專利名稱：：用于在mems裝置內(nèi)形成層以實現(xiàn)錐形邊緣的方法
技術(shù)領域：
：無
背景技術(shù)：
：微機電系統(tǒng)(MEMS)包含微機械元件、激活器和電子元件?？墒褂贸练e、蝕刻和/或其它蝕刻去除襯底和/或己沉積材料層的部分或者添加層以形成電裝置和機電裝置的微加工工藝來產(chǎn)生微機械元件。一種類型的MEMS裝置稱為干涉式調(diào)制器。如本文所使用，術(shù)語干涉式調(diào)制器或干涉式光調(diào)制器指的是一種使用光學干涉原理選擇性地吸收且/或反射光的裝置。在某些實施例中，干涉式調(diào)制器可包括一對導電板，其中之一或兩者可能整體或部分透明且/或具有反射性，且能夠在施加適當電信號時進行相對運動。在特定實施例中，一個板可包括沉積在襯底上的固定層，且另一個板可包括通過氣隙與固定層分離的金屬薄膜。如本文更詳細描述，一個板相對于另一個板的位置可改變?nèi)肷湓诟缮媸秸{(diào)制器上的光的光學干涉。這些裝置具有廣范圍的應用，且在此項技術(shù)中，利用且/或修改這些類型裝置的特性使得其特征可被發(fā)掘用于改進現(xiàn)有產(chǎn)品和創(chuàng)建尚未開發(fā)的新產(chǎn)品，將是有益的。
發(fā)明內(nèi)容在一個實施例中，提供一種制造MEMS裝置的方法，所述方法包含形成電極層；在所述電極層上形成掩模；使用所述掩模圖案化所述電極層以形成隔離電極部件；以及使所述電極部件成錐形以形成向外成錐形的邊緣部分，其中所述掩模的至少一部分在成錐形期間保持在適當位置。在另一實施例中，提供一種制造MEMS裝置的方法，所述方法包含在襯底上形成犧牲層；圖案化所述犧牲層以形成孔；在所述圖案化犧牲層上形成支撐層；在所述支撐層上形成掩模；使用所述掩模圖案化所述支撐層以形成至少部分位于所述犧牲層中的所述孔內(nèi)的至少一個支撐結(jié)構(gòu)；以及使所述支撐結(jié)構(gòu)成錐形以形成錐形邊緣，其中所述掩樓的至少一部分在成錐形期間保持在適當位置。在另一實施例中，提供一種制造MEMS裝置的方法，所述方法包含在襯底上形成電極層；在所述電極層上形成犧牲層；圖案化所述犧牲層以形成延伸穿過所述犧牲層的至少一個錐形孔；形成上覆在延伸穿過所述犧牲層的所述錐形孔上的包含孔的掩模層，所述掩模層包含在所述掩模層中的所述孔周圍延伸的懸置部分；在所述掩模層上沉積支撐層；經(jīng)由剝離工藝去除所述掩模層，從而形成至少部分位于延伸穿過所述犧牲層的所述錐形孔內(nèi)的支撐結(jié)構(gòu)；以及在鄰近于所述支撐結(jié)構(gòu)處形成可移動層。在另一實施例中，提供一種制造MEMS裝置的方法，所述方法包含在襯底上形成電極層；在所述電極層上形成掩模，其中所述掩模包含圍繞所述掩模的外圍延伸的負角；在所述掩模上沉積犧牲材料層；經(jīng)由剝離工藝去除所述掩模，從而形成包含錐形孔的犧牲層；形成至少部分位于所述錐形孔內(nèi)的支撐結(jié)構(gòu)；以及在鄰近于所述支撐結(jié)構(gòu)處形成可移動層。在另一實施例中，提供一種制造MEMS裝置的方法，所述方法包含在襯底上形成下部電極層；在所述電極層上形成犧牲層；形成上覆在所述犧牲層上的掩模層，所述掩模層包含孔，所述孔具有在所述孔的邊緣周圍延伸的懸置部分；在所述掩模層上沉積電極材料層；經(jīng)由剝離工藝去除所述掩模層，從而形成具有向外成錐形的邊緣的至少一隔離電極部件。圖l是描繪干涉式調(diào)制器顯示器的一個實施例的一部分的等角視圖，其中第一干涉式調(diào)制器的可移動反射層處于松弛位置，且第二干涉式調(diào)制器的可移動反射層處于激活位置。圖2是說明并入有3x3干涉式調(diào)制器顯示器的電子裝置的一個實施例的系統(tǒng)方框圖。圖3是圖1的干涉式調(diào)制器的一個示范性實施例的可移動鏡位置對所施加電壓的圖。圖4是可用于驅(qū)動干涉式調(diào)制器顯示器的一組行和列電壓的說明。圖5A說明圖2的3x3干涉式調(diào)制器顯示器中的顯示數(shù)據(jù)的一個示范性幀。圖5B說明可用于對圖5A的幀進行寫入的行和列信號的一個示范性時序圖。圖6A和6B是說明包括多個干涉式調(diào)制器的視覺顯示裝置的實施例的系統(tǒng)方框圖。圖7A是圖1的裝置的橫截面。圖7B是干涉式調(diào)制器的替代實施例的橫截面。圖7C是干涉式調(diào)制器的另一替代實施例的橫截面。圖7D是干涉式調(diào)制器的又一替代實施例的橫截面。圖7E是干涉式調(diào)制器的額外替代實施例的橫截面。圖8是其中個別元件包括支撐結(jié)構(gòu)的干涉式調(diào)制器元件陣列的俯視平面圖。圖9A-9J是說明制造包括位于可移動層上方的支撐結(jié)構(gòu)的干涉式調(diào)制器元件的方法的示意性橫截面。圖10A-10F是說明制造包括與機械層部分分離的反射層的干涉式調(diào)制器元件的方法的示意性橫截面。圖11A-11B是說明通過使用蝕刻前導層形成具有錐形邊緣的MEMS結(jié)構(gòu)的方法的示意性橫截面。圖12A-12B是說明通過使用蝕刻前導層形成具有錐形邊緣的MEMS結(jié)構(gòu)的替代方法的示意性橫截面。圖13是說明在形成MEMS結(jié)構(gòu)層期間通過改變支撐結(jié)構(gòu)層的特性來形成具有錐形邊緣的MEMS結(jié)構(gòu)的方法中的步驟的示意性橫截面。圖14是說明通過形成具有不同特性的一系列子層以形成MEMS結(jié)構(gòu)層來形成具有錐形邊緣的MEMS結(jié)構(gòu)的方法中的步驟的示意性橫截面。圖15是說明通過形成具有與MEMS結(jié)構(gòu)層的較差粘附力的上覆掩模層來形成具有錐形邊緣的MEMS結(jié)構(gòu)的方法中的步驟的示意性橫截面。圖16A-D是說明通過使用反復灰化和蝕刻工藝形成具有錐形邊緣的MEMS結(jié)構(gòu)的方法的示意性橫截面。圖17A-17E是說明通過使用多種蝕刻形成具有錐形邊緣的MEMS結(jié)構(gòu)的方法的示意性橫截面。圖18A-18C是說明通過使用剝離(liftoff)工藝形成具有錐形邊緣的支撐結(jié)構(gòu)的方法的示意性橫截面。圖19A-19C是說明形成用于剝離工藝中的具有倒錐度的掩模層的方法的示意性橫截面。圖20是說明形成具有錐形孔的犧牲層的方法中的步驟的示意性橫截面。圖21是說明形成具有錐形邊緣的隔離電極部件的方法中的步驟的示意性橫截面。具體實施方式以下詳細描述針對本發(fā)明的某些特定實施例。然而，本發(fā)明可以許多不同方式實施。在本描述中參看了附圖，在整個附圖中相同部分用相同標號表示。如從以下描述中將了解，所述實施例可實施在經(jīng)配置以顯示不論運動(例如，視頻)還是固定(例如，靜止圖像)的且不論文本還是圖畫的圖像的任何裝置中。更明確地說，預期所述實施例可實施在多種電子裝置中或與多種電子裝置關聯(lián)，所述多種電子裝置例如(但不限于)移動電話、無線裝置、個人數(shù)據(jù)助理(PDA)、手提式或便攜式計算機、GPS接收器/導航器、相機、MP3播放器、攝像機、游戲控制臺、手表、時鐘、計算器、電視監(jiān)視器、平板顯示器、計算機監(jiān)視器、汽車顯示器(例如，里程表顯示器等)、座艙控制器和/或顯示器、相機視圖的顯示器(例如，車輛中后視相機的顯示器)、電子相片、電子廣告牌或指示牌、投影儀、建筑結(jié)構(gòu)、包裝和美學結(jié)構(gòu)(例如，關于一件珠寶的圖像的顯示器)。具有與本文中描述的裝置類似的結(jié)構(gòu)的MEMS裝置也可用于例如電子切換裝置的非顯示器應用中。在包括一系列連續(xù)沉積層的MEMS裝置的制造過程中，通常有利地提供錐形或成角度結(jié)構(gòu)，例如下伏層或具有錐形邊緣的結(jié)構(gòu)，以便有助于上覆層的共形沉積而沒有斷裂或不牢固的較薄部分。在某些實施例中，可使用蝕刻方法向(例如)鏡/電極或支撐結(jié)構(gòu)提供此類錐形邊緣。在特定實施例中，這些蝕刻方法可包含使用上覆于待蝕刻層上的蝕刻前導層。在其它特定實施例中，這些蝕刻方法可包含反復蝕刻和/或灰化工藝。在其它實施例中，可使用剝離工藝來形成具有錐形邊緣的結(jié)構(gòu)。圖1中說明包括干涉式MEMS顯示元件的一個干涉式調(diào)制器顯示器的實施例。在這些裝置中，像素處于明亮狀態(tài)或黑暗狀態(tài)。在明亮("接通"或""開啟")狀態(tài)下，顯示元件將入射可見光的大部分反射到用戶。當在黑暗("斷開"或"關閉")狀態(tài)下時，顯示元件將極少的入射可見光反射到用戶。依據(jù)實施例而定，可顛倒"接通"和"斷開"狀態(tài)的光反射性質(zhì)。MEMS像素可經(jīng)配置而主要在選定的顏色處反射，從而允許除了黑白顯示以外的彩色顯示。圖l是描述視覺顯示器的一系列像素中的兩個相鄰像素的等角視圖，其中每一像素包括MEMS干涉式調(diào)制器。在一些實施例中，干涉式調(diào)制器顯示器包括這些干涉式調(diào)制器的一行/列陣列。每一干涉式調(diào)制器包含一對反射層，其定位成彼此相距可變且可控制的距離以形成具有至少一個可變尺寸的諧振光學腔。在一個實施例中，可在兩個位置之間移動所述反射層之一。在第一位置(本文中稱為松弛位置)中，可移動反射層定位成距固定部分反射層相對較大的距離。在第二位置(本文中稱為激活位置)中，可移動反射層定位成更緊密鄰近所述部分反射層。視可移動反射層的位置而定，從所述兩個層反射的入射光建設性地或破壞性地進行干涉，從而為每一像素產(chǎn)生全反射狀態(tài)或非反射狀態(tài)。圖1中像素陣列的所描繪部分包含兩個相鄰干涉式調(diào)制器12a和12b。在左側(cè)干涉式調(diào)制器12a中，說明可移動反射層14a處于距包含部分反射層的光學堆疊16a預定距離處的松弛位置中。在右側(cè)干涉式調(diào)制器12b中，說明可移動反射層14b處于鄰近于光學堆疊16b的激活位置中。