專利名稱：磁記錄盤及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁記錄盤及其制造方法。更具體地說，本發(fā)明涉及這樣一種磁記錄盤，其具有高粘附的潤滑層，因此即使在極其低，例如12納米或更低的飛行高度下也可以防止出現(xiàn)飛行靜摩擦故障或侵蝕故障，并且即使在高速，例如5,400rpm或更高的轉(zhuǎn)速下也可以防止發(fā)生遷移，該盤將要安裝在磁記錄盤裝置如硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)上，并涉及其制造方法。
背景技術(shù)：
通常，磁記錄盤裝置使用CSS(接觸起停)方法，其中在停止時(shí)間，磁頭與在內(nèi)圓周區(qū)域中形成的接觸起停區(qū)(CSS區(qū))接觸，使磁頭在起始時(shí)間略微上升，同時(shí)使其在CSS區(qū)中接觸滑動(dòng)(contact-slide)，然后，在CSS區(qū)外形成的寫讀磁盤區(qū)的表面上進(jìn)行寫和讀。當(dāng)結(jié)束操作時(shí)，使磁頭從寫讀磁盤區(qū)回到CSS區(qū)，并使其著陸，同時(shí)使其在CSS區(qū)中接觸滑動(dòng)，磁頭停止。在上述CSS方法中，將包括接觸滑動(dòng)的起動(dòng)操作和結(jié)束操作稱為CSS操作。
在上述CSS方法中使用的磁記錄盤中，需要在磁盤表面上形成CSS區(qū)域和寫讀區(qū)域。當(dāng)磁頭和磁記錄盤接觸時(shí)，為了防止它們的粘連(靜摩擦)，還需要在磁記錄盤表面上形成稱為織構(gòu)的、具有預(yù)定表面粗糙度的粗糙形狀。為了減輕由磁頭和磁記錄盤在CSS操作過程中的接觸滑動(dòng)所引起的損壞，已知一種，例如具有涂層的磁記錄介質(zhì)(例如JP-A-62-66417)，該涂層由具有以下結(jié)構(gòu)式的全氟烷基聚醚，HOCH2-CF2O-(C2F4O)p-(CF2O)q-CH2OH和含膦嗪(phosphazene)化合物作為主要組分的潤滑劑組成并被涂覆到記錄硬盤上(例如，JP-A-11-224419)。
最近，正用根據(jù)裝卸方法(LUL方法)的磁記錄盤代替上述CSS方法。在LUL方法中，磁頭在停止時(shí)間保持在位于磁記錄盤外面的、稱作坡道(ramp)的傾斜部位上，在起始時(shí)間，磁記錄盤開始轉(zhuǎn)動(dòng)后，使磁頭從上面的坡道滑到磁記錄盤上，隨后進(jìn)行寫和讀。將上述系列操作稱作“LUL操作”。由于與CSS方法相比，可以保證在磁記錄盤上進(jìn)行廣泛的寫和讀，所以對(duì)于提高信息記錄容量而言，LUL方法是優(yōu)選的。而且，由于該方法不需要在磁記錄盤表面上形成CSS的織構(gòu)，所以磁記錄盤表面可以大大變光滑，并且還可以降低磁頭的飛行高度，因此可以獲得較高的記錄信號(hào)S/N比。因此，LUL方法是合適的。
由于上述介紹的LUL方法還造成磁頭的飛行高度不連續(xù)下降，所以即使在12納米或更低的極低飛行高度下也需要實(shí)現(xiàn)磁頭的穩(wěn)定運(yùn)行。然而，當(dāng)在此非常低的飛行高度下使磁頭飛過磁記錄盤表面上時(shí)，造成飛行靜摩擦和磁頭侵蝕故障經(jīng)常發(fā)生。
飛行靜摩擦故障指的是造成磁頭在其飛行過程中在飛行位置和飛行高度方面產(chǎn)生波動(dòng)的故障。這些故障包括重復(fù)輸出中不規(guī)則的波動(dòng)，并且有時(shí)候，磁頭與磁記錄盤接觸造成磁頭沖撞(clash)，從而毀壞磁記錄盤。
侵蝕故障指的是這樣的故障，腐蝕磁頭的元件(element)部分造成復(fù)寫數(shù)據(jù)困難，并且有時(shí)候，不再可能復(fù)寫，或腐蝕的元件會(huì)發(fā)生膨脹從而在磁頭飛行的過程中造成對(duì)磁記錄盤表面的損傷。
而且，最近的實(shí)踐是提高磁記錄盤的轉(zhuǎn)動(dòng)速率以提高磁記錄盤驅(qū)動(dòng)裝置的應(yīng)答。通常，小型的、適用于移動(dòng)裝置的2.5英寸磁記錄盤驅(qū)動(dòng)裝置的轉(zhuǎn)動(dòng)速率約為4,200rpm，而最近的實(shí)踐是以5,400rpm或更高的高速率轉(zhuǎn)動(dòng)磁記錄盤以提高應(yīng)答能力。當(dāng)磁記錄盤以如此高的速率轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，由轉(zhuǎn)動(dòng)引起的離心力導(dǎo)致潤滑層運(yùn)動(dòng)(遷移)，結(jié)果會(huì)顯現(xiàn)出以下現(xiàn)象，即潤滑層在磁記錄盤表面上漸漸具有不均勻的厚度。當(dāng)磁盤外圓周側(cè)上潤滑層的厚度增加時(shí)，在LUL的時(shí)候易于發(fā)生飛行粘著故障或磁頭沖撞故障。當(dāng)磁盤內(nèi)圓周側(cè)上潤滑層的厚度降低時(shí)，光滑性能下降，從而易于發(fā)生磁頭沖撞故障。
JP-A-62-66417和JP-A-11-224419中描述的常規(guī)潤滑劑主要是針對(duì)提高CSS操作而開發(fā)出來的潤滑劑。當(dāng)在根據(jù)LUL方法的磁記錄盤中使用這類潤滑劑時(shí)，上述故障極頻繁地發(fā)生，難以滿足近來對(duì)磁記錄盤要求的可靠性。因此，使得在根據(jù)LUL方法的磁記錄盤中難以獲得較高的磁記錄盤容量，較高的S/N比以及較快的應(yīng)答。
因此，在這些情況下，本發(fā)明的目的是提供這樣一種磁記錄盤，其具有高粘附的潤滑層，該層在極其低，例如12納米或更低的飛行高度下可以防止出現(xiàn)飛行靜摩擦故障或侵蝕故障，并且在例如5,400rpm或更高的轉(zhuǎn)速下可以防止發(fā)生遷移，該盤將要安裝在磁記錄盤裝置如硬盤驅(qū)動(dòng)裝置(HDD)上，并提供其制造方法。特別是，本發(fā)明的目的在于提供一種適合于LUL方法的磁記錄盤及其制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明人對(duì)最近磁記錄盤中出現(xiàn)的上述問題進(jìn)行了勤勞的研究，并且已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，這些問題是出現(xiàn)以下機(jī)理的結(jié)果。
