專利名稱：納米線、納米線手術(shù)擴(kuò)張架及由編織的納米線構(gòu)成的薄片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種使用電流利用粉體燒結(jié)制造的納微器件，特別涉及使用電流制造1D、2D或3D部件。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今，使用電流的粉體燒結(jié)(即火花等離子體燒結(jié)(SPS))是重點研究對象，且引起了全世界的關(guān)注。SPS如今被視為成功固結(jié)各種大塊材料粉體系統(tǒng)(包括納米粉體和碳 納米管復(fù)合物)的一種主要工藝。但在一些情況下，這種工藝在處理大型樣本時對直流電流要求很高(數(shù)千安培)，且常常只限于生產(chǎn)大塊和簡單的形狀，即圓盤狀、短圓柱狀。美國專利7，148，480揭示了一種用于防止納米級晶粒影響紅外傳感器件的光學(xué)窗口的制造方法，該方法在存在脈沖電流(優(yōu)選火花等離子體燒結(jié)法產(chǎn)生的脈沖電流)的情況下以高壓將晶粒壓縮成連續(xù)質(zhì)體。以此得到的材料具有良好的光學(xué)和機(jī)械屬性，從而使其成為傳統(tǒng)單晶藍(lán)寶石的絕佳替代品。美國專利7，091，136揭示了一種形成化合物薄膜的工藝，其包括制成一種具有可控總體組成、且包括一種固溶體粒子的納米粉體材料。所述納米粉體材料沉積于一襯底上并于該襯底上形成一層，該層在至少一種適當(dāng)?shù)拇髿猸h(huán)境中反應(yīng)形成所述化合物薄膜。這種化合物薄膜可以用在輻射探測器或太陽能電池的制造中。美國專利申請2006/0104885揭示了一種垂直排列的納米級鉆石結(jié)構(gòu)包括鉆石納米尖端或納米管。更具體而言，揭示了可將此種鉆石結(jié)構(gòu)沉積于粗糙的多晶襯底上的器件和方法。這種結(jié)構(gòu)至少可用作微電子器件中的散熱板。美國專利申請2005/0039885揭示了一種主要用于電子應(yīng)用的熱交換器系統(tǒng)。更具體而言，該本發(fā)明是關(guān)于具有定向微尺度通道的熱交換器主體及所述主體的制造方法。但層疊是通過已知的化學(xué)汽相沉積技術(shù)完成的。美國專利申請2004/0028875揭示了一種用模具制造一種具有微型或納米級結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品的方法，所述模具在模具表面具有一相應(yīng)的結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，使含有澆注材料的流體與所述模具表面相接觸。

實用新型內(nèi)容本實用新型涉及使用電流利用粉體燒結(jié)制造納米器件和微型器件，特別涉及使用電流制造1D、2D或3D部件。這種尺寸的部件可用于醫(yī)療器件、半導(dǎo)體、濾波系統(tǒng)以及諸多其他需要納微尺寸部件的器件。在優(yōu)選實施例中，由本實用新型揭示的燒結(jié)工藝制得的納米線，其特征為具有圓柱形的形狀。在另一優(yōu)選實施例中，由本實用新型揭示的燒結(jié)工藝制得的納米線，其中所述線的規(guī)格介于I納米到10微米之間。