如本文所引用的光學堆疊16a和16b(統(tǒng)稱為光學堆疊16)通常包括若干熔合層(fusedlayer),所述熔合層可包含例如氧化銦錫(ITO)的電極層、例如鉻的部分反射層和透明電介質(zhì)。因此，光學堆疊16是導電的、部分透明且部分反射的，且可通過(例如)將上述層的一者或一者以上沉積到透明襯底20上來制造。所述部分反射層可由例如各種金屬、半導體和電介質(zhì)的多種部分反射的材料形成。部分反射層可由一個或一個以上材料層形成，且每一層可由單一材料或材料組合形成。在一些實施例中，光學堆疊16的層經(jīng)圖案化成為多個平行條帶，且如下文中進一步描述，可在顯示裝置中形成行電極。可移動反射層14a、14b可形成為沉積金屬層(一層或多層)的一系列平行條帶(與行電極16a、16b垂直)，所述金屬層沉積在柱18和沉積于柱18之間的介入犧牲材料的頂部上。當蝕刻去除犧牲材料時，可移動反射層14a、14b通過所界定的間隙19而與光學堆疊16a、16b分離。例如鋁的高度導電且反射的材料可用于反射層14，且這些條帶可在顯示裝置中形成列電極。在不施加電壓的情況下，腔19保留在可移動反射層14a與光學堆疊16a之間，其中可移動反射層14a處于機械松弛狀態(tài)，如圖1中像素12a所說明。然而，當將電位差施加到選定的行和列時，形成在相應像素處的行電極與列電極的交叉處的電容器變得帶電，且靜電力將所述電極拉在一起。如果電壓足夠高，那么可移動反射層14變形且被迫抵靠光學堆疊16。光學堆疊16內(nèi)的介電層(在此圖中未圖示)可防止短路并控制層14與16之間的分離距離，如圖1中右側(cè)的像素12b所說明。不管所施加的電位差的極性如何，表現(xiàn)均相同。以此方式，可控制反射像素狀態(tài)對非反射像素狀態(tài)的行/列激活在許多方面類似于常規(guī)LCD和其它顯示技術(shù)中所使用的行/列激活。圖2到5B說明在顯示器應用中使用干涉式調(diào)制器陣列的一個示范性工藝和系統(tǒng)。圖2是說明可并入有本發(fā)明各方面的電子裝置的一個實施例的系統(tǒng)方框圖。在所述示范性實施例中，所述電子裝置包含處理器21，其可為任何通用單芯片或多芯片微處理器(例如ARM、Pentium、PentiumII、PentiumIII、PentiumIV、PentiumPro、8051、MIPS、PowerPC、ALPHA),或任何專用微處理器(例如數(shù)字信號處理器、微控制器或可編程門陣列)。如此項技術(shù)中常規(guī)的做法，處理器21可經(jīng)配置以執(zhí)行一個或一個以上軟件模塊。除了執(zhí)行操作系統(tǒng)外，所述處理器可經(jīng)配置以執(zhí)行一個或一個以上軟件應用程序，包含網(wǎng)絡瀏覽器、電話應用程序、電子郵件程序或任何其它軟件應用程序。在一個實施例中，處理器21還經(jīng)配置以與陣列驅(qū)動器22連通。在一個實施例中，所述陣列驅(qū)動器22包含將信號提供到顯示器陣列或面板30的行驅(qū)動器電路24和列驅(qū)動器電路26。在圖2中以線1-1展示圖1中說明的陣列的橫截面。對于MEMS干涉式調(diào)制器來說，行/列激活協(xié)議可利用圖3中說明的這些裝置的滯后性質(zhì)?？赡苄枰?例如)IO伏的電位差來促使可移動層從松弛狀態(tài)變形為激活狀態(tài)。然而，當電壓從所述值減小時，可移動層在電壓降回IO伏以下時維持其狀態(tài)。在圖3的示范性實施例中，可移動層直到電壓降到2伏以下時才完全松弛。因此在圖3中說明的實例中存在約3到7V的所施加電壓的窗口，在所述窗口內(nèi)裝置在松弛狀態(tài)或激活狀態(tài)中均是穩(wěn)定的。此窗口在本文中稱為"滯后窗口"或"穩(wěn)定窗口"。對于具有圖3的滯后特性的顯示器陣列來說，可設計行/列激活協(xié)議使得在行選通期間，已選通行中待激活的像素暴露于約io伏的電壓差，且待松弛的像素暴露于接近零伏的電壓差。在選通之后，所述像素暴露于約5伏的穩(wěn)態(tài)電壓差使得其維持在行選通使其所處的任何狀態(tài)中。在此實例中，每一像素在被寫入之后經(jīng)歷3-7伏的"穩(wěn)定窗口"內(nèi)的電位差。此特征使圖1中說明的像素設計在相同的施加電壓條件下在激活或松弛預存在狀態(tài)下均是穩(wěn)定的。因為干涉式調(diào)制器的每一像素(不論處于激活還是松弛狀態(tài))本質(zhì)上是由固定反射層和移動反射層形成的電容器，所以可在滯后窗口內(nèi)的一電壓下維持此穩(wěn)定狀態(tài)而幾乎無功率消耗。本質(zhì)上，如果所施加的電壓是固定的，那么沒有電流流入像素中。在典型應用中，可通過根據(jù)第一行中所需組的激活像素確認所述組列電極來產(chǎn)生顯示幀。接著將行脈沖施加到行1電極，從而激活對應于所確認的列線的像素。接著改變所述組已確認列電極以對應于第二行中所需組的激活像素。接著將脈沖施加到行2電極，從而根據(jù)已確認的列電極而激活行2中的適當像素。行l(wèi)像素不受行2脈沖影響，且維持在其在行1脈沖期間被設定的狀態(tài)中?？梢赃B續(xù)方式對整個系列的行重復此工藝以產(chǎn)生幀。通常，通過以每秒某一所需數(shù)目的幀的速度連續(xù)地重復此工藝來用新的顯示數(shù)據(jù)刷新且/或更新所述幀。用于驅(qū)動像素陣列的行和列電極以產(chǎn)生顯示幀的廣泛種類的協(xié)議也是眾所周知的且可結(jié)合本發(fā)明使用。圖4、5A和5B說明用于在圖2的3x3陣列上形成顯示幀的一個可能的激活協(xié)議。圖4說明可用于使像素展示出圖3的滯后曲線的一組可能的列和行電壓電平。在圖4實施例中，激活像素涉及將適當列設定為-VbiM，且將適當行設定為+AV，其分別可對應于-5伏和+5伏。松弛像素是通過將適當列設定為+Vbias，且將適當行設定為相同的+AV，從而在像素上產(chǎn)生零伏電位差而實現(xiàn)的。在行電壓維持在零伏的那些行中，不管列處于+Vbias還是-Vbias，像素在任何其最初所處的狀態(tài)中均是穩(wěn)定的。同樣如圖4中所說明，將了解，可使用具有與上述電壓的極性相反的極性的電壓，例如，激活像素可涉及將適當列設定為+VbiM，且將適當行設定為-AV。在此實施例中，釋放像素是通過將適當列設定為-VbiM，且將適當行設定為相同的-AV，從而在像素上產(chǎn)生零伏電位差而實現(xiàn)的。圖5B是展示施加到圖2的3x3陣列的一系列行和列信號的時序圖，所述系列的行和列信號將產(chǎn)生圖5A中說明的顯示器布置，其中被激活像素為非反射的。在對圖5A中說明的幀進行寫入之前，像素可處于任何狀態(tài)，且在本實例中所有行均處于O伏，且所有列均處于+5伏。在這些所施加的電壓的情況下，所有像素在其既有的激活或松弛狀態(tài)中均是穩(wěn)定的。在圖5A的幀中，像素(1,1)、(1，2)、(2,2)、(3,2)和(3，3)被激活。為了實現(xiàn)此目的，在行l(wèi)的"線時間(linetime)"期間，將列1和2設定為-5伏，且將列3設定為+5伏。因為所有像素均保留在3-7伏的穩(wěn)定窗口中，所以這并不改變?nèi)魏蜗袼氐臓顟B(tài)。接著用從0升到5伏且返回零的脈沖選通行1。這激活了(1,1)和(1,2)像素且松弛了(1,3)像素。陣列中其它像素均不受影響。為了視需要設定行2，將列2設定為-5伏，且將列1和3設定為+5伏。施加到行2的相同選通接著將激活像素(2,2)且松弛像素(2，1)和(2,3)。同樣，陣列中其它像素均不受影響。通過將列2和3設定為-5伏且將列1設定為+5伏來類似地設定行3。行3選通設定行3像素，如圖5A中所示。在對幀進行寫入之后，行電位為零，且列電位可維持在+5或-5伏，且接著顯示器在圖5A的布置中是穩(wěn)定的。將了解，可將相同程序用于數(shù)十或數(shù)百個行和列的陣列。還將應了解，用于執(zhí)行行和列激活的電壓的時序、序列和電平可在上文所概述的一般原理內(nèi)廣泛變化，且上文的實例僅為示范性的，且任何激活電壓方法均可與本文描述的系統(tǒng)和方法一起使用。圖6A和6B是說明顯示裝置40的實施例的系統(tǒng)方框圖。顯示裝置40可為(例如)蜂窩式電話或移動電話。然而，顯示裝置40的相同組件或其稍微變化形式也說明例如電視和便攜式媒體播放器的各種類型的顯示裝置。顯示裝置40包含外殼4K顯示器30、天線43、揚聲器45、輸入裝置48和麥克風46。外殼41通常由所屬領域的技術(shù)人員眾所周知的多種制造工藝的任一者形成，所述工藝包含注射模制和真空成形。另外，外殼41可由多種材料的任一者制成，所述材料包含(但不限于)塑料、金屬、玻璃、橡膠和陶瓷，或其組合。在一個實施例中，外殼41包含可去除部分(未圖示)，所述可去除部分可與其它具有不同顏色或含有不同標記、圖畫或符號的可去除部分互換。如本文中所描述，示范性顯示裝置40的顯示器30可為包含雙穩(wěn)態(tài)顯示器(bi-stabledisplay)在內(nèi)的多種顯示器的任一者。在其它實施例中，如所屬領域的技術(shù)人員眾所周知，顯示器30包含例如如上所述的等離子、EL、OLED、STNLCD或TFTLCD的平板顯示器，或例如CRT或其它電子管裝置的非平板顯示器。然而，出于描述本實施例的目的，如本文中所描述，顯示器30包含干涉式調(diào)制器顯示器。圖6B中示意說明示范性顯示裝置40的一個實施例的組件。所說明的示范性顯示裝置40包含外殼41且可包含至少部分封圍在所述外殼41中的額外組件。舉例來說，在一個實施例中，示范性顯示裝置40包含網(wǎng)絡接口27，所述網(wǎng)絡接口27包含耦合到收發(fā)器47的天線43。收發(fā)器47連接到處理器21，處理器21連接到調(diào)節(jié)硬件52。調(diào)節(jié)硬件52可經(jīng)配置以調(diào)節(jié)信號(例如，對信號進行濾波)。