專利名稱：一種納米級(jí)TiC粉末材料的生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于納米材料加工領(lǐng)域，具體涉及一種具備高紅硬性和耐磨性的納米級(jí) TiC粉末材料的生產(chǎn)方法。
背景技術(shù)：
在鋼鐵工業(yè)領(lǐng)域，非常需要有一種高紅硬性的材料來(lái)滿足950°C以上高溫下加工 生產(chǎn)的要求。但是目前市場(chǎng)上這類材料相對(duì)來(lái)講比較缺乏。碳化鈦因其具備的熔點(diǎn)高、硬 度高、化學(xué)穩(wěn)定性好等特點(diǎn)在制造金屬陶瓷、耐熱合金和硬質(zhì)合金等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。目前用于合成TiC有多種方法，主要包括1、碳熱還原法工業(yè)用TiC粉體最初 是用碳黑還原TiA來(lái)制備的；2、直接碳化法利用Ti粉和炭粉反應(yīng)生成TiC粉體，上述 反應(yīng)需5 20小時(shí)才能完成，且反應(yīng)過(guò)程較難控制，反應(yīng)物團(tuán)聚嚴(yán)重，需進(jìn)一步的磨粉加 工才能制備出細(xì)顆粒TiC粉體；3、化學(xué)氣相沉積合成法利用TiCl4, H2和C之間的反應(yīng)， 反應(yīng)式如方程為TiCl4 (g) +2 (g) +C (s) = TiC (g) +4HC1 (g)，反應(yīng)物與灼熱的鎢或炭單絲接 觸而進(jìn)行反應(yīng)，TiC晶體直接生長(zhǎng)在單絲上，用這種方法合成的TiC粉體，其產(chǎn)量、有時(shí)甚 至質(zhì)量的提高受到限制，此外由于TiCl4和產(chǎn)物中的HCl有強(qiáng)烈的腐蝕性，對(duì)設(shè)備也要求苛 刻；4、高溫自蔓延合成法即SHS法，SHS法源于放熱反應(yīng)，當(dāng)加熱到適當(dāng)?shù)臏囟葧r(shí)，細(xì)顆粒 的Ti粉有很高的反應(yīng)活性，因此，一旦點(diǎn)燃后產(chǎn)生的燃燒波通過(guò)反應(yīng)物Ti和C就會(huì)有足夠 的反應(yīng)熱使之生成TiC。SHS法反應(yīng)極快，通常不到一秒鐘，但SHS法需要高純、微細(xì)的Ti 粉作原料，而且產(chǎn)量有限；5、反應(yīng)球磨技術(shù)制備納米TiC粉體反應(yīng)的球磨技術(shù)是利用金屬 或合金粉末在球磨過(guò)程中與其他單質(zhì)或化合物之間的化學(xué)反應(yīng)而制備出所需要材料的技 術(shù)。在球磨過(guò)程中實(shí)現(xiàn)了固態(tài)反應(yīng)，合成了納米TiC。但合成產(chǎn)物純度較低，提純困難；6、 微波合成納米TiC 利用微波能來(lái)對(duì)材料進(jìn)行加熱，其基本原理就是利用材料在高頻電場(chǎng) 中的介質(zhì)損耗，將微波能轉(zhuǎn)變成熱能，以TW2和炭黑為原料，利用碳熱還原反應(yīng)原理，用微 波合成TiC粉體。但合成產(chǎn)物純度較低，提純困難；7、利用TK2和C來(lái)合成TiC:反應(yīng)式 為TK2 (s) +2C (s) = TiC (s) +CS2 (g)，反應(yīng)要在高真空并加熱至2000°C的條件下才能進(jìn)行。 8、利用熔鹽法制備碳化鈦粉體將炭材料放置于坩堝內(nèi)，將一種或一種以上堿金屬或堿土 金屬的氯化物、氟化物、硝酸鹽、硫酸鹽或Na2TiF6材料與金屬鈦不混合或混合后覆蓋在坩 堝的碳材料上，在氬氣氛或隔絕空氣的條件下，以0. 1 30°C /分的升溫速率加熱坩堝至 600°C 1300°C，保溫0. 1 200小時(shí)后冷卻；再將熔鹽坩堝在水中煮沸后，取出不溶的碳 化鈦，經(jīng)水洗、干燥后即得。但合成產(chǎn)物純度較低，提純困難。