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制造機(jī)艙除冰元件的方法

文檔序號(hào):5177341閱讀:111來源:國(guó)知局
專利名稱:制造機(jī)艙除冰元件的方法
制造機(jī)艙除冰元件的方法本發(fā)明涉及一種制造包括除冰元件的元件的方法。本發(fā)明還涉及一種包括這種元件的渦輪噴氣發(fā)動(dòng)機(jī)機(jī)艙。飛機(jī)由一個(gè)或多個(gè)推進(jìn)組件推進(jìn),其中每個(gè)推進(jìn)組件均包括容納在管狀機(jī)艙內(nèi)的 渦輪噴氣發(fā)動(dòng)機(jī)。每個(gè)推進(jìn)組件由位于機(jī)翼下方或位于機(jī)身處的掛架附接到飛機(jī)上。機(jī)艙通常具有包括位于發(fā)動(dòng)機(jī)上游的進(jìn)氣口、中間區(qū)段和下游區(qū)段的結(jié)構(gòu),其中, 該中間區(qū)段能夠圍繞渦輪噴氣發(fā)動(dòng)機(jī)的風(fēng)扇,該下游區(qū)段大致容納推力反向器裝置且能夠 圍繞渦輪噴氣發(fā)動(dòng)機(jī)的燃燒室。機(jī)艙通常終止于噴射噴嘴,噴射噴嘴的出口位于渦輪噴氣 發(fā)動(dòng)機(jī)的下游。進(jìn)氣口一方面包括進(jìn)氣口唇緣,另一方面包括下游結(jié)構(gòu)。該進(jìn)氣口唇緣適于使得 能夠優(yōu)化地向渦輪噴氣發(fā)動(dòng)機(jī)聚集需提供給渦輪噴氣發(fā)動(dòng)機(jī)內(nèi)的風(fēng)扇及壓縮器的空氣,且 該進(jìn)氣口唇緣被連接至下游結(jié)構(gòu)。該下游結(jié)構(gòu)被設(shè)計(jì)用于將空氣正確地導(dǎo)向風(fēng)扇葉片。上 述組件連接至風(fēng)扇的殼體(屬于發(fā)動(dòng)機(jī)艙的上游區(qū)段)的上游。在飛行中,根據(jù)溫度和濕度條件,會(huì)在機(jī)艙的多個(gè)位置(包括進(jìn)氣口唇緣的外表 面)上形成冰。冰或霜的存在會(huì)改變進(jìn)氣口的空氣動(dòng)力學(xué)性質(zhì)并且擾亂空氣向風(fēng)扇的輸 送?!N對(duì)機(jī)艙(特別是對(duì)進(jìn)氣口唇緣的外表面)除霜或除冰的方案,包括通過使用 電加熱電阻器對(duì)壁部件加熱來阻止在壁上形成冰。例如在加熱電阻器是葉片形式的情況 下,通常將加熱電阻器安裝在待除冰的元件的外壁上或外壁內(nèi)。但是,這種元件由于壁的幾何形狀而難以制造。實(shí)際上,除冰裝置必須不干涉機(jī)艙 元件的其它性能,例如對(duì)渦輪噴氣發(fā)動(dòng)機(jī)運(yùn)行所產(chǎn)生噪音的吸收性能。特別是,加熱電阻器 必須不干涉所述元件中的孔,例如不堵塞所述孔。在電阻器是葉片形式的情況下且在首先制成聲學(xué)孔的情況下,圍繞聲學(xué)孔設(shè)置所 述葉片是很困難的。在首先設(shè)置電阻葉片的情況下,對(duì)所述葉片進(jìn)行穿孔來獲得聲學(xué)孔會(huì) 損壞聲學(xué)電阻器。此外,現(xiàn)有技術(shù)的加熱電阻器通常通過手工集成在復(fù)合支承件上。由此,使得這些 電阻器變得過長(zhǎng)而復(fù)雜。此外,加熱電阻器的制造限制和位置會(huì)根據(jù)操作者而變化。因此,本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種沒有上述缺陷的進(jìn)氣口唇緣。為此,根據(jù)第一方面,本發(fā)明涉及一種制造機(jī)艙元件的方法,該方法包括如下步 驟A、使用光刻法在基底上形成加熱電阻器陣列;B、將復(fù)合材料層施加到步驟A中獲得的陣列上;C、將內(nèi)表層施加到因此獲得的除冰組件上。有利地,根據(jù)本發(fā)明的方法使得可以簡(jiǎn)便且有效地制造能夠被除冰的元件。此外,根據(jù)本發(fā)明的方法具有多個(gè)限制手工操作的步驟。在元件包括聲學(xué)處理(特別是聲學(xué)孔形式)的情況下,根據(jù)本發(fā)明的方法有利地使得可以相對(duì)于傳導(dǎo)元件準(zhǔn)確地定位聲學(xué)孔。