本技術(shù)涉及多晶硅精餾除碳設(shè)備，具體為用于電子級(jí)多晶硅精餾的除碳設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、由干燥硅粉與干燥氯化氫氣體在一定條件下氯化，再經(jīng)冷凝、精餾、還原之后可以得到粗三氯氫硅，目前用于降低三氯氫硅中碳雜質(zhì)含量的方法主要有常規(guī)精餾法、反應(yīng)精餾法、吸附法、萃取精餾法等。

2、常規(guī)精餾法中會(huì)使用吸附柱，吸附柱的內(nèi)部為除硼、磷雜質(zhì)專用吸附劑，用于吸附精餾法中產(chǎn)生的硼、磷雜質(zhì)，但是現(xiàn)有的吸附柱內(nèi)部的吸附介質(zhì)，一般都是固定安裝，當(dāng)內(nèi)部吸附介質(zhì)在長(zhǎng)時(shí)間使用后失去吸附功能后，需要完整更換吸附柱，難以做到單獨(dú)去更換吸附介質(zhì)，會(huì)產(chǎn)生一定經(jīng)濟(jì)成本的浪費(fèi)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型的目的在于提供一種電子級(jí)多晶硅精餾除碳設(shè)備，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：一種電子級(jí)多晶硅精餾除碳設(shè)備，包括高沸回收精餾塔，所述高沸回收精餾塔通過管道連接有第一吸附柱，所述第一吸附柱通過管道連接有固定床，所述固定床頭通過管道連接有三氯氫硅分離精餾塔，所述三氯氫硅分離精餾塔通過管道連接有第二吸附柱，所述第一吸附柱和第二吸附柱的結(jié)構(gòu)均相同，所述第一吸附柱的內(nèi)部陣列安裝有多個(gè)固定半環(huán)，多個(gè)所述固定半環(huán)的一端均轉(zhuǎn)動(dòng)連接有旋轉(zhuǎn)半環(huán)，所述旋轉(zhuǎn)半環(huán)和固定半環(huán)的另一端通過多個(gè)螺絲螺紋連接，所述旋轉(zhuǎn)半環(huán)和固定半環(huán)之間共同安裝有安裝環(huán)，所述安裝環(huán)的內(nèi)部設(shè)置有活性炭吸附劑。

3、優(yōu)選的，所述旋轉(zhuǎn)半環(huán)的下端固定安裝有半圓形的底板，所述底板的弧度和安裝環(huán)的弧度一致。

4、優(yōu)選的，所述固定半環(huán)和旋轉(zhuǎn)半環(huán)的內(nèi)壁表面均安裝有一個(gè)限位結(jié)構(gòu)，所述限位結(jié)構(gòu)和底板之間的間距大于安裝環(huán)的高度。

5、優(yōu)選的，所述限位結(jié)構(gòu)包括凹槽、彈簧和限位板，所述固定半環(huán)和旋轉(zhuǎn)半環(huán)的內(nèi)壁表面均開設(shè)有一個(gè)凹槽，所述凹槽的內(nèi)部安裝有彈簧，所述彈簧的另一端安裝有限位板，所述限位板的另一端延伸至凹槽的外部。

6、優(yōu)選的，所述第一吸附柱或第二吸附柱內(nèi)部的任一安裝環(huán)的上端安裝有溫度感應(yīng)器。

7、優(yōu)選的，所述旋轉(zhuǎn)半環(huán)的外部表面安裝有把手。

8、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是：

9、1、本電子級(jí)多晶硅精餾除碳設(shè)備，排出的三氯氫硅進(jìn)入高沸回收精餾塔內(nèi)部精餾，排出含濃縮碳及硼、磷雜質(zhì)進(jìn)入第一吸附柱進(jìn)行吸附，初步吸附后通過管道進(jìn)入固定床進(jìn)行反應(yīng)除碳，反應(yīng)除碳后的物料進(jìn)入三氯氫硅分離精餾塔進(jìn)行分離精餾，精餾后的物料進(jìn)入第二吸附柱進(jìn)行雜質(zhì)吸附，吸附后高純?nèi)葰涔璺祷叵到y(tǒng)使用，當(dāng)需要更換第一吸附柱或者第二吸附柱內(nèi)部的活性炭吸附劑時(shí)，先取下螺絲，轉(zhuǎn)動(dòng)旋轉(zhuǎn)半環(huán)，旋轉(zhuǎn)半環(huán)帶動(dòng)安裝環(huán)和活性炭吸附劑脫離第一吸附柱或者第二吸附柱，此時(shí)可以進(jìn)行活性炭吸附劑的更換，更換完成后，將旋轉(zhuǎn)半環(huán)進(jìn)行復(fù)位，并通過多個(gè)螺絲將旋轉(zhuǎn)半環(huán)和固定半環(huán)進(jìn)行固定，通過可轉(zhuǎn)動(dòng)的旋轉(zhuǎn)半環(huán)帶動(dòng)活性炭吸附劑脫離第一吸附柱或者第二吸附柱，可以方便使用者進(jìn)行更換，節(jié)約一定的經(jīng)濟(jì)成本。