調(diào)節(jié)硬件52連接到揚聲器45和麥克風46。處理器21也連接到輸入裝置48和驅(qū)動器控制器29。驅(qū)動器控制器29耦合到幀緩沖器28且耦合到陣列驅(qū)動器22，所述陣列驅(qū)動器22進而耦合到顯示器陣列30。根據(jù)特定示范性顯示裝置40設計的要求，電源50將功率提供到所有組件。網(wǎng)絡接口27包含天線43和收發(fā)器47使得示范性顯示裝置40可經(jīng)由網(wǎng)絡與一個或一個以上裝置通信。在一個實施例中，網(wǎng)絡接口27也可具有某些處理能力以減輕對處理器21的要求。天線43是所屬領域的技術(shù)人員已知的用于傳輸和接收信號的任何天線。在一個實施例中，所述天線根據(jù)正EE802.11標準(包含IEEE802.11(a)、(b)或(g))'來傳輸和接收RF信號。在另一實施例中，所述天線根據(jù)BLUETOOTH標準來傳輸和接收RF信號。在蜂窩式電話的情況下，所述天線經(jīng)設計以接收CDMA、GSM、AMPS或其它用于在無線手機網(wǎng)絡內(nèi)通信的已知信號。收發(fā)器47預處理從天線43接收到的信號，使得處理器21可接收所述信號并進一步對所述信號進行處理。收發(fā)器47還處理從處理器21接收到的信號使得可經(jīng)由天線43從示范性顯示裝置40傳輸所述信號。在一替代實施例中，收發(fā)器47可由接收器代替。在又一替代實施例中，網(wǎng)絡接口27可由可存儲或產(chǎn)生待發(fā)送到處理器21的圖像數(shù)據(jù)的圖像源代替。舉例來說，所述圖像源可為存儲器裝置，例如數(shù)字視頻光盤(DVD)或含有圖像數(shù)據(jù)的硬盤驅(qū)動器，或產(chǎn)生圖像數(shù)據(jù)的軟件模塊。處理器21大體上控制示范性顯示裝置40的全部操作。處理器21接收例如來自網(wǎng)絡接口27或圖像源的壓縮圖像數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)，并將所述數(shù)據(jù)處理成原始圖像數(shù)據(jù)或處理成易被處理成原始圖像數(shù)據(jù)的格式。處理器21接著將已處理的數(shù)據(jù)發(fā)送到驅(qū)動器控制器29或發(fā)送到幀緩沖器28以供存儲。原始數(shù)據(jù)通常是指識別圖像內(nèi)每一位置處的圖像特性的信息。舉例來說，這些圖像特性可包含顏色、飽和度和灰度級。在一個實施例中，處理器21包含微控制器、CPU或邏輯單元以控制示范性顯示裝置40的操作。調(diào)節(jié)硬件52通常包含放大器和濾波器，以用于將信號傳輸?shù)綋P聲器45，且用于從麥克風46接收信號。調(diào)節(jié)硬件52可為示范性顯示裝置40內(nèi)的離散組件，或可并入在處理器21或其它組件內(nèi)。驅(qū)動器控制器29直接從處理器21或從幀緩沖器28取得由處理器21產(chǎn)生的原始圖像數(shù)據(jù)，并適當?shù)刂匦赂袷交鲈紙D像數(shù)據(jù)以供高速傳輸?shù)疥嚵序?qū)動器22。具體來說，驅(qū)動器控制器29將原始圖像數(shù)據(jù)重新格式化為具有類似光柵的格式的數(shù)據(jù)流，使得其具有適于在顯示器陣列30上進行掃描的時間次序。接著，驅(qū)動器控制器29將已格式化的信息發(fā)送到陣列驅(qū)動器22。盡管驅(qū)動器控制器29(例如LCD控制器)通常與系統(tǒng)處理器21關聯(lián)而作為獨立的集成電路(IC)，但可以許多方式實施這些控制器。其可作為硬件嵌入處理器21中，作為軟件嵌入處理器21中，或與陣列驅(qū)動器22完全集成在硬件中。通常，陣列驅(qū)動器22從驅(qū)動器控制器29接收已格式化的信息且將視頻數(shù)據(jù)重新格式化為一組平行波形，所述波形以每秒多次的速度被施加到來自顯示器的x-y像素矩陣的數(shù)百且有時數(shù)千個引線。在一個實施例中，驅(qū)動器控制器29、陣列驅(qū)動器22和顯示器陣列30適用于本文描述的任意類型的顯示器。舉例來說，在一個實施例中，驅(qū)動器控制器29是常規(guī)顯示器控制器或雙穩(wěn)態(tài)顯示器控制器(例如，干涉式調(diào)制器控制器)。在另一實施例中，陣列驅(qū)動器22是常規(guī)驅(qū)動器或雙穩(wěn)態(tài)顯示器驅(qū)動器(例如，干涉式調(diào)制器顯示器)。在一個實施例中，驅(qū)動器控制器29與陣列驅(qū)動器22集成。此實施例在例如蜂窩式電話、手表和其它小面積顯示器的高度集成系統(tǒng)中是普遍的。在又一實施例中，顯示器陣列30是典型的顯示器陣列或雙穩(wěn)態(tài)顯示器陣列(例如，包含干涉式調(diào)制器陣列的顯示器)。輸入裝置48允許用戶控制示范性顯示裝置40的操作。在一個實施例中，輸入裝置48包含例如QWERTY鍵盤或電話鍵區(qū)的鍵區(qū)、按鈕、開關、觸敏屏幕、壓敏或熱敏薄膜。在一個實施例中，麥克風46是用于示范性顯示裝置40的輸入裝置。當使用麥克風46將數(shù)據(jù)輸入到所述裝置時，用戶可提供聲音命令以便控制示范性顯示裝置40的操作。電源50可包含此項技術(shù)中眾所周知的多種能量存儲裝置。舉例來說，在一個實施例中，電源50是例如鎳鎘電池或鋰離子電池的可再充電電池。在另一實施例中，電源50是可再生能源、電容器或太陽能電池，包含塑料太陽能電池和太陽能電池涂料。在另一實施例中，電源50經(jīng)配置以從壁式插座接收功率。在某些實施例中，如上文中所描述，控制可編程性駐存在驅(qū)動器控制器中，其可位于電子顯示器系統(tǒng)中的若干位置中。在某些實施例中，控制可編程性駐存在陣列驅(qū)動器22中。所屬領域的技術(shù)人員將了解，上述優(yōu)化可實施在任何數(shù)目的硬件和/或軟件組件中且可以各種配置實施。根據(jù)上文陳述的原理而操作的干涉式調(diào)制器的結(jié)構(gòu)的細節(jié)可廣泛變化。舉例來說，圖7A-7E說明可移動反射層14及其支撐結(jié)構(gòu)的五個不同實施例。圖7A是圖1的實施例的橫截面，其中金屬材料條帶14沉積在垂直延伸的支撐件18上。在圖7B中，可移動反射層14在系鏈(tether)32上僅在隅角處附接到支撐件。在圖7C中，可移動反射層14從可包括柔性金屬的可變形層34懸垂下來。所述可變形層34直接或間接地連接到圍繞可變形層34的周邊的襯底20。這些連接在本文中稱為支撐結(jié)構(gòu)，其可采用隔離的墩或柱和/或連續(xù)的壁或軌道的形式。圖7D中說明的實施例具有包含支撐插塞42的支撐結(jié)構(gòu)18，可變形層34擱置在所述支撐插塞42上。如圖7A-7C所示，可移動反射層14保持懸浮在腔上方，但可變形層34并不通過填充可變形層34與光學堆疊16之間的孔而形成所述支柱。確切地說，支柱18由用于形成支柱插塞42的平面化材料形成。圖7E中說明的實施例是基于圖7D中展示的實施例，但也可適于與圖7A-7C中說明的實施例以及未圖示的額外實施例的任一者一起發(fā)揮作用。在圖7E中所示的實施例中，已使用金屬或其它導電材料的額外層來形成總線結(jié)構(gòu)44。這允許信號沿著干涉式調(diào)制器的背面進行路由，從而消除許多原本可能必須形成在襯底20上的電極。在例如圖7中所示的那些實施例的實施例中，干涉式調(diào)制器充當直接觀看裝置，其中從透明襯底20的前側(cè)觀看圖像，所述側(cè)與上面布置有調(diào)制器的一側(cè)相對。在這些實施例中，反射層14以光學方式遮蔽在反射層的與襯底20相對側(cè)的干涉式調(diào)制器部分，其包含可變形層34。這允許對遮蔽區(qū)域進行配置和操作而不會消極地影響圖像質(zhì)量。這種遮蔽允許實現(xiàn)圖7E中的總線結(jié)構(gòu)44，所述總線結(jié)構(gòu)44提供使調(diào)制器的光學性質(zhì)與調(diào)制器的機電性質(zhì)(例如，尋址與由所述尋址導致的移動)分離的能力。這種可分離的調(diào)制器結(jié)構(gòu)允許選擇用于調(diào)制器的機電方面和光學方面的結(jié)構(gòu)設計和材料且使其彼此獨立而發(fā)揮作用。此外，圖7C-7E中所示的實施例具有源自反射層14的光學性質(zhì)與其機械性質(zhì)脫離的額外益處，所述益處由可變形層34執(zhí)行。這允許用于反射層14的結(jié)構(gòu)設計和材料在光學性質(zhì)方面得以優(yōu)化，且用于可變形層34的結(jié)構(gòu)設計和材料在期望的機械性質(zhì)方面得以優(yōu)化。在某些實施例中，可能需要對例如圖7A說明的可移動反射層14的可移動層或圖7C-7E的機械層34與可移動反射層14的組合提供額外的支撐。在光學MEMS裝置(例如，干涉式調(diào)制器)中，可移動層可包括反射子層和機械子層，如下文將更詳細論述?？赏ㄟ^可沿著個別調(diào)制器元件的邊緣和/或在此元件內(nèi)部定位的一系列支撐結(jié)構(gòu)來提供此種支撐。在各種實施例中，這些支撐結(jié)構(gòu)可位于可移動層上方或其下方。在替代實施例中，支撐結(jié)構(gòu)可延伸穿過形成于機械層中的孔，使得從機械層的上方和下方均提供支撐。如本文所使用，術(shù)語"鉚釘"通常指經(jīng)圖案化的層，其上覆在MEMS裝置中的機械層上(通常在柱或支撐區(qū)域中的凹座或凹陷中)以為機械層提供機械支撐。優(yōu)選地(但并非總是如此)，鉚釘包含翼，所述翼上覆在機械層的上表面上以給機械層的移動增加穩(wěn)定性和可預測性。類似地，下伏在MEMS裝置中的機械層下以為機械層提供機械支撐的支撐結(jié)構(gòu)在本文中通常稱為支"柱"。