因此,有利地確保加熱電阻器及其電源與所 述孔的隔離距離,這保證了除冰組件的良好運(yùn)轉(zhuǎn)。與電阻器采用彼此并置的葉片形式的情況不同,通過根據(jù)本發(fā)明的方法,可以將 電阻器相對(duì)于聲學(xué)孔更加準(zhǔn)確地定位,而不需要刺穿所述電阻器。根據(jù)本發(fā)明的其它特征,本發(fā)明的結(jié)構(gòu)包括以下單獨(dú)考慮或根據(jù)所有可能組合的 一個(gè)或多個(gè)任選的特征-步驟B是將步驟A結(jié)束時(shí)獲得的所述陣列插入復(fù)合材料層的步驟;-根據(jù)本發(fā)明的方法包括步驟B和C之間的步驟Bl,在步驟Bl中利用穿孔裝置對(duì) 步驟B結(jié)束時(shí)獲得的組件進(jìn)行穿孔以便獲得聲學(xué)孔;-內(nèi)表層包括在其上安裝有蜂窩結(jié)構(gòu)的復(fù)合層,這使得可以吸收渦輪噴氣發(fā)動(dòng)機(jī) 的運(yùn)轉(zhuǎn)所產(chǎn)生的噪音困擾;-根據(jù)本發(fā)明的方法包括步驟D使用穿孔裝置對(duì)除冰組件和內(nèi)表層的復(fù)合層進(jìn) 行穿孔;-預(yù)先在步驟C中對(duì)內(nèi)表層的復(fù)合層進(jìn)行穿孔;-獲得的聲學(xué)孔的直徑在0.2mm和2. 5mm之間,這確保了良好的聲音吸收和良好的 結(jié)構(gòu)耐受性;-在步驟B之前,將電功率陣列制作在與基底的包括加熱電阻器陣列的面相反的 面上,使得可以為加熱電阻器供電;-電功率陣列經(jīng)由穿過基底的連接裝置被連接到加熱電阻器陣列,使得可以避免 增加電線;-電功率陣列包括環(huán)境溫度電阻率等于大約1.7 μ Ω . cm的金屬或合金;-加熱電阻器包括電阻率在0.00024 Ω . mm和0. 002 Ω . mm之間的金屬或合金,使得 可以在使用最少電能的同時(shí)獲得根據(jù)本發(fā)明的元件的良好除冰。-加熱電阻器的合金選自銅和鎳的合金;-基底由玻璃纖維、環(huán)氧樹脂或熱塑絕緣薄膜制成;-每個(gè)材料層包括與耐熱或熱塑樹脂相關(guān)的玻璃纖維型材料;-在步驟A期間,基底是大致平坦的;-在步驟C之前,切削除冰組件的表面,使得除冰組件和內(nèi)表層之間的最大間隙接 近1. 7mm,這使得除冰組件可以具有良好構(gòu)造;-在步驟B或C結(jié)束時(shí),將表面涂層施加到除冰組件上,這使得可以滿足空氣動(dòng)力 學(xué)、耐腐蝕和防雷電方面的限制。根據(jù)第二方面,本發(fā)明涉及一種包括使用根據(jù)本發(fā)明的方法所獲得元件的渦輪噴 氣發(fā)動(dòng)機(jī)機(jī)艙。優(yōu)選地,根據(jù)本發(fā)明的元件是進(jìn)氣口唇緣——該進(jìn)氣口唇緣是機(jī)艙中對(duì)霜 或冰的沉積特別敏感的元件。通過參考附圖閱讀以下的非限制性說明,將更好地理解本發(fā)明。

圖1是圍繞渦輪噴氣發(fā)動(dòng)機(jī)的本發(fā)明機(jī)艙的示意性橫向截面圖;圖2是根據(jù)本發(fā)明的元件的實(shí)例的示意性橫向截面圖;圖3-7是使用根據(jù)本發(fā)明的方法獲得的除冰組件的局部橫向截面圖;圖8是使用根據(jù)本發(fā)明的方法獲得的元件的吸音板的橫向截面圖。
如圖1所示,根據(jù)本發(fā)明的機(jī)艙1包括進(jìn)氣口唇緣2、中間結(jié)構(gòu)3和下游組件6,其 中中間結(jié)構(gòu)3圍繞渦輪噴氣發(fā)動(dòng)機(jī)5的風(fēng)扇4。下游組件6由內(nèi)部固定結(jié)構(gòu)(IFS)7、外部 固定結(jié)構(gòu)(OFS)S和包括推力反向器裝置的活動(dòng)罩9構(gòu)成,其中內(nèi)部固定結(jié)構(gòu)(IFS)7圍繞 渦輪噴氣發(fā)動(dòng)機(jī)5的上游部分。根據(jù)本發(fā)明的元件可以是進(jìn)氣口唇緣——它是機(jī)艙中對(duì)冰和霜的沉積特別敏感 的元件(見圖2)。還可以使用根據(jù)本發(fā)明的方法來制造需要除冰的任何表面,例如直升飛 機(jī)或飛行器導(dǎo)管,或者渦輪噴氣發(fā)動(dòng)機(jī)的暴露區(qū)域——例如風(fēng)扇葉片,經(jīng)過空氣流的臂,例 如OGV等。