微電子機械系統(tǒng)裝置、電子模塊、電子設備以及移動體的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種微電子機械系統(tǒng)裝置、電子模塊、電子設備以及移動體，其能夠對在配線間產(chǎn)生的寄生電容進行抑制。所述微電子機械系統(tǒng)裝置具備：底基板；第一配線，其使用第一結構體并被配置在底基板上；第二配線，其使用第一結構體和與第一結構體相連接的第二結構體并被配置在底基板上；微電子機械系統(tǒng)元件，其上連接有第一配線和第二配線，并被配置在底基板上，并且，所述微電子機械系統(tǒng)裝置具備第一配線和第二配線相互交叉的交叉部，在交叉部處，第一配線的第一結構體和第二配線的第二結構體交叉。
【專利說明】微電子機械系統(tǒng)裝置、電子模塊、電子設備以及移動體
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種微電子機械系統(tǒng)裝置、電子模塊、電子設備以及移動體。
【背景技術】 [0002]一直以來，已知一種對角速度等進行檢測的MEMS (Micro Electro MechanicalSystem:微電子機械系統(tǒng))裝置，所述MEMS裝置使用MEMS技術而在底基板上形成MEMS元件，并且將與MEMS元件相連接的配線形成在底基板上。
[0003]作為這種MEMS裝置的制造方法，例如通過陽極接合而將成為半導體元件的材料的硅基板接合于由玻璃等形成的底基板上。而且，通過如下方式而獲得MEMS裝置，即，以保留硅基板中的形成MEMS裝置的結構要素即MEMS元件的區(qū)域、以及形成與該MEMS元件相連接的配線的區(qū)域的方式，對硅基板進行蝕刻，并對MEMS元件及配線進行模切。
[0004]例如,在非專利文獻I中，作為底基板而使用SOI (Silicon on Insulator:絕緣體上硅)基板。而且，公開了如下的結構，即，在將MEMS元件配置在SOI基板上的MEMS裝置中，將以多晶硅為材料并用于與MEMS元件連接的配線埋入SOI基板中，并使該配線與作為連接目標的MEMS元件連接。在非專利文獻I的SOI基板中，在與埋入有配線的位置相比成為下層的位置處具有SiO2層。
[0005]但是，以接近SiO2的玻璃基板或SiO2層的方式配置有配線。由于SiO2的介電常數(shù)較高，因此當對配線以接近SiO2的方式進行配置時，在配線之間容易產(chǎn)生寄生電容(雜散電容)。因此，無論哪種方法，都存在因配線之間的寄生電容而對MEMS元件的電特性造成不良影響的可能性。
[0006]非專利文獻1:電裝技術評論(于> ”一〒^ 二力 > > 匕' Λ —)Vol.5Νο.12000ρ39 — ρ44

【發(fā)明內容】

[0007]本發(fā)明是為了解決上述的課題中的至少一部分而被完成的，并且能夠作為以下的方式或者應用例而實現(xiàn)。
[0008]應用例I
[0009]本應用例所涉及的MEMS裝置的特征在于，具備:底基板；第一配線，其使用第一結構體并被配置在底基板上；第二配線，其使用第一結構體和與第一結構體相連接的第二結構體并被配置在底基板上；MEMS元件，其上連接有第一配線和第二配線，并被配置在底基板上，并且，所述MEMS裝置具備第一配線和第二配線相互交叉的交叉部，在交叉部處，第一配線的第一結構體和第二配線的第二結構體交叉。
[0010]根據(jù)這種MEMS裝置，與MEMS元件相連接的第一配線具有第一結構體，第二配線具有第一結構體和第二結構體，并且分別被設置在底基板上。此外，具備第一配線和第二配線相交叉的交叉部，在交叉部中，第一結構體和第二結構體交叉。
[0011]由此，能夠以使被設置在底基板上的第一配線和第二配線交叉的方式進行配線，并能夠對該底基板的配線所占用的面積進行抑制，從而實現(xiàn)MEMS裝置的小型化。
[0012]應用例2
[0013]在上述應用例所涉及的MEMS裝置中，優(yōu)選為，在底基板上設置有槽部，第一結構體被設置在槽部內。
[0014]根據(jù)這種MEMS裝置，第一結構體被設置在設置于底基板上的槽部內，第二結構體被設置在底基板上。
[0015]由此，能夠使被設置在底基板上的第二結構體在跨越且不接觸的條件下與被設置在槽部內的第一結構體交叉。
[0016]因此，能夠以具有空隙的方式使第一配線和第二配線交叉，從而能夠獲得如下的MEMS裝置，即，對因第一結構體和第二結構體交叉而產(chǎn)生的寄生電容進行抑制，從而對MEMS元件的電特性造成不良影響的情況較少的MEMS裝置。