在另一優(yōu)選實施例中，一種納米線手術(shù)擴(kuò)張架，由本實用新型揭示的燒結(jié)工藝、使用鎳鈦或具有形狀記憶特征的類似物質(zhì)的粉體制得，其中所述擴(kuò)張架由納米線網(wǎng)構(gòu)成，其特征為具有一種選自以下集合的形狀管、線圈、環(huán)、網(wǎng)或其他手術(shù)擴(kuò)張架中常見的形狀。在另一優(yōu)選實施例中，一種分子線器件，由本實用新型揭示的燒結(jié)工藝、使用有機(jī)或無機(jī)燒結(jié)粉體材料制得，所述器件由分子線構(gòu)成，其特征為具有一種選自以下集合的形狀單螺旋、雙螺旋、鏈、四面體、球體、圓柱、圓錐或其他有機(jī)或無機(jī)分子中常見的形狀。在另一優(yōu)選實施例中，一種由編織納米線構(gòu)成的薄片，其特征為柵格或鉆石網(wǎng)型樣，其中所述薄片用作一濾波器或膜。在另一優(yōu)選實施例中，一種納米線網(wǎng)濾波器或膜，其中所述器件是使用具有膜相關(guān)特征的燒結(jié)粉體材料制得，其中所述膜相關(guān)特征包括但不限于傳導(dǎo)性和電離性。在另一優(yōu)選實施例中，一種管狀器件，由本實用新型揭示的燒結(jié)工藝制得，規(guī)格介于I納米到10微米之間，其中所述管的壁堅硬，且所述納米管的長度可變。在另一優(yōu)選實施例中，一種管狀器件，由本實用新型揭示的燒結(jié)工藝制得，其中所述管狀器件包括包括一個或一個以上壁，每一壁各包括一系列格子狀的三角形、正方形、五邊形、六邊形或八邊形。在另一優(yōu)選實施例中，一種量子點，由本實用新型揭示的燒結(jié)工藝制得。

圖I 是電流激活尖端燒結(jié)(CATS, Current-Activated Tip-Based Sintering)工藝的實施例的圖樣說明。本圖所示為納米尖端在處理納米部件中的應(yīng)用的一個例子。圖2所示為燒結(jié)區(qū)域為1D、2D或3D鍛壓或沖壓特征部或部件的工藝圖樣說明。圖3所示為燒結(jié)區(qū)域為1D、2D或3D滾壓特征部或部件的工藝圖樣說明。圖4所示為燒結(jié)區(qū)域為1D、2D或3D連結(jié)特征部或部件的工藝圖樣說明。圖5所示為燒結(jié)區(qū)域為1D、2D或3D填充孔或縫的工藝圖樣說明。圖6所示為針對柔性尖端修改的工藝的工藝圖樣說明。圖7所示為針對空心尖端修改的工藝的工藝圖樣說明。圖8所示為針對帶有滾筒球附件的尖端修改的工藝的工藝圖樣說明。圖9所示為針對帶有內(nèi)嵌間斷供料器或內(nèi)嵌連續(xù)供料器的尖端修改的工藝的工藝圖樣說明。圖10所示為針對1D、2D或3D型樣尖端修改的工藝的工藝圖樣說明。圖11和圖12所示為為了提供1D、2D、3D及機(jī)器人位置/運動控制機(jī)制來控制1D、2D或3D型樣尖端運動而修改的工藝的工藝圖樣說明。圖13所示為針對層疊粒子/粉體修改的工藝、或針對順序?qū)盈B粒子/粉體修改的工藝的工藝圖樣說明。圖14所示為針對1D、2D或3D型樣粒子/粉體修改、或為了提供1D、2D、3D及機(jī)器人位置/運動控制機(jī)制來控制粒子/粉體運動而修改的工藝的工藝圖樣說明。[0033]圖15所示為燒結(jié)區(qū)域為1D、2D或3D擠壓特征部或部件的工藝圖樣說明。圖16所示為針對連續(xù)粒子/粉體供料器修改的工藝的工藝圖樣說明。圖17所示為針對間斷粒子/粉體供料器修改的工藝的工藝圖樣說明。圖18所示為納米線的圖樣說明。圖19所示為納米線擴(kuò)張架的圖樣說明。圖20所示為形為雙螺旋的分子線的圖樣說明。圖21所示為納米線膜的圖樣說明。圖22所示為納米管的圖樣說明。