專利名稱：具有通過(guò)襯底的導(dǎo)電路徑的mems器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明主要涉及MEMS器件，更具體地，本發(fā)明涉及MEMS器件的電通信。
背景技術(shù)：
高度小型化的微機(jī)電系統(tǒng)(即“MEMS”)可備配置用來(lái)執(zhí)行多種功能。例如，MEMS器件可以實(shí)現(xiàn)為加速度計(jì)，測(cè)量運(yùn)動(dòng)物體的加速度。例如，一種MEMS加速度計(jì)使用懸浮物，響應(yīng)于加速度，該懸浮物相對(duì)于下面的襯底運(yùn)動(dòng)。從而可以作為懸浮物相對(duì)其下面襯底的運(yùn)動(dòng)的函數(shù)來(lái)計(jì)算加速度。
電路控制MEMS操作的多個(gè)方面。例如，上述懸浮物可與檢測(cè)物體運(yùn)動(dòng)的片外電路進(jìn)行電通信。根據(jù)這樣檢測(cè)到的運(yùn)動(dòng)量，該電路能夠計(jì)算加速度值。
一種廣為實(shí)現(xiàn)的MEMS器件結(jié)構(gòu)與電路進(jìn)行電通信的方法包括使用接合焊盤。具體地，MEMS器件具有與接合焊盤連接的引線，該引線在襯底上與MEMS結(jié)構(gòu)橫向間隔。然而，這樣的布置具有許多不利之處。其中，接合焊盤使用襯底上相對(duì)較多的寶貴的表面積。此外，接合焊盤及其引線經(jīng)?？僧a(chǎn)生破壞由MEMS器件產(chǎn)生的基本電信號(hào)的寄生電容。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，MEMS器件具有至少一個(gè)從其襯底(具有MEMS結(jié)構(gòu))頂面?zhèn)妊由熘了鲆r底底面?zhèn)鹊膶?dǎo)電路徑。該至少一個(gè)導(dǎo)電路徑延伸穿過(guò)襯底，電連接底面?zhèn)群蚆EMS結(jié)構(gòu)。
一些實(shí)施例包括MEMS結(jié)構(gòu)的至少一部分的封蓋。該封蓋和襯底直觀地形成至少部分包含該MEMS結(jié)構(gòu)的空腔。在一些實(shí)施例中，至少一個(gè)導(dǎo)電路徑基本上從襯底的底面?zhèn)壬斐龌蛘哐由?。為了?shí)現(xiàn)電子連接，可將焊球固定至該至少一個(gè)導(dǎo)電路徑。
該導(dǎo)電路徑可由多種不同材料形成，例如多晶硅。MEMS結(jié)構(gòu)直觀地具有可移動(dòng)物，例如那些在陀螺儀和加速度計(jì)中所用的物體。此外，MEMS器件還可具有由襯底支撐的電路。該電路直觀地與至少一個(gè)導(dǎo)電路徑進(jìn)行電通信。在這種情況下，襯底可包括硅鍺。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，MEMS系統(tǒng)具有1)帶有電路和電路接口端口的第一襯底，以及2)具有第二襯底的MEMS器件，該第二襯底帶有頂面?zhèn)群晚斆鎮(zhèn)取ｍ斆鎮(zhèn)劝∕EMS結(jié)構(gòu)。MEMS器件還具有從MEMS結(jié)構(gòu)到底面?zhèn)蓉灤┑诙r底的導(dǎo)電路徑。該導(dǎo)電路徑與第一襯底上的接口端口耦合，以使電路與MEMS結(jié)構(gòu)電通信。
在示意實(shí)施例中，MEMS器件沒(méi)有電路。此外，MEMS器件具有位于導(dǎo)電路徑和第二襯底的至少一部分間的隔離器。在一些實(shí)施例中，MEMS結(jié)構(gòu)在第二襯底上限定設(shè)計(jì)邊界(即，第二襯底上的區(qū)域)。導(dǎo)電路徑可處于該設(shè)計(jì)邊界內(nèi)。


通過(guò)下面的進(jìn)一步說(shuō)明并參考附圖可以更加充分地理解本發(fā)明的前面所述和其它優(yōu)勢(shì)，其中圖1根據(jù)本發(fā)明示意性地表示可封蓋的電子器件的透視圖。
