專利名稱：一種天然氣發(fā)動(dòng)機(jī)電磁閥噴射驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種天然氣發(fā)動(dòng)機(jī)電磁閥噴射驅(qū)動(dòng)電路，涉及電控天然氣發(fā)動(dòng)機(jī)噴氣電磁閥的驅(qū)動(dòng)電路， 屬于電控發(fā)動(dòng)機(jī)硬件系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
在電控天然氣發(fā)動(dòng)機(jī)噴射系統(tǒng)中，對(duì)電磁閥的驅(qū)動(dòng)控制是實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)噴射精確控制的基礎(chǔ)。 電磁陶動(dòng)作是通過(guò)控制驅(qū)動(dòng)電流產(chǎn)生的電磁力實(shí)現(xiàn)的。關(guān)閉電磁閥時(shí)，接通驅(qū)動(dòng)電路并產(chǎn)生 適當(dāng)?shù)尿?qū)動(dòng)電流，驅(qū)動(dòng)電流又通過(guò)電磁閥線圈產(chǎn)生足夠的電磁力驅(qū)動(dòng)銜鐵運(yùn)動(dòng)并落座，從而 斷開(kāi)電磁閥某條天然氣管路；電磁閥打開(kāi)時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路斷開(kāi)，不再產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電流與電磁力， 銜鐵在復(fù)位彈簧的作用下復(fù)位，接通關(guān)閉時(shí)閉合的氣路。這是一個(gè)涉及到機(jī)、電、磁等諸多 因素相互作用的過(guò)程，使電磁閥銜鐵運(yùn)動(dòng)的機(jī)械能是由電磁力提供的，但電磁力受控于驅(qū)動(dòng) 電流，而驅(qū)動(dòng)電流又是由驅(qū)動(dòng)電路控制的。
為達(dá)到保護(hù)電磁閥、提高可靠性等目的，電磁閥關(guān)閉過(guò)程對(duì)驅(qū)動(dòng)電流大小、持續(xù)時(shí)間等 參數(shù)都有一定的要求，這些參數(shù)使驅(qū)動(dòng)電流表現(xiàn)出特定的波形?，F(xiàn)階段，綜合性能最好的是 '峰值+維持'波形的驅(qū)動(dòng)電流，該電流波形如圖l所示。為了實(shí)現(xiàn)該類型的驅(qū)動(dòng)電流，已 開(kāi)發(fā)出一些驅(qū)動(dòng)電路。如傳統(tǒng)的高低端驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)，各電磁閥共用一個(gè)高端驅(qū)動(dòng)電路，包括一 個(gè)高端驅(qū)動(dòng)電源和一個(gè)高端功率驅(qū)動(dòng)管。每個(gè)電磁閥各有一套低端驅(qū)動(dòng)電路，主要器件為一 低端功率三極管為檢測(cè)驅(qū)動(dòng)電流，多在各電磁閥的公共端設(shè)置采樣電阻。工作時(shí)，通過(guò)改變 高端功率三極管控制脈沖的占空比調(diào)整驅(qū)動(dòng)電流大小，通過(guò)選通低端功率三極管實(shí)現(xiàn)選缸功 能。該驅(qū)動(dòng)電路雖然實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單，但是存在一些缺點(diǎn)首先，對(duì)驅(qū)動(dòng)電流進(jìn)行控制需要實(shí)現(xiàn)軟
件反饋，即單片機(jī)對(duì)驅(qū)動(dòng)電流采樣，然后對(duì)控制脈沖占空比進(jìn)行調(diào)制控制，軟件工作量較大， 同時(shí)控制頻率較低，精度無(wú)法提高。其次，在硬件驅(qū)動(dòng)上無(wú)法有效防止誤噴射的發(fā)生。 傳統(tǒng)的天然氣電磁閥噴射驅(qū)動(dòng)電路在驅(qū)動(dòng)能力、控制可靠性上都需要改進(jìn)。為克服以上