當(dāng)磁頭的飛行高度逐漸變?yōu)?2納米或更小的極低飛行高度時(shí)，磁頭在其飛行的過程中通過空氣分子重復(fù)地對(duì)磁記錄盤上的潤滑層施加絕熱壓縮和絕熱膨脹，潤滑層通過上述熱作用被重復(fù)加熱和冷卻。根據(jù)此觀點(diǎn)，本發(fā)明人還研究并發(fā)現(xiàn)了上述熱作用促使構(gòu)成潤滑層的潤滑劑熱解，因而將潤滑劑分解為低級(jí)分子。當(dāng)因熱解將潤滑劑分解為低級(jí)分子時(shí)，由于其低級(jí)分子導(dǎo)致潤滑劑的流動(dòng)性提高，因此潤滑層與保護(hù)層之間的粘附力下降。因此，流動(dòng)性提高的潤滑劑轉(zhuǎn)移并沉積在距磁記錄盤距離極近的磁頭上，從而使磁頭的飛行位置不穩(wěn)定，造成出現(xiàn)飛行靜摩擦故障。
特別是，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，由于在磁頭的底面上出現(xiàn)高的負(fù)壓，導(dǎo)致具有最近引入的NPAB(負(fù)壓氣承表面)滑動(dòng)器的磁頭從磁記錄盤的表面吸取潤滑劑的分解產(chǎn)物，這促進(jìn)了遷移和沉積現(xiàn)象。
還發(fā)現(xiàn)，潤滑劑有時(shí)候熱分解形成氫氟酸，并且發(fā)現(xiàn)由于氫氟酸遷移并沉積到/在磁頭上，所以易于腐蝕磁頭的元件部分。
還發(fā)現(xiàn)，適合于較高密度記錄的、在磁頭中使用的磁電阻效應(yīng)復(fù)制元件(MR、GMR、TMR等)容易被腐蝕，產(chǎn)生高Bs(磁通密度)的屏蔽材料如含F(xiàn)eNi的坡莫合金也可能被腐蝕，該材料在具有復(fù)制磁電阻效應(yīng)的元件的磁頭屏蔽部分中使用。
特別是，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，JP-A-62-66417中描述的潤滑劑的耐熱性低，易于被熱分解，并因此易于造成由于這些現(xiàn)象出現(xiàn)的故障。
而且，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，由潤滑劑熱解形成的氫氟酸易于造成磁記錄盤設(shè)備的氣氛中存在的硅氧烷發(fā)生化學(xué)變化從而形成二氧化硅，這樣形成的二氧化硅易于轉(zhuǎn)移到磁頭上從而造成飛行靜摩擦故障。
本發(fā)明人還發(fā)現(xiàn)，LUL方法加重了上述故障。與CSS方法不同，在LUL方法中，當(dāng)接觸時(shí)，磁頭不在磁記錄盤的表面上滑動(dòng)，因此曾經(jīng)轉(zhuǎn)移到磁頭上的潤滑劑的分解產(chǎn)物不再轉(zhuǎn)移或回到磁記錄盤側(cè)。在CSS方法中，磁記錄盤的CSS區(qū)用于清除掉在CSS操作的過程中粘附到磁頭上的分解產(chǎn)物，因此，認(rèn)為不會(huì)明顯出現(xiàn)上述故障。
本發(fā)明人還在上述結(jié)果的基礎(chǔ)上進(jìn)行了進(jìn)一步研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過使用含混合兩種特定結(jié)構(gòu)化合物的潤滑層作為磁記錄盤上的潤滑層可以防止出現(xiàn)上述問題，所述化合物具有全氟聚醚主鏈，其中每種化合物的端部被改性，并因此完成了本發(fā)明。
即，本發(fā)明的要點(diǎn)如下。
(1)一種磁記錄盤，包括基片、在該基片上形成的磁性層、在該磁性層上形成的保護(hù)層和在該保護(hù)層上形成的潤滑層，該潤滑層含有化合物(A)和化合物(B)，化合物(A)具有通式(I) 其中，p和q中的每一個(gè)都是1或更大的整數(shù)，化合物(B)具有全氟聚醚主鏈，該主鏈具有兩個(gè)端部，每個(gè)端部都含碳原子或氧原子，含羥基的烴基與這兩個(gè)端部連接，所述烴基任選地含醚鍵。
(2)一種磁記錄盤，包括基片、在該基片上形成的磁性層、在該磁性層上形成的保護(hù)層和在該保護(hù)層上形成的潤滑層，該潤滑層由化合物(A)和化合物(B)的混合物形成，化合物(A)具有通式(I) 其中，p和q中的每一個(gè)都是1或更大的整數(shù)，和化合物(B)具有全氟聚醚主鏈，該主鏈具有兩個(gè)含碳原子或氧原子的端部，含羥基的烴基與這兩個(gè)端部連接，所述烴基任選地含醚鍵。
(3)如上述(1)或(2)中敘述的磁記錄盤，其中化合物(B)表示至少一種選自通式(II)、(III)、(IV)和(VII)化合物中的化合物，HOCH2-CF2O-(CF2CF2O)a(CF2O)b-CH2OH(II)HOCH2-CF2O-(CF2CF2O)a(CF2O)b-CF2-CH2OH(III) HO-(CH2CH2-O)m-CH2-CF2-(OC2F4)a(OCF2)b-O-CF2-CH2-(OCH2CH2)n-OH(VII)其中，a、b、m和n中的每一個(gè)都是1或更大的整數(shù)。
(4)如上述(1)、(2)或(3)中敘述的磁記錄盤，其中潤滑層含化合物(A)和化合物(B)，化合物(A)∶化合物(B)的重量比為2∶8-8∶2。
(5)如上述(1)-(4)中任何一項(xiàng)敘述的磁記錄盤，其中化合物(A)的重均分子量(Mw)為2,000-7,000，由重均分子量(Mw)/數(shù)均分子量(Mn)表示的多分散性為1.1或更小。
(6)如上述(1)-(5)中任何一項(xiàng)敘述的磁記錄盤，其中化合物(B)的重均分子量(Mw)為2,000-7,000，由重均分子量(Mw)/數(shù)均分子量(Mn)表示的多分散性為1.2或更小。
