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一種光纖級四氯化硅生產(chǎn)裝置的制作方法

文檔序號:40642366發(fā)布日期:2025-01-10 18:48閱讀:5來源:國知局
一種光纖級四氯化硅生產(chǎn)裝置的制作方法

本技術涉及光纖級四氯化硅生產(chǎn),尤其是涉及一種光纖級四氯化硅生產(chǎn)裝置。


背景技術:

1、目前光纖級四氯化硅制備方法主要有多級精餾法、吸附絡合法和氣液混合光催化法,其中,氣液混合光催化法主要是經(jīng)氯氣(氣態(tài))與四氯化硅原料(液態(tài))混合經(jīng)過光催化反應去除雜質,但是,存在因氣液分布不均、紫外光在液體中穿透效果差,導致產(chǎn)量低、雜質去除效果差的問題。


技術實現(xiàn)思路

1、針對上述情況,本實用新型提供一種光纖級四氯化硅生產(chǎn)裝置,旨在解決現(xiàn)有氣液混合光催化法存在因氣液分布不均、紫外光在液體中穿透效果差,導致產(chǎn)量低、雜質去除效果差的技術問題。

2、為實現(xiàn)上述目的,本實用新型提供如下技術方案:

3、本實用新型提供一種光纖級四氯化硅生產(chǎn)裝置,包括:

4、汽化器,用于將液態(tài)四氯化硅原料汽化;

5、混合器,具有四氯化硅入口和氯氣入口;四氯化硅入口與汽化器的出口連接,氯氣入口用于導入氯氣;

6、光催化反應器,其入口與混合器的出口連接;

7、初級產(chǎn)品冷卻器,其入口與光催化反應器的出口連接;

8、初級產(chǎn)品罐,其入口與初級產(chǎn)品冷卻器的出口連接。

9、在本實用新型的一些實施例中,汽化器內具有電加熱設備。

10、在本實用新型的一些實施例中,初級產(chǎn)品冷卻器采用噴淋式換熱器。

11、在本實用新型的一些實施例中,初級產(chǎn)品罐具有氣相出口,初級產(chǎn)品罐的氣相出口與后端的廢氯吸收系統(tǒng)連接。

12、在本實用新型的一些實施例中,光催化反應器還包括:

13、保護氣入口,位于光催化反應器的底部、用于通入氮氣;

14、廢氣出口,位于光催化反應器的頂部,廢氣出口與后端的廢氯吸收系統(tǒng)連接。

15、在本實用新型的一些實施例中,光催化反應器內具有:

16、石英管,一端與光催化反應器的入口通過分布器連接、另一端與光催化反應器的出口連接;

17、紫外燈,多個紫外燈周向設置在石英管的外壁上。

18、在本實用新型的一些實施例中,分布器包括:

19、主管,一端與光催化反應器的入口連接;

20、支管,多個支管連接在主管的外側壁上,支管的一端向靠近光催化反應器內壁的方向延伸;

21、連接法蘭,設置在主管和支管上,連接法蘭通過短接組件與石英管連接。

22、在本實用新型的一些實施例中,連接法蘭采用不銹鋼材質。

23、在本實用新型的一些實施例中,石英管的端部具有石英管翻邊;

24、短接組件包括短接件,短接件的一端具有與連接法蘭相匹配的法蘭盤,另一端具有短接翻邊,短接翻邊與石英管翻邊可拆卸連接。

25、在本實用新型的一些實施例中,短接件的材質為聚四氟乙烯。

26、本實用新型實施例至少具有如下優(yōu)點或有益效果:

27、液態(tài)四氯化硅原料汽化后與氯氣在混合器中混合均勻后,才進入光催化反應器,采用氣氣混合的方式,解決了傳統(tǒng)氣液混合光催化法存在因氣液分布不均、紫外光在液體中穿透效果差,導致產(chǎn)量低、雜質去除效果差的問題。

28、本實用新型的其他特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述,并且,部分地從說明書中變得明顯,或者通過實施本實用新型而了解。



技術特征:

1.一種光纖級四氯化硅生產(chǎn)裝置,其特征在于,包括:

2.根據(jù)權利要求1所述的光纖級四氯化硅生產(chǎn)裝置,其特征在于,所述汽化器內具有電加熱設備。

3.根據(jù)權利要求1所述的光纖級四氯化硅生產(chǎn)裝置,其特征在于,所述初級產(chǎn)品冷卻器采用噴淋式換熱器。

4.根據(jù)權利要求1所述的光纖級四氯化硅生產(chǎn)裝置,其特征在于,所述初級產(chǎn)品罐具有氣相出口,所述初級產(chǎn)品罐的氣相出口與后端的廢氯吸收系統(tǒng)連接。

5.根據(jù)權利要求1所述的光纖級四氯化硅生產(chǎn)裝置,其特征在于,所述光催化反應器還包括:

6.根據(jù)權利要求1所述的光纖級四氯化硅生產(chǎn)裝置,其特征在于,所述光催化反應器內具有:

7.根據(jù)權利要求6所述的光纖級四氯化硅生產(chǎn)裝置,其特征在于,所述分布器包括:

8.根據(jù)權利要求7所述的光纖級四氯化硅生產(chǎn)裝置,其特征在于,所述連接法蘭采用不銹鋼材質。

9.根據(jù)權利要求7所述的光纖級四氯化硅生產(chǎn)裝置,其特征在于,

10.根據(jù)權利要求9所述的光纖級四氯化硅生產(chǎn)裝置,其特征在于,所述短接件的材質為聚四氟乙烯。


技術總結
本技術提供了一種光纖級四氯化硅生產(chǎn)裝置,涉及光纖級四氯化硅生產(chǎn)技術領域,其包括:汽化器,用于將液態(tài)四氯化硅原料汽化;混合器,具有四氯化硅入口和氯氣入口;四氯化硅入口與汽化器的出口連接,氯氣入口用于導入氯氣;光催化反應器,其入口與混合器的出口連接;初級產(chǎn)品冷卻器,其入口與光催化反應器的出口連接;初級產(chǎn)品罐,其入口與初級產(chǎn)品冷卻器的出口連接。液態(tài)四氯化硅原料汽化后與氯氣在混合器中混合均勻后,才進入光催化反應器,采用氣氣混合的方式,解決了傳統(tǒng)氣液混合光催化法存在因氣液分布不均、紫外光在液體中穿透效果差,導致產(chǎn)量低、雜質去除效果差的問題。

技術研發(fā)人員:曹利利,王云鵬,官君,游書華
受保護的技術使用者:內蒙古通威硅能源有限公司
技術研發(fā)日:20240416
技術公布日:2025/1/9
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