專利名稱：壓力傳感器及其制造方法和具備該壓力傳感器的電子部件的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種壓力傳感器，更詳細地說，涉及一種緩和由待測量 壓力以外的力產(chǎn)生的應力，難以發(fā)生特性變動的壓力傳感器及其制造方 法和具備該壓力傳感器的電子部件。
背景技術：
例如，如圖9(a)所示的現(xiàn)有的半導體壓力傳感器IIO在具有(IOO) 或(110)的面方位的珪基板111的表面llla中配置應變計電阻112， 并將其連接成惠斯登電橋從而構(gòu)成電氣回路，并形成對壓力傳感器的輸 入輸出用電極。然后，使用強堿溶液從硅基板111的背面lllb開始進 行各向異性蝕刻，由此形成用于檢知壓力變化的在機械上成為可動部的 膜片113。 一般對于現(xiàn)有的壓力傳感器使用這樣的制造工藝，但是在膜 片113的形成過程中，由于在硅的蝕刻面114中存在傾斜角度等原因， 在壓力傳感器的小型化中存在限制。另外，在形成膜片113之前的工藝 是在晶片狀態(tài)下進行的，然后作為壓力傳感器芯片被小片化，放入樹脂 等封裝體中。因此，在為了搭載在電子部件中而向基板安裝時，需要更 大的安裝面積、。
近年來，為了滿足壓力傳感器的小型化的要求，如圖9 (b)所示， 提出了具有膜片部121的超小型壓力傳感器120的方案，該膜片部121 在硅基板121內(nèi)形成了高為數(shù)nm的真空基準壓力室(腔體)122。該 壓力傳感器120例如如專利文獻1所記載，公開了一種芯片級封裝的壓 力傳感器。在該專利文獻l所公開的構(gòu)造中，被作為現(xiàn)有的壓力傳感器 封裝體所必需的內(nèi)置有壓力傳感器的殼體、將壓力傳感器和外部基板電 連接的金屬布線、導線等部件均不需要。另外，在形成膜片部123時， 由于也不需要自配置了壓電電阻124的半導體基板121的面121a的背 面?zhèn)萳'21b開始蝕刻半導體基板125而形成得te薄的工序，所以可以小 型化、薄形化。
專利文獻1:日本特開2007-248212號7>才艮
但是，在具有圖9所示的構(gòu)造的壓力傳感器中，從小型化的觀點看具有很大的優(yōu)點，關于安裝后的壓力傳感器的特征如以下所述，具有以
下幾點問題
1、 有可能因安裝之后的殘留應力使壓力傳感器產(chǎn)生特性變動。
2、 有可能由于熱應力的影響使壓力傳感器產(chǎn)生特性變動，該熱應 力是因溫度變化在壓力傳感器與安裝基板之間產(chǎn)生的熱應力。
3、 有可能因基板的變形、振動等機械上的外部因素使壓力傳感器 產(chǎn)生特性變動。
關于上述問題1，由于安裝基板和焊接凸塊125之間的焊接是通過 200"C以上的回流焊工序進行的，所以在冷卻到室溫的過程中由于安裝 基板與壓力傳感器芯片之間的熱膨脹系數(shù)之差而蓄積應力。由于該蓄積 的應力而有可能導致壓力傳感器特性變動。由于焊接凸塊125中使用的 材料是低熔點材料，所以在室溫下也發(fā)生蠕變變形等隨時間變化，安裝 后處于在室溫下放置狀態(tài)，則施加在壓力傳感器中的殘留應力隨時間變 化，其結(jié)果，有可能在壓力傳感器中產(chǎn)生特性變動。
上述問題2，在安裝后一旦冷卻之后，有可能由于周圍溫度的變化 而產(chǎn)生的熱應力導致壓力傳感器的輸出特性變動。這也是由于基板和傳 感器芯片的線膨脹系數(shù)之差而引起的。
上述問題3，安裝了壓力傳感器后的基板由于在使用時或搬運時可 能受到的基板的變形、振動、跌落等機械上的因素而施加的應力帶來壓 力傳感器的特性變動。
