混合射頻組件的制作方法
【專利摘要】方法和系統(tǒng)可以提供包括靜電致動和壓電致動的混合RFMEMS組件設(shè)計。在一個示例中，所述方法可以包括施加第一電壓以生成第一壓電力來減小懸臂與致動電極之間的第一間隙，以及施加第二電壓以生成靜電力來在懸臂與傳輸電極之間產(chǎn)生接觸。
【專利說明】混合射頻組件
【背景技術(shù)】
[0001]射頻(RF)微機電(MEMS)組件因顯示出高信號隔離、低插入損耗和低功耗而可能有利于在消費品電子設(shè)備中使用。
[0002]在一些情況下，RFMEMS組件可以將靜電力用于致動。然而，靜電力的使用可能需要較高的致動電壓(例如40-150伏特)，致使RF MEMS組件不可與其它設(shè)備組件一起操作。
[0003]替換地，RF MEMS組件可以將壓電致動機制用于致動。然而，盡管壓電致動機制可能需要較低的致動電壓(〈10伏特)，但是其也可能致使RF MEMS組件與互補金屬氧化物半導體(CMOS)集成電路(IC)不兼容，并且可能引起較高的插入損耗。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0004]通過閱讀以下說明書和隨附的權(quán)利要求，并且通過參照以下附圖，本發(fā)明的實施例的各種優(yōu)點將變得對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見，在附圖中:
圖1是根據(jù)實施例的RFMEMS組件的示例的框圖；
圖2是圖示了當涉及壓電力和靜電力時力與偏轉(zhuǎn)/位移之間的關(guān)系示例的圖；
圖3是包括根據(jù)實施例的RF MEMS組件的電子設(shè)備的一部分的示例的框圖； 圖4A-4C是根據(jù)實施例的RF MEMS組件的示例的框圖；以及 圖5是根據(jù)實施例的RF MEMS組件的制備過程的示例的流程圖和圖示。
【具體實施方式】
[0005]實施例可以提供包括靜電致動組件和壓電致動組件的混合RF MEMS組件。混合RFMEMS組件可以被配置成最小化插入損耗并且以較低致動電壓進行操作。取決于環(huán)境，混合RF MEMS組件可以被并入到各種電子設(shè)備中(例如，筆記本、平板設(shè)備或移動電話)，并且可以被配置成促進各種通信協(xié)議(例如，3G、GSM、W1-F1、4G、LTE等)。
[0006]現(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖1，示出了 RF MEMS組件100的示例的框圖。在該示例中，RF MEMS組件100可以是并入到移動電話中的RF開關(guān)。RFMEMS組件100可以包括懸臂101和致動電極102。如將更加詳細地論述的，懸臂101和致動電極102可以被配置成將RF信號從RFin電極層108傳播到RFrat電極層109。懸臂101可以包括頂金屬層103、壓電層104、底金屬層105以及突起部106。
[0007]頂金屬層103可以是被配置成傳播RF信號的金屬層。壓電層104可以是由壓電材料構(gòu)成的層，并且可以附于頂金屬層103并且位于其下方。特別注意，壓電層104可以由氮化鋁(AIN)構(gòu)成。AIN可能是目前與CMOS工藝兼容的僅有壓電材料。
[0008]底金屬層105可以是附于壓電層104并且位于其下方的金屬層。在該示例中，底金屬層105則可以相對薄于頂金屬層103。特別地,可以將頂金屬層103沉積到1.0-10.0微米厚，而可以將底金屬層105沉積到0.1-0.5微米厚。
[0009]突起部106可以是從懸臂101向RFtjut電極層109延伸的結(jié)構(gòu)。因此，在該示例中，如果RF MEMS組件100可以在斷開狀態(tài)(即，沒有致動電壓可以被施加)，間隙107可以將突起部106和RFrat電極層110分離。間隙107可以被用于防止RF信號從懸臂101傳輸?shù)絉Fout電極層109。
[0010]現(xiàn)在，如果可以在VpieztjIlO與dc GND 111之間施加第一電壓以將RF MEMS組件100發(fā)起至導通狀態(tài)，壓電致動機制(利用壓電層104)可以被激活以實現(xiàn)壓電力。如將更加詳細地論述的，該壓電力可以通過延伸突起部106以減小間隙107來減小懸臂101與致動電極102之間的距離。通過減小懸臂101與致動電極102之間的距離，相對較低的靜電致動電壓Vstati?？梢员挥糜陂]合間隙107，并且RF MEMS組件100的插入損耗可以被最小化。