該方法適用于復(fù)合結(jié)構(gòu),而不管它是整體式的、自加強(qiáng)式的還是夾層式的,以便滿 足熱效率、結(jié)構(gòu)耐受性等限制。在圖2的實(shí)施例中,本發(fā)明的進(jìn)氣口唇緣2包括內(nèi)表層12,該內(nèi)表層12安裝在能 夠?qū)M(jìn)氣口唇緣2除霜和除冰的除冰組件13上。內(nèi)表層12在一些區(qū)域內(nèi)可包括吸音板, 以便吸收由于渦輪噴氣發(fā)動(dòng)機(jī)5的運(yùn)轉(zhuǎn)引起的噪音困擾。吸音板包括被夾在復(fù)合層15和 實(shí)心外層16(即不具有多個(gè)聲學(xué)孔)之間的蜂窩結(jié)構(gòu)14,其中復(fù)合層15被穿孔多個(gè)聲學(xué) 孔。復(fù)合層15位于除冰組件13頂部。除冰組件13還可在另一面上涂覆表面涂層17,使得可以保護(hù)該表面使之不受到 腐蝕和任何沖擊的影響。除冰組件13(如果施加的話,表面涂層17)與冷空氣流18接觸, 內(nèi)表層12的情況并非如此。在根據(jù)本發(fā)明的進(jìn)氣口唇緣2的其它區(qū)域內(nèi),內(nèi)表層12是非吸音結(jié)構(gòu)表層,即包 括沒有聲學(xué)孔的蜂窩結(jié)構(gòu)。內(nèi)表層12還可以不是結(jié)構(gòu)性的,而僅僅是非隔音復(fù)合層。進(jìn)氣口唇緣2使用根據(jù)本發(fā)明的方法得到,該方法包括如下步驟A、使用光刻法在基底上形成加熱電阻器陣列;B、將在步驟A中獲得的陣列插入到復(fù)合材料層中;C、將內(nèi)表層12施加到因此獲得的除冰組件上。根據(jù)本發(fā)明的方法簡(jiǎn)單地提供一種有效的除冰組件。有利地,除冰組件可預(yù)先制 成或與進(jìn)氣口唇緣2同時(shí)制成。根據(jù)本發(fā)明的方法提供相當(dāng)多樣的陣列幾何形狀的可能性。因此,可以精確地選 擇陣列圖案的形狀,以便根據(jù)需要實(shí)現(xiàn)最佳的除冰效果。此外,根據(jù)本發(fā)明的方法確保加熱電阻器陣列的精確定位。這種陣列定位精度在 除冰組件用來被固定在吸音結(jié)構(gòu)上時(shí)是有利的。如圖3-7所示,在步驟A中,使用光刻法在基底M上制作加熱電阻器20的陣列。 根據(jù)一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例,基底M大致為平坦的,使得可以進(jìn)一步簡(jiǎn)化根據(jù)本發(fā)明的方法的實(shí) 施。根據(jù)另一變型,還可以將光刻法應(yīng)用于具有進(jìn)氣口唇緣2形式的基底。為了制造加熱電阻器陣列,使用本領(lǐng)域普通技術(shù)人員公知的任何方式將傳導(dǎo)層22 固定在基底M上。所述固定可以例如使用膠粘劑來完成。加熱電阻器20包括電阻率在0. 0002 Ω . mm和0. 002 Ω . mm之間、優(yōu)選在 0. 00024 Ω . mm和0. 002 Ω . mm之間或者在0. 0004 Ω . mm和0. 001 Ω . mm之間的金屬或合金。 因此,加熱電阻器20產(chǎn)生處于IkW. πΓ2和50kW. πΓ2之間的、特別是在4kW. πΓ2和20kW. πΓ2之 間的加熱功率。有利地,這種加熱功率在使用最少量電能的同時(shí)可以使進(jìn)氣口表面2上形成的任何霜或冰脫離或者防止該霜或冰的形成。特別是,加熱電阻器20的合金在銅和鎳的合金中選擇,例如康銅(CuNi44)?;譓優(yōu)選由玻璃纖維、環(huán)氧樹脂或例如熱塑薄膜的任何電絕緣薄膜制成。環(huán)氧 樹脂的實(shí)例包括環(huán)氧樹脂914 。在包括加熱電阻器的層上,包括至少一個(gè)感光元件的感光層沈被安裝在傳導(dǎo)層 22上。感光元件的實(shí)例包括例如樹脂SU-8 的陰樹脂,對(duì)于這些陰樹脂,紫外輻射引起暴 露區(qū)域的聚合反應(yīng),使得這些區(qū)域?qū)︼@現(xiàn)溶劑具有特別的耐受性,而非隔離部分選擇性地 消失在顯現(xiàn)溶劑中。