[0017]應用例3 [0018]在上述應用例所涉及的MEMS裝置中，優(yōu)選為，交叉部處的槽部與其他的槽部相比較深。
[0019]根據(jù)這種MEMS裝置，在加深了第一配線和第二配線相交叉的交叉部處的、槽的深度的槽部內，設置有第一結構體。
[0020]由此，能夠增加第一結構體和第二結構體交叉的部分的分開距離，從而能夠獲得如下的MEMS裝置，即，對在第一結構體與第二結構體之間產(chǎn)生的寄生電容進行抑制，從而對MEMS元件的電特性造成不良影響的情況較少的MEMS裝置。
[0021]應用例4
[0022]在上述應用例所涉及的MEMS裝置中，優(yōu)選為，交叉部處的第二結構體的寬度與其他的所述第二結構體的寬度相比較窄。
[0023]根據(jù)這種MEMS裝置，第一配線和第二配線相交叉的交叉部處的、跨越第一結構體的第二結構體的寬度被設置為，與被設置在其他部分處的第二結構體相比縮小了寬度。由此，通過縮小在俯視觀察設置有第一結構體和第二結構體的底基板時，第一結構體和第二結構體交叉的部分的面積、即重疊的面積，從而能夠抑制在兩個結構體上產(chǎn)生的寄生電容。因此，能夠獲得對MEMS元件的電特性造成不良影響的情況較少的MEMS裝置。
[0024]應用例5
[0025]在上述應用例所涉及的MEMS裝置中，優(yōu)選為，第一結構體包含金屬，第二結構體包含硅。
[0026]根據(jù)這種MEMS裝置，通過使用濺射法等，從而能夠將作為第一結構體的包含金屬的膜設置在槽部中。由此，能夠將可獲得電導通的金屬膜作為第一結構體而簡單地設置在槽部中。此外，第二結構體能夠通過干蝕刻法等，而以包含硅的方式形成。由此，能夠設置跨越設置有第一結構體的槽部的第二配線。此外，能夠以與由硅形成的MEMS元件同時的方式，容易地形成于交叉部處寬度有所不同的第二結構體。
[0027]應用例6
[0028]本應用例所涉及的 電子模塊的特征在于，搭載有上述的MEMS裝置。
[0029]根據(jù)這種電子模塊，由于搭載有上述的MEMS裝置，因此能夠獲得如下的電子模塊，即，對配線間的寄生電容對電特性造成的不良影響進行抑制，從而提高了對角速度等的檢測精度的電子模塊。
[0030]應用例7
[0031]本應用例所涉及的電子設備的特征在于，搭載有上述的MEMS裝置。
[0032]根據(jù)這種電子設備，由于搭載有上述的MEMS裝置，因此能夠獲得如下的電子設備，即，對寄生電容對電特性造成的不良影響進行抑制，從而提高了對角速度等的檢測精度的電子設備。
[0033]應用例8
[0034]本應用例所涉及的移動體的特征在于，搭載有上述的MEMS裝置。
[0035]根據(jù)這種移動體，由于搭載有上述的MEMS裝置，因此能夠獲得如下的移動體，即，對寄生電容對電特性造成的不良影響進行抑制，從而提聞了對角速度等的檢測精度的移動體。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0036]圖1為模式化地表示第一實施方式所涉及的MEMS裝置的概要結構的俯視圖。
[0037]圖2為模式化地表示第一實施方式所涉及的MEMS裝置的概要結構的剖視圖。
[0038]圖3為將第一實施方式所涉及的MEMS裝置的配線放大并模式化地表示的放大圖。
[0039]圖4為將第一實施方式所涉及的MEMS裝置的配線放大并模式化地表示的放大圖。
[0040]圖5為對第一實施方式所涉及的MEMS裝置的動作進行說明的圖。
[0041]圖6為對第一實施方式所涉及的MEMS裝置的動作進行說明的圖。
[0042]圖7為對第一實施方式所涉及的MEMS裝置的動作進行說明的圖。
[0043]圖8為對第一實施方式所涉及的MEMS裝置的動作進行說明的圖。
[0044]圖9為模式化地表示第二實施方式所涉及的電子模塊的概要結構的圖。
[0045]圖10為表示實施例所涉及的電子設備的模式圖。
[0046]圖11為表示實施例所涉及的電子設備的模式圖。
[0047]圖12為表示實施例所涉及的電子設備的模式圖。
[0048]圖13為表示實施例所涉及的移動體的模式圖。
【具體實施方式】