[0011]另外，如果還可以在Vstatie 112與dc GND 111之間施加第二電壓，靜電致動機制(利用懸臂101)可以被激活以實現(xiàn)靜電力。如將更加詳細地論述的，該靜電力可以使懸臂101朝向致動電極102向下彎曲。當朝向致動電極102彎曲懸臂101時，相對較低的Vstatie的施加可以生成高接觸力，并且可以最小化RF MEMS組件100的接觸電阻和插入損耗。此外，在一些情況下，當施加壓電力和靜電力時(即，RF MEMS組件100可以在導通狀態(tài))，突起部106可以與RFt5ut電極層109接觸以允許RF信號傳播。
[0012]現(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖2，圖示了示出當涉及壓電力和靜電力時力與位移/偏轉(zhuǎn)之間的關(guān)系的圖。通過壓電力的位移/偏轉(zhuǎn)可以與所施加的電壓線性成比例。這樣，大位移/偏轉(zhuǎn)所需的電壓對于壓電致動而言比對于靜電致動而言可以更低。
[0013]例如，取RF MEMS組件100 (圖1)包括間隙107 (圖1)的情況。那么，如果間隙107可以相對大，靜電力可能是低效的，因為可能需要高Vstati。來閉合間隙107。在這樣的情況下，壓電力可以被用于高效地(即，具有較低的電壓需求)減小間隙107，并且當利用相對較低的Vstati。時最小化RF MEMS組件100的插入損耗。
[0014]另一方面，靜電力可以與間隙(例如底金屬層與致動電極之間的間隙)的長度的平方成反比。這樣，在較小間隙的情況下靜電力可以大于壓電力。
[0015]因此，再則，在RF MEMS組件100的示例中，靜電力可以被用于產(chǎn)生足以引起突起部106與RFout 109之間的接觸的力。結(jié)果，可以最小化RF MEMS組件的接觸電阻和插入損耗。
[0016]現(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖3，示出RF MEMS設(shè)備300的一部分的框圖。在該示例中，RF MEMS設(shè)備300可以包括RFin電極層301、MEMS懸臂302、RFtjut電極層303、第一(頂)接地層RF GND 304以及第二(底)接地層RFGND 305。在該示例中，MEMS懸臂302可以類似于懸臂101 (圖1)，并且可以被用于將RF信號從RFin電極層301傳播到RFwt電極層303。
[0017]現(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖4A-4C，示出類似于RF MEMS組件100 (圖1)的RF MEMS組件400的示例的框圖。在該示例中，RF MEMS組件400可以是并入到筆記本計算機中的RF開關(guān)。
[0018] RF MEMS組件400可以包括頂電極層401、壓電層402、底電極層403以及突起部404。此外，RF MEMS組件400可以包括靜電致動電極405、RFin電極層406和RFtjut電極層407。
[0019]頂電極層401可以是第一金屬層，類似于頂金屬層103 (圖1)，并且底電極層403可以是第二金屬層，類似于底金屬層105 (圖1)。在該示例中，底電極層可以是厚的，并且頂電極層401可以相對薄于底電極層403。壓電層402，類似于壓電層104 (圖1)，可以由AIN構(gòu)成，所述AIN特別適于CMOS工藝。
[0020]特別地，圖4A圖示了在斷開狀態(tài)(即，沒有致動電壓可以被施加)的RF MEMS組件400的框圖。當RF MEMS組件400可以在斷開狀態(tài)時，突起部404可以朝向RFtjut電極層407延伸，但是不與之接觸，如間隙408所證明的那樣。這樣，可以防止RF信號到RFrat電極層407的傳輸。此外，當RF MEMS組件400可以在斷開狀態(tài)時，底電極層403可以不與靜電致動電極405接觸。
[0021]圖4B圖示了當可以激活第一致動機制時的RF MEMS組件400的框圖。在該示例中，第一致動機制可以是壓電致動機制。