實(shí)例包括AZM60 、S1818 和SJR 5740 樹脂型的陽(yáng)樹脂, 對(duì)于這些陽(yáng)樹脂,紫外輻射使大分子產(chǎn)生化學(xué)變化,這導(dǎo)致暴露于顯影劑內(nèi)的區(qū)域的可溶 性增加;或者AZ 5214 :和T109XR 型的反轉(zhuǎn)樹脂——其具有隨著所謂的退火反演步 驟改變極性的性能。如圖4所示,將掩膜30施加在由基底對(duì)、傳導(dǎo)層22和感光層沈形成的組件之上。 所述掩膜包括電阻器陣列的圖案33。為了獲得所需的加熱電阻器陣列,首先使用本領(lǐng)域普通技術(shù)人員公知的任何適當(dāng) 裝置32,對(duì)組件進(jìn)行隔離處理。實(shí)例包括UV燈。由繪制在掩膜33上的圖案33保護(hù)的感光層沈未被UV輻射隱蔽,這使得可以將 圖案印制在所述層沈上。未受保護(hù)的感光層沈被隱蔽。隔離的持續(xù)時(shí)間會(huì)變化并取決于希望蝕刻的圖案。通常,隔離持續(xù)大約2分鐘30 秒。實(shí)際上,對(duì)于待印制到所述感光層沈上的圖案33來說,感光層沈的曝光時(shí)間必須足 夠長(zhǎng),但是也必須足夠短,以便防止UV射線穿過掩膜30的整個(gè)區(qū)域而由此擦除任何圖案。接著使用本領(lǐng)域普通技術(shù)人員公知的任何適當(dāng)?shù)娘@現(xiàn)產(chǎn)品來消除未受保護(hù)的感 光層26。由此,如圖5所示,留下的感光層沈再生成所需的圖案。接著施加本領(lǐng)域普通技術(shù)人員公知的任何適當(dāng)化學(xué)產(chǎn)品,以便消除傳導(dǎo)層的沒有 位于留下的感光層沈之下的部分34。因此,如圖6所示,僅僅留下傳導(dǎo)層22的位于感光層 26形成的圖案之下的部分。接著使用本領(lǐng)域普通技術(shù)人員公知的任何適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)產(chǎn)品來消除留下的感光層 26,使得傳導(dǎo)層22顯現(xiàn)加熱電阻器的陣列20的圖案(見圖7)。傳導(dǎo)層22的加熱電阻器通常對(duì)氧化敏感。由此,它們可能需要保護(hù)。因此,在本 發(fā)明方法的一個(gè)變型實(shí)施例中,可以提供步驟通過沉積氧化層來氧化陣列20,例如通過 電解。根據(jù)未示出的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例,在步驟B之前,將功率陣列(未示出)制作在加熱 電阻器陣列的相反面40上。功率陣列可使用本領(lǐng)域普通技術(shù)人員公知的任何適當(dāng)手段制成,特別是使用上述 的光刻法。功率陣列優(yōu)選經(jīng)由穿過支承件M的連接裝置(未示出)連接到加熱電阻器陣列 20。功率陣列通常包括電阻率盡可能低的金屬或合金,以便最小化傳輸損失。優(yōu)選地, 所述金屬或合金的電阻率等于1.7 μ Ω. cm。功率陣列并不用來釋放熱量,而是將電流引導(dǎo)至加熱電阻器陣列20。所述金屬的實(shí)例包括銅。在根據(jù)本發(fā)明的方法的步驟B中,將步驟A結(jié)束時(shí)獲得的所述陣列20插入或封裝 入復(fù)合材料層52和50內(nèi)(見圖8)。在步驟B的變型實(shí)施例中,可以用基底M替代復(fù)合材料層52或50中的一個(gè)。在 這種情況下,在步驟B中,將復(fù)合材料層52或50施加到步驟A結(jié)束時(shí)獲得的陣列20上。因此陣列20將插入一側(cè)的基底M和另一側(cè)的復(fù)合材料層52或50之間。優(yōu)選地,每個(gè)材料層50和52包括例如與耐熱樹脂(環(huán)氧樹脂)或熱塑樹脂(PEEK) 相關(guān)的玻璃纖維的材料。接觸或靠近電陣列的材料層必須與其它導(dǎo)電部件或材料層(例如 通常用于傳遞應(yīng)力的層15的環(huán)氧碳)實(shí)現(xiàn)電隔離??梢允褂帽绢I(lǐng)域的普通技術(shù)人員所知的任何手段(例如粘附)來加強(qiáng)步驟A結(jié)束 時(shí)獲得的陣列20在復(fù)合材料層50、52上的固定。