本發(fā)明屬于材料和環(huán)保,特別是涉及一種tio2-fe2o3有序分級(jí)結(jié)構(gòu)納米棒陣列及其制備方法與應(yīng)用。
背景技術(shù):
1、光催化凈水技術(shù)是一種基于半導(dǎo)體材料特殊價(jià)帶結(jié)構(gòu)特性而興起的新型深度水處理方法。半導(dǎo)體材料具有一定寬度的禁帶,在大于半導(dǎo)體禁帶寬度能量的光子照射下,材料結(jié)構(gòu)中的電子吸收光子,由價(jià)帶跳躍到導(dǎo)帶產(chǎn)生電子-空穴對(duì)。污水中的有毒金屬離子可以被還原性電子還原,導(dǎo)帶的氧化-還原電位越負(fù),導(dǎo)帶能量越高,還原能力越強(qiáng);污水中的有機(jī)物可以被具有氧化性的空穴氧化為水和二氧化碳,價(jià)帶的氧化-還原電位越正,氧化能力越強(qiáng)。
2、tio2因其自身光化學(xué)穩(wěn)定性和耐光腐蝕性等優(yōu)點(diǎn),成為光催化領(lǐng)域應(yīng)用最廣泛的標(biāo)志性半導(dǎo)體材料。近些年興起的納米材料合成和應(yīng)用技術(shù),為光催化材料的研究帶來了巨大的機(jī)遇與挑戰(zhàn),一維tio2納米結(jié)構(gòu),集合了納米材料特性及tio2自身特性,實(shí)現(xiàn)了多相催化領(lǐng)域高效光催化目標(biāo)和低成本目的,成為光催化領(lǐng)域最具有表征性和應(yīng)用前景的光催化劑?,F(xiàn)階段國(guó)際國(guó)內(nèi)在實(shí)驗(yàn)室模擬試驗(yàn)和實(shí)際生產(chǎn)生活凈水處理中,使用廣泛、應(yīng)用頻次較大的tio2顆粒型光催化劑是p25(degussa),粉體型tio2可以增大催化劑比表面積,進(jìn)而提高污水凈化效率,但使用半導(dǎo)體顆粒進(jìn)行污水處理時(shí),由于顆粒細(xì)小,催化劑在水溶液中易流失、難回收、活性成分損失大,無法長(zhǎng)期重復(fù)使用。
3、專利201010548151.2涉及了一種新型有序二級(jí)結(jié)構(gòu)tio2納米棒催化劑,該催化材料屬于透明基底負(fù)載型催化劑,彌補(bǔ)了顆粒型納米tio2材料分散后不易回收的問題,同時(shí)由于其內(nèi)部單晶結(jié)構(gòu)和獨(dú)特的一維基底二次生長(zhǎng)分級(jí)結(jié)構(gòu),在保證光生載流子高效有效分離傳輸?shù)幕A(chǔ)上,增加了比表面積,有效提高了光催化降解污水效率。
4、tio2兩種同質(zhì)變體銳鈦礦型和金紅石型禁帶寬度分別為3.2ev和3.0ev,對(duì)應(yīng)吸收光譜帶邊界波長(zhǎng)為387.5nm和413.3nm,只有能量高于邊界波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)光能的紫外光才能激發(fā)tio2產(chǎn)生載流子,進(jìn)而參與到污染物的礦化降解反應(yīng)中。由于tio2類催化劑對(duì)自然界太陽光能的利用率很低,無法實(shí)現(xiàn)對(duì)全光譜光照盡可能多的有效響應(yīng),tio2催化劑存在大規(guī)模工業(yè)實(shí)際應(yīng)用的成本問題和條件障礙。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明的目的是提供一種tio2-fe2o3有序分級(jí)結(jié)構(gòu)納米棒陣列及其制備方法與應(yīng)用,以解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題。
2、本發(fā)明提供的技術(shù)方案之一:
3、一種tio2-fe2o3有序分級(jí)結(jié)構(gòu)納米棒陣列的制備方法,將金紅石型tio2膜與前驅(qū)體i混合,首次水熱生長(zhǎng)反應(yīng)得到tio2一級(jí)納米棒陣列,將所述tio2一級(jí)納米棒陣列與前驅(qū)體ii混合,再次水熱生長(zhǎng)反應(yīng),干燥退火,得到所述tio2-fe2o3有序分級(jí)結(jié)構(gòu)納米棒陣列,所述前驅(qū)體i為ticl3的nacl飽和水溶液;所述前驅(qū)體ii為fecl3的nano3飽和水溶液。
4、優(yōu)選的,所述前驅(qū)體i中ticl3的濃度為0.05mol/l,ph為0.25-1.50。
5、更為優(yōu)選的,所述前驅(qū)體i中ticl3的ph為1.30。
6、優(yōu)選的,所述前驅(qū)體ii中fecl3的濃度為0.10-0.20mol/l,ph為1.00-2.10。
7、更為優(yōu)選的,所述前驅(qū)體ii中fecl3的濃度為0.15mol/l,ph為1.4。
8、優(yōu)選的,所述再次水熱生長(zhǎng)反應(yīng)的溫度為130℃,時(shí)間為5h。
9、更為優(yōu)選的,所述退火的溫度為400℃時(shí)間為1h。
10、本發(fā)明通過將不同半導(dǎo)體材料間簡(jiǎn)單復(fù)合,采用不同于催化劑敏化、復(fù)合等方式。本發(fā)明提供的tio2-fe2o3有序分級(jí)結(jié)構(gòu)納米棒陣列材料的制備工藝具體原理如下:維持原單體各自禁帶寬度基本不變,從光譜響應(yīng)范圍變遷的角度出發(fā),以基礎(chǔ)半導(dǎo)體單體為一級(jí)結(jié)構(gòu)模板,引入其他半導(dǎo)體材料,進(jìn)行異種單體間的簡(jiǎn)單復(fù)合合成,異質(zhì)材料相互“補(bǔ)空隙生長(zhǎng)”,實(shí)現(xiàn)對(duì)各自光譜響應(yīng)波段光能的有效吸收,拓展簡(jiǎn)單復(fù)合材料(tio2-fe2o3)的整體光譜響應(yīng)范圍,提高催化劑對(duì)自然光全光譜能量的利用率。