(7)如上述(1)-(6)中任何一項(xiàng)敘述的磁記錄盤，其用于裝卸方法中的硬盤驅(qū)動(dòng)器裝置。
(8)如上述(1)-(7)中任何一項(xiàng)敘述敘述的磁記錄盤，其中所說的保護(hù)層是用等離子CVD法形成的含碳保護(hù)層。
(9)如上述(1)-(8)中任何一項(xiàng)敘述的磁記錄盤，其中所說的潤滑層覆蓋所說保護(hù)層的表面，覆蓋率β為0.85-1。
(10)一種制造磁記錄盤的方法，該磁記錄盤包括基片、在該基片上形成的磁性層、在該磁性層上形成的保護(hù)層和在該保護(hù)層上形成的潤滑層，該方法包括將化合物(A)與化合物(B)混合，并用這樣獲得的混合物形成所說的潤滑層，其中化合物(A)具有通式(I)
其中，p和q中的每一個(gè)都是1或更大的整數(shù)，化合物(B)具有全氟聚醚主鏈，該主鏈具有兩個(gè)含碳原子或氧原子的端部，含羥基的烴基與這兩個(gè)端部連接，所述烴基任選地含醚鍵。
上述制造磁記錄盤的方法還包括以下優(yōu)選的實(shí)施方案。
(11)如上述(10)中敘述的制造磁記錄盤的方法，其中化合物(B)表示至少一種選自通式(II)、(III)、(IV)和(VII)化合物中的化合物，HOCH2-CF2O-(CF2CF2O)a(CF2O)b-CH2OH (II)HOCH2-CF2O-(CF2CF2O)a(CF2O)b-CF2-CH2OH (III) HO-(CH2CH2-O)m-CH2-CF2-(OC2F4)a(OCF2)b-O-CF2-CH2-(OCH2CH2)n-OH(VII)其中，a、b、m和n中的每一個(gè)都是1或更大的整數(shù)。
(12)如上述(10)或(11)中敘述的制造磁記錄盤的方法，其中將化合物(A)和化合物(B)混合，化合物(A)與化合物(B)的重量比為2∶8-8∶2，并用這樣獲得的混合物形成所說的潤滑層。
(13)如上述(10)、(11)或(12)中敘述的制造磁記錄盤的方法，其中使用含有重均分子量(Mw)為2,000-7,000，用重均分子量(Mw)/數(shù)均分子量(Mn)表示的多分散性為1.1或更小的化合物(A)的潤滑劑作為含化合物(A)的潤滑劑。
(14)如上述(10)-(13)中任何一項(xiàng)敘述的制造磁記錄盤的方法，其中使用含有重均分子量(Mw)為2,000-7,000，用重均分子量(Mw)/數(shù)均分子量(Mn)表示的多分散性為1.2或更小的化合物(B)的潤滑劑作為含化合物(B)的潤滑劑。
(15)如上述(10)-(14)中任何一項(xiàng)敘述的制造磁記錄盤的方法，其中磁記錄盤用于在裝卸方法中使用。


圖1是本發(fā)明磁記錄盤的一個(gè)實(shí)施例的示意剖視圖，其中數(shù)字10表示磁記錄盤，1表示基片，2表示籽晶層，3表示底層，4表示磁性層，5表示保護(hù)層，6表示潤滑層。
發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能獲得具有優(yōu)異潤滑、粘附、耐熱和涂布性能的磁記錄盤，因此可以防止飛行靜摩擦、腐蝕、磁頭沖撞、遷移等故障，本發(fā)明的磁記錄盤適合于提高信息記錄容量。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的磁記錄盤具有以下構(gòu)造，其中在基片上連續(xù)形成至少磁性層、保護(hù)層和潤滑層，并將以下化合物(A)和(B)的混合物摻入到上述潤滑層中。
化合物(A)是具有通式(I)結(jié)構(gòu)的化合物， 其中，p和q中的每一個(gè)都是1或更大的整數(shù)，其中，二乙醇氨甲基與全氟聚醚主鏈兩個(gè)端部的碳原子連接，一個(gè)二乙醇氨甲基與一個(gè)端部的碳原子連接，一個(gè)二乙醇氨甲基與另一個(gè)端部的碳原子連接。
上述化合物(A)適當(dāng)?shù)鼐哂谢谄渲麈湹臐櫥阅芎突谠撝麈渻啥酥忻恳欢藘蓚€(gè)-CH2CH2OH官能團(tuán)的高耐熱性和與保護(hù)層的高粘附能力。然而，由于該官能團(tuán)與保護(hù)層具有高的粘附能力，因此潤滑性能下降。因此，存在以下問題，化合物(A)易于造成沖撞，難以單獨(dú)使用化合物(A)，這是本發(fā)明人已經(jīng)設(shè)法克服的問題。
另一方面，化合物(B)具有以下結(jié)構(gòu)，其中其全氟聚醚主鏈具有兩個(gè)端部，每個(gè)端部含碳原子或氫原子，含羥基的烴基與這兩個(gè)端部連接，所述烴基任選地含醚鍵。化合物(B)適當(dāng)?shù)鼐哂谢谌勖阎麈湹娜彳浀臐櫥阅芎突谟袃蓚€(gè)羥基的末端官能團(tuán)與保護(hù)層的粘附能力。然而，化合物(B)存在耐熱性低的問題。而且，化合物(B)易于造成遷移，并且在使用中難以適當(dāng)控制。因此，很難單獨(dú)使用化合物(B)。這些是本發(fā)明人已經(jīng)設(shè)法克服的問題。
然而，當(dāng)本發(fā)明人制備具有含這兩種化合物的潤滑層的磁記錄盤并對(duì)其進(jìn)行測試時(shí)，出乎意料地發(fā)現(xiàn)，協(xié)同地顯示出這兩種化合物的合適性能，而且可以控制這兩種化合物的缺陷。因此完成本發(fā)明。
在本發(fā)明中使用的上述化合物(B)中，全氟聚醚主鏈具有兩個(gè)端部，每個(gè)端部含碳原子或氧原子，含羥基的烴基與這兩個(gè)端部連接，所述烴基任選地含醚鍵，優(yōu)選地，含羥基的烴基中的羥基數(shù)量是1或2。當(dāng)上述羥基的數(shù)量超過2時(shí)，在有些情況下會(huì)降低潤滑性能?；衔?B)的例子包括以下通式(III)-(VII)的化合物，HOCH2-CF2O-(CF2CF2O)a(CF2O)b-CH2OH (II)HOCH2-CF2O-(CF2CF2O)a(CF2O)b-CF2-CH2OH (III) HOCH2-CF2CF2-O-(CF2CF2CF2O)a-CF2CF2-CH2OH (VI)HO-(CH2CH2-O)m-CH2-CF2-(OC2F4)a(OCF2)b-O-CF2-CH2-(OCH2CH2)n-OH(VII)其中，R是F或CF3，a和b中的每一個(gè)是1或更大的整數(shù)，c是2-10的整數(shù)，m和n中的每一個(gè)是1或更大的整數(shù)。