[0049]以下，根據(jù)附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。另外，在以下所示的各個圖中，為了將各個結構要素設為在附圖上可識別的程度的大小，而存在以使各個結構要素的尺寸或比例與實際的結構要素適當不同的方式進行記載的情況。此外，對XYZ直角坐標系進行設定，并參照該XYZ直角坐標系來對各個部分的位置關系進行說明。將鉛直面內的預定方向設為X軸方向，將在鉛直面內與X軸方向正交的方向設為Y軸方向，將與X軸方向以及Y軸方向均正交的方向設為Z軸方向。此外，以重力方向為基準，將重力方向設為下方，即“一”方向，并將反方向設為上方，即“十”方向。
[0050]第一實施方式
[0051]在圖1至圖8中圖示了第一實施方式所涉及的MEMS裝置。
[0052]圖1為表示從Z軸方向俯視觀察MEMS裝置時的概要結構的俯視圖。圖2為表示圖1所示的MEMS裝置的線段A — A處的截面的模式圖。圖3及圖4為將圖1所示的MEMS裝置的配線放大表示的放大圖。圖5至圖8為對MEMS裝置的動作進行說明的圖。
[0053]另外，對于本實施方式的MEMS裝置100，作為其方式，以構成為對角速度等進行檢測的陀螺傳感器的方式為例而進行說明。
[0054]MEMS裝置的結構
[0055]如圖1及圖2所示，MEMS裝置100具備底基板10、MEMS元件102、第一配線30和
第二配線40。
[0056]作為底基板10的材料，例如使用玻璃。如圖2所示，底基板10具有第一面11、和第一面11的相反側的第二面12。
[0057]在底基板10的第一面11上設置有凹部14。在凹部14的上方，以隔開間隙的方式而設置有MEMS元件102的振動體112。通過凹部14，從而能夠使振動體112在不與底基板10發(fā)生干涉的條件下，在所需的方向上進行振動(可動)。此外，在底基板10上，具有用于設置后述的第一結構體211的槽部16。另外，為了便于說明，在圖1中省略了凹部14及槽部16的圖示。
[0058]MEMS元件102被設置在底基板10上(底基板10的第一面11上)。在下文中，對MEMS元件102為對繞Z軸的角速度進行檢測的陀螺傳感器元件(靜電電容型MEMS陀螺傳感器元件)的示例進行說明。
[0059]如圖1及圖2所示，MEMS元件102具備第一 MEMS元件(結構體)106以及第二 MEMS元件(結構體)108。第一 MEMS元件106及第二 MEMS元件108沿著X軸被相互連結在一起。第一 MEMS元件106與第二 MEMS元件108相比位于一 X軸方向側。
[0060]如圖1及圖2所示，第一 MEMS元件106及第二 MEMS元件108具備振動體112、第一彈簧部114、可動驅動電極116、位移部122、第二彈簧部124、可動檢測電極126、第一固定驅動電極130、132、第二固定驅動電極134、136、固定檢測電極140、142和固定部150。
[0061]圖1所示的第一配線30具有第一結構體211。第一配線30被連接于構成MEMS元件102的第一固定驅動電極130和固定檢測電極142。此外，通過第一配線30的未與MEMS元件102連接的另一端與電極襯墊50相連接，并且使未圖示的配線連接于電極襯墊50，從而能夠將通過第一固定驅動電極130和固定檢測電極142而獲得的信號向MEMS裝置100的外部進行輸出。
[0062]圖1所示的第二配線40具有第一結構體211和第二結構體221。在第二配線40中，通過連接部320 (參照圖3)而將第一結構體211和第二結構體221連接在一起。第二配線40被連接于構成MEMS元件102的第一彈簧部114、第二固定驅動電極136和第一固定驅動電極132。此外，通過第二配線40的未與MEMS元件102連接的另一端與電極襯墊50相連接，并且使未圖示的配線連接于電極襯墊50，從而能夠從MEMS裝置100的外部向第一彈簧部114、第一固定驅動電極132和第二固定驅動電極136施加驅動信號等。
[0063]第一配線30和第二配線40中所包含的第一結構體211例如可以使用如下的導電膜，即，通過派射法而以ITO (Indium Tin Oxide:氧化銦錫)、銀(Ag)、招(Al)等金屬為材料所形成的導電膜。
[0064]此外，第二配線40所具有的第二結構體221可以使用例如由硅等而形成的、具有導電性的結構體。通過對被接合于底基板10上的硅基板(未圖示)進行加工，從而第二結構體221與上述的MEMS元件102的振動體112、第一彈簧部114、第二彈簧部124、可動驅動電極116、位移部122、可動檢測電極126以及固定部150—體地形成。由此，能夠使用硅半導體裝置的制造中所使用的微細的加工技術。
[0065]本實施方式的MEMS裝置100具有與MEMS元件102相連接的第一配線30和第二配線40相交叉的交叉部300 (在圖1中省略了符號及詳細圖示)。