在1~3中的任一個的情況下，由于壓力傳感器的特性變動的因素是 帶來除待測量壓力以外的壓力變動的應力作用于膜片上的應變計電阻 的緣故，該應力自安裝基板通過凸塊傳遞到壓力傳感器。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述情況而做出的，其目的在于提供一種壓力傳感 器，該壓力傳感器可以抑制帶來除待測量壓力以外的壓力變動的應力， 使壓力傳感器的輸出特性難以發(fā)生變化。
本發(fā)明的技術方案一的壓々傳感器，至少具備半導體基板、在，斤 述半導體基板的一面在其中美區(qū)域的內(nèi)部與該一面大致平行地擴展A 第一空隙部、位于所述第一空隙部的一側(cè)且被薄板化的膜片部、配置在 所述膜片部上的感壓元件、以及在所述半導體基板的一面除所述膜片部 以外的邊緣區(qū)域中配置的與所述感壓元件電連接的凸塊，其特征在于，在所述半導體基板的內(nèi)部配置有第二空隙部，該第二空隙部配置在所述 邊緣區(qū)域的至少一部分中，相對于所述半導體基板的一面被封閉。
本發(fā)明技術方案二所述的壓力傳感器，在技術方案一中，所述第二 空隙部，從所述半導體基板的一面觀察，配置在至少與所述凸塊重疊的 位置。
本發(fā)明技術方案三所述的壓力傳感器，在技術方案二中，所述第二 空隙部，在所述半導體基板的側(cè)面被開放。
本發(fā)明技術方案四所述的壓力傳感器，在技術方案一中，所述第二 空隙部，配置在所述膜片部與配置了所述焊料凸塊的區(qū)域之間。
本發(fā)明技術方案五所述的壓力傳感器，在技術方案四中，所述第二 空隙部，按照包圍在所述半導體基板的一面配置了所述焊料凸塊的區(qū)域 的方式配置在所述半導體基板的內(nèi)部。
本發(fā)明技術方案六所述的電子部件，搭載了技術方案一 技術方案 五中任一項所述的壓力傳感器。
本發(fā)明技術方案七所述壓力傳感器的制造方法，該壓力傳感器至少具
備半導體M、在所述半導體J41的一面在其中央?yún)^(qū)域的內(nèi)部與該一面 大致平行地擴展的第一空隙部、位于所述第一空隙部的一側(cè)且被薄板化的 膜片部、配置在所述膜片部上的感壓元件、以及在所述半導體基板的一面 除所述膜片部以外的邊緣區(qū)域中配置的與所述感壓元件電連接的凸塊，其 中，在所述半導體基敗的內(nèi)部配置有第二空隙部，該第二空隙部配置在所 述邊緣區(qū)域的至少一部分中，相對于所述半導體基板的一面被封閉，該壓 力傳感器的制造方法特征在于，至少包括在所述半導體基敗中，形成所 述第一空隙部、所述第二空隙部、膜片部的工序；在所述膜片部上形成感 壓元件的工序；以及在所述半導體基仗的一面中形成與所述感壓元件電連 接的焊料凸塊的工序。
根據(jù)本發(fā)明的壓力傳感器，通過將第二空隙部配置在半導體基板內(nèi) 部的邊緣區(qū)域，可以用該第二空隙部緩和通過凸塊傳遞來的帶來除待測 量壓力以外的壓力變動的應力。因此，可以提供特性變動小的壓力傳感器。


圖l是示意性表示本發(fā)明第一實施方式的壓力傳感器的一例的圖。
5圖2是感壓元件的電氣布線圖。
圖3是示意性表示本發(fā)明第二實施方式的壓力傳感器的一例的圖。 圖4是示意性表示本發(fā)明第三實施方式的壓力傳感器的一例的圖。 圖5是示意性表示本發(fā)明第四實施方式的壓力傳感器的一例的圖。 圖6是示意性表示本發(fā)明第五實施方式的壓力傳感器的一例的圖。 圖7是示意性表示本發(fā)明的壓力傳感器的制造方法的一例的截面工 序圖。