可以單獨(dú)或混合使用這些化合物。在這些化合物中，從性能來看，上述通式(II)的化合物是優(yōu)選的。
而且，作為在潤滑層中使用的化合物(B)，通式(III)、(IV)和(VII)的化合物是優(yōu)選的，當(dāng)含這些化合物中的每一種的潤滑層與由等離子體CVD法形成的保護(hù)層結(jié)合時(shí)，這些化合物中的每一種都是特別優(yōu)選的。
在本發(fā)明中，潤滑層優(yōu)選含重量比為2∶8-8∶2的上述化合物(A)和上述化合物(B)。當(dāng)化合物(A)的重量比小于上述范圍時(shí)，整個(gè)潤滑層與保護(hù)層的粘附力變低，因此有時(shí)候可以造成飛行靜摩擦并出現(xiàn)侵蝕故障，有時(shí)還會(huì)造成遷移。當(dāng)化合物(A)的重量比高于上述范圍時(shí)，整個(gè)潤滑層與保護(hù)層的粘附力提高，因此有時(shí)候潤滑性能會(huì)下降，并且會(huì)引起磁頭沖撞?；衔?A)與化合物(B)的重量比特別優(yōu)選的是在4∶6-6∶4的范圍內(nèi)。
在本發(fā)明中，優(yōu)選地，上述化合物(A)的重均分子量(Mw)為2,000-7,000，用重均分子量(Mw)/數(shù)均分子量(Mn)表示的多分散性為1.1或更小。當(dāng)化合物(A)具有上述分子量分布時(shí)，化合物(A)具有潤滑性能適合于磁記錄盤的主鏈長度(主鏈的長度)。當(dāng)上述重均分子量(Mw)小于2,000時(shí)，不理想地，往往含大量的雜質(zhì)。當(dāng)其超過7,000時(shí)，不理想地，這樣的化合物具有高粘度，并且有時(shí)造成飛行靜摩擦。而且，當(dāng)多分散性超過1.1時(shí)，分子量分布太大，不理想地，結(jié)果是含低分子量的組分和高分子量的組分。
在上述通式(I)的化合物(A)中，p和q中的每一個(gè)是1或更大的整數(shù)?？梢赃m當(dāng)?shù)卮_定整數(shù)p和q以使化合物(A)的重均分子量在2,000-7,000的范圍內(nèi)。
上述化合物(B)的重均分子量(Mw)為2,000-7,000，用重均分子量(Mw)/數(shù)均分子量(Mn)表示的多分散性為1.2或更小。當(dāng)化合物(B)具有上述分子量分布時(shí)，化合物(B)具有潤滑性能適合于磁記錄盤的全氟聚醚主鏈長度。
通式(II)的化合物易于含分子量較低的雜質(zhì)。當(dāng)通式(II)的化合物具有如本發(fā)明中限定的分子量分布時(shí)，可以除去上述雜質(zhì)，并可以適當(dāng)?shù)仫@示本發(fā)明的效果。特別優(yōu)選地，通式(II)的化合物的重均分子量為3,000-5,000，多分散性為1.1或更小。當(dāng)上述重均分子量(Mw)小于2,000時(shí)，不理想地，往往含大量的雜質(zhì)。當(dāng)其超過7,000時(shí)，不理想的是，這樣的化合物具有高粘度，并且有時(shí)造成飛行靜摩擦。而且，當(dāng)多分散性超過1.2時(shí)，分子量分布太大，不理想的是，結(jié)果是含低分子量的組分和高分子量的組分。在上述通式(II)的化合物中，a和b中的每一個(gè)都是1或更大的整數(shù)?？梢赃m當(dāng)?shù)卮_定a和b的整數(shù)以使通式(II)的化合物的重均分子量在2,000-7,000的范圍內(nèi)。
上面討論的通式(II)化合物中重均分子量(Mw)和用重均分子量(Mw)/數(shù)均分子量(Mn)表示的多分散性的優(yōu)選范圍適用于通式(III)、(IV)和(VII)的化合物而不用做任何修改。而且，在通式(III)、(IV)和(VII)的化合物中，a和b中的每一個(gè)都是1或更大的整數(shù)，可以適當(dāng)?shù)卮_定a和b的整數(shù)以使每種化合物的重均分子量在2,000-7,000的范圍內(nèi)。
在本發(fā)明中，上述重均分子量(Mw)和數(shù)均分子量(Mn)是通過根據(jù)使用不同分子量的聚甲基丙烯酸甲酯作為參比物質(zhì)的凝膠滲析色譜(GPC)法測量而獲得的值。
在本發(fā)明中，對(duì)調(diào)節(jié)化合物(A)和化合物(B)中每一種的分子量分布(重均分子量和多分散性)的方法沒有特別的限制，只要該方法是能夠分級(jí)分子量的純化方法即可，同時(shí)優(yōu)選的是使用通過超臨界提取方法純化的化合物。當(dāng)通過超臨界提取方法進(jìn)行分子量分級(jí)時(shí)，能夠適當(dāng)獲得具有上述分子量分布的化合物。
在本發(fā)明中，根據(jù)需要，潤滑層可以含其它稱為常規(guī)磁記錄盤用潤滑劑的潤滑劑和各種稱為潤滑層用添加劑的添加劑，如用于全氟聚醚潤滑劑的防劣化劑，只要不損害本發(fā)明的目的即可。上面其它已知潤滑劑的例子包括這樣一種化合物，其中全氟聚醚主鏈的一端包括含羥基的烴基，具有氟碳化合物鏈并具有至少一個(gè)疊氮基的含氟疊氮化合物和全氟聚醚主鏈的至少一端具有膦嗪(phosphazene)環(huán)的化合物。
而且，根據(jù)本發(fā)明，提供一種磁記錄盤，該盤包括基片、在該基片上形成的磁性層、在該磁性層上形成的保護(hù)層和在該保護(hù)層上形成的潤滑層，該潤滑層是由上述化合物(A)和上述化合物(B)的混合物形成的，還提供一種制造磁記錄盤的方法，該盤包括基片、在該基片上形成的磁性層、在該磁性層上形成的保護(hù)層和在該保護(hù)層上形成的潤滑層，該方法包括將化合物(A)和化合物(B)混合，并用這樣獲得的混合物形成上述潤滑層。
制備上述潤滑劑混合物，并將其涂覆到保護(hù)層上以形成潤滑層，由此可以適當(dāng)?shù)孬@得本發(fā)明的磁記錄盤。