[0066]圖3 (a)放大圖示了在圖1中標記符號B并用虛線包圍起來的交叉部300。此外，圖3 (b)圖示了由圖3 (a)所示的交叉部300的線段D — D所示的、從X軸方向進行剖視觀察時的交叉部300。此外，圖3 (c)圖示了圖3 (a)中由線段C 一 C所示的、從Y軸方向進行剖視觀察時的連接部320的剖面。
[0067]在圖2及圖3 (a)、(b)所示的交叉部300中，使第一配線30和第二配線40的不同的結構體，即，第一結構體211和第二結構體221交叉。
[0068]在本實施方式的MEMS裝置100中，第一配線30和第二配線40中所包含的第一結構體211被設置在槽部16中，所述槽部16被設置于底基板10的第一面11上。此外，第二配線40中所包含的第二結構體221被設置在底基板10上的第一面11上。
[0069]由此，在交叉部300中，采用如下的結構，即，被設置于底基板10上的第一面11上的第二結構體221跨越被設置在槽部16中的第一結構體211，并以具有空隙20的方式與第一結構體211交叉。
[0070]在MEMS裝置100中，第一配線30通過被設置于槽部16中的第一結構體211而與MEMS元件102相連接。此外，第二配線40具有連接部320(在圖1中省略符號及詳細圖示)，所述連接部320在向MEMS元件102連接的路徑中，使第一結構體211和第二結構體221相連接。
[0071]圖3 (C)所示的連接部320為，對第二配線40中所包含的第一結構體211和第二結構體221進行電連接的部分。
[0072]在連接部320處，以覆蓋被設置在槽部16中的、底基板10的凸部18的方式設置有第一結構體211。此外，在凸部18被第一結構體211所覆蓋的部分處，還設置有凸塊部212。凸塊部212例如由包含鉻(Cr)、金(Au)的金屬膜、或者包含鉬(Pt)、鈦(Ti)的金屬膜構成。
[0073]此外，在連接部320處與第一結構體211相連接的第二結構體221，以重疊于凸部18的方式而設置，并且與凸塊部212相連接(接合)。
[0074]另外，在第二結構體221與底基板10的第一面11之間設置有膜223，從而起到對第二結構體221與底基板10之間的間隔進行調節(jié)的作用。在假設沒有膜223的情況下，存在如下的可能性，即，當凸塊部212的高度較低時，將由于與第二結構體221的接觸不良而無法形成導通，而當凸塊部212的高度較高時，第二結構體221將從底基板10剝離。在本實施方式中，膜223例如可以使用娃氧化膜(Si02)。另外,對于膜223,在圖3 (c)以外的附圖中省略了圖示。
[0075]在如圖3 (a)所示那樣從Z軸方向俯視觀察底基板10時，在第二結構體221中具有縮小了寬度的跨線部222，在交叉部300處，跨線部222以跨越第一結構體211的方式而設置。由此，能夠減少第二結構體221 (跨線部222)與第一結構體211重疊的面積。因此，由于在交叉部300處，第一結構體211和第二結構體221重疊，從而能夠抑制在第一配線30與第二配線40之間產(chǎn)生的寄生電容(雜散電容)。另外，在圖1中省略了交叉部300的符號，并且也省略了跨線部222的圖示。
[0076]此外，如圖4所示，也可以在交叉部300處，于設置有第一結構體211的槽部16中設置凹部17。通過設置凹部17，從而能夠增加交叉部300處以空隙20而交叉的第一結構體211與第二結構體221 (跨線部222)之間的分開距離，由此能夠抑制在兩個配線之間產(chǎn)生的寄生電容(雜散電容)。
[0077]在本實施方式的MEMS裝置100中，通過對例如被接合于底基板10上的硅基板(未圖示)進行加工，從而能夠將振動體112、第一彈簧部114、第二彈簧部124、可動驅動電極116、位移部122、可動檢測電極126、固定部150以及第二結構體221—體地形成。由此，能夠應用在硅半導體裝置的制造中所使用的微細的加工技術，并且能夠通過簡單的結構而使第一配線30和第二配線40交叉，從而能夠實現(xiàn)MEMS裝置100的小型化。
[0078]MEMS裝置的動作
[0079]接下來，對作為陀螺傳感器的MEMS裝置100的動作進行說明。圖5至圖8為用于對MEMS裝置100的動作進行說明的圖。另外，在圖5至圖8中，作為相互正交的三個軸，圖示了 X軸、Y軸、Z軸。此外，為了便于說明，在圖5至圖8中，省略了 MEMS元件102以外的結構部件的圖示。此外，省略了可動驅動電極116、可動檢測電極126、第一固定驅動電極130、132、第二固定驅動電極134、136以及固定檢測電極140、142的圖示，從而簡單地圖示了 MEMS 元件 102。