圖8是示意性表示本發(fā)明的壓力傳感器的制造方法的另一例的截面 工序圖。
圖9是示意性表示現(xiàn)有的壓力傳感器的一例的截面圖。 圖中符號說明10(10A、 IOB、 IOC、 IOD、 10E)-壓力傳感器； ll-半導體基板；12-第一空隙部；13-膜片部；14-感壓元件；15-凸塊； 16、 26、 36、 46、 56-第二空隙部；17-縱孔；18-其他的半導體基板；19a-第一凹部；19b-第二凹部。
具體實施例方式
以下參考附圖，對本發(fā)明進行詳細的說明。本發(fā)明并不局限于此， 在不脫離本發(fā)明主旨的范圍內(nèi)可以進行各種變更。 (第一實施方式)
圖l是示意性表示本發(fā)明的壓力傳感器的第一實施方式的圖。圖1A 是截面圖，圖1B是俯視圖，圖1A表示沿著圖1B所示的L-L線的截面 圖。即圖1B是設置在膜片部13上的面lla。在圖1B中僅圖示了半導 體基板ll、第一空隙部12以及第二空隙部16。
圖1所示的第一實施方式的壓力傳感器10A大致包括半導體基板 11、在半導體基板11的一面lla中在其中央?yún)^(qū)域a的內(nèi)部與該一面lla 大致平行地擴展的第一空隙部12、位于第一空隙部12的一側(cè)12a的被 薄板化的膜片部13、配置在膜片部13上的感壓元件14以及在半導體基 板ll的一面lla中被配置在除膜片部13以外的邊緣區(qū)域P中與感壓元 件14電連接的凸塊15，在半導體基,11內(nèi)部具備第二空隙部16，該 第二空隙部16配置在邊緣區(qū)域P的直少一部分中，相對于半導體基板 ll的一面lla封閉。在本實施方式中，該第二空隙部16從半導體基板 11的一面lla觀察配置在至少與凸塊15重疊的位置。以下對各個部分 進行詳細的說明。半導體基板ll，例如由硅晶片等構(gòu)成即可。在該半導體基板ll的
內(nèi)部，在半導體基板11的一面lla中在其中央?yún)^(qū)域形成有笫一空隙部 12,在半導體基板11的一面lla和該第一空隙部12之間，形成^L薄板 化的膜片部13。另外，在半導體基板ll的內(nèi)部，在半導體基板ll的一 面lla中在其邊緣區(qū)域P中形成有第二空隙部16。除了待測量壓力以外 的施加在壓力傳感器IO上的應力，通過該第二空隙部16、和第二空隙 部16和半導體基板11的一面lla之間的薄板部llc被緩和，抑制該應 力對膜片部13帶來的影響。
第一空隙部12是指在半導體基板11的一面lla側(cè)形成的空間。本 發(fā)明中的第一空隙部12是使膜片部13的一面13a暴露在半導體基板11 內(nèi)部的密封空間中的密封型的第一空隙部12。適當調(diào)整第一空隙部12 的大小進行設定，以使膜片部13為期望的厚度。
膜片部13,在測量對象的負載壓力范圍內(nèi)只要可以得到壓力與靜電 電容的線性關系，則其形狀沒有特別的限定，可以做成長方形、正方形、 圓形等形狀，在本例中為長方形。
感壓元件14,是配置在膜片部13的周邊部的應變計電阻(R1 R4), 輸出信號按照膜片部13的彎曲程度而變化，由此檢測到壓力。圖2是 感壓元件14的電氣布線圖。如圖2所示，該各個應變計電阻(R1 R4) 通過未圖示的引線被電連接成惠斯登電橋。在膜片部13的周邊部由于 壓縮和拉伸兩種應力容易施加在感壓元件14中，所以可以得到靈敏度 良好的壓力傳感器10。