在本發(fā)明中，對(duì)形成潤滑層的方法沒有特別限制，其可以選自各種成層方法如浸涂法、旋涂法、噴射法和蒸汽涂覆法。而且，在本發(fā)明中，當(dāng)潤滑層由溶劑中的潤滑劑的分散液形成時(shí)，可以選擇任何溶劑，只要該溶劑可以適當(dāng)?shù)胤稚櫥瑒┘纯?。含氟溶劑是特別優(yōu)選的，因?yàn)樗梢赃m當(dāng)?shù)胤稚⒉⑷芙夂勖炎鳛橹麈湹臐櫥瑒?。?dāng)使用由DU PONT-MITSUIFLUOROCHEMICALSCOMPANY LTD供應(yīng)的Vertrel XF或由3M Co.Ltd.供應(yīng)的HFE7100作為含氟溶劑時(shí)，特別優(yōu)選地，能夠獲得化合物(A)和化合物(B)在其中適當(dāng)溶解的溶液或分散液。
在本發(fā)明中，潤滑層的厚度優(yōu)選為0.5-1.8納米，特別優(yōu)選為0.7-1.5納米。當(dāng)上述厚度小于0.5納米時(shí)，不理想地，潤滑層的潤滑性能受到損害。當(dāng)其厚度超過1.8納米時(shí)，不理想地，有時(shí)會(huì)造成潤滑層的上層部分與保護(hù)層的粘附力變低。
在本發(fā)明中，保護(hù)層表面上潤滑層的覆蓋率(覆蓋率β)優(yōu)選為0.85或更大。下文要描述的本發(fā)明實(shí)施例6-20和對(duì)比例3-8的結(jié)果表明，當(dāng)覆蓋率β小于0.85時(shí)，LUL耐用性下降。因此，當(dāng)磁記錄盤適合于LUL方法時(shí)，覆蓋率β優(yōu)選為0.85或更大。
而且，不必對(duì)覆蓋率β的上限有特殊的限制，覆蓋率β可以在0.85-1的范圍內(nèi)。在下文將要描述的實(shí)施例中，即使當(dāng)覆蓋率β為0.99時(shí)也可以獲得合適的LUL耐用性。
在本發(fā)明中，保護(hù)層上潤滑層的覆蓋率(覆蓋率β)指的是通過根據(jù)X-射線光電子譜(XPS法)的測量結(jié)果而計(jì)算獲得的覆蓋率β。為了根據(jù)通過XPS測量結(jié)果來具體計(jì)算覆蓋率β，可以使用日本專利JP3,449,637或美國專利US6,099,981中描述的計(jì)算方法。本發(fā)明的磁記錄盤包括基片、在該基片上形成的磁性層、在該磁性層上形成的保護(hù)層和在該保護(hù)層上形成的潤滑層。當(dāng)保護(hù)層上布滿含化合物(A)和/或化合物(B)的潤滑層時(shí)，根據(jù)X-射線光電子譜測量結(jié)果計(jì)算的潤滑層的覆蓋率β優(yōu)選為0.85或更大。
在本發(fā)明中，優(yōu)選地，形成潤滑層后熱處理磁記錄盤。在本發(fā)明中，上述熱處理是優(yōu)選的，因?yàn)闊崽幚砜梢蕴岣邼櫥瑢优c保護(hù)層之間的粘附力，并可以提高潤滑層的粘附強(qiáng)度。優(yōu)選地，在100-180℃的溫度下進(jìn)行熱處理。當(dāng)熱處理溫度低于100℃時(shí)，粘附力不夠。當(dāng)溫度超過180℃時(shí)，不理想地，潤滑劑會(huì)熱分解。而且，優(yōu)選進(jìn)行熱處理30-120分鐘。
在本發(fā)明中，保護(hù)層優(yōu)選為含碳保護(hù)層。含碳保護(hù)層是合適的，因?yàn)樗c化合物(A)和化合物(B)的端官能團(tuán)具有高的親合力，并且可以用于提高潤滑層與保護(hù)層的粘附力。含碳保護(hù)層優(yōu)選為氫化的碳保護(hù)層或其它保護(hù)層如氮化的碳保護(hù)層或氫化-氮化的碳保護(hù)層。保護(hù)層的厚度優(yōu)選為3-8納米。當(dāng)上述厚度小于3納米時(shí)，保護(hù)層的這種作用不充分，并且會(huì)引起磁頭沖撞故障。當(dāng)厚度超過8納米時(shí)，磁性層與磁頭之間的距離太大，這對(duì)獲得高的S/N比是不理想的。
在本發(fā)明中，基片優(yōu)選為玻璃基片。玻璃基片的表面光潔度優(yōu)異，并適合于高密度記錄。作為玻璃基片，化學(xué)強(qiáng)化的硅鋁酸鹽玻璃基片是優(yōu)選的。
在本發(fā)明中，含碳保護(hù)層特別優(yōu)選的是氫化氮化的碳保護(hù)層。關(guān)于形成含碳保護(hù)層的方法，可以適當(dāng)?shù)厥褂糜蔀R射法形成的含碳保護(hù)層和由等離子體CVD法形成的含碳保護(hù)層中的任何一種。特別是，當(dāng)由等離子體CVD法形成的含碳保護(hù)層與本發(fā)明結(jié)合使用時(shí)，特別優(yōu)選地，可以產(chǎn)生協(xié)同效應(yīng)。
在本發(fā)明中，當(dāng)保護(hù)層是含碳保護(hù)層如氫化的碳保護(hù)層、氮化的碳(氮化碳)保護(hù)層或氫化氮化的碳保護(hù)層時(shí)，整個(gè)保護(hù)層中氫的含量，通過氫正向散射光譜法(HFS法)測量，優(yōu)選為3-25at％。關(guān)于氮的含量，按碳計(jì)的氮含量通過X-射線光電子譜(XPS法)測量，優(yōu)選為3-16at％。
在本發(fā)明中，基片優(yōu)選為具有6納米或更小的表面粗糙度Rmax，0.6納米或更小的表面粗糙度Ra。當(dāng)基片具有上述光滑度時(shí)，雖然存在由于表面光滑度導(dǎo)致易于使?jié)櫥瑢舆\(yùn)動(dòng)的問題，但仍可以將磁頭的飛行高度設(shè)置為12納米或更小。然而，在本發(fā)明中，可以適當(dāng)?shù)匾种茲櫥瑢拥倪\(yùn)動(dòng)。上述Rmax和Ra與JISB0601中定義的一樣。
在本發(fā)明中，對(duì)磁性層沒有特別限制，其可以是根據(jù)平面記錄方法的磁性層或可以是根據(jù)垂直記錄方法的磁性層。由于可以獲得高的矯頑力和高的復(fù)制輸出，所以CoPt基磁性層是優(yōu)選的。
在本發(fā)明的磁記錄盤中，根據(jù)需要可以在基片與磁性層之間提供底層，可以在底層與基片之間提供籽晶層。上述底層選自鉻層或合金層如CrMo、CrW、CrV或CrTi合金層。籽晶層選自NiAl或AlRu合金層。
雖然本發(fā)明適當(dāng)?shù)剡m合于根據(jù)LUL方法的磁記錄盤，但本發(fā)明也適用于根據(jù)CSS方法的磁記錄盤和根據(jù)接觸-記錄方法的磁記錄盤。