[0080]當通過未圖示的電源，而向從振動體112起向+ Y軸方向延伸的可動驅動電極(第一可動驅動電極)116 (在圖5至圖8中省略圖示)與第一固定驅動電極130、132 (在圖5至圖8中省略圖示)之間、以及從振動體112起向一 Y軸方向延伸的可動驅動電極(第二可動驅動電極)116 (在圖5至圖8中省略圖示)與第二固定驅動電極134、136 (在圖5至圖8中省略圖示)之間施加電壓時，能夠使可動驅動電極116與固定驅動電極130、132之間、以及第二可動驅動電極116與第二固定驅動電極134、136之間產(chǎn)生靜電力。由此，如圖5及圖6所示，能夠使第一彈簧部114沿著X軸進行伸縮，從而能夠使振動體112沿著X軸進行振動。
[0081]更具體而言，通過成為固定電位配線的第二配線40，而向可動驅動電極116施加固定的電位(Vr)。而且,通過第一配線30 (第一結構體211),而向固定驅動電極130、134施加以固定的電位(Vr)為基準的第一交流電壓。此外，通過第二配線40 (第一結構體211)而向固定驅動電極132、136施加第二交流電壓，所述第二交流電壓為，以固定的電位Vr為基準的、相位與第一交流電壓錯開了 180度的交流電壓。
[0082]在此，在隔著第一可動驅動電極116的第一固定驅動電極130、132中，在第一MEMS元件106中，于第一可動驅動電極116的一 X軸方向側設置有第一固定驅動電極130，并于第一可動驅動電極116的+ X軸方向側設置有第一固定驅動電極132 (參照圖1)。在第二MEMS元件108中，于第一可動驅動電極116的+ X軸方向側設置有第一固定驅動電極130，并于第一可動驅動電極116的一 X軸方向側設置有第一固定驅動電極132 (圖1)。此外，在隔著第二可動驅動電極116的第二固定驅動電極134、136中，在第一 MEMS元件106中，于第二可動驅動電極116的一 X軸方向側設置有第二固定驅動電極134，并于第二可動驅動電極116的+ X軸方向側設置有第二固定驅動電極136(參照圖1)。在第二 MEMS元件108中，于第二可動驅動電極116的+ X軸方向側設置有第二固定驅動電極134，并于第二可動驅動電極116的一 X軸方向側設置有第二固定驅動電極136 (參照圖1)。因此，能夠通過第一交流電壓及第二交流電壓，從而使第一 MEMS元件106的振動體112a及第二 MEMS元件108的振動體112b以相互反相且預定的頻率,沿著X軸進行振動。在圖5所示的示例中，振動體112a向α I方向進行位移，振動體112b向與α I方向相反的α 2方向進行位移。在圖6所示的示例中，振動體112a向α 2方向進行位移，振動體112b向α I方向進行位移。
[0083]另外,位移部122隨著振動體112 (112a、112b)的振動，而沿著X軸進行位移。同樣地，可動檢測電極126 (參照圖1)隨著振動體112的振動，而沿著X軸進行位移。
[0084]如圖7及圖8所示，當在振動體112a、112b正在沿著X軸進行振動的狀態(tài)下，向MEMS元件102施加繞Z軸的角速度ω時，科里奧利力將發(fā)揮作用，從而位移部122將沿著Y軸進行位移。即，與振動體112a相連接的位移部122a、以及與振動體112b相連接的位移部122b將沿著Y軸而相互地向相反方向進行位移。在圖7所示的示例中，位移部122a向β I方向進行位移，位移部122b向與β I方向相反的β 2方向進行位移。在圖8所示的示例中，位移部122a向β 2方向進行位移，位移部122b向β I方向進行位移。
[0085]由于位移部122 (122a、122b)沿著Y軸進行位移，從而可動檢測電極126與固定檢測電極140之間的距離發(fā)生變化(參照圖1)。同樣地，可動檢測電極126與固定檢測電極142之間的距離也發(fā)生變化(參照圖1)。因此，可動檢測電極126與固定檢測電極140之間的靜電電容發(fā)生變化。同樣地，可動檢測電極126與固定檢測電極142之間的靜電電容也發(fā)生變化。