綜上所述，在制備TiC的過(guò)程 中，存在著或制備成本較高，或提純困難，或轉(zhuǎn)化溫度較高，或產(chǎn)量、甚至質(zhì)量的提高受到限 制，或需要高純、微細(xì)的Ti粉作原料，或碳化鈦的形態(tài)難以控制等缺陷。目前，本領(lǐng)域常用的一種工藝是采用石油焦反應(yīng)球磨合成納米碳化物，需要在合 成過(guò)程中通入Ar的環(huán)境下完成合成。比如申請(qǐng)?zhí)枮镃N00136869. 9的中國(guó)發(fā)明申請(qǐng)公開(kāi)的 一種利用石油焦制備微米到微納米級(jí)碳化物陶瓷顆粒的方法，申請(qǐng)?zhí)枮镃N02159005. 2的 中國(guó)發(fā)明申請(qǐng)公開(kāi)的一種利用石油焦鹽浴合成制備TiC微納米陶瓷粉體的方法，申請(qǐng)?zhí)枮镃N02159006. 0的中國(guó)發(fā)明申請(qǐng)公開(kāi)的一種利用石油焦和TW2化學(xué)反應(yīng)法制備TiC陶瓷粉 體的方法及申請(qǐng)?zhí)枮镃N02159007. 9的中國(guó)發(fā)明申請(qǐng)公開(kāi)的一種利用石油焦化學(xué)反應(yīng)法制 備TiC陶瓷粉體的方法，這些合成方法存在的缺點(diǎn)有工藝方法效率低、產(chǎn)量小、顆粒不均 勻、合成時(shí)間長(zhǎng)且生產(chǎn)成本高。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述采用石油焦反應(yīng)球磨合成納米碳化物所存在的缺陷和不足，本發(fā)明 的目的在于提供一種生產(chǎn)效率高、產(chǎn)量大、顆粒均勻、合成時(shí)間短且生產(chǎn)成本低的納米級(jí) TiC粉末材料的生產(chǎn)方法。為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的發(fā)明目的，發(fā)明人提供如下技術(shù)方案 一種納米級(jí)TiC粉末材料的生產(chǎn)方法，其包括以Ti粉和活性碳粉為原材料，按重量比Ti粉和活性炭粉的配比為0. 9-1. 1 1. 1-0. 9 進(jìn)行配料，以不銹鋼球?yàn)榍蚰ソ橘|(zhì)，球料比為40-60 :1，通入H2進(jìn)行球磨，球磨時(shí)間為 50-100h,即可得到所述的納米級(jí)TiC粉末材料。作為優(yōu)選方案，本發(fā)明所述的納米級(jí)TiC粉末材料的生產(chǎn)方法，其中所述的Ti粉 其純度彡99%，粒度為100-180 μ m。研究發(fā)現(xiàn)，若Ti粉末的粒度大于180 μ m, Ti粉的純度 就小于99%，不利于TiC的合成。作為優(yōu)選方案，本發(fā)明所述的納米級(jí)TiC粉末材料的生產(chǎn)方法，其中所述的活性 碳粉其純度> 99%，粒度為160-190 μ m。研究發(fā)現(xiàn)，活性碳粉粒度太小不利于與Ti粉反復(fù) 碰撞后形成結(jié)合體，活性碳粉粒度太大不利于與Ti粉合成后形成均勻的納米級(jí)粉未。作為優(yōu)選方案，本發(fā)明所述的納米級(jí)TiC粉末材料的生產(chǎn)方法，其中所述的H2純 度為99. 999%。研究發(fā)現(xiàn)，H2不含其它成分純度越高越有利于加速合成的效應(yīng)。作為優(yōu)選方案，本發(fā)明所述的納米級(jí)TiC粉末材料的生產(chǎn)方法，其中所述的球磨 轉(zhuǎn)速為 700-750r/min。作為優(yōu)選方案，本發(fā)明所述的納米級(jí)TiC粉末材料的生產(chǎn)方法，其中所述的納米 級(jí)TiC粉末材料其晶粒度為30-200nm，其中晶粒度為30-50nm的粉末含量可達(dá)95%以上。作為優(yōu)選方案，本發(fā)明所述的納米級(jí)TiC粉末材料的生產(chǎn)方法，其中所述的納米 級(jí)TiC粉末的密度為4. 85-5. 79克/厘米3、熔點(diǎn)為3110_3200°C、沸點(diǎn)為4260-4350°C。