實(shí)施例下面將參考實(shí)施例進(jìn)一步詳細(xì)說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不受這些實(shí)施例的限制。
根據(jù)以下方法測試磁記錄盤的性能。
(1)潤滑層粘附性能測試測試潤滑層以評(píng)價(jià)與保護(hù)層粘附的性能。首先，通過FTIR(傅里葉變換紅外光譜)法測量磁記錄盤的潤滑層厚度。然后，將該磁記錄盤浸在含氟溶劑VertrelXF中1分鐘。當(dāng)將磁記錄盤浸在該溶劑中時(shí)，粘附強(qiáng)度低的潤滑層部分逐漸分散或溶解在該溶劑中，但粘附強(qiáng)度高的部分會(huì)保留在保護(hù)層上。然后，從溶劑中拖出磁記錄盤，并通過FTIR法再次測量磁記錄盤的潤滑層厚度。將在溶劑中浸漬后潤滑層的厚度與在該溶劑中浸漬前潤滑層的厚度的比稱為潤滑層附著率(adhesion ratio)(結(jié)合率)。可以說，結(jié)合率越高，潤滑層與保護(hù)層的粘附性能就越高。結(jié)合率優(yōu)選至少為70％。當(dāng)結(jié)合率小于70％時(shí)，這種潤滑層的粘附性能差，有時(shí)會(huì)造成飛行靜摩擦故障或侵蝕故障。
(2)LUL耐用性測試LUL試驗(yàn)使用以5,400rpm的速率轉(zhuǎn)動(dòng)的2.5英寸(65毫米)磁記錄盤驅(qū)動(dòng)裝置和以12納米的飛行高度運(yùn)行的磁頭。使用負(fù)壓氣承表面滑動(dòng)器(NPAB滑動(dòng)器)作為磁頭的滑動(dòng)器，使用GMR磁電阻效應(yīng)元件作為復(fù)制元件。屏蔽部分由NiFe合金形成。將磁記錄盤放在上述磁記錄盤驅(qū)動(dòng)裝置中，用上述磁頭連續(xù)進(jìn)行LUL操作，從而測量LUL操作耐用性的次數(shù)。LUL耐用性測試后，用肉眼并通過光學(xué)顯微鏡觀察磁記錄盤表面和磁頭表面以發(fā)現(xiàn)損壞如刮痕和污垢。在LUL耐用性測試中，要求磁記錄盤至少耐400,000次的LUL操作而沒有出現(xiàn)任何故障，磁記錄盤至少耐600,000次LUL操作是合適的。在普通硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)的使用環(huán)境中，據(jù)說當(dāng)使用HDD大約10年時(shí)，進(jìn)行了大于600,000次的LUL操作。
(3)飛行靜摩擦測試用飛行高度為6納米的滑翔頭滑翔試驗(yàn)(glide-tested)100張磁記錄盤，觀察是否會(huì)造成飛行靜摩擦現(xiàn)象。當(dāng)出現(xiàn)飛行靜摩擦現(xiàn)象時(shí)，滑翔頭的飛行位置突然轉(zhuǎn)變?yōu)楫惓Ｎ恢茫虼丝梢酝ㄟ^監(jiān)視來自附著在滑翔頭上的壓電元件的信號(hào)來探測飛行粘著的出現(xiàn)。據(jù)說，要求根據(jù)通過飛行靜摩擦測試檢查的合格率優(yōu)選至少為90％。當(dāng)合格率小于90％時(shí)，生產(chǎn)率下降，生產(chǎn)成本增加，易于造成HDD故障。
(4)覆蓋率β在通過X-射線光電子譜(XPS)測量結(jié)果的基礎(chǔ)上計(jì)算保護(hù)層上潤滑層的覆蓋率(覆蓋率β)。使用日本專利JP3,449,637(或美國專利US6,099,981)中描述的計(jì)算方法作為具體的計(jì)算方法。
實(shí)施例1圖1是用于示意說明第一個(gè)發(fā)明磁記錄盤一個(gè)實(shí)施方案的層狀結(jié)構(gòu)的磁記錄盤10的剖視圖。在磁記錄盤10中，在基片1上連續(xù)形成籽晶層2、底層3、磁性層4、保護(hù)層5和潤滑層6。
基片1是化學(xué)強(qiáng)化的硅鋁酸鹽玻璃基片，其主表面被鏡面拋光，因此具有4.8納米的Rmax和0.43納米的Ra。而且，玻璃基片1的直徑為65毫米，厚度為0.635毫米，用于2.5英寸磁記錄盤。
籽晶層2由含50mol％Ni和50mol％Al的NiAl合金形成，厚度為30納米。
底層3由含80mol％Cr和20mol％Mo的CrMo合金形成，厚度為8納米。
磁性層4由含62mol％Co、20mol％Cr、12mol％Pt和6mol％B的CoPt合金形成，厚度為15納米。
保護(hù)層5由氫化的碳形成，厚度為5納米。
潤滑層6含重量比為1∶1的結(jié)構(gòu)式(I)的化合物(A)和結(jié)構(gòu)式(II)的化合物(B)，厚度為1納米。
下面將說明制造此實(shí)施例磁記錄盤10的方法。
首先，在氬氣氛中，通過DC磁控濺射法在基片1上連續(xù)形成籽晶層2、底層3和磁性層4。然后，在氬氣/氫氣混合氣氛(氫氣含量為30體積％)中，相似地，根據(jù)DC磁控濺射法，通過濺射碳靶形成保護(hù)層5。
然后，按化合物(A)∶化合物(B)的重量比為1∶1混合含結(jié)構(gòu)式(I)的化合物(A)的潤滑劑和含結(jié)構(gòu)式(II)的化合物(B)的潤滑劑，制備潤滑劑混合物，化合物(A)的重均分子量為3,000，多分散性為1.08，通過分子量提純制備，化合物(B)的重均分子量為3,000，多分散性為1.06，通過分子量提純制備。將該潤滑劑混合物分散并溶解在由DU PONT-MITSUIFLUOROCHEMICALS COMPANY，Ltd.供應(yīng)的含氟溶劑Vertrel XF中，從而制備潤滑劑混合物濃度為0.02重量％的溶液。將上述已形成至保護(hù)層5的磁記錄盤浸在上述溶液中以形成潤滑層6。然后，將磁記錄盤10在真空煅燒爐中、130℃下熱處理90分鐘，從而獲得此實(shí)施例的2.5英寸磁記錄盤10。評(píng)價(jià)上述磁記錄盤10的性能。表1顯示了結(jié)果。
實(shí)施例2-5及對(duì)比例1和2