[0086]在作為陀螺傳感器的MEMS裝置100中，通過經(jīng)由成為檢測配線的第一配線30及成為固定電位配線的第二配線40而向可動檢測電極126與固定檢測電極140之間施加電壓，從而能夠檢測出可動 檢測電極126與固定檢測電極140之間的靜電電容的變化量(參照圖1)。而且，通過經(jīng)由成為檢測配線的第一配線30及成為固定電位配線的第二配線40而向可動檢測電極126與固定檢測電極142之間施加電壓，從而能夠檢測出可動檢測電極126與固定檢測電極142之間的靜電電容的變化量(參照圖1)。如此，作為陀螺傳感器的MEMS裝置100能夠通過可動檢測電極126與固定檢測電極140、142之間的靜電電容的變化量，從而求出繞Z軸的角速度ω。
[0087]根據(jù)上述的第一實施方式，能夠獲得以下的效果。
[0088]根據(jù)這種MEMS裝置100，能夠使第二結構體221與被設置在槽部16中的第一結構體211保持空隙20，且以跨越第一結構體211的方式而與第一結構體211交叉。此外，通過在交叉部300處，于槽部16中設置凹部17，從而能夠增加被設置在槽部16中的第一結構體211、和以跨越第一結構體211的方式而與第一結構體211交叉的第二結構體221之間的分開距離。此外，通過在交叉部300中設置跨線部222，從而能夠減少第一結構體211與第二結構體221重疊的面積，其中，所述跨線部222使以跨越第一結構體211的方式而與第一結構體211交叉的第二結構體221的寬度變細。
[0089]由此，MEMS裝置100通過使第一配線30和第二配線40以保持空隙20的方式交叉，從而能夠抑制在第一結構體211與第二結構體221之間產(chǎn)生的寄生電容。此外，通過增加第一結構體211與第二結構體221之間的分開距離，從而能夠抑制在第一配線30與第二配線40之間產(chǎn)生的寄生電容。此外，通過減少交叉部300中第一結構體211和第二結構體221重疊的面積，從而能夠抑制在第一結構體211與第二結構體221之間產(chǎn)生的寄生電容。此外，由于能夠通過簡單的結構使第一配線30和第二配線40交叉，因此即使在復雜的配線結構的MEMS裝置100中，也能夠容易進行配線布局，并且使MEMS裝置100小型化。
[0090]因此，能夠獲得如下的MEMS裝置100，即，對配線間產(chǎn)生的寄生電容進行抑制從而對MEMS元件102的電特性造成不良影響的情況較少的、提高了對角速度等的檢測精度的MEMS 裝置 100。
[0091]第二實施方式
[0092]在圖9中圖示了第二實施方式所涉及的電子模塊。
[0093]圖9為表示剖視觀察電子模塊200時的概要結構的剖視圖，且圖示了搭載(收納)有上述的MEMS裝置100的情況。另外，由于所搭載的MEMS裝置100的結構與第一實施方式相同，因此對相同的結構標記相同的符號，并簡化或省略說明，且利用圖9對本實施方式的電子模塊200進行說明。
[0094]電子模塊200具備MEMS裝置100、和搭載該MEMS裝置100的封裝件500。在封裝件500中具有搭載了 MEMS裝置100的凹部530a、和搭載了用于對MEMS裝置100進行驅動的驅動電路模塊550的凹部530b。本實施方式的封裝件500例如由陶瓷等材料構成。
[0095]在電子模塊200中，所搭載的MEMS裝置100被設置在凹部530a的底面531a上。MEMS裝置100使用粘合劑540等，而對構成該MEMS裝置100的底基板10的第二面12、和底面531a進行連接(接合)。此外，在凹部530b中設置有驅動電路模塊550，并且使用粘合劑541等而與凹部530b的底面531b相連接(接合)。
[0096]雖然在圖9中，驅動電路模塊550以隔著封裝件500的方式而被安裝在MEMS裝置100的背面上，但即使為直接粘貼在MEMS裝置100上的結構也沒有問題。
[0097]此外，為了將從MEMS裝置100輸出的角速度等信號向封裝件500的外部、或者驅動電路模塊550傳遞，從而在封裝件500上設置有配線電極510a。配線電極510a通過配線511而與被設置在MEMS裝置100的底基板10上的電極襯墊50電連接。本實施方式的配線511例如通過引線接合法，而使用金(Au)線來對電極襯墊50和配線電極510a進行電連接。另外，對于配線511而言，作為線材，并不限定于金(Au)，也可以使用鋁(Al)或銅(Cu)等,并通過其他的配線方法進行電連接。此外，電極襯墊50與配線電極510a之間的連接并不限定于引線接合法，只要能夠通過配線511來對兩個電極之間進行連接，則也可以使用其他的連接方法。此外，被設置在驅動電路模塊550上的電極551與配線電極510b之間通過配線512，而以與配線511相同的方式，例如通過引線接合法而被電連接。