不足，本實(shí)用新型的任務(wù)是提高驅(qū)動(dòng)電路能力，提高驅(qū)動(dòng)可靠性；同時(shí)降低驅(qū)動(dòng)電路的成本。發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提出一種可配置式天然氣噴射電磁閥驅(qū)動(dòng)電路。整個(gè)驅(qū)動(dòng)電路包 括峰值維持脈寬產(chǎn)生電路、峰值維持電流設(shè)定電路、防止誤噴射電路、高低邊驅(qū)動(dòng)及電流采 樣電路四部分組成。峰值維持脈寬產(chǎn)生電路包括比較器、保護(hù)二極管、電阻、電容等；峰值 維持電流設(shè)定電路包括比較器、三極管、電阻、電容等；防止誤噴射電路包括比較器、電阻、 電容等；高低邊驅(qū)動(dòng)及電流采樣電路包括高低邊驅(qū)動(dòng)芯片、二極管、電容、驅(qū)動(dòng)管、運(yùn)算放 大器、采樣電阻等。該控制電路接收噴射控制脈沖，自動(dòng)產(chǎn)生峰值脈寬設(shè)定，可以維持驅(qū)動(dòng) 電流在設(shè)定范圍內(nèi)。
峰值維持脈寬產(chǎn)生電路由比較器A和兩路RC電路組成。包括電阻RIO、 R14、 R18，電容 Cl、 C2、 C7，齊納二極管D1、 D3，比較器A。電阻R10為4. 7k Q ， R14為1Mfi ， R18為1MQ。 電容Cl為O. lnF， C2和C7都為1000pF。齊納二極管D1、 D3為5V齊納二極管。比較器A 的型號(hào)為L(zhǎng)M2902。電容C7連接噴射輸入信號(hào)DRVSIGNAL1和比較器A的負(fù)極端口。電阻R18， 一端接比較器A的負(fù)極端口，另一端接地。齊納二極管D3和電阻R18并聯(lián)，陰極端接比較器 A的負(fù)極端口，陽(yáng)極端接地。電容C1一端接地， 一端接電源VCC。電阻R8—端接地，另一端 接比較器A的正極端口。電阻R14—端接電源VCC，另一端接比較器A的正極端口。齊納二 極管D1和電阻R8并聯(lián)，陰極端接比較器A的正極端口，陽(yáng)極端接地。電容C2連接比較器A 的正極端口和輸出端口。電阻R10連接電源VCC和比較器A的輸出端口。該電路輸入信號(hào)為 噴射控制信號(hào)DRVSIGNAL1，輸出給峰值維持電流設(shè)定電路的信號(hào)為比較器A的輸出端口信號(hào) C0UT1。
峰值維持電流設(shè)定電路包括比較器B， NPN三極管Q1，電阻R1、 R2、 R3、 R5、 R7、 Rll、
R12、 R16，電容C4。電阻R1、 R2都為1MQ， R3為4. 7kQ， R5為47kQ ， R7為20kQ， Rll
為5.1kQ,R12和R16都為為39kQ。電容C4為0.01yF。 NPN三極管Ql的型號(hào)為9013。比
較器B的型號(hào)為L(zhǎng)M2902。比較器A的輸出信號(hào)C0UT1輸入三極管Ql的基極，三極管的發(fā)射
極接地。電阻R16—端接電阻R12，另一端接地。電阻R12連接R16和三極管Q1的發(fā)射極。
電阻R11—端與三極管Q1的發(fā)射極相連，另一端和電阻R7相連。電阻R7 —端連接電源VCC，
另一端連接電阻Rll。電容C4一端連接電阻R11，另一端連接電阻R5。電阻R5連接電容C4
和電阻R2。電阻R2—端接比較器B的正極端口，另一端接地。比較器B的負(fù)極端口輸入來(lái)
自高低邊驅(qū)動(dòng)及電流采樣電路輸出的電流反饋信號(hào)CRT1。電阻Rl連接比較器B的正極端口
和輸出端口。電阻R3—端接電源VCC，另一端接比較器B的輸出端口。該電路的輸入信號(hào)為來(lái)自峰值維持脈寬產(chǎn)生電路的C0UT1信號(hào)和來(lái)自高低邊驅(qū)動(dòng)及電流釆樣電路的CRT1信號(hào)，輸 出到防止誤噴射電路的信號(hào)為比較器B的輸出端口信號(hào)C0UT2。