圖23所示為球形量子點的圖樣說明。附圖標(biāo)記說明I 尖端2 電流3燒結(jié)的特征部或部件 4 粉體5環(huán)境控制6 壓力7 尖端8粉體表面9帶有滾筒的尖端10 尖端11燒結(jié)的粉體12電線、板、墊等13 尖端14燒結(jié)的粉體15 尖端16空心尖端17 尖端18球/滾筒附件19 粉體20燒結(jié)的粉體21具有供料器的空心尖端22型樣尖端23運動控制24 尖端25 尖端26非層疊粉體27 尖端28層疊粉體29 尖端[0072]30型樣粉體31運動控制32燒結(jié)的粉體33粉體表面34移動空心尖端35 尖端 36燒結(jié)的粉體37粉體供料器38粉體供料機(jī)構(gòu)
具體實施方式
[0081]定義以下提供一些定義以便于理解本實用新型的具體實施方式
。根據(jù)本領(lǐng)域中的定義，亞微粉體是平均顆粒尺寸低于I微米的材料。對本實用新型有關(guān)鍵意義的是制造1D、2D或3D部件的納米尺度的粉體和納米結(jié)構(gòu)的陶瓷疊層。納米尺度粉體(納米粉體)是平均顆粒尺寸小于100納米(優(yōu)選標(biāo)準(zhǔn)偏差小于25nm)、且一個很重要的部分為界面原子的亞微粉體。因此，本實用新型提及納米尺度粉體是意指具有這些特征的粉體，但應(yīng)理解，對于一種材料的指定屬性其臨界長度可以更小或更大-這取決于相關(guān)的屬性-盡管該長度通常是亞微級。亞微層的厚度通常小于I微米。對本實用新型有特別意義的是納米結(jié)構(gòu)的疊層，該疊層具體定義為厚度或微結(jié)構(gòu)或兩者的尺寸被限制為小于屬性邊界尺寸(適合小于I微米、優(yōu)選小于IOOnm)的疊層。因此，本實用新型提及納米結(jié)構(gòu)疊層是意指具有這些特征的置層?，F(xiàn)今，使用電流的納米粉體燒結(jié)(即火花等離子體燒結(jié)(SPS))是重點研究對象，且引起了全世界的關(guān)注。SPS如今被視為成功固結(jié)各種大塊材料粉體系統(tǒng)(包括納米粉體和碳納米管復(fù)合物)的一種主要工藝。但在一些情況下，這種工藝在處理大型樣本時對直流電流要求很高(數(shù)千安培)，且常常只限于生產(chǎn)大塊和簡單的形狀，即圓盤狀、短圓柱狀。使用電流由微納尺寸粉體制造層疊1D、2D或3D部件(例如微納部件)至今尚未得到有效解決。因此，本實用新型提供多種微納尺寸器件，用以解決現(xiàn)有技術(shù)領(lǐng)域一個或一個以上的問題。這一想法可以延伸到在各燒結(jié)路徑后依序原地沉積微納尺寸粉體層的3D層疊制造。這種工藝可以由CAD數(shù)據(jù)源直接制造實體物件(即1D、2D和3D微納部件)。可以通過微納尺度的電極尖端向粉體施加壓力，從而執(zhí)行微納尺度SPS條件。此夕卜，為了納米制造的目的，即為了處理納米尺寸部件，產(chǎn)生燒結(jié)需電流密度所需要的電流量相對較小。該工藝適用于大量材料，包括金屬、合金、陶瓷、碳納米管等。要燒結(jié)納微陶瓷部件，對電極材料的挑選可允許電極材料的焦耳加熱，而焦耳加熱又會反過來傳熱給待燒結(jié)的陶瓷層，從而執(zhí)行本地SPS條件。(5)該工藝也有使用粉體的優(yōu)點，這又反過來允許孔徑可控的納微部件的制造，甚至可以由一種或一種以上材料制造復(fù)合納微部件。本實用新型包括各種燒結(jié)產(chǎn)品，包括(I)快速原型制作(類似于快速原型制作的激光燒結(jié)方式但密度更高)；(2)微納尺度合金及陶瓷產(chǎn)品，包括量子點、納米線、納米管、納米膜、RFID標(biāo)簽、納米工具等。