[0098]電子模塊200具備蓋520a、520b，并且凹部530a的頂面532a和蓋520a相連接，凹部530b的頂面532b和蓋520b相連接。形成蓋520a、520b的材料例如可以使用不銹鋼等金屬、或玻璃等材料。
[0099]由此，電子模塊200能夠通過被搭載于凹部530a中的MEMS裝置100而對角速度等進行檢測，并且作為與該角速度等相對應的信號而向封裝件500的外部進行輸出。
[0100]根據(jù)上述的第二實施方式，能夠獲得以下的效果。
[0101]根據(jù)這種電子模塊200，由于MEMS裝置100所具備的第一配線30和第二配線40以具有空隙20的方式而交叉，因此抑制了在兩個配線間產(chǎn)生的寄生電容。此外，能夠通過簡單的結構而使第一配線30和第二配線40交叉，并且能夠實現(xiàn)MEMS裝置100的小型化。因此，能夠獲得如下的電子模塊200，即，抑制了配線間的寄生電容從而對MEMS元件102的電特性造成不良影響的情況較少的、對角速度等的檢測精度較高且可實現(xiàn)小型化的電子模塊 200。
[0102]實施例
[0103]接下來，根據(jù)圖10至圖13，對應用了如下的電子模塊200的實施例進行說明，所述電子模塊200搭載了本發(fā)明的一個實施方式所涉及的MEMS裝置100。
[0104]電子設備
[0105]接下來，根據(jù)圖10至圖12，對應用了第二實施方式所涉及的電子模塊200的電子設備進行詳細說明，所述電子模塊200搭載了本發(fā)明的第一實施方式所涉及的MEMS裝置100。
[0106]圖10為表示作為具備本發(fā)明的第二實施方式所涉及的電子模塊的電子設備的、便攜式(或者筆記本式)個人計算機的結構的概要的立體圖。在該圖中，個人計算機1100通過具備鍵盤1102的主體部1104、和具備顯示部1008的顯示單元1106而構成，并且顯示單元1106以能夠通過鉸鏈結構部而相對于主體部1104進行屈折的方式被支承。在這樣的個人計算機1100中內置有作為用于檢測其傾斜等的陀螺傳感器等而發(fā)揮功能的電子模塊200。由于電子模塊200的小型化，從而也能夠內置于顯示單元1106等厚度較薄的部分中。
[0107]圖11為表示作為具備本發(fā)明的第二實施方式所涉及的電子模塊的電子設備的、移動電話(也包括PHS:Personal Handy-phone System,個人移動電話系統(tǒng))的結構的概要的立體圖。在該圖中，移動電話1200具備多個操作按鈕1202、聽筒1204以及話筒1206，并且在操作按鈕1202與聽筒1204之間配置有顯示部1208。在這樣的移動電話1200中內置有作為對移動電話1200的傾斜、移動方向進行檢測的陀螺傳感器等而發(fā)揮功能的電子模塊200。由于電子模塊200的小型化，從而也能夠容易地內置于要求小型化的移動電話1200中。
[0108]圖12為表示作為具備本發(fā)明的第二實施方式所涉及的電子模塊的電子設備的、數(shù)碼照相機的結構的概要的立體圖。另外，在該圖中，還簡單地圖示了與外部設備之間的連接。在此，通常的照相機通過被攝物體的光學圖像而使銀鹽感光膠片感光，與此相對，數(shù)碼照相機1300通過CCD (Charge Coupled Device:電荷稱合元件)等攝像元件而對被攝物體的光學圖像進行光電轉換，從而生成攝像信號(圖像信號)。
[0109]在數(shù)碼照相機1300的殼體(主體)1302的背面上設置有顯示部1308，并且成為根據(jù)CCD的攝像信號而進行顯示的結構，顯示部1308作為將被攝物體顯示為電子圖像的取景器而發(fā)揮功能。此外，在殼體1302的正面?zhèn)?圖中背面?zhèn)?，設置有包括光學鏡片(攝像光學系統(tǒng))和CXD等在內的受光單元1304。
[0110]當攝影者對被顯示在顯示部1308上的被攝圖像進行確認，并按下快門按鈕1306時，該時間點的CCD的攝像信號將被傳送并存儲于存儲器1310中。此外，在該數(shù)碼照相機1300中，在殼體1302的側面設置有影像信號輸出端子1312、和數(shù)據(jù)通信用的輸入輸出端子1314。而且，如圖所示，根據(jù)需要，而在影像信號輸出端子1312上連接有影像監(jiān)視器1430，在數(shù)據(jù)通信用的輸入輸出端子1314上連接有個人計算機1440。而且，成為如下的結構，SP，通過預定的操作，從而使存儲于存儲器1310中的攝像信號向影像監(jiān)視器1430或個人計算機1440輸出。在這樣的數(shù)碼照相機1300中內置有作為對其傾斜度進行檢測的陀螺傳感器等而發(fā)揮功能電子模塊200。由于電子模塊200的小型化，從而也能夠容易地內置于要求小型化的數(shù)碼照相機1300中。