[0022]因此，在該示例中，可以在頂電極層401與壓電層402之間施加第一極性的第一電壓％。該施加可以生成電場，并且可以使壓電層402橫向延長，而同時維持頂電極層401和底電極層403的長度。壓電層402相對于頂電極層401和底電極層403的這種變形可以產(chǎn)生彎曲力矩。
[0023]該彎曲力矩可以使諸如頂電極層401、壓電層402和底電極層403之類的RF MEMS組件400的部分更加接近地朝向靜電致動電極405彎曲。例如，彎曲力矩可以使突起部404朝向RFrat電極層407向下彎曲距離δ，從而減小了間隙408和底電極層403與靜電致動電極405之間的間隙。
[0024]現(xiàn)在，在一些情況下，可以在RF MEMS組件400的組件之間發(fā)展靜摩擦力。例如，可以在突起部404與RFtjut電極層407之間發(fā)展靜摩擦。在這樣的情況下，可以施加與V1相反極性的電壓以生成電場，使壓電層402收縮，而同時維持頂電極層401和底電極層403的長度。這可以產(chǎn)生反向彎曲力矩，并且可以使突起部404向上彎曲并遠離RFwt電極層407，并且增加間隙408。
[0025]圖4C圖示了當可以激活第二致動機制時的RF MEMS組件400。在該示例中，第二致動機制可以是靜電致動機制。特別地，在該示例中，可以在底電極層403與靜電致動電極405之間施加第二電壓V2。
[0026]因此，壓電致動電壓V1的實現(xiàn)可以減小諸如懸臂101 (圖1)之類的懸臂與諸如靜電致動電極405 (圖4)之類的靜電致動電極之間的距離。這種距離的減小可以允許將較低的靜電致動電壓V2用于生成與傳輸線的高接觸力，并且最小化RF MEMS組件400的接觸電阻和插入損耗。
[0027]現(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖5，示出根據(jù)實施例，諸如RF MEMS組件400 (圖4 )之類的RF MEMS組件的制備過程的示例的流程圖和圖示。
[0028]該方法可能被實現(xiàn)為存儲在諸如，例如，隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、可編程ROM (PR0M)、固件、閃速存儲器等之類的機器或計算機可讀存儲介質(zhì)中，在諸如，例如，可編程邏輯陣列(PLA)、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)、復雜可編程邏輯設(shè)備(CPLD)之類的可配置邏輯中，在使用諸如專用集成電路(ASIC)、互補金屬氧化物半導體(CMOS)或晶體管-晶體管邏輯(TTL)技術(shù)之類的電路技術(shù)的固定功能性邏輯硬件中，在半導體制備裝備中，或其任何組合中的邏輯指令集。例如，實施該方法中所示的操作的計算機程序代碼可以以一個或多個編程語言的任何組合進行編寫，包括諸如，例如，Java、Smalltalk、C++等等之類的面向?qū)ο蟮木幊陶Z言和諸如“C”編程語言或類似的編程語言之類的常規(guī)過程編程
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[0029]在處理塊5000處，可以在襯底504 (例如硅襯底)之上沉積和圖案化類似于致動電極405 (圖4)的致動電極501、類似于RFin電極層406 (圖4)的RFin電極層502和類似于RFout電極層407 (圖4)的RFout電極層503。對致動電極501、RFin電極層502和RFout電極層503的圖案化的一種方法圖示在圖5的階段5a中。
[0030]在處理塊5010處，可以在致動電極501和RFwt層503之上沉積和圖案化犧牲層505。此外，犧牲層505可以在特定位置處被深蝕刻以容納突起部。對犧牲層505的沉積、圖案化和深蝕刻的一種方法圖示在圖5的階段5b中。
[0031]在處理塊5020處，可以在犧牲層505之上沉積和圖案化類似于底電極層403 (圖4)的底電極層506、類似于突起部404 (圖4)的突起部507和RF信號載體層508。對底電極層506、突起部507和RF信號載體508的沉積和圖案化的一種方法圖示在圖5的階段5c中。
[0032]在處理塊5030處，可以在底電極層506之上沉積和圖案化類似于壓電層402 (圖4)的壓電層509。在該示例中，壓電層509可以由AIN構(gòu)成。對壓電層509的沉積和圖案化的一種方法圖示在圖5的階段5d中。