使用本實用新型揭示的一種或一種以上燒結(jié)工藝制成、理應(yīng)屬于本實用新型范圍的產(chǎn)品包括(但不限于)諸如電容器、變阻器、電阻器、感應(yīng)器及EMI濾波器等電子裝置以及諸如壓力傳感器、加速計、壓電體、視覺顯示器、光學(xué)開關(guān)、生物傳感器、化學(xué)傳感器等MEMS裝置，及其他類似產(chǎn)品。SPS工藝涉及到使脈沖高電流通過粉體/沖模配置且同時向粉體施加壓力。電流主要靠焦耳加熱加熱所述配置。該工藝的顯著優(yōu)點包括與傳統(tǒng)工藝的可能情況相比，能在低得多的溫度下、在短得多的時間內(nèi)、且以高很多的加熱速率燒結(jié)納米粉末(并保持納米結(jié)構(gòu))。由于電流固有效應(yīng)的緣故，相同溫度下所報告的相變動力學(xué)也比使用傳統(tǒng)加熱方式要快40倍。本實用新型是多個具有1D、2D或3D形狀的宏觀、微米或納米特征部或部件，其使 用包括以下步驟的工藝制得提供具有一個或多個尖端的電極；于存在一種或多種粒子或粉體的情況下向所述電極施加電流及/或電壓；以及燒結(jié)尖端下方或周圍的所述粉體，形成特征部或部件的形狀(均可以采用或不用環(huán)境控制)。尖端可以是宏觀、微米或納米尺度，可為柔性、堅硬、實心、空心或穿孔的。此外，尖端可以是任何形狀，可用于靜止位置或可沿任何方向移動并呈無限幾何運動。壓力可施加或不施加，可以施于尖端上或使用大氣壓力控制。尖端和系統(tǒng)可以有許多運動程度(包括X-Y-Z移動和機(jī)器人操作手一類的移動)以及定位控制?？墒┘与娏骰螂妷簛砑せ顭Y(jié)工藝?？墒┘与娏?交流電流(AC)、直流(DC)、脈沖DC和場電流及/或電壓)，并使用強度/電壓控制。舉所述工藝步驟的一個例子，如果考慮使用沉積納米粉體層，可以通過電極尖端(例如納米尺度尖端)(圖I)同時向粉體施加電流和壓力，從而執(zhí)行本地SPS條件從而進(jìn)行燒結(jié)。例如，通過控制電極尖端位置和路徑，燒結(jié)粉末區(qū)域的形狀和尺寸皆可控制。因此，便能處理極精確(articulate)和復(fù)雜形狀及特征部(從宏觀尺度下至納米尺度)。例如，制造多重尺度下不同材料的功能性矩陣?？蓪崿F(xiàn)層疊或非層疊粉體的燒結(jié)。粉體可為1D、2D及3D結(jié)構(gòu)的型樣，或無型樣。發(fā)明者們?yōu)榇斯に嚾∶笆褂秒娏骷せ罴舛藷Y(jié)(CATS)”。這一想法可延伸到3D制造方法中，例如在各燒結(jié)路徑后依序原地沉積粉體層而后進(jìn)行燒結(jié)；從而構(gòu)建3D燒結(jié)納米部件(也可以是微米部件或宏觀部件，具體取決于尖端的類型和所用粉體的尺寸)。此外，根據(jù)不同的系統(tǒng)設(shè)計(例如襯底和尖端的材料)，可施加遠(yuǎn)高于SPS的壓力(若需要)，從而具有允許超快速燒結(jié)從而允許超快速制造的效果。例如，如果考慮沉積納米粉體層，可以通過電極尖端(例如納米尖端)(圖I)同時向粉體施加電流和壓力，從而執(zhí)行本地SPS條件從而進(jìn)行燒結(jié)。根據(jù)所需燒結(jié)，環(huán)境可以發(fā)揮關(guān)鍵或非關(guān)鍵的作用。環(huán)境溫度可以控制(除了由尖端產(chǎn)生的升溫外還包括粉體或粉體底層的升溫)，壓力也可以控制。