另外，感壓元件14的設置位置，除了如上述實施方式所示在膜片部 13的附近嵌入半導體基板11的一面lla中以外，還可以形成為例如在 半導體基板ll的一面lla上突出等，只要是能夠檢測到膜片部13的彎 曲的位置，可以設置在任何位置。
凸塊15，是將壓力傳感器10與例如層疊基板等其他的基體電連接 的部件。對凸塊15沒有特別的限定。通過經(jīng)由凸塊15將壓力傳感器IO 與層疊基板等其他的基體電連接，在基體和壓力傳感器10之間形成分 離部。通過這樣配置分離部，壓力傳感器10不會從層疊基板等直接受 到應力，因此可以緩^該應力。 '
第二空隙部16是位于半導體基板11的內(nèi)部的封閉空間，在半導體 基板ll的一面lla中，配置在其邊緣區(qū)域P。對于第二空隙部16的大 小，只要能夠緩和施加在壓力傳感器10上的應力和待測量壓力等，沒有特別的限定，對應所適用的壓力傳感器10進行適當?shù)卣{(diào)節(jié)即可。優(yōu) 選第二空隙部16的高度以及在半導體基板11的厚度方向中的位置與第 一空隙部12相同，第一空隙部12和第二空隙部16可以在同一工序中 形成。
另外，第二空隙部16的形狀，在本實施方式中為四棱柱，但是其 形狀沒有特別的限定，例如也可以是圖3所示的圓柱狀，也可以是多棱 柱狀。另外，第二空隙部16的端部也可以是用圖7的制造方法所得到 的壓力傳感器那樣的曲面。按照施加在壓力傳感器10中的應力的大小 和方向等適當?shù)卦O計變更第二空隙部16的形狀，由此可以進一步有效 地緩和應力，得到難以發(fā)生特性變動的壓力傳感器。
根據(jù)第一實施方式的壓力傳感器IOA,在通過在半導體基板11的內(nèi) 部且半導體基板ll的一面lla的邊緣區(qū)域P設置第二空隙部16,可以 緩和通過凸塊15傳遞到壓力傳感器10A的來自外部的應力或待測量壓 力。特別是將本發(fā)明的壓力傳感器10A安裝到一般的玻璃環(huán)氧樹脂制的 FR4基板等當中時，由于該基板和半導體基板11之間線性膨脹系數(shù)之 差大，所以經(jīng)由凸塊5產(chǎn)生由于周圍的溫度變化引起的熱應力或殘留應 力。此時，凸塊15和第二空隙部16之間的半導體基板11的薄板部llc 和第二空隙部16成為應力緩和部，因此可以緩和這些應力。另外，還 可以緩和半導體基板11的變形或壓力傳感器10A的振動、跌落等引起 的應力的影響。
如本實施方式所示，從半導體基板11的一面lla側(cè)觀察該第二空 隙部16,其配置在與凸塊15重疊的位置，由此可以更有效地緩和施加 在凸塊15中的應力。因此，可以抑制該應力對壓力傳感器11A的輸出 特性的影響，得到維持期望的輸出特性的壓力傳感器IOA。
(第二實施方式)
圖3是示意性表示本發(fā)明第二實施方式的壓力傳感器10B的圖。圖 3A是截面圖，圖3B是俯視圖，圖3A是表示沿著圖3B所示的L-L線 的截面的圖。即，圖3B是設置了膜片部13的面lla。另外，在圖3B 中，僅圖示了半導體基板ll、第一空隙部12以及第二空隙部26。
術實施方式中的壓力傳感器10B與第一實'施方式的壓力傳感器10A 的不同點在于第二空隙部26的形狀為圓柱狀。對于與第一實施方式相 同的部件標記相同的符號，省略其說明。
這樣，通過改變第二空隙部26的形狀，應力對膜片部13的傳播不同，可以進一步緩和經(jīng)由凸塊15傳遞來的應力。
特別是通過將第二空隙部26的形狀做成圓柱狀，在第二空隙部26 中消除了使應力集中之類的突出部，因此可以更有效地分散施加在壓力 傳感器IOB上的應力。
(第三實施方式)