[0111]另外，本發(fā)明的第二實施方式所涉及的電子模塊200除了能夠應用于圖10的個人計算機(便攜式個人計算機)、圖11的移動電話、圖12的數(shù)碼照相機中之外，還能夠應用于如下的裝置中，例如，噴墨式噴出裝置(例如，噴墨打印機)、膝上型個人計算機、電視機、攝像機、錄像機、汽車導航裝置、尋呼機、電子記事本(也包括帶有通信功能的產(chǎn)品)、電子詞典、臺式電子計算機、電子游戲機、文字處理器、工作站、可視電話、防盜用視頻監(jiān)控器、電子雙筒望遠鏡、POS (Point of Sale:銷售點)終端、醫(yī)療設備(例如，電子體溫計、血壓計、血糖儀、心電圖計測裝置、超聲波診斷裝置、電子內窺鏡)、魚群探測器、各種測量設備、計量儀器類(例如，車輛、飛機、船舶的計量儀器類)、飛行模擬器等電子設備。
[0112]移動體
[0113]圖13為概要性地表示作為移動體的一個示例的汽車的立體圖。在汽車1500中應用有，搭載了本發(fā)明所涉及的MEMS裝置100的電子模塊200。例如，如該圖所示，在作為移動體的汽車1500中，內置有電子模塊200，并且對汽車1500的傾斜度等進行控制的電子控制單元1508被搭載于車身1507上。通過將實現(xiàn)了小型化的該電子模塊200用于搭載了多個電子控制單元1508的汽車1500等移動體中，從而能夠實現(xiàn)該電子控制單元1508的小型化，并提高搭載位置的自由度。此外，電子模塊200還能夠廣泛應用于汽車導航系統(tǒng)、防抱死制動系統(tǒng)(ABS)、安全氣囊、發(fā)動機控制器等的電子控制單元(EOJ Electronic ControlUnit)中ο
[0114]符號說明
[0115]10…底基板;1 1…第一面;12…第二面；14…凹部;16…槽部;17…凹部;18…凸部;20…空隙;30…第一配線;40…第二配線;50…電極襯墊;100…MEMS裝置;102…MEMS元件；200…電子模塊；211…第一結構體；212…凸塊部；221…第二結構體；222…跨線部;300…交叉部;320…連接部;500…封裝件;510…配線電極；511、512…配線;520…蓋；530…凹部；550…驅動電路模塊；551…電極；1100…個人計算機；1200…移動電話；1300...數(shù)字照相機；150(l...汽車。
【權利要求】
1.一種微電子機械系統(tǒng)裝置，其特征在于， 具備: 底基板； 第一配線，其使用第一結構體并被設置在所述底基板上； 第二配線，其使用所述第一結構體和與所述第一結構體相連接的第二結構體，并被設置在所述底基板上； 微電子機械系統(tǒng)元件，其上連接有所述第一配線和所述第二配線，并被配置在所述底基板上， 并且，所述微電子機械系統(tǒng)裝置具備所述第一配線和所述第二配線相互交叉的交叉部， 在所述交叉部處，所述第一配線的所述第一結構體和所述第二配線的所述第二結構體交叉。
2.如權利要求1所述的微電子機械系統(tǒng)裝置，其特征在于， 在所述底基板上設置有槽部， 所述第一結構體被設置在所述槽部內。
3.如權利要求2所述的微電子機械系統(tǒng)裝置，其特征在于， 所述交叉部處的所述槽部與其他的所述槽部相比較深。
4.如權利要求1所述的微電子機械系統(tǒng)裝置，其特征在于， 所述交叉部處的所述第二結構體的寬度與其他的所述第二結構體的寬度相比較窄。
5.如權利要求1所述的微電子機械系統(tǒng)裝置，其特征在于， 所述第一結構體包含金屬， 所述第二結構體包含硅。
6.—種電子模塊，其特征在于， 搭載有權利要求1所述的微電子機械系統(tǒng)裝置。
7.—種電子設備,其特征在于， 搭載有權利要求1所述的微電子機械系統(tǒng)裝置。
8.一種移動體，其特征在于， 搭載有權利要求1所述的微電子機械系統(tǒng)裝置。
【文檔編號】B81B7/00GK103569938SQ201310309015
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2013年7月22日 優(yōu)先權日:2012年7月23日
【發(fā)明者】古畑誠, 田中悟 申請人:精工愛普生株式會社