防lh誤噴射電路包括比較器C，電阻R4、 R6、 R9、 R13、 R15、 R17。電阻R4為4. 7k Q , R6 和R9都為100kQ， R13為39kQ, R15和R17都為lk Q 。比較器C的型號(hào)為L(zhǎng)M2902。電阻 R6—端連接比較器B的輸出端口，另一端連接比較器C的正極端口。電阻R9—端連接噴射 控制信號(hào)DRVSIGNAL1，另一端連接比較器C的正極端口 。電阻R15—端連接比較器C的正極 端口，另一端接地。電阻R17—端連接比較器C的負(fù)極端口，另一端接地。電阻R13—端連 接電源VCC,另一端連接比較器C的負(fù)極端口。電阻R4—端連接電源VCC，另一端連接比較 器C的輸出端口 。該電路的輸入信號(hào)為噴射控制信號(hào)DRVSIGNAL1和來(lái)自峰值維持電流設(shè)定電 路的C0UT2信號(hào)，輸出給高低邊驅(qū)動(dòng)及電流采樣電路的信號(hào)為比較器C的輸出端口信號(hào)C0UT3 。
高低邊驅(qū)動(dòng)及電流采樣電路包括高低邊驅(qū)動(dòng)器，運(yùn)算放大器，M0SFET芯片Q2、 Q3， 二極 管ML.R1、 D2、 D4，電阻R19、 R20、 R21、 R22、 R23、 R25，采樣電阻R24，電容C3、 C5、 C6、 C8、 C9、 CIO。電阻R19、 R20和R21都為100 。 ， R22為6. 8k Q ， R23為lk Q ， R25為2. 2k Q 。 采樣電阻R24的型號(hào)為0. 01Q,功率2W。電容C3、 C6和C10都為0. 1 y F, C5為4. 7 w F, C8 為47nF， C9為0. OlyF。 二極管MUR1的12V穩(wěn)壓二極管，二極管D2為齊納15V 二極管，二 極管M為SK55L瀉流二極管。M0SFET芯片Q2和Q3的型號(hào)為IRLR2905。運(yùn)算放大器的型號(hào) 為AD8051。高低邊驅(qū)動(dòng)器的型號(hào)為IR2101。電容C3—端接電平V—D12，另一端接地。高低 邊驅(qū)動(dòng)器端口 1接電平V—D12，端口 2接比較器C的輸出端口信號(hào)，端口3接噴射控制信號(hào) DRVSIGNAL1，端口4接地，端口5接電阻R20，端口6接電容C6，端口7接電阻R19，端口8 接二極管MUR1陰極。二極管MUR1的陽(yáng)極接電平V—D12，陰極接高低邊驅(qū)動(dòng)器的端口 8。電容 C5的正極接高低邊驅(qū)動(dòng)器的端口 8，負(fù)極接高低邊驅(qū)動(dòng)器的端U 6。電容C6兩端連接高低邊 驅(qū)動(dòng)器的端口 8和端口 6。 二極管D2的陽(yáng)極接高低邊驅(qū)動(dòng)器的端口 6，陰極接M0SFET芯片 Q2的柵極。二極管D4的陰極接高低邊驅(qū)動(dòng)器的端口 6,陽(yáng)極接地。電阻R19—端接高低邊驅(qū) 動(dòng)器的端口 7，另一端接MOSFET芯片Q2的柵極。電阻R20 —端接高低邊驅(qū)動(dòng)器的端口 5，另 一端接M0SFET芯片Q3的柵極。M0SFET芯片Q2的漏極接電源VBAT，源極接電磁閥一端。M0SFET 芯片Q3的漏極接電磁閥的另一端，源極接采樣電阻R24。采樣電阻R24 —端接M0SFET芯片 Q3的源極，另一端接地。電阻R21—端接電容C10，另一端接采樣電阻R24。電容C10和C8 并聯(lián)， 一端接電阻R21，另一端接地。電阻R23—端接運(yùn)算放大器的負(fù)極，另一端接地。電 阻R22—端接運(yùn)算放大器的負(fù)極，另一端接電阻R25。電阻R25—端接電阻R22，另一端接運(yùn)算放大器的輸出端口。電容C9一端接電源VCC，另一端接地。運(yùn)算放大器的輸出端口信號(hào)是 CRT1。該電路的輸入信號(hào)為噴射控制信號(hào)DRVSIGNAL1和來(lái)自防止誤噴射電路的信號(hào)C0UT3， 輸出信號(hào)為電流反饋信號(hào)CRT1， CRT1信號(hào)輸入峰值維持電流設(shè)定電路。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果為1.簡(jiǎn)化了噴射驅(qū)動(dòng)控制方式，單片機(jī)只需 要發(fā)出噴射方波脈沖即可，選缸脈沖和噴射脈沖完全一樣，單片機(jī)不用占用很大資源來(lái)產(chǎn)生 復(fù)雜的噴射控制脈沖。2.電路的可配置性較高，通過(guò)電路中不同電阻值的設(shè)定，可以實(shí)現(xiàn)不 同峰值電流和維持電流的設(shè)定。3.電路的可靠性提高，通過(guò)電路模塊的設(shè)計(jì)，可以有效地防 止誤噴射發(fā)生。