圖2示意性地表示圖1中所示器件沿線X-X的透視圖，其中根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例配置該器件。
圖3表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的形成圖2中所示電子器件的工藝。
圖4表示形成穿過(guò)圖3中所示器件的襯底的孔的工藝。
圖5示意性地表示在MEMS器件上實(shí)現(xiàn)的本發(fā)明替換實(shí)施例的剖視圖，該MEMS器件在相同的管芯上具有電路和結(jié)構(gòu)。
圖6示意性地表示在MEMS器件上實(shí)現(xiàn)的本發(fā)明另一替換實(shí)施例的剖視圖，該MEMS器件在相同的管芯上具有電路和結(jié)構(gòu)并在封蓋上具有電路。
圖7示意性地表示在MEMS器件上實(shí)現(xiàn)的本發(fā)明另一替換實(shí)施例的剖視圖，其中封蓋實(shí)際上形成另一MEMS器件。
具體實(shí)施例方式
在解釋性實(shí)施例中，貫穿MEMS器件襯底的導(dǎo)電路徑(即，孔)將襯底上MEMS結(jié)構(gòu)與對(duì)應(yīng)的電路電耦合。此電路，其可以控制并且/或者檢測(cè)MEMS結(jié)構(gòu)的運(yùn)動(dòng)，可以處于另一襯底上或者與MEMS結(jié)構(gòu)處于同一襯底上。如果孔直接位于MEMS結(jié)構(gòu)的下方(例如，在平面圖中)，那么它并不需要附加的襯底實(shí)體。此外，可以預(yù)測(cè)，這樣的布置比使用接合焊盤的現(xiàn)有布置產(chǎn)生更少的寄生電容。下面討論各種圖1示意性地表示可根據(jù)本發(fā)明配置的通用MEMS器件10。所示的MEMS器件10包括與電路管芯14耦合的封蓋MEMS管芯12。因此，所示MEMS管芯12具有受到電路管芯14上電路控制和/或檢測(cè)的結(jié)構(gòu)。電路管芯14具有接合焊盤16或者其它連線，以與諸如計(jì)算機(jī)的外部設(shè)計(jì)進(jìn)行電子通信。為了進(jìn)一步保護(hù)MEMS器件10免受環(huán)境的侵害，常規(guī)的工藝可將整個(gè)MEMS器件10安裝至封裝中。
MEMS器件10可以是任何常規(guī)公知的MEMS器件10，例如慣性傳感器。例如，MEMS器件10可以是陀螺儀或者加速度計(jì)。示例MEMS陀螺儀在美國(guó)專利No.6,505,511中詳細(xì)討論，該專利轉(zhuǎn)讓至AnalogDevice，Inc.of Norwood，Massachusetts。示例MEMS加速度計(jì)在美國(guó)專利No.5,939,633中詳細(xì)討論，該專利同樣轉(zhuǎn)讓至Analog Device，Inc.ofNorwood，Massachusetts。此處整體引用美國(guó)專利No.5,939,633和No.6,505,511的公開(kāi)內(nèi)容作為參考。
圖2示意性地示出了圖1所示器件沿線X-X的剖視圖。具體地，MEMS器件10包括上述MEMS管芯12(例如，包括硅基材料，如硅)，該管芯具有安裝至其頂側(cè)的硅基封蓋18，并且包括上述電路管芯14，該管芯安裝至MEMS管芯12的底側(cè)。封蓋18示例地由多晶硅(或者單晶硅)形成，并且被刻蝕具有由從其內(nèi)側(cè)延伸的蓋緣22形成的腔體20。腔體20覆蓋MEMS管芯12的中央部分，該部分包括使MEMS功能生效的主結(jié)構(gòu)24。例如，如果MEMS管芯12是加速度計(jì)，那么結(jié)構(gòu)24可包括在襯底26上懸浮的可移動(dòng)物。