10、2、本電子級(jí)多晶硅精餾除碳設(shè)備，通過限位結(jié)構(gòu)可以限定安裝環(huán)和活性炭吸附劑的位置，避免第一吸附柱或者第二吸附柱在移動(dòng)過程中活性炭吸附劑產(chǎn)生移動(dòng)的現(xiàn)象。

技術(shù)特征：

1.一種電子級(jí)多晶硅精餾除碳設(shè)備，包括高沸回收精餾塔(1)，其特征在于：所述高沸回收精餾塔(1)通過管道(8)連接有第一吸附柱(2)，所述第一吸附柱(2)通過管道(8)連接有固定床(3)，所述固定床(3)頭通過管道(8)連接有三氯氫硅分離精餾塔(4)，所述三氯氫硅分離精餾塔(4)通過管道(8)連接有第二吸附柱(5)，所述第一吸附柱(2)和第二吸附柱(5)的結(jié)構(gòu)均相同，所述第一吸附柱(2)的內(nèi)部陣列安裝有多個(gè)固定半環(huán)(10)，多個(gè)所述固定半環(huán)(10)的一端均轉(zhuǎn)動(dòng)連接有旋轉(zhuǎn)半環(huán)(6)，所述旋轉(zhuǎn)半環(huán)(6)和固定半環(huán)(10)的另一端通過多個(gè)螺絲(9)螺紋連接，所述旋轉(zhuǎn)半環(huán)(6)和固定半環(huán)(10)之間共同安裝有安裝環(huán)(12)，所述安裝環(huán)(12)的內(nèi)部設(shè)置有活性炭吸附劑(14)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子級(jí)多晶硅精餾除碳設(shè)備，其特征在于：所述旋轉(zhuǎn)半環(huán)(6)的下端固定安裝有半圓形的底板(15)，所述底板(15)的弧度和安裝環(huán)(12)的弧度一致。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子級(jí)多晶硅精餾除碳設(shè)備，其特征在于：所述固定半環(huán)(10)和旋轉(zhuǎn)半環(huán)(6)的內(nèi)壁表面均安裝有一個(gè)限位結(jié)構(gòu)(11)，所述限位結(jié)構(gòu)(11)和底板(15)之間的間距大于安裝環(huán)(12)的高度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子級(jí)多晶硅精餾除碳設(shè)備，其特征在于：所述限位結(jié)構(gòu)(11)包括凹槽(1101)、彈簧(1102)和限位板(1103)，所述固定半環(huán)(10)和旋轉(zhuǎn)半環(huán)(6)的內(nèi)壁表面均開設(shè)有一個(gè)凹槽(1101)，所述凹槽(1101)的內(nèi)部安裝有彈簧(1102)，所述彈簧(1102)的另一端安裝有限位板(1103)，所述限位板(1103)的另一端延伸至凹槽(1101)的外部。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子級(jí)多晶硅精餾除碳設(shè)備，其特征在于：所述第一吸附柱(2)或第二吸附柱(5)內(nèi)部的任一安裝環(huán)(12)的上端安裝有溫度感應(yīng)器(13)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子級(jí)多晶硅精餾除碳設(shè)備，其特征在于：所述旋轉(zhuǎn)半環(huán)(6)的外部表面安裝有把手(7)。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種電子級(jí)多晶硅精餾除碳設(shè)備，涉及多晶硅精餾除碳設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，包括高沸回收精餾塔，所述高沸回收精餾塔通過管道連接有第一吸附柱，所述第一吸附柱通過管道連接有固定床，所述固定床頭通過管道連接有三氯氫硅分離精餾塔，所述三氯氫硅分離精餾塔通過管道連接有第二吸附柱，所述第一吸附柱和第二吸附柱的結(jié)構(gòu)均相同，所述第一吸附柱的內(nèi)部陣列安裝有多個(gè)固定半環(huán)，多個(gè)所述固定半環(huán)的一端均轉(zhuǎn)動(dòng)連接有旋轉(zhuǎn)半環(huán)，所述安裝環(huán)的內(nèi)部設(shè)置有活性炭吸附劑。本技術(shù)通過可轉(zhuǎn)動(dòng)的旋轉(zhuǎn)半環(huán)帶動(dòng)活性炭吸附劑脫離第一吸附柱或者第二吸附柱，可以方便使用者進(jìn)行更換，節(jié)約一定的經(jīng)濟(jì)成本。

技術(shù)研發(fā)人員：童翔,王洪運(yùn),黃東明
受保護(hù)的技術(shù)使用者：新疆其亞硅業(yè)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240511
技術(shù)公布日：2024/12/30