在本文的許多實施例中，優(yōu)選材料是無機的，以獲得相對于有機抗蝕劑材料的穩(wěn)定性。圖8中展示此類支撐結(jié)構(gòu)的示范性布局，圖8描繪MEMS元件陣列。在某些實施例中，所述陣列可包括干涉式調(diào)制器陣列，但在替代實施例中，MEMS元件可包括具有可移動層的任何MEMS裝置?？梢姡谓Y(jié)構(gòu)62(其在所說明的實施例中為下伏支柱結(jié)構(gòu)，但在其它實施例中可包含上覆鉚釘結(jié)構(gòu))沿著可移動層66的邊緣以及在MEMS元件(在此實例中為干涉式調(diào)制器元件60)的內(nèi)部定位。某些支撐結(jié)構(gòu)可包括軌道結(jié)構(gòu)64，其延伸越過兩個鄰近可移動層66之間的間隙65?？梢?，可移動層66包括延伸穿過同一列內(nèi)的多個鄰近元件60的可變形材料條帶。軌道結(jié)構(gòu)64與下部電極平行延伸，所述下部電極界定與由可移動層66的條帶界定的上部電極交叉的行。支撐結(jié)構(gòu)62用于加固元件或像素60內(nèi)的可移動層66，并與軌道結(jié)構(gòu)64—起分離上部與下部電極以界定上部電極可在其中垂直移動的腔。有利地，這些支撐結(jié)構(gòu)61相對于調(diào)制器元件60的周圍區(qū)域被制造得較小。由于柱限制了可移動層66的偏轉(zhuǎn)且可能通常為不透明的，因此在支撐結(jié)構(gòu)62下方及其緊鄰周圍的區(qū)域不可用作顯示器中的活動區(qū)域，因為這些區(qū)域中的可移動層無法移動到完全激活的位置(例如，圖7A的可移動層14的下表面的一部分與光學堆疊16的上表面接觸的位置)。因為這可能導致圍繞柱的區(qū)域中的不合意的光學作用，所以可在支撐結(jié)構(gòu)與觀看者之間有利地提供黑暗或"黑色"掩模層，以避免這些區(qū)域中可能沖掉期望顏色的過量反射。在某些實施例中，這些支撐結(jié)構(gòu)可包括可移動層中的凹陷，以及可移動層上方和/或下方的有助于維持形狀的大體剛性結(jié)構(gòu)。雖然此類支撐結(jié)構(gòu)可由聚合物材料形成，但優(yōu)選使用具有較大剛性的無機材料，其提供優(yōu)于包括聚合材料的類似結(jié)構(gòu)的優(yōu)點。舉例來說，聚合支撐結(jié)構(gòu)可能不能在廣范圍的操作溫度下維持所需的剛性水平，且可能在裝置的使用壽命內(nèi)經(jīng)受逐漸的變形或機械故障。由于此類故障可能影響可移動層與光學堆疊之間的距離，且此距離至少部分決定干涉式調(diào)制器元件所反射的波長，因此，此類故障可能導致由于隨著時間的磨損或操作溫度的變化而帶來的反射顏色的移位。其它MEMS裝置在支撐件由聚合材料形成時經(jīng)歷類似的隨著時間的降級。參看圖9A-9J描述一種形成包括下伏支柱支撐結(jié)構(gòu)的干涉式調(diào)制器元件的工藝。圖9A中，可見，提供透明或透光襯底70，其可包括(例如)玻璃或透明聚合材料。接著在透明襯底上沉積可包括氧化銦錫(ITO)的導電層72，且在導電層72上沉積可包括鉻的部分反射層74。盡管在一個實施例中導電層72可包括ITO且在以下說明書中各處可如此提及，但將了解，導電層72可包括任何適宜的導電材料，且對于非光學MEMS結(jié)構(gòu)來說不需要為透明的。類似地，盡管部分反射層74有時稱為鉻層，但其可包括任何適宜的部分反射層，且對于非光學MEMS結(jié)構(gòu)來說可省略。接著對導電層72和部分反射層74進行圖案化和蝕刻以形成底部電極(也稱為行電極)，其交叉地(例如，垂直)延伸到圖8的可移動層66,且其將用于尋址MEMS元件行。在某些實施例中，導電層和部分反射層72和74還可有利地經(jīng)圖案化和蝕刻以去除下伏在將定位有柱結(jié)構(gòu)的區(qū)域下方的ITO和鉻，從而形成如圖9B中描繪的孔76。此圖案化和蝕刻優(yōu)選地通過形成行電極的相同工藝完成。下伏在支撐結(jié)構(gòu)下方的ITO和絡(或其它導電材料)的去除有助于使上覆導電層(例如，可移動層)與底部電極之間短路的風險最小。因此，圖9B和后續(xù)的圖描繪由層72和74形成的連續(xù)行電極的橫截面，其中隔離孔76已經(jīng)蝕刻，所述橫截面是沿著延伸穿過那些孔的線截取。在導電層72和部分反射層74未經(jīng)蝕刻而形成孔76的其它實施例中，下文論述的介電層可針對底部電極與可移動層之間的短路提供充分的保護。.可經(jīng)由光刻圖案化導電層72和部分反射層74并經(jīng)由例如市售濕式蝕刻劑對其進行蝕刻。鉻濕式蝕刻劑包含乙酸(C2H402)和硝酸鈰銨[Ce(NH4)2(N03)6]的溶液。ITO濕式蝕刻劑包含HC1、HC1和HN03的混合物，或75%/3%/22%比率的FeCl3/HCl/DI和H20。一旦形成孔76，就在導電層72和部分反射層74上沉積介電層78，如圖9C所見，從而形成光學堆疊16。在某些實施例中，介電層可包括Si02或SiNx，但可使用廣范圍的合適材料。形成光學堆疊16的層的厚度和定位決定了在元件激活(塌陷)從而使可移動層66與光學堆疊接觸時干涉式調(diào)制器元件所反射的顏色。在某些實施例中，光學堆疊經(jīng)配置以使得干涉式調(diào)制器元件在可移動層處于激活位置時大體上不反射任何可見光(表現(xiàn)為黑色)。通常，介電層78的厚度約為450A，但將了解，所需的厚度將基于材料的折射率和在塌陷狀態(tài)下由干涉式調(diào)制器反射的所需顏色而變化。雖然為了簡單起見說明為平面的(如果介電層78為旋涂玻璃，那么可實現(xiàn)這一效果)，但介電層78在由層72和74形成的經(jīng)圖案化的下部電極上方通常為共形的。如圖9D中可見，接著在介電層78上沉積犧牲材料層82。在某些實施例中，此犧牲層82由可通過基于氟的蝕刻劑(明確地說，XeF2)蝕刻的材料形成。舉例來說，犧牲層82可由鉬或非晶硅(a-Si)形成。在其它實施例中，犧牲層可包括鉭或鎢。可用作犧牲材料的其它材料包含氮化硅、某些氧化物以及有機材料。沉積的犧牲層82的厚度將決定光學堆疊16與可移動層66之間的距離，因此界定干涉式間隙19(見圖7A)的尺寸。由于間隙19的高度決定了干涉式調(diào)制器元件在未激活位置時反射的顏色，因此犧牲層82的厚度將依據(jù)干涉式調(diào)制器的所需特性而變化。舉例來說，在形成在未激活位置反射綠色的調(diào)制器元件的實施例中，犧牲層82的厚度可大約為2000A。在其它實施例中，犧牲層在MEMS裝置陣列上可具有多種厚度，例如在其中使用不同的干涉式間隙大小來產(chǎn)生不同顏色的多色顯示系統(tǒng)中。在圖9E中可見，犧牲層82已經(jīng)圖案化和蝕刻以形成錐形孔86?？?6上覆在切入ITO和鉻的層72和74中的孔76上?？墒褂霉饪谭ㄍㄟ^遮蔽犧牲層并接著執(zhí)行濕式或干式蝕刻來去除犧牲材料部分，而形成這些孔86。合適的干式蝕刻劑包含(但不限于)SF6、CF4、Cl2或這些氣體與02或稀有氣體(例如He或Ar)的任何混合物。適合于蝕刻Mo的濕式蝕刻劑包含PAN蝕刻劑，其可為以16:1:1:2比率的磷酸、乙酸、硝酸和去離子水的混合物?？赏ㄟ^包含KOH和HF硝酸鹽的濕式蝕刻劑來蝕刻非晶硅。然而優(yōu)選地使用干式蝕刻來蝕刻犧牲層82，因為干式蝕刻允許對錐形孔86的形狀的較多控制。在圖9F中，在圖案化犧牲層82上沉積無機支柱材料層84，使得無機支柱層84還涂覆錐形孔86的側(cè)壁和基底。在某些實施例中，無機支柱層84比犧牲層82薄，且在犧牲層82上方是共形的。在某些實施例中，無機支柱層84可包括氮化硅(SiNx)或Si02，但可使用多種多樣的其它材料，下文更詳細論述其中一些材料。在圖9G中，圖案化并蝕刻無機支柱層84以形成無機支柱88。因此，無機支柱層84優(yōu)選地可相對于下伏犧牲層82選擇性地蝕刻，以便允許在使犧牲層82不受影響的同時蝕刻無機支柱層84。然而，如果無機支柱層84不可相對于犧牲層82選擇性地蝕刻，那么可在無機支柱層84與犧牲層82之間提供蝕刻停止層(未圖示。)在圖9G中可見，無機支柱88的邊緣優(yōu)選地成錐形，其如同孔86的錐形或傾斜側(cè)壁一樣有助于上覆層的連續(xù)和共形沉積?？梢姡谒f明的實施例中，無機支柱88的厚度比犧牲層82的厚度薄，且包括大體上平坦的基底部分89、傾斜側(cè)壁部分87和在犧牲材料的一部分上延伸的大體上水平翼部85。因此，支柱88有利地在用于支撐上覆可fe動層66(見圖9H)的支柱的邊緣處提供大體上平坦的表面，從而使如果可移動層66沉積在較不平坦的邊緣上則可能發(fā)生的應力和所產(chǎn)生的不合需要的偏轉(zhuǎn)最小。下文參看圖11A-21論述關于如何使如圖9H的支柱88的結(jié)構(gòu)成錐形的細節(jié)。在一個實施例中，無機支柱層84和所得支柱88包括類金鋼石碳(DLC)。除了非常硬且堅固(比Si02硬大約IO倍)夕卜，還可用02干式蝕刻劑來蝕刻DLC無機支柱層84。有利地，02干式蝕刻劑對廣泛種類的犧牲材料(包含(但不限于)Mo和a-Si犧牲材料，以及上文論述的其它犧牲材料)具有高度選擇性。因此，包括DLC的無機支柱提供非常堅固的支柱，從而減小當MEMS操作期間向下拉動上覆移動或機械層時支柱88的邊緣向下?lián)锨目赡苄砸约跋蛳聯(lián)锨?，同時允許使用對廣泛種類的材料相對親和的蝕刻劑。在圖9H中，可見，將形成可移動層66(例如見，圖7A中的可移動反射層14)的組件接著沉積在經(jīng)蝕刻的犧牲層82上，從而鑲襯錐形孔86。在圖9H的實施例中，首先沉積高度反射層90(也稱為鏡或鏡層)，之后沉積機械層92。高度反射層90由于其在廣波長譜上的高反射率的緣故而可由鋁或鋁合金形成。機械層92可包括例如Ni和Cr等金屬，且優(yōu)選地經(jīng)形成使得機械層92含有殘余拉伸應力。所述殘余拉伸應力提供當調(diào)制器未激活或"松弛"時將可移動層66拉離光學堆疊16的機械力。