根據(jù)一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例,在步驟B或C結(jié)束時(shí),施加表面涂層17,使得可以響應(yīng)沖擊、 空氣動(dòng)力學(xué)、腐蝕以及雷電保護(hù)方面的約束。表面涂層17例如是金屬片或碳纖維層。使用 本領(lǐng)域普通技術(shù)人員公知的任何適當(dāng)手段來將表面涂層17固定在除冰組件13上,特別是 通過粘附。在根據(jù)本發(fā)明的方法的步驟C中,將內(nèi)表層12施加在因此獲得的除冰組件13上。 使用本領(lǐng)域普通技術(shù)人員公知的任何手段來將內(nèi)表層12固定在除冰組件13上,特別是通 過粘附。在內(nèi)表層12是吸音的情況下,根據(jù)本發(fā)明的方法優(yōu)選包括處于步驟B和C之間的 步驟Bi,在該步驟Bl中使用穿孔裝置對(duì)步驟B結(jié)束時(shí)獲得的組件進(jìn)行穿孔,以便獲得直徑 在0. 2mm和2. 5mm之間或甚至在0. 3mm和2mm之間的聲學(xué)孔。有利地,使用穿孔裝置,使得 孔相對(duì)于加熱電阻器陣列20的精度可以接近0. 05mm。穿孔裝置的實(shí)例包括鉆孔機(jī)、激光器 和噴水器。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例,令人感興趣的是穿孔裝置由于射線照片式照相機(jī)而相對(duì)于在 加熱電阻器陣列20形成過程中蝕刻的參考測(cè)試圖案重新校正??梢栽诼晫W(xué)孔和陣列20的 臂之間設(shè)置0. 2mm和IOmm之間或甚至0. 5mm和Imm之間的距離,以確保電阻器和外部之間 的電隔離。因此,可以獲得既可有效地對(duì)進(jìn)氣口唇緣2進(jìn)行除冰又具有更好隔音或吸音性能 的除冰組件13。根據(jù)一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中,根據(jù)本發(fā)明的方法包括步驟D 使用穿孔裝置來穿孔除 冰組件13和內(nèi)表層12的復(fù)合層15。根據(jù)另一實(shí)施例,在步驟C之前制成內(nèi)表層12的復(fù)合層15且對(duì)其進(jìn)行穿孔。換 言之,在將外表層15安置在除冰組件13之前對(duì)其進(jìn)行穿孔。根據(jù)一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例,在基底M大致是平坦的情況下,在步驟C之前,對(duì)除冰組件 13的表面進(jìn)行切削,以使除冰組件13和內(nèi)表層12(通常是不可展開形狀)之間的最大間隙 接近1. 7mm,使得除冰組件13特別是在其固化過程中具有良好的構(gòu)造。因此,最初被制成大 致平坦的除冰組件13符合進(jìn)氣口唇緣2的彎曲。在使用根據(jù)本發(fā)明的方法制造進(jìn)氣口唇緣2時(shí),所述唇緣2經(jīng)歷固化(其操作條 件是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員公知的),以確保組件的良好粘合。
使用根據(jù)本發(fā)明的方法獲得的進(jìn)氣口唇緣2被結(jié)合在飛機(jī)的機(jī)艙1內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種制造機(jī)艙(1)元件O)的方法,該方法包括如下步驟A、使用光刻法在基底04)上形成加熱電阻器陣列OO);B、將復(fù)合材料層(50,5 施加到步驟A獲得的所述陣列OO)上;C、將內(nèi)表層(12)施加到因此獲得的除冰組件(13)上。
2.根據(jù)前述權(quán)利要求所述的方法,其特征在于,步驟B是將步驟A中獲得的所述陣列 (20)插入復(fù)合材料層(50,52)中的步驟。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法,其特征在于,該方法包括步驟B和C之間的步驟 Bi,在步驟Bl中利用穿孔裝置對(duì)步驟B結(jié)束時(shí)獲得的組件進(jìn)行穿孔以便獲得聲學(xué)孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的方法,其特征在于,所述內(nèi)表層(12)包括在其上安裝 有蜂窩結(jié)構(gòu)(14)的復(fù)合層(15)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,該方法包括步驟D使用穿孔裝置對(duì)所述 除冰組件(13)和所述內(nèi)表層(1 的復(fù)合層(1 進(jìn)行穿孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的方法,其特征在于,預(yù)先在步驟C中對(duì)所述內(nèi)表層(12) 的復(fù)合層(15)進(jìn)行穿孔。