本發(fā)明的生產(chǎn)方法對(duì)Ti粉和活性碳粉的機(jī)械合金化合成具有加速作用，其機(jī)理 是吐不僅能促使Ti、活性炭粉末的細(xì)化，使斷裂細(xì)化而產(chǎn)生的新鮮表面保持清潔，而且能增 強(qiáng)Ti的活性。本發(fā)明生產(chǎn)方法合成的TiC粉末顆粒尺寸為納米級(jí)，顆粒尺寸穩(wěn)定，隨著球 磨時(shí)間的延長(zhǎng)沒(méi)有發(fā)生變化。為詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明生產(chǎn)方法的優(yōu)點(diǎn)，發(fā)明人做了一系列的研究，如下 不同球磨條件下機(jī)械合金化合成TiC粉末，基本的實(shí)驗(yàn)條件是以Ti粉(純度為99%，粒度小于180 μ m)和活性碳粉(純度大于99%，粒度約180 μ m)為 原材料，按Ti粉和活性炭粉的重量配比為1 :1進(jìn)行配料，以Φ6πιπι的不銹鋼球與IOOmL的 不銹鋼球磨罐為球磨介質(zhì)，球料比為50 :1，球磨在行星式球磨機(jī)上進(jìn)行，球磨時(shí)罐內(nèi)通入 氣體進(jìn)行高能機(jī)械合成，球磨一定時(shí)間。得到的粉末經(jīng)XRD (X射線衍射)、掃描電鏡SEM、透 射電子顯微鏡ΤΕΜ、ΒΕΤ (即BET比表面積測(cè)試法)測(cè)定，結(jié)果見(jiàn)圖1、圖2、圖3、圖4和表1。
球磨的合成氣氛氛圍分別為低真空(1 左右)、高真空(10’a左右)、Ar氣、空氣 +H2 及 H2。球磨的時(shí)間為50h或IOOh。比較圖1和圖2中XRD圖譜，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，Ti和活性炭在5種球磨環(huán)境下都能 實(shí)現(xiàn)TiC的機(jī)械合金化合成，但合成速度有明顯的差異。相比較而言，在空氣瑪或H2環(huán)境 下機(jī)械合金化合成TiC的速度最快，在Ar環(huán)境下合成速度次之，低真空環(huán)境下的合成速度最慢。比較圖1和圖2中XRD圖譜還可以發(fā)現(xiàn)，經(jīng)過(guò)50h和IOOh球磨所合成TiC的衍 射峰寬化程度相近，而且TiC各個(gè)衍射峰的位置幾乎沒(méi)有改變。這表明最終合成的TiC粉 末的晶粒大小和結(jié)構(gòu)，隨著球磨時(shí)間的延長(zhǎng)幾乎沒(méi)有發(fā)生變化，從而可以說(shuō)明所合成的TiC 粉末其晶體是穩(wěn)定相。利用衍射譜線的峰形數(shù)據(jù)，能夠測(cè)定粉末樣品中平均晶粒的大小。當(dāng)晶粒直徑小 于200nm時(shí)，衍射峰開(kāi)始寬化，此時(shí)晶粒越小，寬化越多。將上述在5種不同球磨環(huán)境下實(shí) 現(xiàn)完全機(jī)械合金化合成的TiC寬化衍射譜線應(yīng)用kherrer方程DP=KA /(B-BO) COS θ⑴，計(jì)算所合成TiC粉末的平均晶粒尺寸，計(jì)算結(jié)果如表1所示。式(1)中，DP為晶粒直 徑；θ為衍射角；λ為實(shí)驗(yàn)用射線波長(zhǎng)(Cuka射線，λ=0. lM0598nm);K為固定常數(shù)，數(shù)值 取0. 9 ；BO為晶粒較大沒(méi)有寬化時(shí)的衍射線半高寬；B為待測(cè)樣品衍射線的半高寬(2 θ標(biāo) 度的峰)。表1的計(jì)算結(jié)果表明，在誤差范圍內(nèi)求得的TiC平均晶粒直徑比較接近，大約在7mm左 右。這與圖1和圖2所得的合成TiC的衍射譜線寬化程度相差不多的結(jié)果相一致。