認(rèn)為MEMS器件10形成導(dǎo)電緣28，該導(dǎo)電緣在MEMS管芯12上限制MEMS結(jié)構(gòu)24。其中，導(dǎo)電緣28形成保護(hù)MEMS結(jié)構(gòu)24免受環(huán)境侵害的密封環(huán)。例如，該密封環(huán)可保護(hù)結(jié)構(gòu)24防止灰塵、潮濕以及污垢。在替換實(shí)施例中，導(dǎo)電緣28向MEMS器件24提供非密封環(huán)。如本領(lǐng)域技術(shù)人員所知，非密封環(huán)可保護(hù)MEMS結(jié)構(gòu)24防止灰塵和污垢，但是不能防止潮濕。除了密封MEMS結(jié)構(gòu)24之外，導(dǎo)電緣28還通過(guò)MEMS管芯12電連接封蓋18和電路管芯14。電路管芯14上的電路30將封蓋18的電位設(shè)置為地或者任何希望的電壓電平。
根據(jù)本發(fā)明的示意實(shí)施例，MEMS管芯12包括孔32和接觸34(例如，球柵陣列的球)，它們從導(dǎo)電緣28延伸，通過(guò)MEMS管芯12/襯底26(此后簡(jiǎn)稱為“管芯12”)，到達(dá)電路管芯14。還可以在不接觸導(dǎo)電緣28的位置通過(guò)管芯12形成孔32?？?2示意性地在管芯12上由導(dǎo)電緣28限定的區(qū)域內(nèi)形成。例如，在一些實(shí)施例中，考慮MEMS結(jié)構(gòu)24在管芯12的表面上形成正投影。因此，在該區(qū)域中形成通過(guò)管芯12的孔32。從而，沒(méi)有必要放大管芯12來(lái)適應(yīng)接合焊盤或者其它電接口。但是在替換實(shí)施例中，可在導(dǎo)電緣28的外部形成通過(guò)管芯12的孔32。
為了形成導(dǎo)電緣28，MEMS管芯12具有多晶硅材料的凸緣(從襯底26延伸并且此處稱為“MEMS緣36”)，該凸緣與從封蓋18延伸的蓋緣22集成耦合?；蛘?，該凸緣包括硅、金屬或者其它材料。在示例實(shí)施例中，蓋緣22和MEMS緣36在松散限定的連線區(qū)38匯合，該區(qū)域具有較高的硅化物濃度(下面參考圖3討論)。該硅化物濃度可在連線區(qū)38的中心最高，而在其松散限定的端部降低至約零。此外，導(dǎo)電緣28(通過(guò)連線區(qū)38、MEMS緣36以及蓋緣22形成)優(yōu)選地與MEMES結(jié)構(gòu)24電子隔離，確保施加至封蓋18的電壓被仔細(xì)地控制。
在示例實(shí)施例中，MEMS緣36還起到傳感器元件的作用?；蛘咂渲?，MEMS緣36起到接地平面元件、電路元件或者虛機(jī)械結(jié)構(gòu)的作用。
圖3示意性地表示形成圖2中所示MEMS器件10的示例工藝。應(yīng)當(dāng)注意，此工藝的各個(gè)步驟可以按照不同于所述的順序執(zhí)行。此外，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以執(zhí)行附加的步驟，同時(shí)忽略其它。
該工藝開(kāi)始于步驟300，其中通過(guò)常規(guī)工藝形成MEMS管芯12(例如，利用表面微機(jī)械加工工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)新的工藝步驟)。如果在絕緣體上硅(“SOI”)管芯12上使用，那么可以使用常規(guī)SOI工藝。如上所述，可以通過(guò)硅基材料，例如多晶硅來(lái)形成管芯。然而在替換實(shí)施例中，還可以使用其它類型的材料。例如，可將單晶硅、金屬或者硅鍺用于MEMS管芯12的所有或者所選部分。在任何情況下，孔32、凸緣36以及其它導(dǎo)電部件的導(dǎo)電性應(yīng)當(dāng)被控制在令人滿意的水平。如果有必要，需要一些摻雜來(lái)確保適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電特性。
可以至少部分地通過(guò)常規(guī)方法形成MEMS管芯12。例如參見(jiàn)上述并且包含的專利申請(qǐng)中討論的方法。參考圖4更加詳細(xì)地討論形成孔32的示例工藝。