圖1為驅(qū)動(dòng)電流示意圖。
圖2為本實(shí)用新型電路示意圖。
圖3為工作過(guò)程部分信號(hào)圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合實(shí)施例和附圖進(jìn)一步說(shuō)明本實(shí)用新型。
圖l為驅(qū)動(dòng)電流示意圖。圖2為本實(shí)用新型電路示意圖。圖3為工作過(guò)程部分信號(hào)圖。
整個(gè)驅(qū)動(dòng)電路包括峰值維持脈寬產(chǎn)生電路、峰值維持電流設(shè)定電路、防止誤噴射電路、 高低邊驅(qū)動(dòng)及電流采樣電路四部分組成。峰值維持脈寬產(chǎn)生電路由比較器A和兩路RC電路組 成，噴射驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)輸入一路RC電路，然后輸入LM2902比較器A負(fù)極端口。當(dāng)脈沖輸入 端為低電平時(shí)，比較器A正極端口的電平比負(fù)極端口高，則比較器A輸出低電平。在脈沖輸 入端變成高電平后，比較器A的正極端口電平從0V上升到2.5V，負(fù)極端口電平從5V下降到 0V，在兩端口電平相等前，比較器A輸出高電平。該段高電平的寬度即為峰值電流脈寬。
峰值維持電流設(shè)定電路包括LM2902比較器B、 NPN三極管、電阻和電容。比較器A輸出 的峰值脈沖通過(guò)NPN三極管組成的電阻配置電路，在比較器B的正極端口形成兩種不同的電 平，比較器B的負(fù)極端口為采樣電流經(jīng)過(guò)運(yùn)算放大器放大后的電平，相應(yīng)的比較器B的輸出 端口對(duì)不同電平進(jìn)行比較控制，即可實(shí)現(xiàn)不同峰值和維持電流的配置。
防止誤噴射電路由比較器C和一系列電阻組成，在噴射信號(hào)輸入端為低電平時(shí)，比較器 C的正極端口的電平一直低于負(fù)極端口的電平，因此輸出端口的電平一直為低，可以有效防止誤噴射的發(fā)生。
高低邊驅(qū)動(dòng)及電流采樣電路由高低邊驅(qū)動(dòng)器IR2101、 MOSFET、 二極管、電阻、電容、高 精度的功率采樣電阻、AD8051運(yùn)算放大器等組成。比較器C的輸出控制信號(hào)作為高邊驅(qū)動(dòng)控 制信號(hào)，噴射控制脈沖作為低邊驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)，可以有效地實(shí)現(xiàn)高低邊驅(qū)動(dòng)方式。通過(guò)電阻 配置可以實(shí)現(xiàn)電流的采樣和放大。采樣后的電平與設(shè)定的電平比較，實(shí)現(xiàn)不同峰值和維持電 流的電流控制方式。
本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)和效果首先，通過(guò)LM2902比較器和相應(yīng)的 電路設(shè)置在硬件上實(shí)現(xiàn)了峰值電流脈寬的產(chǎn)生；其次，通過(guò)不同的電阻設(shè)置可以實(shí)現(xiàn)不同幅 值的峰值和維持電流設(shè)置；最后，本驅(qū)動(dòng)電路具有較高的可靠性，可以有效地防止誤噴射發(fā)生。