圖3為Ti原始粉末、C原始粉末及其在Ar和仏環(huán)境下球磨不同時(shí)間所合成產(chǎn)物 的SEM形貌。Ti原始粉末、C原始粉末顆粒形狀極不規(guī)則，棱角分明，尺寸差別較大(如圖 3 (a)所示)；在Ar環(huán)境下球磨50h后出現(xiàn)層片狀與顆粒狀的混合粉末形貌(如圖3 (b)所 示)，其中層片狀是還未合成TiC的Ti與C焊合在一起的結(jié)合體，顆粒狀是已經(jīng)機(jī)械合金化 合成的TiC，由此看出，在Ar環(huán)境下經(jīng)過(guò)50h的球磨后，粉末經(jīng)歷反復(fù)地變形、斷裂、冷焊已 經(jīng)細(xì)化到一定程度并開(kāi)始發(fā)生TiC的機(jī)械合金化合成反應(yīng)；圖3 (b)是反應(yīng)物與合成產(chǎn)物 共存的狀態(tài)，顯現(xiàn)出粉末在合成前后的形貌特征。
在Ar環(huán)境下球磨IOOh后所合成產(chǎn)物的形貌反映的是完全合成的TiC團(tuán)聚體的形 貌，團(tuán)聚體的尺寸大小不一，外表圓滑，呈棉絮狀(如圖3 (c)所示)。在吐環(huán)境下球磨IOOh 后所合成產(chǎn)物的SEM形貌與Ar環(huán)境的相似，也是尺寸大小不一的棉絮狀團(tuán)聚體(如圖3(d) 所示)。由此可見(jiàn)，球磨IOOh后的粉末已由原始的粗大、棱角不規(guī)則的顆粒合成為無(wú)棱角、 圓滑的TiC棉絮狀、細(xì)小顆粒團(tuán)聚體。顆粒間的團(tuán)聚現(xiàn)象是由于高能球磨的冷焊作用所形 成的原子間結(jié)合力引起的，團(tuán)聚程度反映了高能球磨所合成產(chǎn)物顆粒細(xì)化的程度。圖4為在H2環(huán)境下Ti原始粉末、C原始粉末球磨IOOh后所合成產(chǎn)物的TEM顯微 照片。所合成的TiC顆粒呈現(xiàn)團(tuán)聚形貌，因此顆粒中存在明顯的界面。所合成TiC顆粒大都 是30 50nm的小顆粒(如圖4 (a)所示)，表明機(jī)械合金化合成的TiC顆粒十分細(xì)小，屬于 納米顆粒。圖4 (b)所示的電子衍射花樣表明機(jī)械合金化合成的TiC為晶體，且晶粒十分 細(xì)小。一般地，納米TiC顆粒由若干晶粒組成，因此納米TiC晶粒尺寸會(huì)更小。由此可證明 根據(jù)Scher-rer方程計(jì)算出的機(jī)械合金化合成TiC的平均晶粒直徑大約在7nm的合理性。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)有1、生產(chǎn)效率高、產(chǎn)量高、粉末顆粒均勻，所得到納米級(jí)TiC粉末經(jīng)電鏡、BET測(cè)定，晶粒 度為30-50nm的粉末約占整體的96%，晶粒度為80-200nm的粉末約占整體的4%，晶粒度為 200nm以上的粉末基本沒(méi)有。2、合成時(shí)間短，一般機(jī)械合金化合成進(jìn)行50-100小時(shí)即可，制造成本低(本發(fā)明 生產(chǎn)每公斤納米TiC粉末制造成本為10元左右，而其它方式每公斤制造成本在30元左右)。


圖1是Ti粉末、C原始粉末及其二者在不同球磨環(huán)境下球磨50h后合成產(chǎn)物的XRD 圖譜。圖2是Ti粉末、C原始粉末及其二者在不同球磨環(huán)境下球磨IOOh后合成產(chǎn)物的 XRD圖譜。圖3是Ti粉末、C原始粉末及其在Ar和H2環(huán)境下球磨不同時(shí)間所合成產(chǎn)物的SEM 形貌。圖4是在H2環(huán)境下Ti粉末、C原始粉末球磨IOOh后所合成產(chǎn)物的TEM顯微照片。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合實(shí)施例，更具體地說(shuō)明本發(fā)明的內(nèi)容。應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的實(shí)施并不局 限于下面的實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明所做的任何形式上的變通和/或改變都將落入本發(fā)明保護(hù)范圍。在本發(fā)明中，若非特指，所有的份、百分比均為重量單位，所有的設(shè)備和原料等均 可從市場(chǎng)購(gòu)得或是本行業(yè)常用的。主要原料和設(shè)備說(shuō)明Ti粉純度彡99%、粒度為100-180 μ m。活性碳粉純度彡99%、粒度為160-190 μ m。行星式球磨機(jī)型號(hào)為QM-RSP3，日本理學(xué)公司生產(chǎn)。H2 純度為 99. 999%ο