圖4是示意性表示本發(fā)明笫三實施方式的壓力傳感器10c的圖。圖 4A是截面圖，圖4B是俯視圖，圖4A是表示沿著圖4B所示的L-L線 的截面圖。即，圖4B是設置了膜片部13的面lla的圖。另外，在圖 4B中，僅圖示了半導體基板ll、第一空隙部12以及第二空隙部26。
本實施方式中的壓力傳感器10C與第一實施方式的壓力傳感器10A 的不同點在于，第二空隙部36在半導體基板11的側(cè)面lld被開放。對 與第一實施方式相同的部件標記相同的符號，省略其說明。
在本實施方式中，第二空隙部36按照擴展到半導體基板11的側(cè)面 lld的方式進行配置，因此支持薄板部llc的部分成為半導體基板11的 側(cè)面lld側(cè)，可以得到更大的應力緩和效果。
(第四實施方式)
圖5是示意性表示本發(fā)明第四實施方式的壓力傳感器10D的圖。圖 5A是截面圖，圖5B是俯視圖，圖5A是表示沿著圖5B所示的L-L線 的截面的圖。即，圖5B是設置了膜片部13后的面lla的圖。另外，在 圖5B中僅圖示了半導體基板ll、第一空隙部12以及第二空隙部46。
本實施方式中的壓力傳感器10D與第一實施方式的壓力傳感器 10A的不同點在于，第二空隙部46 皮配置在膜片部13與配置了凸塊15
的半導體基板11的正下部的區(qū)域Y之間。與第一實施方式相同的部件 標記相同的符號，省略其說明。
通過將第二空隙部46按照本實施方式進行配置，可以得到切斷在 凸塊15的正下方產(chǎn)生的應力在膜片部13中傳播的路徑的效果。因此， 可以更有效地抑制通過凸塊15傳播來的應力對膜片部13的影響，因此 可以得到輸出特性難以發(fā)生變化、維持期望的輸出特性的壓力傳感器 IOD。
(第五實施方式)
圖6是示意性表示本發(fā)明第五實施方式的壓力傳感器10E的圖。圖 6A是截面圖，圖6B是俯視圖。圖6A是表示沿著圖6B所示的L-L線 的截面的圖。即圖6B是設置了膜片部13的面lla的圖。此外，在圖
96B中僅圖示了半導體基板11、第一空隙部12以及第二空隙部56。
本實施方式的壓力傳感器10E與第一實施方式的壓力傳感器10A 不同點在于，按照包圍配置了凸塊15的半導體基板11的正下方的區(qū)域 Y的方式配置第二空隙部56。對于與第一實施方式相同的部件標記相同 的符號，省略其說明。
本實施方式的壓力傳感器10E可以遮斷在凸塊15正下方產(chǎn)生的應 力在膜片部13中傳播的路徑，且可以有效地降低在凸塊15中產(chǎn)生的應 力。
另外，通過將該第二空隙部56按照在半導體基板11的側(cè)面lld開 放的方式配置，與上述第三實施方式相同，可以進一步緩和通過凸塊15 傳遞來的應力。
(壓力傳感器的制造方法)
圖7是示意性表示壓力傳感器10的制造方法的一例的截面工序圖。
關于在半導體基板11內(nèi)部制造空隙部的方法有幾個報告，例如， S.Armbruster等的凈艮告(A NOVEL MICROMACHINING PROCESS FOR THE FABRICATION OF MONO CRYSTALLINE SI-MEMBRANES USING POROUS SILICON ，Digest of Technical Papers Transducers., 03， 2003， pp.246.)所示。
首先，如圖7(a)所示，在半導體基板ll的一面11a中形成相對 于半導體基板11的厚度方向垂直的縱孔17。關于縱孔17的形成方法沒 有特別的限定，可以用公知的方法進行。