權(quán)利要求1、一種天然氣發(fā)動(dòng)機(jī)電磁閥噴射驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)電路包括峰值維持脈寬產(chǎn)生電路、峰值維持電流設(shè)定電路、防止誤噴射電路、高低邊驅(qū)動(dòng)及電流采樣電路；所述峰值維持脈寬產(chǎn)生電路包括電阻R10、R14、R18，電容C1、C2、C7，齊納二極管D1、D3，比較器A；電容C7連接噴射輸入信號(hào)DRVSIGNAL1和比較器A的負(fù)極端口；電阻R18一端接比較器A的負(fù)極端口，另一端接地；齊納二極管D3和電阻R18并聯(lián)，陰極端接比較器A的負(fù)極端口，陽(yáng)極端接地；電容C1一端接地，一端接電源VCC；電阻R8一端接地，另一端接比較器A的正極端口；電阻R14一端接電源VCC，另一端接比較器A的正極端口；齊納二極管D1和電阻R8并聯(lián)，陰極端接比較器A的正極端口，陽(yáng)極端接地；電容C2連接比較器A的正極端口和輸出端口；電阻R10連接電源VCC和比較器A的輸出端口；所述峰值維持電流設(shè)定電路包括比較器B，NPN三極管Q1，電阻R1、R2、R3、R5、R7、R11、R12、R16，電容C4；比較器A的輸出信號(hào)COUT1輸入三極管Q1的基極，三極管的發(fā)射極接地；電阻R16一端接電阻R12，另一端接地；電阻R12連接R16和三極管Q1的發(fā)射極；電阻R11一端與三極管Q1的發(fā)射極相連，另一端和電阻R7相連；電阻R7一端連接電源VCC，另一端連接電阻R11；電容C4一端連接電阻R11，另一端連接電阻R5；電阻R5連接電容C4和電阻R2；電阻R2一端接比較器B的正極端口，另一端接地；比較器B的負(fù)極端口輸入來(lái)自高低邊驅(qū)動(dòng)及電流采樣電路輸出的電流反饋信號(hào)CRT1；電阻R1連接比較器B的正極端口和輸出端口；電阻R3一端接電源VCC，另一端接比較器B的輸出端口所述防止誤噴射電路包括比較器C，電阻R4、R6、R9、R13、R15、R17；電阻R6一端連接比較器B的輸出端口，另一端連接比較器C的正極端口；電阻R9一端連接噴射控制信號(hào)DRVSIGNAL1，另一端連接比較器C的正極端口；電阻R15一端連接比較器C的正極端口，另一端接地；電阻R17一端連接比較器C的負(fù)極端口，另一端接地；電阻R13一端連接電源VCC，另一端連接比較器C的負(fù)極端口；電阻R4一端連接電源VCC，另一端連接比較器C的輸出端口；所述高低邊驅(qū)動(dòng)及電流采樣電路包括高低邊驅(qū)動(dòng)器，運(yùn)算放大器，MOSFET芯片Q2、Q3，二極管MUR1、D2、D4，電阻R19、R20、R21、R22、R23、R25，采樣電阻R24，電容C3、C5、C6、C8、C9、C10；電容C3一端接電平V_D12，另一端接地；高低邊驅(qū)動(dòng)器端口1接電平V_D12，端口2接比較器C的輸出端口信號(hào)，端口3接噴射控制信號(hào)DRVSIGNAL1，端口4接地，端口5接電阻R20，端口6接電容C6，端口7接電阻R19，端口8接二極管MUR1陰極；二極管MUR1的陽(yáng)極接電平V_D12，陰極接高低邊驅(qū)動(dòng)器的端口8；電容C5的正極接高低邊驅(qū)動(dòng)器的端口8，負(fù)極接高低邊驅(qū)動(dòng)器的端口6；電容C6兩端連接高低邊驅(qū)動(dòng)器的端口8和端口6；二極管D2的陽(yáng)極接高低邊驅(qū)動(dòng)器的端口6，陰極接MOSFET芯片Q2的柵極；二極管D4的陰極接高低邊驅(qū)動(dòng)器的端口6，陽(yáng)極接地；電阻R19一端接高低邊驅(qū)動(dòng)器的端口7，另一端接MOSFET芯片Q2的柵極；電阻R20一端接高低邊驅(qū)動(dòng)器的端口5，另一端接MOSFET芯片Q3的柵極；MOSFET芯片Q2的漏極接電源VBAT，源極接電磁閥一端；MOSFET芯片Q3的漏極接電磁閥的另一端，源極接采樣電阻R24；采樣電阻R24一端接MOSFET芯片Q3的源極，另一端接地；電阻R21一端接電容C10，另一端接采樣電阻R24；電容C10和C8并聯(lián)，一端接電阻R21，另一端接地；電阻R23一端接運(yùn)算放大器的負(fù)極，另一端接地；電阻R22一端接運(yùn)算放大器的負(fù)極，另一端接電阻R25；電阻R25一端接電阻R22，另一端接運(yùn)算放大器的輸出端口；電容C9一端接電源VCC，另一端接地。