為了方便起見，高度反射層90與機械層92的組合可共同稱為可移動層66，但將了解，如本文使用的術(shù)語可移動層還包含部分分離的機械和反射層，例如圖7C的機械層34和可移動反射層14。在將通過XeF2蝕刻劑來"釋放"蝕刻犧牲層的實施例中，反射層卯與機械層92兩者優(yōu)選地對XeF2蝕刻具有抵抗力。如果這些層中的任一者不具有抵抗力，那么可使用蝕刻停止層來保護暴露于釋放蝕刻劑的不具抵抗力的層表面。類似地，支柱88優(yōu)選地對釋放蝕刻劑具有抵抗力，或者另外由蝕刻停止層保護。還可見，支柱88的邊緣的錐度有助于反射層卯和機械層92的共形沉積。如果沒有此錐度，可能難以沉積這些層使得所述層在孔86外部和內(nèi)部的表面上具有大體上均勻的厚度。在替代實施例中，可移動層66可包為單一層，其高度反射并具有所需的機械特性。然而，兩個不同層的沉積允許選擇原本如果用作可移動層66中的唯一材料則可能不適宜的高度反射材料，并類似地允許選擇適宜的機械層(具有某種撓性和固有張力)而不考慮其反射性。在另外的實施例中，可移動層可為與電和機械層很大程度脫離的反射子層，使得反射層可垂直平移而不彎曲(例如見，圖10A-10F和附帶描述)。在所形成的MEMS裝置包括非光學MEMS裝置(例如，MEMS開關)的其它實施例中，將了解，可移動層66不需要包括反射材料。舉例來說，在MEMS裝置(例如，MEMS開關)形成為包括本文論述的支撐結(jié)構(gòu)的實施例中，可移動層66的下側(cè)不需要具有反射性，且可有利地是僅基于其機械特性或其它合乎需要的特性而選擇的單一層。接下來，在圖9I中，可見，使用光刻來圖案化機械層92，并蝕刻可移動層66(即，機械層92和反射層90)以形成蝕刻孔100，所述蝕刻孔100暴露犧牲層82的若干部分以便有助于犧牲層的"釋放"蝕刻。在某些實施例中，使用多種蝕刻劑來暴露犧牲層。舉例來說，如果機械層92包括鎳且反射層90包括鋁，那么可使用HN03來蝕刻機械層92，且可使用磷酸或例如NH4OH、KOH、THAM或NaOH等堿來蝕刻反射層卯。此圖案化和蝕刻還可用于通過在可移動層66的條帶之間蝕刻出間隙65(見圖8)從而使MEMS裝置列彼此分離，而界定圖8中所見的條帶電極。最后，在圖9J中，可見，執(zhí)行釋放蝕刻以去除犧牲層，從而產(chǎn)生干涉間隙19，可移動層66可穿過所述干涉間隙19移動。在某些實施例中，使用XeF2蝕刻劑來去除犧牲層82。因為XeF2適當?shù)匚g刻優(yōu)選的犧牲材料且相對于上文論述的工藝中使用的其它材料非常具有選擇性，所以使用XeF2蝕刻劑有利地允許去除犧牲材料而對周圍結(jié)構(gòu)的影響非常小。如上文所論述，MEMS裝置且明確地說干涉式調(diào)制器的某些實施例包括可移動層，所述可移動層包括與機械層部分脫離的反射層。圖10A-10F說明用于形成在此類MEMS裝置中下伏于機械層下方的分離的鏡結(jié)構(gòu)的示范性工藝，所述MEMS裝置在所說明的實施例中為千涉式調(diào)制器。此工藝可包含(例如)參看圖9A-9D描述的步驟，其中沉積光學堆疊且在光學堆疊上沉積犧牲層。在圖10A中可見，在犧牲層82上沉積反射層卯。在某些實施例中，反射層90可包括單一反射材料層。在其它實施例中，反射層卯可包括反射材料薄層，其中較剛性材料層(未圖示)上覆于犧牲材料薄層上。由于此實施例的反射層將與上覆機械層部分脫離，所以反射層90優(yōu)選地具有足夠的剛性以便即使當部分脫離時也相對于光學堆疊16維持在大體上平坦的位置，且在反射層的遠離光學堆疊定位的一側(cè)上包含加強層可用于提供所需的剛性。在圖10B中，圖10A的反射層90經(jīng)圖案化以形成圖案化鏡層200。在一個實施例中，圖案化鏡層200包括其中已形成有對應于支撐結(jié)構(gòu)的位置(但寬于或窄于支撐結(jié)構(gòu))的孔的鄰接層。在另一實施例中，圖案化鏡層200可包括彼此脫離的多個反射部分。在圖10C中，第二犧牲層196沉積在圖案化鏡層200上。優(yōu)選地，第二犧牲層196由與第一犧牲層82相同的材料形成，或者可通過與第一犧牲層82相同的蝕刻劑相對于周圍材料選擇性地蝕刻。在圖10D中，形成錐形孔86，其延伸穿過第二犧牲層196和第一犧牲層82兩者。在圖35D中還可見，孔208形成在第二犧牲層196的上覆于圖案化鏡層200上的一部分上，從而暴露圖案化鏡層200的至少一部分。在圖10E中，機械層92沉積在圖案化犧牲層196和82以及圖案化鏡層200的暴露部分上。明確地說，可見，機械層92至少部分填充孔208(見圖IOD)，使得形成連接機械層92與圖案化鏡層200的連接部分202。在圖10F中，執(zhí)行釋放蝕刻，其去除第一犧牲層82和第二犧牲層196兩者，藉此在圖案化鏡層200與光學堆疊之間形成干涉間隙19。因此，形成光學MEMS裝置，其包含包括機械層92的可移動層66，圖案化鏡層200從機械層92處懸浮，其中圖案化鏡層200與機械層92部分脫離。此光學MEMS裝置可以是(例如)例如參看圖7C以及本申請案中其它地方描述的干涉式調(diào)制器。在非光學MEMS中，懸浮的上部電極不需要具有反射性。在圖10F的實施例中，圖案化鏡層200不需要具有凹入邊緣表面，因為如果入射光反射離開凹入邊緣表面并朝向觀察者反射，那么對鏡層進行底切可導致不合需要的光學效應。圖案化鏡層200希望包括平坦的下表面使得圖案化鏡層200所反射的任何光均在統(tǒng)一方向上反射。一種確保圖案化鏡層200包括大體上平坦表面而不進行顯著底切的方法是蝕刻鏡層使得圖案化鏡層包括錐形邊緣。另外，如果圖案化鏡層200包括錐形邊緣，那么可在圖案化鏡層200上共形地較可靠地沉積第二犧牲層和其它上覆層(例如，機械層)，厚度不均一性和較尖銳90度隅角處產(chǎn)生的應力的風險較小。因此，通常需要在MEMS裝置中的多種位置中形成錐形邊緣，包含當將在圖案化層上共形地沉積上覆層時，或當需要避免凹入輪廓時。下文揭示用于形成此類錐形邊緣的若干方法。雖然主要相對于上文參看圖9A-9J論述的支柱實施例描述所述方法，但預期結(jié)構(gòu)和方法的其它用途(例如在圖10A-10F的鏡層200的圖案化過程中)，且可通過修改以下結(jié)構(gòu)和方法來實現(xiàn)所述其它用途。在某些實施例中，這些工藝包含對層進行圖案化以形成所需結(jié)構(gòu)并使所述結(jié)構(gòu)的邊緣成錐形。盡管有時描述為兩個不同步驟，但將了解圖案化和成錐形通常將包括單一步驟，且在另外的實施例中，當對結(jié)構(gòu)進行圖案化時將發(fā)生部分成錐形，使得圖案化和成錐形可能需要同時進行。在參看圖11A-11B描述的一個實施例中，使用蝕刻前導層來實現(xiàn)具有所需錐度的蝕刻。在圖IIA中，可見，無機支柱材料層84沉積在犧牲層82上。蝕刻前導層270沉積在支柱層84上，且掩模272形成在無機支柱將處于的區(qū)域上。在此實施例中，蝕刻前導層選擇為對于特定蝕刻來說將具有比下伏材料(或者在所說明的實施例中為支柱材料84)的蝕刻速率快的蝕刻速率的材料。在某些實施例中，支柱層84可包括Si02或SiNx。蝕刻前導層可包括多種多樣的材料，包含在低溫下沉積的Si02或SiNx層；其孔明顯多于下伏層；以SiNx層中不同的氮成分沉積；或者形成為尤其富含氧或氮。類似地，可使用富含氫的SiNx層，或在低溫下沉積的SiNx層。當使用HF/HN03蝕刻劑時Si的蝕刻快于Si02，且當使用HF+H3P04蝕刻劑時Al的蝕刻將快于Si02。并且，當使用HF/HN03或HF/HN03/H3P04任一蝕刻劑時Mo的蝕刻將快于Si02。通常使用BHF來蝕刻SiNx，但可使用其它適宜的蝕刻劑。視無機支柱層84的成分而定，可使用多種多樣的其它蝕刻劑和蝕刻前導層。視待使用的蝕刻劑而定，掩模272可由(例如)例如Ni等硬掩?；蚬庵驴刮g劑掩模形成。明確地說，當使用濕式蝕刻劑時，掩模272可包括硬掩模。圖IIB描繪暴露于蝕刻劑(優(yōu)選為各向同性蝕刻劑)之后圖11A的實施例。如可見，蝕刻前導層270己比支柱層84更快地被蝕刻，從而將支柱層84的頂部和側(cè)部暴露于蝕刻劑。因為從頂部且從側(cè)部蝕刻支柱層84，所以通過此蝕刻已形成錐形側(cè)。隨后，可去除掩模272和剩余蝕刻前導層270的一者或兩者(未圖示)。圖11A-11B的結(jié)構(gòu)和方法可適用于形成具有錐形邊緣的圖案化鏡層。在一個實施例中，圖11A-11B的無機支柱層84可由鋁層代替，且蝕刻前導層270可以是(例如)經(jīng)沉積的鋁層使得其將蝕刻得較快。這可(例如)通過在比下部鋁層的沉積高的壓力下沉積蝕刻前導層來實現(xiàn)。在替代實施例中，蝕刻前導層可包括具有比鋁高的蝕刻速率的鋁合金。在另外其它實施例中，可使用具有所需的機械特性和比鋁高的蝕刻速率的任何適宜的材料。參看圖12A-12B論述以上實施例的變化形式，且所述變化形式包含圖IIA的步驟。在此實施例中，蝕刻前導層270和下伏層(在所說明的實施例中，為無機支柱材料84)可相對于彼此選擇性地蝕刻。在圖12A中，可見，已經(jīng)由第一(優(yōu)選各向同性)蝕刻相對于支柱層84選擇性地蝕刻所述蝕刻前導層270，從而暴露支柱層84的頂部的一部分。在圖12B中，已使用第二(優(yōu)選各向同性)蝕刻從上方以及從側(cè)部蝕刻支柱層84，從而產(chǎn)生圖中所見的錐形邊緣?？赏ㄟ^允許第一蝕刻去除蝕刻前導層270的程度以及通過第二蝕刻擴散到掩模272與支柱層84之間的空間中的速率，來控制錐角。如果第二蝕刻蝕刻支柱層84使得其對蝕刻前導層270進行底切，那么可執(zhí)行第三蝕刻(其可使用與第一蝕刻相同的蝕刻)以便去除蝕刻前導層270的懸置部分，使得在沒有不合需要的懸置部分的情況下形成錐形邊緣。圖12A-12B的結(jié)構(gòu)和方法也可適用于形成具有錐形邊緣的圖案化鏡層。在一個實施例中，圖12A-12B的無機支柱層84可由鋁層代替，且蝕刻前導層270可包括可相對于鋁選擇性地蝕刻的鎳層?？墒紫?例如)經(jīng)由相對于鋁層具有選擇性的HN03濕式蝕刻劑來蝕刻鎳蝕刻前導層。