接著，如圖7B所示，通過在某種條件下進行熱處理，在半導體基 板ll的內(nèi)部發(fā)生反應，在半導體基板ll中形成圖7B的第一空隙部12 和第二空隙部16。
在形成縱孔17進行熱處理時，如果將第一空隙部12和第二空隙部 16之間的距離和大小設計為最佳值，則可以通過一次的形成工序分別形 成兩個獨立的第一空隙部12和第二空隙部16。
接著，如圖7C所示，在半導體基板11的一面lla的膜片部13附 近形成感壓元件14(例如壓電電阻元件)。感壓元件14(壓電電阻元件) 的形成方法沒有特別的限定，可以用7>知的方法形成。'例如可以通過在 硅基板11中通過注入硼等擴散源而形成。此時，如圖2所示感壓元件 14按照構(gòu)成惠斯登電橋的方式形成。
而且，如圖7D所示，在半導體基板ll的一面lla中，在邊緣區(qū)域
10P中形成凸塊15。通過以上可以得到本發(fā)明的壓力傳感器10。
根據(jù)本發(fā)明的制造方法，在同一工序中制造第一空隙部12和第二 空隙部16，因此其制造工序與制造不具備第二空隙部16的現(xiàn)有的壓力 傳感器的工序沒有什么變化，不需要特別的裝置或工序可以筒單地制 造。
圖8是示意性表示壓力傳感器的制造方法的另一例子的截面工序圖。
首先，如圖8A所示，在半導體基板ll的一面lla中，在其中央?yún)^(qū) 域ot中形成構(gòu)成第一空隙部12的第一凹部19a;在邊緣區(qū)域P形成構(gòu)成 第二空隙部16的第二凹部19b。該第一凹部19a和第二凹部19b的形 成方法沒有特別的限定，可以通過SF6氣體的等離子體蝕刻、或激光、 濕式蝕刻等而形成。
接著，如圖8B所示，在半導體基板ll的一面lla中，粘貼其他的 半導體基板18。作為其他的半導體基板18，可以使用與半導體基板ll 相同組成的基板。然后，如圖8C所示，通過研磨其他的半導體基板18 的一面18a使其薄化達到期望的厚度，形成膜片部13。
然后，如圖8D所示，在被薄化之后的其他的半導體基板18的面18b 中形成感壓元件14(例如壓電電阻元件)。感壓元件14(壓電電阻元件) 的形成方法沒有特別的限定，可以通過7>知的方法形成，例如可以通過 在硅基板(其他的半導體基板18)中注入硼等擴散源而形成。此時，如 圖2所示感壓元件14按照構(gòu)成惠斯登電橋的方式配置。
之后，如圖8D所示，在其他的半導體基板18的邊緣區(qū)域P中形成 凸塊15。通過以上可以得到本發(fā)明的壓力傳感器。
根據(jù)本發(fā)明的制造方法，在同一工序中制造第一空隙部12和第二 空隙部16，因此與制造不具備第二空隙部16的現(xiàn)有的壓力傳感器的工 序相比沒有什么變化，不需要特別的裝置或工序可以簡單地制造。
另外，本發(fā)明的電子部件，具備上述第一實施方式 第五實施方式 中任一項所述的壓力傳感器。而且，在安裝本發(fā)明的壓力傳感器時，緩 和了安裝后的殘留應力、熱應力。因此，由于減少了自外部通過凸塊傳 來的應力對該電子部件所產(chǎn)生的影響，'所以提供了一種可以高精度、再 現(xiàn)性優(yōu)良地檢測壓力的電子部件。 (產(chǎn)業(yè)上應用的可能性)
本發(fā)明的壓力傳感器，由于可以提供一種緩和施加在該壓力傳感器上的應力維持期望的輸出特性的壓力傳感器，所以例如在大氣壓力或水壓 力、油壓力等的測量用途中被^f吏用，適用于進行高精度、再現(xiàn)性優(yōu)良的測 量的各種電子部件。
權(quán)利要求