[0033]在處理塊5040處,可以在壓電層509之上沉積和圖案化類似于頂電極層401 (圖4)的頂電極層510。在該不例中，頂電極層510可以相對薄于底電極層506。對頂電極層510的沉積和圖案化的一種方法圖不在圖5的階段5e中。
[0034]在處理塊5050處，可以除去犧牲層505以在突起部507與RFtjut層503之間產(chǎn)生類似于間隙408 (圖4)的間隙511。除去犧牲層505的一種方法圖示在圖5的階段5f中。
[0035]實施例可以因此提供包括處理組件、耦合到處理組件的存儲器組件以及耦合到處理組件的傳播射頻(RF)信號的無線無線電組件的系統(tǒng)。無線無線電組件可以包括RF開關(guān)，并且RF開關(guān)可以包括致動電極和懸臂。懸臂可以包括頂電極層以及位于頂電極層下方并附于頂電極層的壓電層，其中壓電層包括氮化鋁(AIN)。懸臂還可以包括位于壓電層下方并附于壓電層的底電極層，其中突起部從底電極層延伸以在突起部與傳輸電極之間產(chǎn)生間隙。
[0036]另一個實施例可以提供一種方法，包括施加第一電壓以生成第一壓電力來減小懸臂與致動電極之間的第一間隙，以及施加第二電壓以生成靜電力來閉合懸臂與傳輸電極之間的第二間隙。
[0037]又一個實施例可以提供一種包括致動電極和懸臂的裝置。懸臂可以包括頂電極層、位于頂電極層下方并附于頂電極層的壓電層和位于壓電層下方并附于壓電層的底電極層，其中突起部從底電極層延伸以在突起部與傳輸電極之間產(chǎn)生間隙。
[0038]再一個實施例可以提供一種方法，包括:圖案化底電極層，其中底電極層包括突起部；在底層之上圖案化壓電層；以及在壓電層之上圖案化頂電極層。
[0039]可以使用硬件元件、軟件元件或二者的組合來實現(xiàn)各種實施例。硬件元件的示例可以包括處理器、微處理器、電路、電路元件(例如晶體管、電阻器、電容器、電感器等等)、集成電路、專用集成電路(ASIC)、可編程邏輯設(shè)備(PLD)、數(shù)字信號處理器(DSP)、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)、邏輯門、寄存器、半導體設(shè)備、芯片、微芯片、芯片集等等。軟件的示例可以包括軟件組件、程序、應(yīng)用、計算機程序、應(yīng)用程序、系統(tǒng)程序、機器程序、操作系統(tǒng)軟件、中間件、固件、軟件模塊、例程、子例程、函數(shù)、方法、過程、軟件接口、應(yīng)用程序接口(API)、指令集、計算代碼、計算機代碼、代碼段、計算機代碼段、詞語、值、符號或其任何組合。確定實施例是否使用硬件元件和/或軟件元件實現(xiàn)可以依照任何數(shù)量的因素而變化，諸如期望的計算速率、功率水平、耐熱性、處理循環(huán)預算、輸入數(shù)據(jù)率、輸出數(shù)據(jù)率、存儲器資源、數(shù)據(jù)總線速度和其它設(shè)計或性能約束。
[0040]至少一個實施例的一個或多個方面可以通過存儲在機器可讀介質(zhì)上的代表性指令選擇實現(xiàn)，其表示處理器內(nèi)的各種邏輯，當被機器讀取時導致機器制備邏輯以執(zhí)行本文所描述的技術(shù)。這樣的表示，稱作“IP核”可以存儲在有形、機器可讀介質(zhì)上并且供應(yīng)給各種客戶或制造機構(gòu)以加載到實際上制作邏輯或處理器的制備機器中。
[0041]本發(fā)明的實施例適用于與所有類型的半導體集成電路(“1C”)芯片一起使用。這些IC芯片的示例包括但不限于處理器、控制器、芯片集組件、可編程邏輯陣列(PLA)、存儲器芯片、網(wǎng)絡(luò)芯片等。此外，在一些附圖中，用線來表示信號導線。一些可能是不同的以指示更多組成信號路徑，具有數(shù)字標記以指示多個組成信號路徑，和/或具有在一個或多個端處的箭頭以指示主要信息流動方向。然而，這不應(yīng)當以限制性的方式來解釋。而是，這樣添加的細節(jié)可以與一個或多個示例性實施例結(jié)合使用以促進電路的較容易的理解。任何表示的信號線，無論是否具有附加信息，都可以實際上包括可以在多個方向上行進的一個或多個信號并且可以以任何適合 類型的信令方案來實現(xiàn)，例如，以差分對實現(xiàn)的數(shù)字或模擬線、光纖線和/或單端線。
