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一種減少漿料阻力的涂布模頭與背輥結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號:40637986發(fā)布日期:2025-01-10 18:44閱讀:3來源:國知局
一種減少漿料阻力的涂布模頭與背輥結(jié)構(gòu)的制作方法

本技術(shù)涉及一種擠壓涂布機(jī),尤其涉及一種減少漿料阻力的涂布模頭與背輥結(jié)構(gòu)。


背景技術(shù):

1、鋰離子電池生產(chǎn)過程中,使用擠壓式涂布方法直接將漿料涂覆于集流體上,涂布工序的好壞直接決定鋰離子電池的性能。

2、現(xiàn)有擠壓涂布機(jī)中擠壓涂布模頭和涂布背輥水平等高,與背輥豎直切線成90°角,涂布高揮發(fā)溶劑漿料時(shí),漿料受到背輥的反作用力,反作用力方向與漿料走向相反,從而使?jié){料朝擠壓涂布模頭翻轉(zhuǎn),膜面橫向間歇性波紋凸顯,出現(xiàn)膜面厚薄不均。當(dāng)漿料有細(xì)小顆粒時(shí),由于漿料擠壓出口間隙較小,在背輥的反作用力下更容易卡在漿料擠壓出口與背輥之間造成膜面劃痕。

3、因此,本實(shí)用新型提供了一種減少漿料阻力的涂布模頭與背輥結(jié)構(gòu),以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案:

2、一種減少漿料阻力的涂布模頭與背輥結(jié)構(gòu),包括擠壓涂布模頭和涂布背輥,所述擠壓涂布模頭內(nèi)設(shè)有漿料通道,擠壓涂布模頭兩端分別設(shè)有連通漿料通道的漿料進(jìn)口、漿料擠壓出口,所述涂布背輥位于擠壓涂布模頭旁并靠近漿料擠壓出口,所述擠壓涂布模頭傾斜設(shè)置,漿料擠壓出口高于漿料進(jìn)口。

3、進(jìn)一步地方案:所述漿料通道中到上下兩側(cè)壁距離相等的平面為平面α,與涂布背輥豎直相切的平面為平面β,平面α與平面β之間的夾角a為鈍角,優(yōu)選所述夾角a為91.5°。

4、進(jìn)一步地方案:所述涂布背輥與平面β相切于切線l,漿料擠壓出口中心高于切線l,高度差為h,0﹤h﹤2cm。

5、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型的有益效果是:

6、1、擠壓涂布模頭傾斜設(shè)置,漿料擠壓出口高于漿料進(jìn)口,使背輥的反作用力與漿料走向不在同一直線上,而是形成一個(gè)斜向上的推力,使從漿料擠壓出口出來的漿料運(yùn)動(dòng)方向與涂布背輥上基材走向相同。

7、2、漿料擠壓出口中心略高于切線l,使擠壓涂布模頭與涂布背輥之間形成出料的擴(kuò)散角,漿料和顆粒容易被帶出,避免造成膜面劃痕。



技術(shù)特征:

1.一種減少漿料阻力的涂布模頭與背輥結(jié)構(gòu),其特征在于,包括擠壓涂布模頭和涂布背輥,所述擠壓涂布模頭內(nèi)設(shè)有漿料通道,擠壓涂布模頭兩端分別設(shè)有連通漿料通道的漿料進(jìn)口、漿料擠壓出口,所述涂布背輥位于擠壓涂布模頭旁并靠近漿料擠壓出口,所述擠壓涂布模頭傾斜設(shè)置,漿料擠壓出口高于漿料進(jìn)口。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種減少漿料阻力的涂布模頭與背輥結(jié)構(gòu),其特征在于,所述漿料通道中到上下兩側(cè)壁距離相等的平面為平面α,與涂布背輥豎直相切的平面為平面β,平面α與平面β之間的夾角a為鈍角。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種減少漿料阻力的涂布模頭與背輥結(jié)構(gòu),其特征在于,所述夾角a為91.5°。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種減少漿料阻力的涂布模頭與背輥結(jié)構(gòu),其特征在于,所述涂布背輥與平面β相切于切線l,漿料擠壓出口中心高于切線l,高度差為h,0﹤h﹤2cm。


技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種減少漿料阻力的涂布模頭與背輥結(jié)構(gòu),屬于擠壓涂布機(jī)技術(shù)領(lǐng)域,包括擠壓涂布模頭和涂布背輥,所述擠壓涂布模頭內(nèi)設(shè)有漿料通道,擠壓涂布模頭兩端分別設(shè)有連通漿料通道的漿料進(jìn)口、漿料擠壓出口,所述涂布背輥位于擠壓涂布模頭末端并靠近漿料擠壓出口,所述擠壓涂布模頭傾斜設(shè)置,漿料擠壓出口高于漿料進(jìn)口。擠壓涂布模頭傾斜設(shè)置,漿料擠壓出口高于漿料進(jìn)口,背輥的反作用力形成一個(gè)斜向上的推力,使從漿料擠壓出口出來的漿料運(yùn)動(dòng)方向與涂布背輥上基材走向相同,保證膜面橫向厚薄均勻,擠壓涂布模頭與涂布背輥之間形成出料的擴(kuò)散角,漿料和顆粒容易被帶出,避免造成膜面劃痕。

技術(shù)研發(fā)人員:王晶良,陳斌
受保護(hù)的技術(shù)使用者:湖南韶山鈺盛科技有限責(zé)任公司
技術(shù)研發(fā)日:20240115
技術(shù)公布日:2025/1/9
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