一些系統(tǒng)中不使用環(huán)境控制。然而在其他情況下，會使用環(huán)境控制(使用真空、氣體或液體)。環(huán)境控制的一個例子是使用惰性氣體環(huán)境保護(hù)尖端和系統(tǒng)不發(fā)生氧化或其他反應(yīng)。在其他情況下，可以控制氣態(tài)混合物的組成(液態(tài)混合物也可以)、壓力和溫度，以此促進(jìn)燒結(jié)期間尖端下方或附近、或遠(yuǎn)離尖端的反應(yīng)。當(dāng)然，為了避免尖端于工作期間受損，尖端的選擇很重要。舉一個例子，燒結(jié)操作期間氣體與尖端下方的粉體反應(yīng)，形成化合物。也可使用不反應(yīng)的氣體或液體。例如，在CATS工藝的特定階段，甚至惰性氣體壓力也可以使用或改變，從而例如促進(jìn)更佳燒結(jié)?；蛘呖墒褂谜婵?，其優(yōu)點舉兩個例子包括對尖端的保護(hù)和更好的燒結(jié)，因為眾所周知，真空中的燒結(jié)有利于高密度產(chǎn)品。在其他例子中，可能需要生產(chǎn)多孔的宏觀、微米或納米特征部及部件。這種情況下，將使用制造多孔材料的策略，例如在燒結(jié)工藝完成前終止燒結(jié)工藝，或在粉體混合物中添加粒子或纖維或其他形狀，后者將作為犧牲占位器(sacrificial place holder),從而留下多孔的幾何形狀。尖端形狀也是一個變量，例如尖端可以具有字母C(凹或凸)的形狀，且施加至粉體時將產(chǎn)生類似相應(yīng)的燒結(jié)形狀。尖端的功能是另一個重要方面。尖端可以簡單地接觸粉體，也可以施加更大的壓力。在此情況中，燒結(jié)期間有壓緊操作。應(yīng)理解，尖端可進(jìn)行鍛壓、 擠壓、滾壓、沖壓、牽拉和連結(jié)。例如，中空設(shè)計的尖端可以向其下方的粉體施加電流和加熱繼而通過施加壓力，粉體可通過向孔內(nèi)的直接擠壓操作進(jìn)行擠壓。此處，這一想法可以設(shè)想出其他變形和衍化，即具有多個孔、不同形狀的孔、心軸狀設(shè)計(從而允許中空擠壓)等。以類似的方式，具有滾筒的尖端可通過電流和滾壓固結(jié)動作同時提供加熱/燒結(jié)。除了連結(jié)外，還可以使用沖壓。尖端也可以具有額外的功能，即通過尖端內(nèi)例如一空穴，運送粉體(間斷或連續(xù)地)、氣體或液體。也可為了提高產(chǎn)率或提供獨立功能而使用多個尖端。也有可能在用粉體填充孔或裂口 /裂隙后進(jìn)行尖端燒結(jié)。此工藝可用于填充材料凹陷或缺口而后進(jìn)行尖端燒結(jié)。其對于修復(fù)操作很重要。粉體可以與待修復(fù)材料相同也可以不同。該工藝可廣泛應(yīng)用于各種材料，包括金屬、合金、合成物、陶瓷、碳材料、半導(dǎo)體、超導(dǎo)體、反應(yīng)系統(tǒng)、聚合體、金屬互化物、玻璃、金屬玻璃、多孔材料、智能材料、功能梯度材料、分級材料、生物相容材料及其組合。其中一些可通過與氣體或液體反應(yīng)來形成。用于燒結(jié)工藝的陶瓷和金屬粉體可包括(但不限于)銀、銅、金、青銅、黃銅、鐵、媽、氧化錯、氮化娃、氧化釔、氧化招、帆土、鈦鎳合金、碳化娃、氧化鈦、氧化鋅和氮化鈦。通過控制電極尖端位置和路徑，粉末的燒結(jié)區(qū)域的形狀和尺寸皆可控制。因此，便能處理極精確和復(fù)雜形狀及特征部(從宏觀尺度下至納米尺度)，且可通過計算機(jī)輔助設(shè)計(CAD)源直接制造實體物件。