[0042]可能已經(jīng)給出示例尺寸/模型/數(shù)值/范圍，不過本發(fā)明的實施例不限于此。隨著制造技術(shù)(例如光刻)日趨成熟，預期可以制造更小尺寸的設(shè)備。此外，為了圖示和論述的簡化，并且以便不掩蓋本發(fā)明的實施例的某些方面，可以或者可以不在附圖內(nèi)示出到IC芯片和其它組件的眾所周知的電力/接地連接。另外，可以以框圖的形式示出布置，以便避免使本發(fā)明的實施例晦澀難懂，并且還鑒于關(guān)于這樣的框圖布置的實現(xiàn)的詳情高度依賴于實施例在其內(nèi)實現(xiàn)的平臺這一事實，即這樣的詳情應(yīng)當良好地在本領(lǐng)域技術(shù)人員的眼界范圍內(nèi)。在陳述特定細節(jié)(例如電路)以便描述本發(fā)明的示例實施例的情況下，對本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當顯而易見的是本發(fā)明的實施例可以在沒有這些特定細節(jié)或具有這些特定細節(jié)的變型的情況下實施。描述因此被視為是說明性而非限制性的。
[0043]一些實施例可以例如通過使用機器或有形計算機可讀介質(zhì)或制品來實現(xiàn)，所述機器或有形計算機可讀介質(zhì)或制品可以存儲指令或指令集，其如果由機器運行，可以使機器執(zhí)行依據(jù)實施例的方法和/或操作。這樣的機器可以包括，例如，任何適合的處理平臺、計算平臺、計算設(shè)備、處理設(shè)備、計算系統(tǒng)、處理系統(tǒng)、計算機、處理器等等，并且可以使用硬件和/或軟件的任何適合的組合實現(xiàn)。機器可讀介質(zhì)或制品可以包括，例如，任何適合類型的存儲器單元、存儲器設(shè)備、存儲器制品、存儲器介質(zhì)、存儲設(shè)備、存儲制品、存儲介質(zhì)和/或存儲單元(例如存儲器)、可移動或不可移動介質(zhì)、可擦除或不可擦除介質(zhì)、可寫或可重寫介質(zhì)、數(shù)字或模擬介質(zhì)、硬盤、軟盤、壓縮盤只讀存儲器(CD-ROM)、可記錄壓縮盤(CD-R)、可重寫壓縮盤(CD-RW)、光盤、磁介質(zhì)、磁光介質(zhì)、可移動存儲器卡或盤、各種類型的數(shù)字多功能盤(DVD)、磁帶、盒式磁帶等等。指令可以包括使用任何適合的高級、低級、面向?qū)ο?、形象化、編譯和/或翻譯編程語言實現(xiàn)的任何適合類型的代碼，諸如源代碼、編譯代碼、翻譯代碼、可執(zhí)行代碼、靜態(tài)代碼、動態(tài)代碼、加密代碼等。
[0044]除非另行特別聲明，否則可以領(lǐng)會，諸如“處理”、“計算”、“運算”、“確定”等等之類的術(shù)語是指計算機或計算系統(tǒng)或類似的電子計算設(shè)備的動作和/或過程，所述計算機或計算系統(tǒng)或類似的電子計算設(shè)備操控被表示為計算系統(tǒng)的寄存器和/或存儲器內(nèi)的(例如電子的)物理量的數(shù)據(jù)和/或?qū)⑵渥儞Q成被類似地表示為計算系統(tǒng)的存儲器、寄存器或其它這樣的信息存儲、傳輸或顯示設(shè)備內(nèi)的物理量的其它數(shù)據(jù)。實施例在該上下文中不受限。
[0045]術(shù)語“耦合”可以在本文中被用于指在所討論的組件之間的任何類型的關(guān)系，直接的或間接的，并且可以適用于電氣、機械、流體、光學、電磁、機電或其它連接。此外，術(shù)語“第一”、“第二”等可以在本文中被僅僅用于便于論述，并且不承載特定的時間或時序的意義，除非另行指示。
[0046]本領(lǐng)域技術(shù)人員將從以上描述中領(lǐng)會到，本發(fā)明的實施例的寬泛技術(shù)可以以各種形式實現(xiàn)。因 此，雖然已經(jīng)結(jié)合其特定示例描述了本發(fā)明的實施例，但是本發(fā)明的實施例的真實范圍不應(yīng)當受限于此，因為當研究附圖、說明書和隨附的權(quán)利要求時，其它修改對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將變得顯而易見。
【權(quán)利要求】
1.一種系統(tǒng)，包括: 處理組件； 耦合到處理組件的存儲器組件；以及 耦合到處理組件的傳播射頻(RF)信號的無線無線電組件，其中無線無線電組件包括RF開關(guān)，所述RF開關(guān)具有， 致動電極；以及 懸臂，包括， 頂電極層； 位于頂電極層下方并附于頂電極層的壓電層，其中壓電層包括氮化鋁(AIN);以及位于壓電層下方并附于壓電層的底電極層，其中突起部從底電極層延伸以在該突起部與傳輸電極之間產(chǎn)生間隙。