然后在步驟302形成封蓋18。以類似于MEMS器件管芯12的方式，可通過(guò)多晶硅或者根據(jù)常規(guī)工藝(例如表面微機(jī)械加工工藝)的其它材料形成封蓋18。示意性地將腔體20和蓋緣22的尺寸選擇為確保與MEMS管芯12的足夠間距。具體地，腔體20應(yīng)當(dāng)大到足以不與MEMS管芯12上結(jié)構(gòu)24的運(yùn)動(dòng)發(fā)生干擾。
該工藝然后繼續(xù)至步驟304，其中常規(guī)的工藝形成電路管芯14?？梢允褂萌魏伪辉O(shè)計(jì)用于執(zhí)行希望功能的常規(guī)電路。例如，可以使用上述被包含的專利中所示的電路。具體地，如果MEMS器件10是加速度計(jì)，那么可以使用美國(guó)專利No.5,939,633中所示的電路來(lái)感應(yīng)MEMS管芯12中的靜電變化。應(yīng)當(dāng)注意，在示例實(shí)施例中，MEMS管芯12、封蓋18以及電路管芯14均被形成為單個(gè)晶片上相同元件陣列中的一個(gè)。
常規(guī)工藝然后可金屬化封蓋18的底層(步驟306)。例如，可以在封蓋18的底側(cè)上濺射淀積鉑層40。然后將金屬化封蓋18置于MEMS管芯12上，使得MEMS緣36直接接觸蓋緣22。
在此工藝的此時(shí)，MEMS管芯12和封蓋18并未固定在一起。因此，為了將它們?nèi)酆显谝黄?，使此中間裝置經(jīng)受足以在連線區(qū)38中形成硅化物接合的較高溫度和壓力(在步驟308)。本領(lǐng)域的技術(shù)應(yīng)當(dāng)能夠選擇適當(dāng)?shù)臏囟群蛪毫?。僅作為示例，將該中間裝置經(jīng)受約280-450攝氏度之間的溫度和約兩個(gè)大氣壓的壓力持續(xù)四十至五十分鐘將提供令人滿意的結(jié)果。
由此，該工藝的這一步驟在連線區(qū)38中形成鉑硅化物。如本領(lǐng)域技術(shù)人員公知，由于鉑與多晶硅的相互擴(kuò)散，兩個(gè)凸緣的外部和這兩個(gè)凸緣之間的鉑共同形成非常完整的和導(dǎo)電的連接器。鉑的濃度在連線區(qū)38的中心最高(例如百分之五十的鉑和百分之五十的多晶硅)，而它作為距離中心的距離的函數(shù)降低至零。
可以使用除過(guò)鉑之外的其它材料形成硅化物接合。例如，可以使用鎢或者鈦。然而使用這些材料通常需要比使用鉑所需的更高溫度來(lái)形成它們各自的硅化物接合。因此，并不推薦對(duì)于在中間裝置(參見(jiàn)下面討論的圖5-7)上具有電路30的實(shí)施例使用鎢或者鈦，因?yàn)槟菢拥母邷乜赡茇?fù)面地影響電路30。換言之，用于形成硅化物接合的所選材料應(yīng)當(dāng)在低于可負(fù)面影響電路30或者M(jìn)EMS器件10的溫度敏感部分的溫度下互擴(kuò)散(并且/或者熔化)。
可以使用其它類型的接合。例如，除了形成硅化物接合外，可以使用基于焊接的接合。但是使用這類接合需要附加的工藝步驟。具體地，除了至少金屬化蓋緣22(如上所述)之外，還要金屬化MEMS緣36。繼續(xù)上述示例，以類似于蓋緣22的方式，可以利用鉑或者其它可焊接材料濺射淀積MEMS緣36。可在較低的溫度下施加或者固化焊料。
如上所述，導(dǎo)電緣28示意性地完整包圍MEMS結(jié)構(gòu)24，以在封蓋18和電路30之間提供密封環(huán)和導(dǎo)電路徑。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電緣28在結(jié)構(gòu)24周圍形成環(huán)形套。在其它實(shí)施例中，導(dǎo)電緣28在MEMS結(jié)構(gòu)24周圍形成一些其它形狀(例如，橢圓、矩形或者不規(guī)則形狀)。
形成硅化物接合后，工藝?yán)^續(xù)至步驟310，其中MEMS管芯12(或者如此示例的晶片)的底部經(jīng)歷暴露管芯32的薄化工藝(例如，背向研磨(backgrind)或者回刻工藝)。當(dāng)暴露時(shí)，孔32直觀地與管芯12的底面表面齊平或者輕微地從管芯12的底面表面向外延伸。