接著可經(jīng)由相對于鎳層具有選擇性的H3P04濕式蝕刻劑來蝕刻鋁層。如果必要，執(zhí)行后續(xù)HN03蝕刻以去除鎳層的任何伸出于錐形鋁層之上的部分。如上文所論述，可在蝕刻無機支柱層之后去除蝕刻前導層和掩模中的一者或兩者。在另一實施例中，本文論述的實施例的任一者的蝕刻前導層可經(jīng)選擇使得其可在單一工藝中被蝕刻掉或以另外的方式去除。在特定實施例中，蝕刻前導層是聚合材料，例如PMGI或PMMA，且掩模是光致抗蝕劑掩模?？稍诠饪坦に嚻陂g實現(xiàn)底切，且其不需要額外蝕刻步驟。在此實施例中，單一蝕刻(不同于第一蝕刻)可去除PR掩模和聚合蝕刻前導層兩者，從而簡化制造工藝。在另一實施例中，可通過沉積在層中不同高度處具有不同特性的支柱層84使得層84的上部部分將以比層84的下部部分快的速率被蝕刻，而不使用單獨的蝕刻前導層，來實現(xiàn)所需的錐度。圖13描繪此實施例，其中層84的特性在層成形(例如，沉積)期間變化，使得層84已被蝕刻為錐形形狀。這些變化的特性可以多種方式實現(xiàn)。舉例來說，在等離子化學氣相沉積期間，可改變(通過厚度分級)例如氣體、功率和/或壓力等工藝條件以便使稍后沉積的材料的成分可通過特定蝕刻劑較快地蝕刻。此變化還可在使用濺鍍蝕刻工藝的同時實現(xiàn)。類似地，如圖14中可見，可通過沉積具有稍許不同特性的多個層來近似具有不同特性的單一無機支柱材料層84。在此實施例中，制造三個單獨層84a、84b和84c，使得當暴露于特定蝕刻劑時層84b和84c的蝕刻速率快于84a，且84c的蝕刻速率快于84b。在各種實施例中，可沉積具有不同或均一厚度的較多或較少的層以形成此分層支柱層。如上文所論述，可在各個支柱層的沉積之間修改CVD或濺鍍蝕刻工藝的各種特性以便實現(xiàn)每一層的所需相對蝕刻速率。此工藝也可應用于沉積鏡層或任何其它層。在另一實施例中，如圖15中所描繪，可在支柱層84上沉積掩模層272使得掩模272與支柱層84之間的粘附力有意地較差。在蝕刻支柱層84期間，掩模272將脫離支柱層84，從而允許從上方以及從側(cè)部蝕刻支柱層84，從而產(chǎn)生所需的錐形形狀。優(yōu)選地，用于蝕刻支柱層84的蝕刻劑是濕式蝕刻劑或各向同性干式蝕刻劑?？稍谥圃旃に嚻陂g通過(例如)降低掩模272的烘焙溫度或?qū)χе鶎?4的上表面進行化學處理以減小與抗蝕劑272或其它掩模材料的粘附力來修改抗蝕劑粘附力。此工藝也可應用于蝕刻鏡層或任何其它層。在又一實施例中，可通過在無機支柱層上沉積光致抗蝕劑掩模并使用連續(xù)蝕刻和灰化工藝以逐步去除所述光致抗蝕劑掩模的若干部分從而形成階梯狀結(jié)構(gòu)，來近似錐形邊緣。圖16A-16D描繪在例如圖9J的支柱的無機結(jié)構(gòu)的邊緣處形成此階梯狀圖案的方法。圖16A中，可見，已在支柱材料層84與犧牲層82之間形成蝕刻阻擋層280。接著在支柱層84上沉積掩模層282。圖16B中，執(zhí)行蝕刻以去除暴露的支柱層84的一部分。如所說明的實施例中所示，此蝕刻可僅去除暴露的支柱層84的一部分，但在其它實施例中，第一蝕刻劑可蝕刻停留在蝕刻阻擋層280上的支柱層的整個暴露部分。圖16C中，已例如通過灰化工藝去除掩模282的一部分，且執(zhí)行另一蝕刻以去除支柱層84的另一新暴露的部分。接著重復此工藝直到支柱層84在某些部位已被向下一直蝕刻到蝕刻阻擋層282為止，如圖36D中可見。因此，可制造無機支柱290，其具有近似錐形邊緣的帶有階梯狀輪廓的邊緣。雖然可使用任何適當數(shù)目的連續(xù)蝕刻和灰化(或其它掩?？s減或收縮)步驟，但在一個實施例中，三個此類重復提供錐形邊緣的可接受的近似。這種重復蝕刻和灰化(或其它掩?？s減或收縮)工藝也可應用于蝕刻鏡層。在一個實施例中，遮蔽鏡層，且使用第一蝕刻劑(其可以是H3P04蝕刻劑)來蝕刻暴露的鏡層的一部分。接著使掩模部分灰化，從而暴露鏡層的先前未蝕刻部分，且接著經(jīng)由第二蝕刻劑蝕刻鏡層，所述第二蝕刻劑在某些實施例中可與第一蝕刻劑相同，且在其它實施例中可以是不同的蝕刻劑(例如，TMAH蝕刻劑)，其相對于下伏犧牲或蝕刻停止層可能較具選擇性。在另一實施例中，可使用交替的重復蝕刻工藝來形成具有錐形邊緣的圖案化鏡層。圖17A中，可見，已在第一犧牲層82上沉積反射層90，且已在反射層卯上沉積蝕刻前導層290，之后沉積光致抗蝕劑掩模292。在所說明的實施例中，可通過一蝕刻劑(例如，含氟的)來蝕刻所述蝕刻前導層290，所述蝕刻劑還將蝕刻犧牲層82，且明確地說可包括與犧牲層相同的材料(例如，鉬)。圖17B中，已例如通過使用PAN蝕刻劑部分蝕刻反射層90，所述PAN蝕刻劑將蝕刻鋁和鉬兩者，但可見，下伏犧牲層82尚未通過此蝕刻劑暴露。圖17C中，已使用相對于犧牲材料具有選擇性的蝕刻劑(例如，H3P04蝕刻劑)蝕刻暴露的反射層卯的剩余部分。通過使下伏犧牲材料不暴露于將充分蝕刻犧牲材料的蝕刻劑，可避免對反射層卯的底切，且獲得所需的錐形形狀。圖17D中，已剝離掩模292。圖17E中，已通過相對于反射層90具有選擇性的蝕刻劑(例如，SF6/02蝕刻劑)去除蝕刻前導層290。盡管可通過此蝕刻劑去除下伏犧牲材料92的一部分，但其不會對圖案化反射層卯的錐形形狀產(chǎn)生影響，因為所述蝕刻劑相對于反射層90具有選擇性且不會從下方蝕刻反射層90。將了解，盡管已主要相對于支柱邊緣的定形而論述上述形成錐形邊緣的方法，但這些方法可經(jīng)修改并應用于形成所揭示的MEMS裝置中的其它層(例如，電極層或犧牲層)的錐形邊緣(尤其當打開支撐區(qū)中的錐形孔時)。另外，本文揭示和描述的工藝可經(jīng)修改以包含這些步驟，只要所述工藝可受益于對層進行蝕刻使得其包括錐形邊緣。這些工藝還可結(jié)合其它形成MEMS裝置(例如，所揭示的干涉式調(diào)制器)的方法來利用。結(jié)合或代替在層上形成錐形邊緣，還可通過改進層邊緣處的階梯覆蓋的若干替代方法來促進上覆層的沉積。在某些實施例中，可使濺鍍沉積偏移，使得以一角度沉積所沉積的一些或所有材料，以便在隅角處提供較好的覆蓋，從而減少使階梯成錐形的需要。在另一實施例中，上面沉積這些層的襯底可向目標結(jié)構(gòu)傾斜一角度，且在另外的實施例中可在沉積期間旋轉(zhuǎn)。在另一實施例中，濺鍍沉積中使用的目標結(jié)構(gòu)的輪廓可經(jīng)優(yōu)化使得某些部分與材料被濺鍍到的襯底成所需角度。在又一實施例中，上面沉積所述層的襯底來回搖擺。濺鍍蝕刻還可有利地用于本文描述的工藝中。除了使上面將沉積另一層的表面粗糙并清潔所述表面外(如上文所論述)，濺鍍蝕刻還可與濺鍍沉積結(jié)合使用。在一個實施例中，沉積比必需厚度厚的層，且接著將所述層濺鍍蝕刻到所需厚度，從而提供較平滑的層(例如，通過使隅角成圓形)。在又一實施例中，濺鍍蝕刻和沉積可交替。也可使用偏移濺鍍來改進導電襯底、導電層或?qū)щ娭渭?例如，夾盤)上的襯底上的階梯覆蓋。也可使用其它沉積工藝，例如原子層沉積(ALD)、大氣壓力化學氣相沉積(AP-CVD)、低壓化學氣相沉積(LP-CVP)、高密度等離子化學氣相沉積(HDP-CVD)，且在另外的實施例中，這些沉積工藝可經(jīng)修改以包含偏移。這些方法中的任一者可結(jié)合本文描述的工藝中的任一者使用以改進階梯覆蓋。此外，在某些實施例中，這些方法的使用可減少或排除需要在層上形成錐形邊緣，或增加錐形邊緣的優(yōu)點。在其它實施例中，可利用剝離工藝在干涉式調(diào)制器的制造期間形成所需的層。在一個實施例中(參看圖18A-18C描述)，可利用剝離工藝形成鄰近于可移動層的所需支撐結(jié)構(gòu)，且明確地說下伏于可移動層下方的支柱結(jié)構(gòu)。有利地，此剝離工藝允許沉積具有所需錐度的層(例如，無機支柱)，從而促進沉積上覆層。另外，此工藝可排除需要相對于下伏材料選擇性地蝕刻支柱材料。在圖18A中，可見，犧牲材料層82已經(jīng)圖案化并蝕刻以形成錐形孔86，且在邊緣處具有負角的掩模222沉積在犧牲層82上，使得掩模222不延伸到孔86的邊緣。在某些實施例中，此掩模222包括光致抗蝕劑材料(且在特定實施例中，可以是雙層光致抗蝕劑，以促進負角的形成)，但也可以是硬掩模。在特定實施例中，掩模222可包括用于圖案化犧牲層82的光致抗蝕劑。在圖18B中，可見，支柱材料層84沉積在掩模222上。掩模222的負角導致以所需無機支柱188的形狀沉積支柱材料84，其由于對沉積的陰影效應而具有錐形邊緣。視掩模222的厚度和負角的度數(shù)而定，掩模222的形狀還有利地導致掩模222上方的支柱材料84與將形成無機支柱的支柱材料84之間的間隙。在此實施例中，掩模222有利地厚于待沉積的材料，從而允許蝕刻劑或灰化化學物質(zhì)接達掩模222。優(yōu)選地，經(jīng)由物理氣相沉積(例如，蒸發(fā)或濺鍍工藝)沉積支柱材料，以免沉積掩模222下側(cè)的材料，其將抑制上覆于掩模222上的材料的非需要部分的剝離。然而，如果形成此類連接，例如如果使用CVD工藝來沉積支柱層84，那么可使用超聲波能量使任何連接部分斷裂，因為其將很可能相對于總體支柱層84的厚度在懸垂的掩模以下的陰影區(qū)中較薄。在圖18C中，可見，使用剝離工藝來去除掩模222，從而同時去除上覆于掩模222上的支柱材料84。這種剝離工藝可包括用以去除掩模222的蝕刻劑，例如濕式蝕刻劑，或者氣態(tài)或蒸汽蝕刻劑。剝離工藝還可包括用以去除不再附接的那些材料的起皺烘焙和清洗工藝。制造工藝進一步包括可移動層的后續(xù)沉積、圖案化和釋放MEMS裝置，如上文所論述。也可利用類似的剝離工藝形成上覆于可移動層上的鉚釘結(jié)構(gòu)。明確地說，可通過在沉積掩模之前在圖案化犧牲層上沉積可移動層(例如，可移動層66)來修改圖18A-18C的工藝。接著在掩模上沉積所需的鉚釘材料層，且接著去除掩模，從而剝離多余的鉚釘層而形成鉚釘。有利地，如上文所論述，這可排除需要相對于下伏機械層選擇性地蝕刻鉚釘層。