2.權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中在施加第一電壓時，懸臂經(jīng)由第一壓電力而變形以減小底電極層與致動電極之間的間隙。
3.權(quán)利要求2的系統(tǒng)，其中第一電壓的施加是在頂電極層與壓電層之間。
4.權(quán)利要求2的系統(tǒng)，其中當施加與第一電壓相反極性的電壓時，懸臂經(jīng)由第二壓電力而變形以將突起部縮回而遠離傳輸電極。
5.權(quán)利要求2的系統(tǒng)，其中當施加第二電壓時，懸臂經(jīng)由靜電力而變形以彎曲懸臂來閉合突起部與傳輸電極之間的間隙。
6.權(quán)利要求5的系統(tǒng)，其中第二電壓的施加是在致動電極與底電極層之間。
7.權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中底電極層厚于頂電極層。
8.權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中頂電極層厚于底電極層。
9.一種方法，包括: 施加第一電壓以生成第一壓電力來減小懸臂與致動電極之間的第一間隙；以及 施加第二電壓以生成靜電力來閉合懸臂與傳輸電極之間的第二間隙。
10.權(quán)利要求9的方法,還包括施加與第一電壓相反極性的電壓以施加第二靜電力來彎曲懸臂而遠離傳輸電極。
11.權(quán)利要求9的方法，其中第一間隙在懸臂的底電極層和致動電極之間。
12.權(quán)利要求9的方法，其中第一電壓施加在懸臂的頂電極層與壓電層之間。
13.權(quán)利要求12的方法，其中第一電壓的施加使壓電層變形以在懸臂中產(chǎn)生彎曲力矩。
14.權(quán)利要求9的方法，其中第二間隙在懸臂的突起部與傳輸電極之間。
15.權(quán)利要求9的方法，其中第二電壓被施加在致動電極與懸臂的底電極層之間。
16.一種裝置,包括: 致動電極；以及 懸臂，具有， 頂電極層； 位于頂電極層下方并附于頂電極層的壓電層；以及 位于壓電層下方并附于壓電層的底電極層，其中突起部從底電極層延伸以在突起部與傳輸電極之間產(chǎn)生間隙。
17.權(quán)利要求16的裝置，其中在施加第一電壓時，懸臂經(jīng)由第一壓電力而變形以減小底電極層與致動電極之間的間隙。
18.權(quán)利要求17的裝置，其中第一電壓的施加是在頂電極層與壓電層之間。
19.權(quán)利要求17的裝置，其中當施加與第一電壓相反極性的電壓時，懸臂經(jīng)由第二壓電力而變形以將突起部縮回而遠離傳輸電極。
20.權(quán)利要求17的裝置，其中當施加第二電壓時，懸臂經(jīng)由靜電力而變形以彎曲懸臂來閉合突起部與傳輸電極之間的間隙。
21.權(quán)利要求20的裝置，其中第二電壓的施加是在致動電極與底電極層之間。
22.權(quán)利要求16的裝置，其中底電極層厚于頂電極層。
23.權(quán)利要求16的裝置，其中頂電極層厚于底電極層。
24.一種方法，包括: 圖案化底電極層，其中底電極層包括突起部； 在底層之上圖案化壓電層；以及 在壓電層之上圖案化頂電極層。
25.權(quán)利要求24的方法，還包括在硅襯底之上圖案化致動電極和傳輸電極。
26.權(quán)利要求25的方法，還包括在致動電極和傳輸電極中的一個或多個之上圖案化犧牲層。
27.權(quán)利要求26的方法，還包括在犧牲層上的第一位置處進行蝕刻以容納突起部。
28.權(quán)利要求26的方法，還包括除去犧牲層，其中犧牲層的除去在突起部和傳輸電極之間產(chǎn)生間隙。
29.權(quán)利要求26的方法，其中在犧牲層之上圖案化底電極層。
30.權(quán)利要求24的方法，還包括圖案化射頻(RF)信號載體層。
【文檔編號】B81B7/00GK104025373SQ201380004526
【公開日】2014年9月3日 申請日期:2013年6月26日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月27日
【發(fā)明者】H-H.蘇, R.馬哈米德, M.A.阿布德爾莫諾伊姆, D-H.韓 申請人:英特爾公司