定的曝光通量的情況下，使用曝光時(shí)間分別為lls，13s，15s ;(3)把曝光完的表面有PMMA的Si基底進(jìn)行顯影，使用的顯影液為甲基異丁基酮/異丙醇(MIBK/IPA)=1:3的配合混合溶液，顯影時(shí)間為60s。再用超純水清洗Si，清洗3次，再用氮?dú)鈽尨蹈伞Ｖ频萌鐖D11直徑分別為140nm，160nm, 180nm,周期為200X200nm的PMMA孔狀陣列；(4)用電子束物理氣相沉積的方法在制得的直徑分別為140nm，160nm, 180nm，周期為200X200nm的PMMA孔狀陣列上沉積IOnmAu薄膜，電子束物理氣相沉積Au薄膜過程中腔體壓力為5X 10-6Torr，功率為11%，沉積速率為0.05nm/s，沉積200s，得到直徑分別為140nm，160nm,180nm，周期為200X 200nm，厚度為IOnm的Au薄膜的PMMA孔狀陣列；(5)把步驟4所得的直徑分別為140nm，160nm, 180nm，周期為200 X 200nm，厚度為IOnm的Au薄膜的PMMA孔狀陣列樣品放在丙酮中超聲處理2min。去除PMMA孔狀模板，最后在超純水里清洗處理，再在氮?dú)鈽屧诟稍?，制得如圖4所示的直徑得到分別為140nm，160nm, 180nm，周期為200X200nm，厚度為IOnm的Au納米圓盤陣列。
[0024]實(shí)施例3制備的大面積的直徑分別為140nm, 160nm, 180nm,周期為200X200nm,厚度為IOnm的Au納米圓盤陣列的表面形貌如圖11 (a),(b),(c)。如圖所示,可以通過改變同步輻射X射線干涉的曝光時(shí)間改變納米圓盤的直徑，而且所制得的納米圓盤的直徑都有很高的均勻性。制備的大面積的不同直徑的Au納米圓盤陣列作為SERS基底對(duì)10_6M的R6G溶液拉曼信號(hào)強(qiáng)度圖如圖12，從圖中可以看出不同直徑的Au納米圓盤陣列作為SERS基底對(duì)R6G溶液的拉曼信號(hào)強(qiáng)度是不同的，而且直徑為ieOnmAu納米圓盤陣列的SERS增強(qiáng)信號(hào)最強(qiáng)。
[0025]實(shí)施例4 表面增強(qiáng)拉曼金屬納米圓盤陣列基底的制備方法，包括如下步驟:(1)基底為2英寸的Si基底，分別用去離子水，無水乙醇，丙酮對(duì)基底進(jìn)行超聲處理，用氮?dú)鈽寣⑵浯蹈?。使用勻膠機(jī)在Si基底上旋涂一層70nm的光刻膠聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，勻膠機(jī)的轉(zhuǎn)速為4000rpm,時(shí)間lmin。然后在烘烤機(jī)上用180°C烘烤90s得到表面有70nmPMMA的Si基片；
(2)把涂完光刻膠的Si基片放在軟X射線干涉曝光腔中進(jìn)行曝光，曝光光柵為四光柵曝光。在特定的曝光通量的情況下，使用曝光時(shí)間為13s ；(3)把曝光完的表面有PMMA的Si基底進(jìn)行顯影，使用的顯影液為甲基異丁基酮/異丙醇(MIBK/IPA) =1:3的配合混合溶液，顯影時(shí)間為60s。再用超純水清洗Si，清洗3次，再用氮?dú)鈽尨蹈?。制得如圖11直徑為160nm，周期為200X200nm的PMMA孔狀陣列；(4)用電子束物理氣相沉積的方法在制得的PMMA孔狀陣列上分別依次沉積7nmAg薄膜，3nmAu薄膜，電子束物理氣相沉積Au薄膜過程中腔體壓力為5X KT6Torr，功率為11%，沉積速率為0.05nm/s，沉積60s。沉積沉積Ag薄膜過程中腔體壓力為5X 10-6Torr，功率為6%，沉積速率為0.05nm/s，沉積140s，得到表面有直徑為160nm，周期為200X200nm，厚度為IOnm的Au/Ag薄膜的PMMA孔狀陣列；(5)把步驟4所得的直徑為160nm，周期為200 X 200nm,厚度為IOnm的Au/Ag薄膜的PMMA孔狀陣列樣品放在丙酮中超聲處理2min。去除PMMA孔狀模板，最后在超純水里清洗處理，再在氮?dú)鈽屧诟稍?，制得如圖4所示的直徑得到直徑為160nm，周期為200 X 200nm，厚度為IOnm的Au/Ag納米圓盤陣列。
[0026]實(shí)施例4制備的大面積的直徑為160nm，周期為200X200nm，厚度為IOnm的Au/Ag雙層金屬納米圓盤陣列和實(shí)例I中的Au納米圓盤陣列同時(shí)作為SERS基底對(duì)10_6M的R6G溶液拉曼信號(hào)強(qiáng)度的比較圖如圖13，從圖中可以看出Au/Ag雙層金屬納米圓盤陣列作為SERS基底對(duì)R6G溶液的拉曼信號(hào)強(qiáng)度比Au納米圓盤陣列的拉曼信號(hào)強(qiáng)很多，因此我們可以通過這種復(fù)合金屬的方式來提高SERS的性能。
【權(quán)利要求】
1.表面增強(qiáng)拉曼金屬納米圓盤陣列基底的制備方法，其特征在于包括如下步驟:(1)在干凈的Si基底上旋涂一層光刻膠，使用烘烤機(jī)烘烤；(2)在同步輻射X射線環(huán)境下使用X射線干涉曝光；(3)用顯影液顯影得到光刻膠的孔狀陣列；(4)用物理氣相沉積法沉積金屬薄膜；(5)用丙酮去除剩余的PMMA得到金屬納米圓盤陣列。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于步驟(1)中所述的光刻膠可以為PMMA等正膠。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于步驟(1)中所述的光刻膠的厚度為50~500nm 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于步驟(2)中所述的曝光光柵為四光柵曝光或者三光柵曝光。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于步驟(3)中所述的顯影液為甲基異丁基酮/異丙醇(MIBK/IPA) =1:3的配合混合溶液等正膠的顯影液，顯影時(shí)間為4(T100s。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于步驟(4)中所述的物理氣相沉積法，可以為電子束氣相沉積，磁控濺射物理沉積等沉積方法中的一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于步驟(4)、(5)中所述的金屬為金，銀，銅，鉬等中的一種或任意兩種的雙層雙金屬。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于所制得的金屬納米圓盤列陣的直徑為100~190nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于所制得的金屬納米圓盤列陣的周期為200X200nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于所制得的金屬納米圓盤列陣的厚度為I~lOOnm。
【文檔編號(hào)】B81C1/00GK104020151SQ201410154551
【公開日】2014年9月3日 申請(qǐng)日期:2014年7月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月10日
【發(fā)明者】孫旭輝, 張平平 申請(qǐng)人:蘇州大學(xué)