因此，可由與機械層相同的材料形成鉚釘，而不需要所述兩層之間的蝕刻阻擋層。在一個實施例中，可通過使用光致抗蝕劑掩模結(jié)合下伏剝離材料層來形成具有負角的掩模222。圖19A-19C描繪用于形成此掩模的工藝。在圖19A中，可見，已在下伏層226(其可以是(例如)犧牲層)上沉積剝離材料層224，且已在剝離層224上沉積光致抗蝕劑材料層228。在圖19B中，光致抗蝕劑材料228己經(jīng)圖案化并選擇性地去除以形成孔229，其將允許蝕刻下伏剝離層224。在圖19C中，可見，已以某一程度的各向同性選擇性地蝕刻剝離層224以在光致抗蝕劑228下方橫向凹進并形成腔230，其邊緣具有負角或懸垂，如上文所論述?？?例如)通過選擇性地過度蝕刻剝離層224來實現(xiàn)此負角。在一個實施例中，剝離層224包括聚酰亞胺釋放層。在一個實施例中，剝離層224本身可以是可光圖案化的。在一個實施例中，剝離層224可以是具有通過顯影形成的底切的雙層光致抗蝕劑。在一個實施例中，如先前在圖18中所描繪，掩模222可由單一剝離層形成，而不是由剝離層結(jié)合光致抗蝕劑掩模形成?？衫脛冸x工藝在MEMS裝置(例如，所說明的干涉式調(diào)制器)的支撐件的制造期間形成其它所需形狀。在另一實施例中(參看圖20描述)，利用剝離工藝在犧牲層82中形成錐形孔。在此實施例中，在沉積犧牲層82之前首先在光學堆疊16上形成掩模222?？梢钥吹剑搜谀?22包括控制所沉積的犧牲層82的形狀的負角。仍參看圖20，可以看到，已沉積犧牲材料層82，使得位于襯底上的犧牲材料將具有在剝離掩模222和上覆犧牲材料時具有所需錐形孔的形狀。在另一實施例中(參看圖21描述)，使用剝離工藝形成隔離電極部件，其在包括光學MEMS的實施例中可以是鏡。此實施例包含圖9A-9D的步驟。在圖21中，可以看到，掩模222沉積在犧牲層82上，掩模層222沿著掩模層222的側(cè)部具有凹入輪廓，且反射材料層卯接著沉積在掩模層222上。在稍后步驟中，通過剝離工藝去除掩模222，連同反射層卯的上覆部分，從而形成隔離電極部件，其在此實施例中包括鏡。制造工藝可如參看圖IOC-IOF所論述而繼續(xù)。將了解，以上實施例的各種組合是可能的。預期上文論述的方法的各種其它組合且所述組合在本發(fā)明范圍內(nèi)。另外，將了解，通過以上方法中的任一者形成的結(jié)構(gòu)可與其它形成MEMS裝置內(nèi)的結(jié)構(gòu)的方法組合利用。還將了解，以上實施例中層的次序和形成那些層的材料僅是示范性的。此外，在一些實施例中，其它層(未圖示)可經(jīng)沉積和處理以形成MEMS裝置的若干部分或在襯底形成其它結(jié)構(gòu)。在其它實施例中，這些層可使用替代性沉積、圖案化和蝕刻材料及工藝形成，可以不同次序沉積，或由不同材料組成，如所屬領域的技術(shù)人員將了解。還應了解，視實施例而定，除非文中另外明確且清楚地說明，否則本文描述的任何方法的動作或事件可以其它序列執(zhí)行，可進行添加、合并或完全省去(例如，并非必需所有動作或事件來實踐所述方法)。盡管以上詳細描述內(nèi)容已經(jīng)展示、描述并指出了應用于各個實施例的本發(fā)明的新穎特征，但將了解，所屬領域的技術(shù)人員可在不脫離本發(fā)明的精祌的情況下，對所說明的過程的裝置作出形式和細節(jié)上的各種省略、替代和變化。將認識到，本發(fā)明可包含在不提供本文所陳述的特征和益處中的所有特征和益處的形式內(nèi)，因為一些特征可能與其它特征分離地使用或?qū)嵺`。權(quán)利要求1.一種制造MEMS裝置的方法，其包括形成電極層；在所述電極層上形成掩模；使用所述掩模圖案化所述電極層以形成隔離電極部件；以及使所述電極部件成錐形以形成向外成錐形的邊緣部分，其中所述掩模的至少一部分在所述成錐形期間保持在適當位置。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中圖案化所述電極層和使所述電極部件成錐形包括單一蝕刻工藝，且其中所述掩模在所述蝕刻工藝期間保持在適當位置。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其額外包括在所述電極層上形成蝕刻前導層，其中所述蝕刻前導層形成在所述掩模與所述電極層之間。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中使所述電極部件成錐形包括使用以比所述電極部件大的速率蝕刻所述蝕刻前導層的蝕刻來蝕刻所述電極部件。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中使所述電極部件成錐形包括用不顯著蝕刻所述電極部件的第一蝕刻來蝕刻所述蝕刻前導層的一部分；以及隨后蝕刻所述電極部件以形成所述向外成錐形的邊緣部分。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其額外包括在沉積所述電極層之前形成犧牲層，其中所述電極層形成在所述犧牲層上。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中可通過蝕刻所述犧牲層的蝕刻來蝕刻所述蝕刻前導層。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中使所述電極部件成錐形進一步包括通過在所述蝕刻前導層與所述電極部件之間不具有選擇性的第一蝕刻來蝕刻所述蝕刻前導層的一部分和所述電極部件，其中所述第一蝕刻不暴露所述第一犧牲層；以及通過相對于所述蝕刻前導層具有選擇性的第二蝕刻來蝕刻所述電極部件的一部分，其中所述第二蝕刻暴露所述第一犧牲層的一部分。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其進一步包括在執(zhí)行所述第二蝕刻之后去除上覆在所述蝕刻前導層上的所述掩模；以及經(jīng)由第三蝕刻去除所述蝕刻前導層。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述第三蝕刻相對于所述電極層具有選擇性。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述電極層包括形成在層的厚度上具有變化的特性的電極層。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中形成在層的厚度上具有變化的特性的所述電極層包括改變所述電極層的沉積期間的工藝條件。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中形成在層的厚度上具有變化的特性的所述電極層包括在所述第一犧牲層上沉積第一子層；以及在所述第一子層上沉積至少一第二子層，其中所述第二子層可通過在所述成錐形過程中使用的蝕刻劑以比所述第一子層大的速率蝕刻。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述電極層上形成掩模包括沉積與所述電極層具有較差粘附力的掩模。15.根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中使所述電極部件成錐形包括蝕刻所述電極層的暴露部分；去除所述掩模的一部分，從而暴露所述電極層的額外部分；以及蝕刻所述電極層的所述暴露部分和通過去除所述掩模的一部分而暴露的所述額外部分。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中去除所述掩模的所述部分包括部分灰化所述掩模。17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其額外包括在所述電極層下方形成蝕刻停止層。18.根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其額外包括在襯底上形成下部電極層；在所述下部電極層上形成第一犧牲層，其中所述隔離電極部件形成在所述第一犧牲層上。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其額外包括在所述隔離電極部件上形成第二犧牲層；圖案化所述第二犧牲層以暴露所述隔離電極部件的一部分；以及在所述第二犧牲層和所述隔離電極部件的所述暴露部分上形成機械層。20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其額外包括去除所述第一犧牲層，從而形成位于所.述下部電極層與所述隔離電極部件之間的氣隙。21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述電極層包括形成具有大體上平坦的下表面的反射層。22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述MEMS裝置是干涉式調(diào)制器。23.—種通過根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法形成的MEMS裝置。24.—種制造MEMS裝置的方法，其包括在襯底上形成犧牲層；圖案化所述犧牲層以形成孔；在所述圖案化犧牲層上形成支撐層；在所述支撐層上形成掩模；使用所述掩模圖案化所述支撐層以形成至少部分位于所述犧牲層中的所述孔內(nèi)的至少一個支撐結(jié)構(gòu)；以及使所述支撐結(jié)構(gòu)成錐形以形成錐形邊緣，其中所述掩模的至少一部分在所述成錐形期間保持在適當位置。25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中圖案化所述支撐層和使所述支撐結(jié)構(gòu)成錐形包括單一蝕刻工藝，且其中所述掩模在所述蝕刻工藝期間保持在適當位置。26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其額外包括在所述支撐層上形成蝕刻前導層，其中所述蝕刻前導層形成在所述掩模與所述支撐層之間。