除了用按化合物(A)∶化合物(B)重量比為4∶6(實(shí)施例2)、2∶8(實(shí)施例3)、6∶4(實(shí)施例4)或8∶2(實(shí)施例5)的含結(jié)構(gòu)式(I)化合物(A)和結(jié)構(gòu)式(II)化合物(B)的潤滑劑混合物替換實(shí)施例1中的潤滑劑混合物，或用只含結(jié)構(gòu)式(II)化合物(對(duì)比例1)或只含結(jié)構(gòu)式(I)化合物(對(duì)比例2)的潤滑劑替換實(shí)施例1中的潤滑劑混合物之外，用與實(shí)施例1相同的方法制造磁記錄盤。
評(píng)價(jià)上述磁記錄盤10的性能。表1顯示了結(jié)果。
表1

表1(續(xù))

Ex.＝實(shí)施例，CEx.＝對(duì)比例表1說明了以下情況。所有具有本發(fā)明潤滑層的磁記錄盤(實(shí)施例1-5)都具有75％或更大的結(jié)合率。而且，在LUL耐用性測試中，所有本發(fā)明的磁記錄盤都至少具有抗600,000次LUL操作的耐用性，耐用性測試后，在任何磁盤表面或任何磁頭表面上都未觀察到損壞如刮痕和污垢。而且，上述磁記錄盤均沒有引起出現(xiàn)飛行靜摩擦現(xiàn)象，合格率為100％。
相比之下，具有只含通式(II)的化合物(B)的潤滑層的磁記錄盤(對(duì)比例1)具有低的結(jié)合率，并且當(dāng)在LUL耐用性測試中測試時(shí)有缺陷。而且，其還引起出現(xiàn)飛行靜摩擦現(xiàn)象。具有只含結(jié)構(gòu)式(I)的化合物(A)的潤滑層的磁記錄盤(對(duì)比例2)具有高的結(jié)合率，但在LUL耐用性測試中，它具有由磁頭沖撞引起的刮痕，并引起出現(xiàn)飛行靜摩擦現(xiàn)象。
實(shí)施例6-10及對(duì)比例3和4在實(shí)施例6-10及對(duì)比例3和4中，使用氫化氮化的碳保護(hù)層作為保護(hù)層5，按整個(gè)氫化氮化的碳計(jì)，該保護(hù)層的氫含量為13at％(H/CHN比率)，按碳計(jì)，氮含量為8at％(N/C比率)。通過氫氣正向散射光譜測定法(HFS法)測量氫含量，通過X-射線光電子譜法(XPS法)測量氮含量。
在各個(gè)實(shí)施例和對(duì)比例中，都按等離子體CVD法而不是實(shí)施例1中的濺射法形成保護(hù)層5。與通過濺射法形成含碳保護(hù)層的情況相比，根據(jù)等離子體CVD法，可以形成適合于LUL方法的磁記錄盤的致密保護(hù)層。優(yōu)選的是使用低級(jí)烴作為進(jìn)氣，這些實(shí)施例使用乙炔氣體。保護(hù)層5的厚度為5納米。
除了用含結(jié)構(gòu)式(I)的化合物作為化合物(A)和結(jié)構(gòu)式(III)的化合物作為化合物(B)的潤滑劑混合物替換含結(jié)構(gòu)式(I)的化合物作為化合物(A)和結(jié)構(gòu)式(II)的化合物作為化合物(B)的潤滑劑混合物之外，用與實(shí)施例1相同的方法形成潤滑層6。
對(duì)于化合物(A)，純化方法和分子量分布(重均分子量、數(shù)均分子量和多分散性)與實(shí)施例1中的相同。通過與實(shí)施例1中相同的方法純化化合物(B)，其重均分子量為4,000，多分散性為1.1。各個(gè)潤滑層6的厚度都為1納米。
當(dāng)制造實(shí)施例6-10及對(duì)比例3和4的磁記錄盤時(shí)，如表2所示不同地改變化合物(A)∶化合物(B)的重量比，用與實(shí)施例1相同的方法評(píng)價(jià)這樣獲得的磁記錄盤的性能。表2顯示了結(jié)果。在實(shí)施例6-10及對(duì)比例3和4中，將LUL耐用性測試中磁頭的飛行高度設(shè)定為10納米，將飛行靜摩擦試驗(yàn)中滑翔頭的飛行高度設(shè)定為5.5納米。
表2

表2(續(xù))

Ex.＝實(shí)施例，CEx.＝對(duì)比例實(shí)施例11-15及對(duì)比例5和6在實(shí)施例11-15及對(duì)比例5和6中，除了將按整個(gè)氫化氮化的碳計(jì)的氫含量改變?yōu)?2at％，且將按碳計(jì)的氮含量改變?yōu)?at％之外，用與實(shí)施例6-10及對(duì)比例3和4相同的等離子體CVD法形成氫化氮化的碳保護(hù)層作為保護(hù)層5。保護(hù)層5的厚度為5納米。
除了用含結(jié)構(gòu)式(I)的化合物作為化合物(A)和結(jié)構(gòu)式(IV)的化合物作為化合物(B)的潤滑劑混合物替換含結(jié)構(gòu)式(I)的化合物作為化合物(A)和結(jié)構(gòu)式(II)的化合物作為化合物(B)的潤滑劑混合物之外，用與實(shí)施例1相同的方法形成潤滑層6。
對(duì)于化合物(A)，純化方法和分子量分布(重均分子量、數(shù)均分子量和多分散性)與實(shí)施例1中的相同。通過與實(shí)施例1中相同的方法純化化合物(B)，其重均分子量為5,000，多分散性為1.1。各個(gè)潤滑層6的厚度都為1納米。
當(dāng)制造實(shí)施例11-15及對(duì)比例5和6的磁記錄盤時(shí)，如表3所示不同地改變化合物(A)∶化合物(B)的重量比，用與實(shí)施例1相同的方法評(píng)價(jià)這樣獲得的磁記錄盤的性能。表3顯示了結(jié)果。在實(shí)施例11-15及對(duì)比例5和6中，將LUL耐用性測試中磁頭的飛行高度設(shè)定為10納米，將飛行靜摩擦試驗(yàn)中滑翔頭的飛行高度設(shè)定為5.5納米。
表3

表3(續(xù))

Ex.＝實(shí)施例，CEx.＝對(duì)比例實(shí)施例16-20及對(duì)比例7和8在實(shí)施例16-20及對(duì)比例7和8中，除了將按整個(gè)氫化氮化的碳計(jì)的氫含量改變?yōu)?0at％，且將按碳計(jì)的氮含量改變?yōu)?at％之外，用與實(shí)施例6-10及對(duì)比例3和4相同的等離子體CVD法形成氫化氮化的碳保護(hù)層作為保護(hù)層5。保護(hù)層5的厚度為5納米。
