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一種三維神經(jīng)微電極陣列的制作方法

文檔序號:5268546閱讀:562來源:國知局
專利名稱:一種三維神經(jīng)微電極陣列的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于微電極的微加工技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種三維神經(jīng)微電極陣列的制作方法。
背景技術(shù)
神經(jīng)微電極陣列是實現(xiàn)腦機接口 (brain-machine-interface)等神經(jīng)系統(tǒng)與外界儀器連接 不可缺少的工具,為了獲得神經(jīng)信號,各種基于微加工制作的微電極陣列得到了發(fā)展,其 中三維微電極陣列的制作比較復(fù)雜,成本很高,但是具有很大的應(yīng)用前景。典型的三維神經(jīng)微電極陣列主要有Utah型和Michigan型,兩者都是基于硅的微加工 技術(shù),制作復(fù)雜,對設(shè)備要求很高。制作高深寬比三維微結(jié)構(gòu)的方法主要有LIGA(德文 Uthographie光亥U, Galvanoformung電鑄和Abformung模壓的縮寫)技術(shù)、基于SU-8膠的 準(zhǔn)LIGA技術(shù)和硅的深刻蝕技術(shù),用這三種方法制作三維神經(jīng)微電極并不能降低制作成 本。PDMS(聚二甲基硅氧烷)的出現(xiàn)對三維結(jié)構(gòu)的微加工開辟了一種新途徑,由于PDMS 無毒,容易制備,柔軟韌性好,有較好的化學(xué)穩(wěn)定性和微復(fù)制性能,許多基于PDMS的 微結(jié)構(gòu)器件得到了開發(fā)。把PDMS微復(fù)制特性與電鍍技術(shù)相結(jié)合制作三維電極陣列,工 藝簡單,可以大大降低成本。 發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提出一種工藝簡單、成本降低的制作三維神經(jīng)微電極陣列的方法。本發(fā)明提出的三維神經(jīng)微電極的制作方法,其步驟如圖3所示。具體步驟如下(a) 以表面平整的玻璃做基底;(b) 用精密銑切機在基底表面劃出三維電極陣列圖形;(c) 用PDMS掩蔽玻璃柱子陣列和玻璃圖形,用HF/NH4F(0.5: 0.7—0.5: 0.8mol/L) 的混合液40-5(TC腐蝕玻璃片,使腐蝕面與劃痕底基本相平,500°C 60(TC退火去掉PDMS, 再以同樣的條件腐蝕玻璃,使玻璃柱子成為上小下大錐形結(jié)構(gòu);(d) 將PDMS前體與凝固劑的混合液攪拌均勻,并澆注到玻璃的腐蝕圖形中,水平放置 玻璃片,使混合液表面平整,并低于玻璃柱子陣列的上表面;10CTC-12(TC加熱玻璃片10-15 分鐘,使混合液凝固成PDMS韌性薄膜;(e) 揭下PDMS薄膜,貼在銅籽晶載波片襯底上; (f) 用氧等離子體處理PDMS,然后放入電鍍液中室溫脈沖鍍銅,使銅填滿PDMS中的 圓孔;(g) 去掉PDMS形成銅三維神經(jīng)微電極陣列。本發(fā)明中銅籽晶載波片的制作步驟(a2)用清洗了的載波片作基底;(b2)蒸發(fā)Au/Cr 作電鍍基底,Cr作黏附層;(c2)脈沖電鍍銅籽晶層。 本發(fā)明中用到的實驗裝置簡圖如圖1、圖2。本發(fā)明利用玻璃模具、PDMS的微復(fù)制特性和電鍍技術(shù)制作三維微電極陣列,用精密 切割機切割玻璃形成柱狀陣列,用HF和NH4F的混合液腐蝕出相應(yīng)的結(jié)構(gòu)作為PDMS微 復(fù)制的模具,免去了光刻工藝,消除了光刻膠對三維結(jié)構(gòu)尺寸的限制,可以制作更大長度 的微電極陣列,這一長度決定于玻璃的切割深度和金屬的深孔電鍍技術(shù)。本發(fā)明方法,工 藝簡單,可以大大降低成本。


圖l為旋轉(zhuǎn)腐蝕裝置簡圖。圖2為電鍍裝置簡圖。圖3為制作方法具體流程圖。圖4為用本方法制作的銅微電極陣列SEM圖a為三排整齊的微電極陣列,b為過電 鍍的陣列,c為單根微電極,電極高度約180微米。圖中標(biāo)號1為恒溫水浴槽,2為腐蝕溶液槽,3為蝕對象(玻璃片),4為固定玻璃片 的抓手,5為旋轉(zhuǎn)盤,6為旋轉(zhuǎn)桿,7為支架,8為磁力攪拌器,9為脈沖電鍍電源,10為 有機玻璃電鍍槽,11為磁力攪拌轉(zhuǎn)子,12為電鍍對象(PDMS模子覆蓋的銅籽晶層),13 為電鍍銅陽極,14為電鍍連線。