實(shí)施例1以Ti粉和活性碳粉為原材料，按Ti粉和活性炭粉的配比為1 :1進(jìn)行配料，以Φ6Π1Π1的 不銹鋼球與IOOmL的不銹鋼球磨罐為球磨介質(zhì)，球料比為50 :1。球磨在行星式球磨機(jī)上進(jìn) 行，球磨時(shí)罐內(nèi)通入H2進(jìn)行高能機(jī)械合成，球磨轉(zhuǎn)速為720r/min，球磨時(shí)間為100h。本實(shí) 施例制得的TiC粉末經(jīng)電鏡、BET測(cè)定，晶粒度為30-50nm的粉末約占整體的96%，晶粒度 為80-200nm的粉末約占整體的4%，晶粒度為200nm以上的粉末基本沒(méi)有，密度為4. 93克 /厘米3、熔點(diǎn)為3160°C、沸點(diǎn)為4300°C，粉末的綜合性能優(yōu)異。實(shí)施例2以Ti粉和活性碳粉為原材料，按Ti粉和活性炭粉的配比為0. 9 :1. 1進(jìn)行配料，以 Φ6πιπι的不銹鋼球與IOOmL的不銹鋼球磨罐為球磨介質(zhì)，球料比為60 :1。球磨在行星式球磨 機(jī)上進(jìn)行，球磨時(shí)罐內(nèi)通入H2進(jìn)行高能機(jī)械合成，球磨轉(zhuǎn)速為750r/min，球磨時(shí)間為50h。 本實(shí)施例制得的TiC粉末經(jīng)電鏡、BET測(cè)定，晶粒度為30-50nm的粉末約占整體的97%，晶 粒度為80-200nm的粉末約占整體的3%，晶粒度為200nm以上的粉末基本沒(méi)有，密度為4. 85 克/厘米3、熔點(diǎn)為3200°C、沸點(diǎn)為4350°C，粉末的綜合性能優(yōu)異。實(shí)施例3以Ti粉和活性碳粉為原材料，按Ti粉和活性炭粉的配比為1. 1 0. 9進(jìn)行配料，以 Φ6mm的不銹鋼球與IOOmL的不銹鋼球磨罐為球磨介質(zhì)，球料比為40 :1，球磨在行星式球磨 機(jī)上進(jìn)行，球磨時(shí)罐內(nèi)通入H2進(jìn)行高能機(jī)械合成，球磨轉(zhuǎn)速為700r/min，球磨時(shí)間為80h。 本實(shí)施例制得的TiC粉末經(jīng)電鏡、BET測(cè)定，晶粒度為30-50nm的粉末約占整體的95%，晶 粒度為80-200nm的粉末約占整體的5%，晶粒度為200nm以上的粉末基本沒(méi)有，密度為5. 79 克/厘米3、熔點(diǎn)為3110°C、沸點(diǎn)為4260°C，粉末的綜合性能優(yōu)異。應(yīng)用例高速線軋機(jī)是本領(lǐng)域常用的一種設(shè)備，現(xiàn)有的第六代高速線材軋機(jī)，為適應(yīng)高軋制速 度，在吐絲機(jī)前端加設(shè)了一條彎管，使線材在進(jìn)入吐絲機(jī)時(shí)以一定的角度進(jìn)入，可大大降低 吐絲機(jī)的繞絲壓力。但由于高速線材速度高達(dá)140米/秒，且工作溫度在950°C以上，彎管的 工作環(huán)境極其惡劣，磨損量極大，而彎管所需的巨大沖擊力使普通的硬質(zhì)合金根本無(wú)法承 受，往往是一沖擊就將彎管內(nèi)的硬質(zhì)合金完全擊碎，成為第六代高速線材軋機(jī)的一個(gè)瓶頸。 本發(fā)明提供的納米級(jí)TiC粉末材料是一種高紅硬性超細(xì)硬質(zhì)合金材料，在950°C的高溫下 能保持其強(qiáng)度和硬度不變，完全可以勝任高速線材的生產(chǎn)需要。采用上述實(shí)施例1-3制備 的納米級(jí)碳化鈦硬質(zhì)合金材料，發(fā)明人將其應(yīng)用于高速線材軋機(jī)用彎管盒，檢測(cè)結(jié)果顯示， 在950°C以上的高溫及140m/s高速?zèng)_擊下，可連續(xù)繞制10000噸以上，較原來(lái)鑄鐵彎管盒的 100噸提高了 100倍以上。