除了用含結(jié)構(gòu)式(I)的化合物作為化合物(A)和結(jié)構(gòu)式(VII)的化合物作為化合物(B)的潤滑劑混合物替換含結(jié)構(gòu)式(I)的化合物作為化合物(A)和結(jié)構(gòu)式(II)的化合物作為化合物(B)的潤滑劑混合物之外，用與實(shí)施例1相同的方法形成潤滑層6。
對(duì)于化合物(A)，純化方法和分子量分布(重均分子量、數(shù)均分子量和多分散性)與實(shí)施例1中的相同。通過與實(shí)施例1中相同的方法純化化合物(B)，其重均分子量為3,000，多分散性為1.05。各個(gè)潤滑層6的厚度都為1納米。
當(dāng)制造實(shí)施例16-20及對(duì)比例7和8的磁記錄盤時(shí)，如表4所示不同地改變化合物(A)∶化合物(B)的重量比，用與實(shí)施例1相同的方法評(píng)價(jià)這樣獲得的磁記錄盤的性能。表4顯示了結(jié)果。在實(shí)施例16-20及對(duì)比例7和8中，將LUL耐用性測試中磁頭的飛行高度設(shè)定為10納米，將飛行靜摩擦試驗(yàn)中滑翔頭的飛行高度設(shè)定為5.5納米。
表4

表4(續(xù))

Ex.＝實(shí)施例，CEx.＝對(duì)比例如表2—4所示，本發(fā)明的磁記錄盤在結(jié)合率、覆蓋率β、LUL耐用性測試和飛行靜摩擦測試方面都具有優(yōu)異的特性(性能)。在本發(fā)明的磁記錄盤中，特別是當(dāng)結(jié)合由等離子體CVD法形成的本發(fā)明潤滑層和含碳保護(hù)層時(shí)，能夠產(chǎn)生諸如優(yōu)異的LUL耐用性等這樣的作用和效果。而且，當(dāng)將覆蓋率β調(diào)整至0.85或更大并這樣提高時(shí)，潤滑層可以更可靠地顯示其作用，因此磁記錄盤的LVL耐用性得到改進(jìn)。
工業(yè)應(yīng)用具有高粘附的潤滑層能夠在極其低的飛行高度下防止出現(xiàn)飛行靜摩擦故障和侵蝕故障，并能夠防止在高速轉(zhuǎn)動(dòng)下發(fā)生遷移，本發(fā)明的磁記錄盤特別適合于以LUL方法的磁記錄盤驅(qū)動(dòng)裝置的方式使用。
權(quán)利要求
1.一種磁記錄盤，包括基片，在該基片上形成的磁性層，在該磁性層上形成的保護(hù)層和在該保護(hù)層上形成的潤滑層，該潤滑層含有化合物(A)和化合物(B)，化合物(A)具有通式(I) 其中，p和q中的每一個(gè)都是1或更大的整數(shù)，和化合物(B)具有全氟聚醚主鏈，該主鏈具有兩個(gè)含碳原子或氧原子的端部，含羥基的烴基與這兩個(gè)端部連接，所述烴基任選地含醚鍵。
2.一種磁記錄盤，包括基片、在該基片上形成的磁性層、在該磁性層上形成的保護(hù)層和在該保護(hù)層上形成的潤滑層，該潤滑層由化合物(A)和化合物(B)的混合物形成，化合物(A)具有通式(I) 其中，p和q中的每一個(gè)都是1或更大的整數(shù)，和化合物(B)具有全氟聚醚主鏈，該主鏈具有兩個(gè)含碳原子或氧原子的端部，含羥基的烴基與這兩個(gè)端部連接，所述烴基任選地含醚鍵。
3.權(quán)利要求1或2的磁記錄盤，其中化合物(B)代表至少一種選自通式(II)、(III)、(IV)和(VII)所示化合物的化合物， HO-(CH2CH2-O)m-CH2-CF2-(OC2F4)a(OCF2)b-O-CF2-CH2-(OCH2CH2)n-OH(VII)其中，a、b、m和n中的每個(gè)都是1或更大的整數(shù)。
4.權(quán)利要求1、2或3的磁記錄盤，其中潤滑層含重量比為2∶8-8∶2的化合物(A)和化合物(B)。
5.權(quán)利要求1-4中任何一項(xiàng)的磁記錄盤，其中化合物(A)的重均分子量(Mw)為2,000-7,000，由重均分子量(Mw)/數(shù)均分子量(Mn)表示的多分散性為1.1或更小。
6.權(quán)利要求1-5中任何一項(xiàng)的磁記錄盤，其中化合物(B)的重均分子量(Mw)為2,000-7,000，由重均分子量(Mw)/數(shù)均分子量(Mn)表示的多分散性為1.2或更小。
7.如權(quán)利要求1-6中任何一項(xiàng)的磁記錄盤，其用于裝卸方法中的硬盤驅(qū)動(dòng)裝置。
8.權(quán)利要求1-7中任何一項(xiàng)的磁記錄盤，其中所說的保護(hù)層是用等離子CVD法形成的含碳保護(hù)層。
9.權(quán)利要求1-8中任何一項(xiàng)的磁記錄盤，其中所說的潤滑層覆蓋所說保護(hù)層的表面，覆蓋率β為0.85-1。
10.一種制造磁記錄盤的方法，該磁記錄盤包括基片、在該基片上形成的磁性層、在該磁性層上形成的保護(hù)層和在該保護(hù)層上形成的潤滑層，該方法包括將化合物(A)與化合物(B)混合，并用這樣獲得的混合物形成所說的潤滑層，其中化合物(A)具有通式(I) 其中，p和q中的每一個(gè)都是1或更大的整數(shù)，化合物(B)具有全氟聚醚主鏈，該主鏈具有兩個(gè)含碳原子或氧原子的端部，含羥基的烴基與這兩個(gè)端部連接，所述烴基任選地含醚鍵。
全文摘要
一種磁記錄盤，具有高粘附的潤滑層，其可以在12納米或更小的極低飛行高度下操作而沒有故障，并且能夠防止在高速轉(zhuǎn)動(dòng)下發(fā)生遷移，該磁盤包括基片、在該基片上形成的磁性層、在該磁性層上形成的保護(hù)層和在該保護(hù)層上形成的潤滑層，該潤滑層含化合物(A)和化合物(B)，化合物(A)具有上述Ⅰ式，其中，p和q中的每一個(gè)都是1或更大的整數(shù)，和化合物(B)具有全氟聚醚主鏈，該主鏈具有兩個(gè)含碳原子或氧原子的端部，含羥基的烴基與這兩個(gè)端部連接，所述烴基任選地含醚鍵，并提供其制造方法。
文檔編號(hào)C10M105/62GK1542747SQ20041000670
公開日2004年11月3日 申請(qǐng)日期2004年1月29日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月29日
發(fā)明者下川貢一 申請(qǐng)人:Hoya株式會(huì)社