具體實施方式
制作流程如圖3所示(a)以2mm厚的玻璃做基底,(b)用銑切機以30000轉(zhuǎn)/min 的速度在基底表面劃出四個4X8的陣列圖形,劃片深度約200prn, (c)用PDMS掩蔽玻璃 柱子陣列和玻璃圖形,50'C下HF/NH4F(0.5:0.75mol/L)的混合液腐蝕玻璃片約200nm,每 隔約20min檢査一下玻璃基底,并用去離子水超聲清洗,使腐蝕面與劃痕底基本相平,500 'C高溫退火去掉PDMS,再以同樣的條件腐蝕模子約30min,使玻璃柱子成為上小下大結(jié) 構(gòu),(d)澆注攪拌均勻了的PDMS前體和凝固劑(體積比10:1),靜置15min,使混合液表面 平整,并低于玻璃柱子陣列的上表面;把玻璃片放在12(TC的熱板上加熱約5min,混合液 凝固成PDMS韌性薄膜,(e)揭下PDMS,貼在銅籽晶的載波片襯底上,(f)用氧等離子體處 理PDMS,使PDMS表面變?yōu)橛H水的,放入電鍍液中室溫脈沖鍍銅,脈沖周期lms,占空
比1:10,使銅填滿PDMS中的圓孔,(g)把鍍了銅的玻璃基底放入lmol/L的四丁基氟化銨 的四氫呋喃溶液中,常溫約2小時,去掉PDMS,即形成所需銅三維微電極陣列。銅籽晶載波片的制作(a2)用清洗了的載波片作基底,(b2)蒸發(fā)約2000人的Au/Cr, Cr 作黏附層,(c2)脈沖電鍍銅籽晶層,脈沖周期lms,占空比1:10。
權(quán)利要求
1、 一種三維神經(jīng)微電極陣列的制作方法,其特征在于具體步驟如下(a) 以表面平整的玻璃做基底;(b) 用精密銑切機在基底表面劃出三維電極陣列圖形;(cl)用PDMS掩蔽玻璃柱子陣列和玻璃圖形,用HF/NH4F的混合液40-50'C腐蝕玻 璃片,使腐蝕面與劃痕底基本相平,50(TC 60(TC退火去掉PDMS,再以同樣的條件腐蝕 玻璃,使玻璃柱子成為上小下大錐形結(jié)構(gòu);混合液中HF和NH4F的比例為0.5: 0.7—0.5: 0,8mol/L;(d) 將PDMS前體與凝固劑的混合液攪拌均勻,并澆注到玻璃的腐蝕圖形中,水平放置 玻璃片,使混合液表面平整,并低于玻璃柱子陣列的上表面;100'C-12(TC加熱玻璃片10-15 分鐘,使混合液凝固成PDMS韌性薄膜;(e) 揭下PDMS薄膜,貼在銅籽晶載波片襯底上;(f) 用氧等離子體處理PDMS,然后放入電鍍液中室溫脈沖鍍銅,使銅填滿PDMS中的 圓孔;(g) 去掉PDMS形成銅三維神經(jīng)微電極陣列;其中,PDMS為聚二甲基硅氧垸。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法,其特征在于所述銅籽晶載波片的制作步驟如下 銅籽晶載波片的制作(a2)用清洗了的載波片作基底;(b2)蒸發(fā)Au/Cr作電鍍基底,Cr作 黏附層;(c2)脈沖電鍍銅籽晶層。
全文摘要
本發(fā)明屬于微電極微加工技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種三維神經(jīng)微電極陣列的制作方法。本發(fā)明利用玻璃模具、PDMS的微復(fù)制特性和電鍍技術(shù)制作三維微電極陣列,用精密切割機切割玻璃形成柱狀陣列,用HF和NH<sub>4</sub>F的混合液腐蝕出相應(yīng)的結(jié)構(gòu)作為PDMS微復(fù)制的模具,免去了光刻工藝,消除了光刻膠對三維結(jié)構(gòu)尺寸的限制,可以制作更大長度的微電極陣列,這一長度決定于玻璃的切割深度和金屬的深孔電鍍技術(shù)。本發(fā)明方法,工藝簡單,可以大大降低成本。
文檔編號B81C1/00GK101121500SQ200710045640
公開日2008年2月13日 申請日期2007年9月6日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月6日
發(fā)明者呂尊實, 嘉 周, 是慧芳, 黃宜平 申請人:復(fù)旦大學(xué)
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