1、一種壓力傳感器，至少具備半導體基板、在所述半導體基板的一面在其中央?yún)^(qū)域的內(nèi)部與該一面大致平行地擴展的第一空隙部、位于所述第一空隙部的一側(cè)且被薄板化的膜片部、配置在所述膜片部上的感壓元件、以及在所述半導體基板的一面除所述膜片部以外的邊緣區(qū)域中配置的與所述感壓元件電連接的凸塊，其特征在于，在所述半導體基板的內(nèi)部配置有第二空隙部，該第二空隙部配置在所述邊緣區(qū)域的至少一部分中，相對于所述半導體基板的一面被封閉。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓力傳感器，其特征在于，所述第二空 隙部，從所述半導體基板的一面觀察，配置在至少與所述凸塊重疊的位 置。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的壓力傳感器，其特征在于，所述第二空 隙部，在所述半導體基板的側(cè)面被開放。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓力傳感器，其特征在于，所述第二空 隙部，配置在所述膜片部與配置了所述焊料凸塊的區(qū)域之間。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的壓力傳感器，所述第二空隙部，按照包 圍在所述半導體基板的一面配置了所述焊料凸塊的區(qū)域的方式配置在 所述半導體基板的內(nèi)部。
6、 一種電子部件，搭載了權(quán)利要求l-權(quán)利要求5中任一項所述的 壓力傳感器。
7、 一種壓力傳感器的制造方法，該壓力傳感器至少具備半導體 基板、在所述半導體基板的一面在其中央?yún)^(qū)域的內(nèi)部與該一面大致平行 地擴展的第 一空隙部、位于所述笫 一 空隙部的 一側(cè)被薄板化的膜片部、 配置在所述膜片部上的感壓元件、以及在所述半導體基板的一面除所述 膜片部以外的邊緣區(qū)域中配置的與所述感壓元件電連接的凸塊，其中， 在所述半導體基板的內(nèi)部配置有第二空隙部，該第二空隙部配置在所述 邊緣區(qū)域的至少一部分中，相對于所述半導體基板的一面被封閉，該壓 力傳感器的制造方法特征在于，至少包括在所述半導體基;tf中，形成所述第一空隙部、所述第二空，隙部、膜 片部的工序； ' '在所述膜片部上形成感壓元件的工序；以及在所述半導體基板的一面中形成與所述感壓元件電連接的焊料凸 塊的工序。
全文摘要
本發(fā)明涉及壓力傳感器及其制造方法和具備該壓力傳感器的電子部件，該壓力傳感器至少具備半導體基板(11)、在半導體基板(11)的一面(11a)在其中央?yún)^(qū)域(α)的內(nèi)部與該一面(11a)大致平行擴展的第一空隙部(12)、位于第一空隙部(12)的一側(cè)被薄板化膜片部(13)、配置在膜片部(13)上的感壓元件(14)以及在半導體基板(11)的一面(11a)除膜片部(13)以外的邊緣區(qū)域(β)中配置的與感壓元件(14)電連接的凸塊(15)，在半導體基板(11)的內(nèi)部配置在邊緣區(qū)域(β)的至少一部分中，相對于半導體基板(11)的一面(11a)封閉的第二空隙部(16)。
文檔編號B81C99/00GK101566510SQ20091013532
公開日2009年10月28日 申請日期2009年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月24日
發(fā)明者山本敏, 村重伸一 申請人:株式會社藤倉