2、根據(jù)權(quán)利要求l所述的一種天然氣發(fā)動(dòng)機(jī)電磁閥噴射驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述電 阻R10為4. 7kQ,R14為1MQ， R18為1MQ;電容Cl為0. 1 n F， C2和C7為1000pF;齊納二 極管D1、 D3為5V齊納二極管；比較器A的型號(hào)為L(zhǎng)M2902。
3、根據(jù)權(quán)利要求l所述的一種天然氣發(fā)動(dòng)機(jī)電磁閥噴射驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述 電阻R1、 R2都為1MQ， R3為4. 7kQ， R5為47kQ ， R7為20kQ， Rll為5. lk Q ， R12和R16 都為為39k Q ;電容C4為0. Olu F; NPN三極管Ql的型號(hào)為9013;比較器B的型號(hào)為L(zhǎng)M2902。
4、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的一種天然氣發(fā)動(dòng)機(jī)電磁閥噴射驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述電 阻R4為4. 7kQ，R6和R9都為100kQ， R13為39kQ， R15和R17都為lk Q ;比較器C的型 號(hào)為L(zhǎng)M2902。
5、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的一種天然氣發(fā)動(dòng)機(jī)電磁閥噴射驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，電阻 R19、 R20和R21都為100 Q， R22為6. 8k Q, R23為lk Q ， R25為2. 2kQ;采樣電阻R24的型 號(hào)為0. 01 Q ，功率2W;電容C3、 C6和C10為0. 1 y F, C5為4. 7 y F， C8為47nF， C9為0. 01 u F; 二極管MUR1的12V穩(wěn)壓二極管，二極管D2為齊納15V 二極管，二極管D4為SK55L瀉流二極 管；M0SFET芯片Q2和Q3的型號(hào)為IRLR2905;運(yùn)算放大器的型號(hào)為AD8051;高低邊驅(qū)動(dòng)器 的型號(hào)為IR2101。
專利摘要一種天然氣發(fā)動(dòng)機(jī)電磁閥噴射驅(qū)動(dòng)電路，屬于電控發(fā)動(dòng)機(jī)硬件系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)域。該驅(qū)動(dòng)電路包括峰值維持脈寬產(chǎn)生電路、峰值維持電流設(shè)定電路、防止誤噴射電路等電路；電容C7連接噴射輸入信號(hào)DRVSIGNAL1和比較器A的負(fù)極端口；比較器A的輸出信號(hào)COUT1連接三極管Q1基極；電阻R1連接比較器B的正極端口和輸出端口；電阻R9一端連接噴射控制信號(hào)DRVSIGNAL1，另一端連接比較器C的正極端口；高低邊驅(qū)動(dòng)器端口2接比較器C的輸出端口信號(hào)，端口8接二極管MUR1陰極；MOSFET芯片Q2的漏極接電源VBAT。本實(shí)用新型可實(shí)現(xiàn)峰值電流脈寬的產(chǎn)生；簡(jiǎn)化噴射驅(qū)動(dòng)控制方式；電路可配置性較高；可有效防止誤噴射發(fā)生。
文檔編號(hào)F02M21/02GK201148923SQ200820078739
公開(kāi)日2008年11月12日 申請(qǐng)日期2008年1月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月25日
發(fā)明者李建秋, 歐陽(yáng)明高, 洪木南, 章健勇, 林 陳 申請(qǐng)人:清華大學(xué)