此外，當(dāng)尖端的接觸表面上有或沒有印痕時，也可使用靜態(tài)模式的尖端。從而可允許印痕/尖端下方的特征部(即印痕燒結(jié)特征部)的燒結(jié)。同樣，如果尖端中有一通孔，那么當(dāng)尖端接觸表面且施加壓力時，向尖端孔內(nèi)的反向擠壓成為可能，從而可用于產(chǎn)生微米或納米線及微米/納米管(取決于孔的設(shè)計)。應(yīng)理解，也可以為了提高產(chǎn)率同時使用多個尖端(可以是靜態(tài)或動態(tài)模式)。一重要特征部還在于，可以原地使用尖端來產(chǎn)生燒結(jié)特征部，從而在無需移動樣本的情況下產(chǎn)生視覺圖像和特性空間圖(property spatial map)。特征燒結(jié)后,其可保留原樣也可以根據(jù)需要去除。粒子若為磁性，則去除程序可包括使用οη/ο (開/關(guān))磁性特征部允許特征部燒結(jié)及之后的釋放。使用所揭示的工藝，可于低得多的溫度下、在短得多的時間內(nèi)形成高密度或低密度的實體物件。也可以控制燒結(jié)工藝形成具有可控的多孔性水平的多孔物件，例如多孔納米線。所揭示的工藝中可以使用多種粉末狀材料，包括若干種陶瓷、金屬、形狀記憶合金等。申請人已為此工藝賦名為“使用電流激活尖端燒結(jié)”(CATS)。此CATS工藝可用于替代傳統(tǒng)的焊接操作，其無需使用焊接材料便可將電子部件連接在一起。這一想法可延伸到3D納米制造，例如在各燒結(jié)路徑后依序原地沉積納米粉體層而后進(jìn)行燒結(jié)。要建立3D燒結(jié)納米部件、微米部件或宏觀部件，用戶只需要改變尖端的類型和所用粉體的尺寸即可。此外，根據(jù)不同的系統(tǒng)設(shè)計，例如襯底和尖端材料，可通過尖端施加相對SPS很高的壓力，從而具有允許超快速燒結(jié)從而制造的效果。如所述，大部分的注意力都在大塊或相對較大粉體物質(zhì)的SPS (使用沖模/沖壓機(jī)配置)上。沒有期望轉(zhuǎn)向需要位置和路徑控制的SPS自動化、使用1D、2D或3D層疊粉體產(chǎn)生的器件，因為它需要考慮并了解電極尖端設(shè)計和材料選擇并了解微納尖端設(shè)計及修改，以便允許電流的通過、高壓力水平(若需要)、以及對微納電極的路徑和位置的精確控制。因此這是一項跨學(xué)科的實用新型。所揭示的工藝也可通過計算機(jī)輔助設(shè)計(CAD)資源直接制造實體物件。同樣，CAD工藝使用電極尖端和一裝置，后者使用高電流控制尖端的位置和路徑，從而激活各層中的納微粉體燒結(jié)工藝，形成ID、2D或3D物件。在一個優(yōu)選實施例中，在用所揭示燒結(jié)工藝潛在制造的物件或器件中，一種規(guī)格介于I納米到10微米之間的圓柱狀納米線。在另一優(yōu)選實施例中，一種手術(shù)擴(kuò)張架用鎳鈦或具有形狀記憶特征的類似物質(zhì)制得，其中所述擴(kuò)張架由成型的納米線構(gòu)成，其具有一種選自以下集合的形狀管、線圈、環(huán)、網(wǎng)或其他手術(shù)擴(kuò)張架中常見的形狀。這種擴(kuò)張架尤其適用于血管手術(shù)程序。在另一優(yōu)選實施例中，所揭示的工藝用于使用有機(jī)或無機(jī)燒結(jié)粉體材料制造分子線，所述線被制成具有一種選自以下集合的形狀單螺旋、雙螺旋、鏈、四面體、球體、圓柱、圓錐或其他有機(jī)或無機(jī)分子中常見的形狀。