獲得了顯著的經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效益。盡管發(fā)明人已經(jīng)對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做了較為詳細(xì)的闡述和列舉，應(yīng)當(dāng)理解，對(duì) 于本領(lǐng)域一個(gè)熟練的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，對(duì)上述實(shí)施例作出修改和/或變通或者采用等同的替 代方案是顯然的，都不能脫離本發(fā)明精神的實(shí)質(zhì)，本發(fā)明中出現(xiàn)的術(shù)語(yǔ)用于對(duì)本發(fā)明技術(shù) 方案的闡述和理解，并不能構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。
權(quán)利要求
1.一種納米級(jí)TiC粉末材料的生產(chǎn)方法，其包括以Ti粉和活性碳粉為原材料，按重量比Ti粉和活性炭粉的配比為0. 9-1. 1 1. 1-0. 9 進(jìn)行配料，以不銹鋼球?yàn)榍蚰ソ橘|(zhì)，球料比為40-60 :1，通入H2進(jìn)行球磨，球磨時(shí)間為 50-100h,即可得到所述的納米級(jí)TiC粉末材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)方法，其特征在于所述的Ti粉其純度>99%，粒度為 100-180 μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)方法，其特征在于所述的活性碳粉其純度>99%，粒度 為 160-190 μ m。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)方法，其特征在于所述的壓純度為99.999%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)方法，其特征在于所述的球磨轉(zhuǎn)速為700-750r/min。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)方法，其特征在于所述的納米級(jí)TiC粉末材料其晶粒 度為30-200nm，其中晶粒度為30-50nm的粉末含量達(dá)95%以上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的生產(chǎn)方法，其特征在于所述的納米級(jí)TiC粉末的密度 為 4. 85-5. 79 克 / 厘米 3、熔點(diǎn)為 3110-3200°C、沸點(diǎn)為 4260-4350°C。
全文摘要
本發(fā)明屬于納米材料加工領(lǐng)域，具體涉及一種納米級(jí)TiC粉末材料的生產(chǎn)方法，所述的生產(chǎn)方法包括以Ti粉和活性碳粉為原材料，按Ti粉和活性碳粉的原子比為0.9-1.11.1-0.9進(jìn)行配料，以不銹鋼球?yàn)榍蚰ソ橘|(zhì)，球料比為40-601，通入H2進(jìn)行球磨，球磨時(shí)間為50-100h，即可得到所述的納米級(jí)TiC粉末材料。本發(fā)明制備的納米級(jí)TiC粉末材料其晶粒度為30-200nm，其中晶粒度為30-50nm的粉末含量達(dá)95%以上，材料綜合性能好，且生產(chǎn)成本低。
文檔編號(hào)B82B3/00GK102050449SQ20101018636
公開(kāi)日2011年5月11日 申請(qǐng)日期2010年5月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月31日
發(fā)明者潘炎芳, 王勇偉 申請(qǐng)人:東陽(yáng)市沃諾斯硬質(zhì)合金有限公司