27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中使所述支撐結(jié)構(gòu)成錐形包括使用以比所述支撐結(jié)構(gòu)大的速率蝕刻所述蝕刻前導層的蝕刻。28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中使所述支撐結(jié)構(gòu)成錐形包括使用不顯著蝕刻所述支撐結(jié)構(gòu)的第一蝕刻來蝕刻所述蝕刻前導層的一部分；以及隨后蝕刻所述支撐層以形成所述至少支撐結(jié)構(gòu)。29.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中形成所述支撐層包括形成在層的厚度上具有變化的特性的支撐層。30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中形成在層的厚度上具有變化的特性的所述支撐層包括改變所述支撐層的沉積期間的工藝條件。31.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中形成在所述支撐層的厚度上具有變化的特性的所述支撐層包括-在所述犧牲層上沉積第一子層；以及在所述第一子層上沉積至少一第二子層，其中所述第二子層可通過在所述成錐形過程中使用的蝕刻劑以比所述第一子層大的速率蝕刻。32.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中在所述支撐層上形成掩模包括沉積與所述支撐層具有較差粘附力的掩模。33.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中使所述支撐結(jié)構(gòu)成錐形包括蝕刻所述支撐層的暴露部分；去除所述掩模的一部分，從而暴露所述支撐結(jié)構(gòu)的額外部分；以及蝕刻所述暴露部分和通過去除所述掩模的一部分而暴露的所述額外部分。34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的方法，其中去除所述掩模的一部分包括部分灰化所述掩模。35.根據(jù)權(quán)利要求33所述的方法，其額外包括在所述犧牲層與所述支撐層之間形成蝕刻停止層。36.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其額外包括在鄰近于所述至少一個支撐結(jié)構(gòu)處形成可移動層37.根據(jù)權(quán)利要求36所述的方法，其中在沉積所述支撐材料層之后形成所述可移動層，且所述可移動層形成在所述至少一個支撐結(jié)構(gòu)上。38.根據(jù)權(quán)利要求36所述的方法，其中形成所述可移動層包括-在所述犧牲層上形成反射子層；以及在所述反射子層上形成機械子層39.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其額外包括執(zhí)行釋放蝕刻以去除所述犧牲層，從而形成位于所述可移動層與所述襯底之間的氣隙。40.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其額外包括在沉積所述犧牲層之前在所述襯底上形成下部電極層，其中所述犧牲層形成在所述下部電極層上41.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中所述MEMS裝置是干涉式調(diào)制器。42.—種通過根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法形成的MEMS裝置。43.—種制造MEMS裝置的方法，其包括在襯底上形成電極層；在所述電極層上形成犧牲層；圖案化所述犧牲層以形成延伸穿過所述犧牲層的至少一個錐形孔；形成上覆在延伸穿過所述犧牲層的所述錐形孔上的包含孔的掩模層，所述掩模層包括在所述掩模層中的所述孔周圍延伸的懸置部分；在所述掩模層上沉積支撐層；經(jīng)由剝離工藝去除所述掩模層，從而形成至少部分位于延伸穿過所述犧牲層的所述錐形孔內(nèi)的支撐結(jié)構(gòu)；以及在鄰近于所述支撐結(jié)構(gòu)處形成可移動層。44.根據(jù)權(quán)利要求43所述的方法，其中所述支撐結(jié)構(gòu)包括錐形邊緣。45.根據(jù)權(quán)利要求43所述的方法，其中所述支撐層直接沉積在延伸穿過所述犧牲層的所述錐形孔的側(cè)壁上。46.根據(jù)權(quán)利要求43所述的方法，其額外包括執(zhí)行釋放蝕刻以去除所述犧牲層，從而形成位于所述電極層與所述可移動層之間的氣隙。47.根據(jù)權(quán)利要求43所述的方法，其中形成所述可移動層包括-在所述犧牲層上形成反射子層；以及在所述反射子層上形成機械子層。48.根據(jù)權(quán)利要求43所述的方法，其中所述MEMS裝置包括干涉式調(diào)制器。49.根據(jù)權(quán)利要求43所述的方法，其中在形成所述支撐結(jié)構(gòu)之后形成所述可移動層。50.根據(jù)權(quán)利要求43所述的方法，其中所述掩模層包括光致抗蝕劑材料。51.根據(jù)權(quán)利要求50所述的方法，其中所述掩模層包括雙層光致抗蝕劑。52.根據(jù)權(quán)利要求50所述的方法，其中形成所述掩模層包括沉積剝離材料層；沉積光致抗蝕劑材料層；圖案化所述光致抗蝕劑材料以形成延伸穿過所述光致抗蝕劑材料的上部孔；以及蝕刻下伏在延伸穿過所述光致抗蝕劑材料的所述上部孔下的所述剝離材料，其中所述蝕刻包括對所述光致抗蝕劑材料層進行底切以形成所述掩模層的所述懸置部分，從而形成延伸穿過所述掩模層的所述孔。53.根據(jù)權(quán)利要求50所述的方法，其中圖案化所述犧牲層以形成錐形孔額外包括使用所述掩模層來圖案化所述犧牲層以形成錐形孔。54.根據(jù)權(quán)利要求43所述的方法，其中經(jīng)由蒸發(fā)或濺鍍工藝來沉積所述支撐層。55.根據(jù)權(quán)利要求43所述的方法，其額外包括在經(jīng)由剝離工藝去除所述掩模層之前將所述支撐層暴露于超聲波能量。56.—種通過根據(jù)權(quán)利要求43所述的方法形成的MEMS裝置。57.—種制造MEMS裝置的方法，其包括在襯底上形成電極層；在所述電極層上形成掩模，其中所述掩模包括圍繞所述掩模的外圍延伸的負角；在所述掩模上沉積犧牲材料層；經(jīng)由剝離工藝去除所述掩模，從而形成包括錐形孔的犧牲層；形成至少部分位于所述錐形孔內(nèi)的支撐結(jié)構(gòu)；以及在鄰近于所述支撐結(jié)構(gòu)處形成可移動層。58.根據(jù)權(quán)利要求57所述的方法，其額外包括執(zhí)行釋放蝕刻以去除所述犧牲層，從而形成位于所述可移動層與所述電極層之間的氣隙。59.根據(jù)權(quán)利要求57所述的方法，其中形成所述支撐結(jié)構(gòu)包括在圖案化犧牲層上沉積支撐材料層；以及圖案化所述支撐材料層以形成至少部分位于所述孔內(nèi)的支撐結(jié)構(gòu)，其中所述可移動層沉積在所述支撐結(jié)構(gòu)上。60.根據(jù)權(quán)利要求57所述的方法，其中所述掩模包括光致抗蝕劑材料。61.根據(jù)權(quán)利要求60所述的方法，其中所述掩模包括雙層光致抗蝕劑。62.根據(jù)權(quán)利要求60所述的方法，其中形成所述掩模包括沉積剝離材料層；沉積光致抗蝕劑材料層；圖案化所述光致抗蝕劑材料以形成延伸穿過所述光致抗蝕劑材料的孔；以及蝕刻下伏在延伸穿過所述光致抗蝕劑材料的所述孔下的所述剝離材料，其中所述蝕刻包括對所述光致抗蝕劑材料層進行底切以形成所述掩模層的懸置部分。63.根據(jù)權(quán)利要求57所述的方法，其中經(jīng)由物理氣相沉積工藝來沉積所述犧牲材料層。64.—種通過根據(jù)權(quán)利要求57所述的方法形成的MEMS裝置。65.—種制造MEMS裝置的方法，其包括在襯底上形成下部電極層；在所述電極層上形成犧牲層；形成上覆在所述犧牲層上的掩模層，所述掩模層包括孔，所述孔具有在所述孔的邊緣周圍延伸的懸置部分；在所述掩模層上沉積電極材料層；經(jīng)由剝離工藝去除所述掩模層，從而形成具有向外成錐形的邊緣的至少一隔離電極部件。66.根據(jù)權(quán)利要求65所述的方法，其額外包括形成上覆在所述隔離電極部件上的第二犧牲層；圖案化所述第二犧牲層以形成暴露所述隔離電極部件的至少一部分的孔；以及在所述第二犧牲層上沉積機械層。67.根據(jù)權(quán)利要求65所述的方法，其額外包括經(jīng)由釋放蝕刻去除所述犧牲層，從而形成位于所述隔離電極部件與所述下部電極層之間的氣隙。68.根據(jù)權(quán)利要求65所述的方法，其中所述掩模層包括光致抗蝕劑材料。69.根據(jù)權(quán)利要求65所述的方法，其中經(jīng)由蒸發(fā)或濺鍍工藝來沉積所述電極材料層。70.—種通過根據(jù)權(quán)利要求65所述的方法形成的MEMS裝置。全文摘要某些MEMS裝置包含經(jīng)圖案化以具有錐形邊緣的層。一種形成具有錐形邊緣的層的方法包含使用蝕刻前導層。另一種形成具有錐形邊緣的層的方法包含沉積其中上部部分可以比下部部分快的速率蝕刻的層。另一種形成具有錐形邊緣的層的方法包含使用多個反復蝕刻。另一種形成具有錐形邊緣的層的方法包含使用具有包含負角的孔的剝離掩模層，使得可在所述剝離掩模層上沉積一層并去除所述掩模層，從而留下具有錐形邊緣的結(jié)構(gòu)。文檔編號B81C1/00GK101258101SQ200680030211公開日2008年9月3日申請日期2006年8月17日優(yōu)先權(quán)日2005年8月19日發(fā)明者斯蒂芬·澤,桂成斌,王春明,笹川照夫,董明豪申請人:高通Mems科技公司