然后可將導(dǎo)電接觸34(例如，焊球)安裝至孔32的底部(步驟312)，然后將導(dǎo)電接觸34安裝至電路管芯14頂表面上的對(duì)應(yīng)接觸。除過(guò)焊球之外，一些實(shí)施例可以采用鍍塊、焊球、淀積的接合焊盤或者其它導(dǎo)電接口。然后可對(duì)晶片進(jìn)行劃片，從而完成工藝。如上所述，在其完全形成后，形成的MEMS器件10可安裝至封裝、電路板(在一側(cè)上形成接觸之后)上安裝的反轉(zhuǎn)芯片中，或者以任何常規(guī)方式使用。
因此，如圖2所示和上面的討論，封蓋18通過(guò)導(dǎo)電緣28、對(duì)應(yīng)的孔32以及MEMS襯底26底部上的球接觸34電子連接至電路管芯14。由于每一接觸球34和孔32之間接觸的表面積較小，因而最小化寄生電容。電路管芯14上的電路30可將封蓋18的電位設(shè)置為地或者任何希望的電壓電平?；蛘?，通過(guò)MEMS管芯12到達(dá)導(dǎo)電緣28的導(dǎo)電路徑可終止于外部引腳，該外部引腳可外部接地或者被設(shè)置為任何希望的電位，例如0.2伏。
除了使用被封蓋的管芯12之外，替換實(shí)施例可以使用被封裝的管芯12。具體地，在步驟300，孔32完全貫穿管芯12，并且整個(gè)MEMS器件12固定在常規(guī)的集成電路封裝內(nèi)(未示出)。因此，在此實(shí)施例中，封蓋18不是必需的。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)知道，封裝連線可以常規(guī)方式與電路板14耦合。類似地，孔32還可在該封裝內(nèi)耦合至連線。
圖4表示根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施例的形成任何孔32的工藝。該工藝開(kāi)始于步驟400，其中常規(guī)微機(jī)械加工工藝在管芯12中形成沉孔(bore)。該沉孔在管芯12的頂表面開(kāi)放而在管芯12內(nèi)閉合。因此，該沉孔并不貫穿整個(gè)管芯12。根據(jù)多種因素選擇該沉孔的寬度、形狀以及深度，其中，這些因素可包括將要形成的最終孔32的希望阻抗以及最終孔32的結(jié)構(gòu)完整性。
在其形成之后，該沉孔與電絕緣材料對(duì)齊，例如熱氧化物或者氮化物(步驟402)。在工藝的此時(shí)，可以通過(guò)管芯12形成導(dǎo)電孔32。此時(shí)，在一些實(shí)施例中，可向排列的沉孔填充導(dǎo)電材料(例如，摻雜的硅、導(dǎo)電環(huán)氧樹(shù)脂、CVD金屬、例如鎢或鈦，或者其它導(dǎo)電材料)。在填充沉孔(即形成孔32)之后，可在管芯12上形成其余的MEMS部件和/或電路。
或者如圖2所示，下一淀積層可形成孔32和其它MEMS部件(例如，可移動(dòng)元件)。在這樣的實(shí)施例中，從而認(rèn)為孔32和MEMS部件是集成的。此時(shí)，可以淀積延伸至沉孔中的多晶硅層(步驟404)?？梢钥涛g并且另外處理該多晶硅層，以形成MEMS結(jié)構(gòu)24的一部分。如上所述，可以摻雜添加的多晶硅以確保適當(dāng)?shù)膶?dǎo)通。在這種情況下使用多晶硅具有多種優(yōu)勢(shì)。其中，它減少了制造工藝的步驟，同時(shí)降低了寄生電容。
在向沉孔添加淀積的材料之后，該工藝?yán)^續(xù)至步驟406，其中形成其余的MEMS結(jié)構(gòu)24和管芯12的其它部分。如圖3工藝中的步驟310所示，管芯12接著經(jīng)歷背向研磨工藝，從而暴露孔32。
同樣如上所述，可以執(zhí)行類似的工藝來(lái)形成穿過(guò)絕緣體上硅管芯12的孔32。在這些方法中，可以按照與上面討論的類似方式形成穿過(guò)三個(gè)SOI層的孔32?；蛘?，在這三層被固定在一起之前形成孔32。
