本公開涉及微流控，尤其涉及一種微流控裝置。

背景技術(shù)：

1、微流控(micro-fluidic)技術(shù)是一種以在微米或更小尺度空間對(duì)流體進(jìn)行操控為主要特征的技術(shù)。該技術(shù)已經(jīng)與化學(xué)、生物學(xué)、工程學(xué)和物理學(xué)等諸學(xué)科形成交叉，展示出了廣泛的應(yīng)用前景。液滴微流控技術(shù)，因其具有流體操作簡(jiǎn)便、高單分散性、小型化、低成本、高靈敏度、高通量等優(yōu)點(diǎn)，目前已受到廣泛的關(guān)注。微流控技術(shù)主要是利用介電潤(rùn)濕的原理，通過調(diào)整微流控芯片的上基板與下基板之間的電場(chǎng)，改變液滴表面與固體之間的表面張力，從而改變兩者之間的接觸角，從而實(shí)現(xiàn)液滴的操作與控制。

2、現(xiàn)有技術(shù)中，微流控裝置存在高通量與高精度注樣的需求難以同時(shí)滿足的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為了解決上述技術(shù)問題或者至少部分地解決上述技術(shù)問題，本公開提供了一種微流控裝置，可兼容實(shí)現(xiàn)高通量與高精度注樣的需求。

2、本公開提供了一種微流控裝置，包括：層疊設(shè)置的第一基板、第二基板和第三基板，第二基板位于第一基板和第三基板之間；沿垂直于第一基板所在平面的方向，第一基板和第二基板之間包括第一間隔，第二基板與第三基板之間包括第二間隔；第二基板包括至少一個(gè)第一通孔，沿垂直于第二基板所在平面的方向，第一通孔貫穿第二基板；第一間隔與第二間隔通過第一通孔連通。

3、本公開提供的技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下優(yōu)點(diǎn)：

4、本公開提供的微流控裝置包括層疊設(shè)置的第一基板、第二基板和第三基板。其中，沿垂直于第一基板所在平面的方向，第一基板和第二基板之間包括第一間隔，第二基板與第三基板之間包括第二間隔。第二基板包括至少一個(gè)第一通孔，沿垂直于第二基板所在平面的方向，第一通孔貫穿第二基板，第一間隔與第二間隔可通過第一通孔實(shí)現(xiàn)連通，從而液滴可通過第一通孔在第一間隔和第二間隔之間移動(dòng)，且第一間隔和第二間隔均可用于容納液滴，從而可實(shí)現(xiàn)高通量液滴注液存儲(chǔ)。同時(shí)，可在第一間隔中進(jìn)行樣本和試劑溶液的初級(jí)分離和混合等處理，然后再驅(qū)動(dòng)處理完成后的液滴進(jìn)入第二間隔進(jìn)行后續(xù)的操作，即可在第二間隔實(shí)現(xiàn)高精度液滴樣本處理。即本公開實(shí)施例提供的微流控裝置可兼容實(shí)現(xiàn)高通量與高精度注樣的需求。

技術(shù)特征：

1.一種微流控裝置，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微流控裝置，其特征在于，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微流控裝置，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微流控裝置，其特征在于，

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微流控裝置，其特征在于，

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微流控裝置，其特征在于，

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微流控裝置，其特征在于，

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微流控裝置，其特征在于，

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微流控裝置，其特征在于，

10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微流控裝置，其特征在于，

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的微流控裝置，其特征在于，

12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微流控裝置，其特征在于，

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微流控裝置，其特征在于，

14.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微流控裝置，其特征在于，

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的微流控裝置，其特征在于，

16.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微流控裝置，其特征在于，

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微流控裝置，其特征在于，

18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微流控裝置，其特征在于，

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的微流控裝置，其特征在于，

20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微流控裝置，其特征在于，

技術(shù)總結(jié)
本公開涉及微流控技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種微流控裝置。微流控裝置包括：層疊設(shè)置的第一基板、第二基板和第三基板，第二基板位于第一基板和第三基板之間；沿垂直于第一基板所在平面的方向，第一基板和第二基板之間包括第一間隔，第二基板與第三基板之間包括第二間隔；第二基板包括至少一個(gè)第一通孔，沿垂直于第二基板所在平面的方向，第一通孔貫穿第二基板；第一間隔與第二間隔通過第一通孔連通。本公開可兼容實(shí)現(xiàn)高通量與高精度注樣的需求。

技術(shù)研發(fā)人員：章凱迪,林柏全,張東莉,朱清三,潘俊濤
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海天馬微電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6