11、本發(fā)明提供的制備tio2-fe2o3有序分級(jí)結(jié)構(gòu)納米棒陣列的方法中,以tio2一級(jí)納米棒陣列作為基礎(chǔ)材料,該材料采用水熱法工藝制備而得,具有微結(jié)構(gòu)取向可控,直徑分布均勻,可由ph調(diào)控具體形貌,整體結(jié)構(gòu)整齊等特征。
12、本發(fā)明提供的技術(shù)方案之二
13、一種通過上述的制備方法制得的tio2-fe2o3有序分級(jí)結(jié)構(gòu)納米棒陣列。
14、本發(fā)明提供的技術(shù)方案之三
15、一種上述tio2-fe2o3有序分級(jí)結(jié)構(gòu)納米棒陣列在光催化降解甲基蘭中的應(yīng)用。
16、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)和技術(shù)效果:
17、本發(fā)明采用具有有序分級(jí)納米棒陣列結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體tio2-fe2o3材料進(jìn)行污水處理時(shí),由于其屬于固載型催化劑,解決了tio2粉體型催化劑在溶液中易流失、活性成分損失大且難以回收再次利用的問題,實(shí)現(xiàn)了催化劑的可控有效回收,使該材料可以長(zhǎng)期的使用,降低了水處理成本。
18、本發(fā)明在制備新型光催化材料tio2-fe2o3有序分級(jí)結(jié)構(gòu)納米棒陣列時(shí),通過對(duì)tio2一級(jí)結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)的ph調(diào)控和形貌的改進(jìn)以及異形fe2o3有序分級(jí)結(jié)構(gòu)的引入,解決了廢水降解過程中使用普通一級(jí)納米棒陣列結(jié)構(gòu)tio2光催化劑,存在的因其結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)不可調(diào)控而導(dǎo)致的催化劑自身光催化能力不足的問題。
19、本發(fā)明通過對(duì)具有光催化特性的tio2納米棒一級(jí)陣列材料進(jìn)行改進(jìn),引入了窄禁帶、低能導(dǎo)帶的fe2o3有序陣列結(jié)構(gòu)及tio2-fe2o3有序分級(jí)結(jié)構(gòu)的制備工藝,得到了形貌表征良好、光催化活性高的十字花狀二級(jí)結(jié)構(gòu)納米棒陣列材料,彌補(bǔ)了tio2一級(jí)納米棒陣列在光催化反應(yīng)中寬禁帶、只能吸收高能紫外光的劣勢(shì),拓展了半導(dǎo)體tio2一級(jí)納米棒陣列的光譜響應(yīng)范圍,提高了自然太陽光可見光區(qū)能量的利用率。
20、本發(fā)明提供的tio2-fe2o3有序分級(jí)結(jié)構(gòu)納米棒陣列在實(shí)際廢水深度處理領(lǐng)域的應(yīng)用推廣中具有良好的研究潛力和太陽光照條件下的實(shí)際應(yīng)用前景。
1.一種tio2-fe2o3有序分級(jí)結(jié)構(gòu)納米棒陣列的制備方法,其特征在于,將金紅石型tio2膜與前驅(qū)體i混合,首次水熱生長(zhǎng)反應(yīng)得到tio2一級(jí)納米棒陣列,將所述tio2一級(jí)納米棒陣列與前驅(qū)體ii混合,再次水熱生長(zhǎng)反應(yīng),干燥退火,得到所述tio2-fe2o3有序分級(jí)結(jié)構(gòu)納米棒陣列,所述前驅(qū)體i為ticl3的nacl飽和水溶液;所述前驅(qū)體ii為fecl3的nano3飽和水溶液。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述前驅(qū)體i中ticl3的濃度為0.05mol/l,ph為0.25-1.50。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述前驅(qū)體i中ticl3的ph為1.30。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述前驅(qū)體ii中fecl3的濃度為0.10-0.20mol/l,ph為1.00-2.10。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法,其特征在于,所述前驅(qū)體ii中fecl3的濃度為0.15mol/l,ph為1.4。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述再次水熱生長(zhǎng)反應(yīng)的溫度為130℃,時(shí)間為5h。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述退火的溫度為400℃,時(shí)間為1h。
8.一種通過權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的制備方法制得的tio2-fe2o3有序分級(jí)結(jié)構(gòu)納米棒陣列。
9.一種權(quán)利要求8所述的tio2-fe2o3有序分級(jí)結(jié)構(gòu)納米棒陣列在制備光催化凈水材料中的應(yīng)用。