圖5表示MEMS器件10的替換實(shí)施例。除了具有單獨(dú)的電路管芯14之外，MEMS管芯12可包括結(jié)構(gòu)24和電路30。按照類似于圖2中所示MEMS管芯12的方式，可以通過(guò)常規(guī)工藝形成此實(shí)施例的MEMS管芯12，例如通過(guò)利用執(zhí)行獨(dú)特工藝步驟的表面微機(jī)械加工或者SOI工藝。
圖6表示另一實(shí)施例，其中使用“智能封蓋”。具體地，封蓋18可具有電路30，該電路共享或者補(bǔ)充處理MEMS管芯12中的電路30。代替或者除了偏置電壓之外，封蓋18與MEMS管芯12之間的導(dǎo)電路徑還可傳送數(shù)據(jù)消息。圖7表示又一實(shí)施例，其中將兩個(gè)MEMS管芯12安裝在一起。應(yīng)當(dāng)注意，可以組合圖1-7所示各個(gè)實(shí)施例的部件來(lái)形成另一實(shí)施例。例如，代替具有集成電路30的MEMS管芯12，圖6中的電路30可位于圖2中一個(gè)或者多個(gè)分離的電路管芯14上。
通常來(lái)講，本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例具有至少一個(gè)孔32，從MEMS結(jié)構(gòu)24(在管芯12的頂側(cè)上)延伸，穿過(guò)管芯12，并且終止于管芯12底側(cè)上的電接口。如上所述，與目前的管芯附連焊盤解決方案相比，此布置最小化了寄生電容，并且降低了形成MEMS器件必需的管芯/襯底實(shí)體數(shù)量。
還可以使用不同于所討論的材料。此外，一些實(shí)施例可應(yīng)用于除MEMS器件之外的器件。例如，集成電路和其它類型的器件可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的各個(gè)方面。因此，MEMS器件的討論是示例性的，而不是要限制本發(fā)明的所有實(shí)施例。
盡管上面的討論公開(kāi)了本發(fā)明的各種示例實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員顯然可以進(jìn)行可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明一些優(yōu)勢(shì)的修改，而不脫離本發(fā)明的真實(shí)范圍。
權(quán)利要求
1.一種MEMS器件，包括襯底，具有頂面?zhèn)群偷酌鎮(zhèn)?，所述頂面?zhèn)劝∕EMS結(jié)構(gòu)；以及至少一個(gè)導(dǎo)電路徑，從所述MEMS結(jié)構(gòu)至所述底面?zhèn)蓉灤┧鲆r底，所述至少一個(gè)導(dǎo)電路徑與所述MEMS結(jié)構(gòu)集成，并且通過(guò)與所述MEMS結(jié)構(gòu)基本相同的材料形成。
2.權(quán)利要求1所述的MEMS器件，進(jìn)一步包括所述MEMS結(jié)構(gòu)的至少一部分的封蓋。
3.權(quán)利要求2所述的MEMS器件，其中所述封蓋和襯底形成至少部分包含所述MEMS結(jié)構(gòu)的空腔。
4.權(quán)利要求1所述的MEMS器件，其中所述至少一個(gè)導(dǎo)電路徑基本與所述襯底的所述底面?zhèn)三R平或者從所述襯底的所述底面?zhèn)认蛲庋由臁?br> 5.權(quán)利要求1所述的MEMS器件，進(jìn)一步包括固定至所述至少一個(gè)導(dǎo)電路徑的鍍塊、淀積的接合焊盤以及焊球中的至少一個(gè)。
6.權(quán)利要求1所述的MEMS器件，其中所述導(dǎo)電路徑包括多晶硅。
7.權(quán)利要求1所述的MEMS器件，其中所述MEMS結(jié)構(gòu)包括可移動(dòng)物。
8.權(quán)利要求1所述的MEMS器件，進(jìn)一步包括由所述襯底支撐的電路，該電路與所述至少一個(gè)導(dǎo)電路徑電通信，所述襯底包括硅鍺。
