本申請涉及液體凈化，尤其涉及過濾設(shè)備的電壓測算方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、液體雜質(zhì)過濾用于從液體中去除固體顆粒和其他不純物質(zhì)，由于對液體中的雜質(zhì)進行過濾可以提高產(chǎn)品的純度與生產(chǎn)質(zhì)量。

2、目前對液體進行雜質(zhì)過濾通常會使用高壓靜電去污法，通過高壓靜電的循環(huán)電流在液體中產(chǎn)生電場，再利用電場極化液體中的雜質(zhì)，使雜質(zhì)與主體物質(zhì)在電性上產(chǎn)生差異，極化后的雜質(zhì)會在電場力的作用下向特定的方向移動，從而實現(xiàn)與主體物質(zhì)的分離。但是，由于雜質(zhì)不同，被極化所需的電功率也不同，通過高電壓極化雜質(zhì)，會造成電功率的浪費，導(dǎo)致耗能增加。

3、上述內(nèi)容僅用于輔助理解本申請的技術(shù)方案，并不代表承認上述內(nèi)容是現(xiàn)有技術(shù)。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請的主要目的在于提供一種過濾設(shè)備的電壓測算方法，旨在解決通過高電壓極化雜質(zhì)，會造成電功率的浪費，導(dǎo)致耗能增加的技術(shù)問題。

2、為實現(xiàn)上述目的，本申請?zhí)岢鲆环N過濾設(shè)備的電壓測算方法，所述的方法包括：

3、獲取待過濾液體中雜質(zhì)的類型；

4、基于所述類型確定破壞所述雜質(zhì)的電氣二重層所需的理論電壓；

5、基于所述理論電壓模擬破壞所述電氣二重層的過程，與破壞所述電氣二重層后獲得的分離雜質(zhì)的聚集過程，獲得聚集所述雜質(zhì)所需的預(yù)測最小電壓。

6、在一實施例中，所述基于所述理論電壓模擬破壞所述電氣二重層的過程，與破壞所述電氣二重層后獲得的分離雜質(zhì)的聚集過程，獲得聚集所述雜質(zhì)所需的預(yù)測最小電壓的步驟包括：

7、基于所述理論電壓，模擬破壞所述電氣二重層的過程，并實時記錄所述待過濾液體中的電場強度與所述電氣二重層的破壞程度；

8、基于所述破壞程度與所述電場強度，預(yù)測完全破壞所述電氣二重層所需的補償電壓；

9、模擬分離雜質(zhì)的聚集過程，預(yù)測聚集所述分離雜質(zhì)所需的聚合電壓，所述分離雜質(zhì)是完全破壞所述電氣二重層后的雜質(zhì)；

10、基于所述聚合電壓與破壞電壓和之間的差值，確定聚集所述雜質(zhì)所需的補充電壓，所述破壞電壓和是所述理論電壓與所述補償電壓之間的和；

11、將所述理論電壓、所述補償電壓與所述補充電壓相加，獲得聚集所述雜質(zhì)所需的預(yù)測最小電壓。

12、在一實施例中，所述基于所述破壞程度與所述電場強度，預(yù)測完全破壞所述電氣二重層所需的補償電壓的步驟包括：

13、基于所述破壞程度與所述電場強度，確定在所述待過濾液體中電壓變化與所述電氣二重層之間的破壞規(guī)律；

14、根據(jù)所述破壞規(guī)律預(yù)測完全破壞所述電氣二重層所需的補償電壓。

15、在一實施例中，所述基于所述理論電壓，模擬破壞所述電氣二重層的過程，并實時記錄所述待過濾液體中的電場強度與所述電氣二重層的破壞程度的步驟包括：

16、模擬向所述待過濾液體中施加與所述理論電壓等值的模擬電壓后，所述待過濾液體中電場強度的變化過程，實時記錄所述待過濾液體中的電場強度；

17、基于所述變化過程模擬所述待過濾液體中的電場破壞所述電氣二重層的過程，實時記錄所述電氣二重層的破壞程度。

18、在一實施例中，所述模擬分離雜質(zhì)的聚集過程，預(yù)測聚集所述分離雜質(zhì)所需的聚合電壓的步驟包括：

19、模擬分離雜質(zhì)在所述待過濾液體的電場中運動聚集的過程，記錄所述分離雜質(zhì)聚集后的聚集尺寸；

20、基于所述聚集尺寸調(diào)整向所述待過濾液體中施加的模擬電壓，直至全部聚集雜質(zhì)的聚集尺寸滿足預(yù)設(shè)尺寸，確定聚集所述分離雜質(zhì)所需的聚合電壓，所述聚集雜質(zhì)是所述分離雜質(zhì)聚集后的雜質(zhì)團。

21、在一實施例中，所述基于所述聚集尺寸調(diào)整向所述待過濾液體中施加的模擬電壓，直至全部聚集雜質(zhì)的聚集尺寸滿足預(yù)設(shè)尺寸，確定聚集所述分離雜質(zhì)所需的聚合電壓的步驟包括：

22、判斷所述聚集尺寸是否大于預(yù)設(shè)尺寸；

23、若所述聚集尺寸大于所述預(yù)設(shè)尺寸，則確定聚集所述分離雜質(zhì)所需的聚合電壓為零；

24、若所述聚集尺寸不大于所述預(yù)設(shè)尺寸，則調(diào)整所述向所述待過濾液體中施加的模擬電壓，直至全部聚集雜質(zhì)的聚集尺寸滿足預(yù)設(shè)尺寸，確定聚集所述分離雜質(zhì)所需的聚合電壓為調(diào)整后模擬電壓與調(diào)整前模擬電壓之間的差值。