7.根據(jù)權(quán)利要求3、5或6所述的方法,其特征在于,所獲得的聲學(xué)孔的直徑在0.2mm和 2. 5mm之間。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,在步驟B之前,將電功率陣列 制作在與基底04)的包括所述加熱電阻器陣列OO)的面相反的面00)上。
9.根據(jù)前一權(quán)利要求所述的方法,其特征在于,所述電功率陣列經(jīng)由穿過所述基底 (24)的連接裝置被連接到所述加熱電阻器陣列00)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的方法,其特征在于,所述電功率陣列包括環(huán)境溫度電阻 率等于大約1. 7 μ Ω . cm的金屬或合金。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,所述加熱電阻器包括電阻率 在0. OOOM Ω. mm和0. 002 Ω . mm之間的金屬或合金。
12.根據(jù)前一權(quán)利要求所述的方法,其特征在于,所述加熱電阻器O0)的合金選自銅 和鎳的合金。
13.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,所述基底04)由玻璃纖維、 環(huán)氧樹脂或熱塑絕緣薄膜制成。
14.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,在步驟A期間,所述基底 (24)大致是平坦的。
15.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,每個(gè)材料層(50,5 包括與 耐熱或熱塑樹脂相關(guān)的玻璃纖維型材料。
16.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,在步驟C之前,切削所述除 冰組件(13)的表面,使得所述除冰組件(13)和所述內(nèi)表層(12)之間的最大間隙(emax) 接近1. 7mm。
17.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,在步驟B或C結(jié)束時(shí),將表面 涂層(17)施加到所述除冰組件(13)上。
18.—種蝸輪噴氣發(fā)動(dòng)機(jī)機(jī)艙(1),其包括使用根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方 法獲得的元件(2)。
19.根據(jù)前一權(quán)利要求所述的機(jī)艙,其特征在于,所述元件( 是進(jìn)氣口唇緣O)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種制造機(jī)艙元件(2)的方法,該方法包括如下步驟(A)使用光刻法在基底(24)上形成加熱電阻器陣列(20);(B)將復(fù)合材料層(50,52)施加到步驟A所獲得的陣列(20)上;(C)將內(nèi)表層(12)施加到因此獲得的除冰組件(13)上。本發(fā)明還涉及一種包括這種元件(2)的機(jī)艙。
文檔編號(hào)F02C7/047GK102143888SQ200980134523
公開日2011年8月3日 申請(qǐng)日期2009年8月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月3日
發(fā)明者洛朗·瓦勒魯瓦, 馬克·格羅姆 申請(qǐng)人:埃爾塞樂公司
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