在另一優(yōu)選實施例中，一種由編織納米線構(gòu)成的薄片，其為柵格或鉆石的型樣，其中所述薄片用作一濾波器或膜。根據(jù)燒結(jié)粉末的組成，這種薄膜器件可具有大小可變的穿孔，也可以制造為其他有用的有關(guān)膜的特性如傳導(dǎo)性和電離性。在另一優(yōu)選實施例中，所揭示的工藝用于制造一種規(guī)格介于I納米到10微米之間的管狀器件，其中所述管的壁是實心的，且所述納米管的長度可變。在一更優(yōu)選的實施例中，所述管狀器件包括包括一個或一個以上壁，每一壁各包括一系列格子狀的三角形、正方形、五邊形、六邊形或八邊形。發(fā)明者也設(shè)想到了，本實用新型的創(chuàng)造性主題可以與已有的納米制造技術(shù)諸如溶液沉積、汽相沉積等相結(jié)合。參考文獻(xiàn)K. 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(2009)，doi :10. 1016/j. scriptamat. 2008. 12. 049(文字和圖式)，以及其他任何涉及到傳授本領(lǐng)域一般技術(shù)水平或為普通人理解本實用新型標(biāo)的而作必要披露的文獻(xiàn)。本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)清楚，在不脫離本實用新型的范圍的情況下，上述實施例可以進(jìn)行變更或非實質(zhì)性的改變。因此，本實用新型的范圍由隨附權(quán)利要求及與其等效表述所決定。
權(quán)利要求1.一種納米線，由本實用新型揭示的燒結(jié)工藝制得，其特征為具有圓柱形的形狀。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的納米線，其特征為所述線的規(guī)格介于I納米到10微米之間。
3.—種納米線手術(shù)擴(kuò)張架，由本實用新型揭示的燒結(jié)工藝、使用鎳鈦或具有形狀記憶特征的類似物質(zhì)的粉體制得，其中所述擴(kuò)張架包括根據(jù)權(quán)利要求I所述的納米線的網(wǎng)，其特征為具有一種選自以下集合的形狀管、線圈、環(huán)、網(wǎng)或其他手術(shù)擴(kuò)張架中常見的形狀。
4.一種由編織的納米線構(gòu)成的薄片，其特征為柵格或鉆石網(wǎng)的型樣，其中所述薄片用作濾波器或膜，并且所述納米線是根據(jù)權(quán)利要求I所述的納米線。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄片，其特征為所述薄片是使用包括膜相關(guān)特征的燒結(jié)粉體材料制得，其中所述膜相關(guān)特征包括但不限于傳導(dǎo)性和電離性。
專利摘要本實用新型涉及納米線、納米線手術(shù)擴(kuò)張架及由編織的納米線構(gòu)成的薄片，具體地，涉及一種使用如下工藝制造的1D、2D或3D的層疊式微納部件器件，如納米線、納米管或量子點所述工藝包括提供具有微尺度或納尺度尖端的電極，以及在存在微尺度或納尺度粉體的情況下向所述電極尖端施加電流。
文檔編號B82Y30/00GK202369385SQ201120322388
公開日2012年8月8日 申請日期2011年8月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月5日
發(fā)明者K·S·穆恩, 哈立德·莫爾斯 申請人:圣迭戈州立大學(xué)研究基金會