25、此外，為實現(xiàn)上述目的，本申請還提出一種過濾設(shè)備的電壓測算裝置，所述過濾設(shè)備的電壓測算裝置包括：

26、獲取模塊，用于獲取待過濾液體中雜質(zhì)的類型；

27、確定模塊，用于基于所述類型確定破壞所述雜質(zhì)的電氣二重層所需的理論電壓；

28、模擬模塊，用于基于所述理論電壓模擬破壞所述電氣二重層的過程，與破壞所述電氣二重層后獲得的分離雜質(zhì)的聚集過程，獲得聚集所述雜質(zhì)所需的預(yù)測最小電壓。

29、此外，為實現(xiàn)上述目的，本申請還提出一種過濾設(shè)備的電壓測算設(shè)備，所述設(shè)備包括：存儲器、處理器及存儲在所述存儲器上并可在所述處理器上運行的計算機程序，所述計算機程序配置為實現(xiàn)如上文所述的過濾設(shè)備的電壓測算方法的步驟。

30、此外，為實現(xiàn)上述目的，本申請還提出一種存儲介質(zhì)，所述存儲介質(zhì)為計算機可讀存儲介質(zhì)，所述存儲介質(zhì)上存儲有計算機程序，所述計算機程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)如上文所述的過濾設(shè)備的電壓測算方法的步驟。

31、此外，為實現(xiàn)上述目的，本申請還提供一種計算機程序產(chǎn)品，所述計算機程序產(chǎn)品包括計算機程序，所述計算機程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)如上文所述的過濾設(shè)備的電壓測算方法的步驟。

32、本申請?zhí)岢龅囊粋€或多個技術(shù)方案，至少具有以下技術(shù)效果：

33、由于待過濾液體中的雜質(zhì)表面存在電氣二重層，通過向待過濾液體中施加電壓即可破壞電氣二重層可以改變雜質(zhì)的電極性偏向，且由于雜質(zhì)的類型不同破壞電氣二重層需要的電壓也不同，因此，根據(jù)雜質(zhì)的類型確定破壞雜質(zhì)電氣二重層的理論電壓，由于理論電壓是破壞電氣二重層的理論值，不同的待過濾液體可能對破壞電氣二重層的電壓產(chǎn)生影響，因此，需要根據(jù)理論電壓模擬破壞電氣二重層的過程，以進一步確定破壞雜質(zhì)的電氣二重層需要的電壓，且由于破壞電氣二重層所需的電壓值不能使破壞所述電氣二重層后獲得的分離雜質(zhì)的聚集，或者聚集后不滿足要求，則還需要模擬分離雜質(zhì)的聚集過程，以獲得聚集雜質(zhì)所需的預(yù)測最小電壓，進而避免了使用高壓極化雜質(zhì)，使向待過濾液體中施加的電壓剛好聚集雜質(zhì)，避免了電功率的浪費，進而降低了耗能。

技術(shù)特征：

1.一種過濾設(shè)備的電壓測算方法，其特征在于，所述的方法包括：

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述理論電壓模擬破壞所述電氣二重層的過程，與破壞所述電氣二重層后獲得的分離雜質(zhì)的聚集過程，獲得聚集所述雜質(zhì)所需的預(yù)測最小電壓的步驟包括：

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述破壞程度與所述電場強度，預(yù)測完全破壞所述電氣二重層所需的補償電壓的步驟包括：

4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述理論電壓，模擬破壞所述電氣二重層的過程，并實時記錄所述待過濾液體中的電場強度與所述電氣二重層的破壞程度的步驟包括：

5.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述模擬分離雜質(zhì)的聚集過程，預(yù)測聚集所述分離雜質(zhì)所需的聚合電壓的步驟包括：

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述基于所述聚集尺寸調(diào)整向所述待過濾液體中施加的模擬電壓，直至全部聚集雜質(zhì)的聚集尺寸滿足預(yù)設(shè)尺寸，確定聚集所述分離雜質(zhì)所需的聚合電壓的步驟包括：

7.一種過濾設(shè)備的電壓測算裝置，其特征在于，所述裝置包括：

8.一種過濾設(shè)備的電壓測算設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備包括：存儲器、處理器及存儲在所述存儲器上并可在所述處理器上運行的計算機程序，所述計算機程序配置為實現(xiàn)如權(quán)利要求1至6中任一項所述的過濾設(shè)備的電壓測算方法的步驟。

9.一種存儲介質(zhì)，其特征在于，所述存儲介質(zhì)為計算機可讀存儲介質(zhì)，所述存儲介質(zhì)上存儲有計算機程序，所述計算機程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)如權(quán)利要求1至6中任一項所述的過濾設(shè)備的電壓測算方法的步驟。

10.一種計算機程序產(chǎn)品，其特征在于，所述計算機程序產(chǎn)品包括計算機程序，所述計算機程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)如權(quán)利要求1至6中任一項所述的過濾設(shè)備的電壓測算方法的步驟。

技術(shù)總結(jié)
本申請公開了一種過濾設(shè)備的電壓測算方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì)，涉及液體凈化技術(shù)領(lǐng)域，公開了過濾設(shè)備的電壓測算方法，包括：獲取待過濾液體中雜質(zhì)的類型；基于所述類型確定破壞所述雜質(zhì)的電氣二重層所需的理論電壓；基于所述理論電壓模擬破壞所述電氣二重層的過程，與破壞所述電氣二重層后獲得的分離雜質(zhì)的聚集過程，獲得聚集所述雜質(zhì)所需的預(yù)測最小電壓。也即，避免了使用高壓極化雜質(zhì)，使向待過濾液體中施加的電壓剛好聚集雜質(zhì)，避免了電功率的浪費，進而降低了耗能。

技術(shù)研發(fā)人員：沈琪榮
受保護的技術(shù)使用者：福力達智控科技（浙江）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/30