9.權(quán)利要求1所述的MEMS器件，其中所述至少一個(gè)導(dǎo)電路徑由硅基材料形成。
10.一種MEMS器件，包括襯底，具有頂面?zhèn)群偷酌鎮(zhèn)?，所述頂面?zhèn)劝∕EMS結(jié)構(gòu)；以及用于在所述MEMS結(jié)構(gòu)和所述底面?zhèn)戎g傳導(dǎo)電信號(hào)的裝置，所述傳導(dǎo)裝置從所述MEMS結(jié)構(gòu)至所述底面?zhèn)蓉灤┧鲆r底，所述傳導(dǎo)裝置與所述MEMS結(jié)構(gòu)集成。
11.權(quán)利要求10所述的MEMS器件，其中所述傳導(dǎo)裝置包括摻雜的多晶硅。
12.權(quán)利要求10所述的MEMS器件，進(jìn)一步包括用于包含所述MEMS結(jié)構(gòu)至少一部分的裝置。
13.權(quán)利要求10所述的MEMS器件，進(jìn)一步包括在所述底面表面固定至所述傳導(dǎo)裝置的鍍塊、淀積的接合焊盤以及焊球中的至少一個(gè)。
14.權(quán)利要求10所述的MEMS器件，其中所述傳導(dǎo)裝置基本與所述襯底的所述底面?zhèn)三R平或者從所述襯底的所述底面?zhèn)认蛲庋由臁?br> 15.權(quán)利要求10所述的MEMS器件，其中所述MEMS結(jié)構(gòu)包括用于檢測(cè)所述襯底的運(yùn)動(dòng)的裝置。
16.一種MEMS系統(tǒng)，包括第一襯底，具有電路和所述電路的接口端口；MEMS器件，具有第二襯底，該第二襯底具有頂面?zhèn)群偷酌鎮(zhèn)龋鲰斆鎮(zhèn)劝∕EMS結(jié)構(gòu)，所述MEMS器件還具有從所述MEMS器件至所述底面?zhèn)蓉灤┧龅诙r底的導(dǎo)電路徑，所述導(dǎo)電路徑與所述MEMS結(jié)構(gòu)集成；所述導(dǎo)電路徑與所述第一襯底上的所述接口端口耦合，以使所述電路與所述MEMS結(jié)構(gòu)電通信。
17.權(quán)利要求16所述的MEMS系統(tǒng)，其中所述MEMS器件沒(méi)有電路。
18.權(quán)利要求16所述的MEMS器件，進(jìn)一步包括固定至所述第二襯底的封蓋，所述封蓋包含所述MEMS結(jié)構(gòu)的至少一部分。
19.權(quán)利要求16所述的MEMS器件，其中所述導(dǎo)電路徑和MEMS結(jié)構(gòu)通過(guò)相同的材料形成。
20.權(quán)利要求16所述的MEMS器件，其中所述MEMS結(jié)構(gòu)包括可移動(dòng)物。
21.權(quán)利要求16所述的MEMS器件，進(jìn)一步包括位于所述導(dǎo)電路徑和所述第二襯底的至少一部分之間的絕緣體。
22.權(quán)利要求16所述的MEMS系統(tǒng)，其中所述MEMS結(jié)構(gòu)在所述第二襯底上限定設(shè)計(jì)邊界，所述導(dǎo)電路徑處于所述設(shè)計(jì)邊界內(nèi)。
23.權(quán)利要求16所述的MEMS系統(tǒng)，其中所述MEMS器件包括電路。
全文摘要
一種MEMS器件，具有至少一個(gè)從其襯底的頂面?zhèn)?具有MEMS結(jié)構(gòu))延伸至所述襯底的底面?zhèn)鹊膶?dǎo)電路徑。該至少一個(gè)導(dǎo)電路徑貫穿所述襯底，以將底面?zhèn)扰cMEMS結(jié)構(gòu)電連接。
文檔編號(hào)B81B7/02GK1953933SQ200580015730
公開(kāi)日2007年4月25日 申請(qǐng)日期2005年4月14日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月19日
發(fā)明者基蘭·P·哈尼, 勞倫斯·E·費(fèi)爾頓, 托馬斯·基蘭·努南, 蘇珊·A·阿里, 布魯斯·瓦赫特曼 申請(qǐng)人:模擬設(shè)備公司