專利名稱：納米鈀或鉑一氧化碳助燃劑制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種經(jīng)物理過程制備納米鈀或鉑一氧化碳助燃劑的方法。
目前，工業(yè)上使用的助燃劑(也稱催化劑)一般均采用化學(xué)方法制備，在制備過程中先把催化劑的活性前驅(qū)物溶解在酸溶液中制成一定濃度的溶液，再用浸漬法或離子交換法把活性組分加到載體上，經(jīng)陳化、烘干、焙燒等工序制成負(fù)載催化劑，這種方法的制備過程中不可避免地存在著SO2、HCl、Cl2、NOx等有害氣體的排放，對(duì)環(huán)境造成污染。
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有負(fù)載型催化劑的制備方法中存在的缺點(diǎn)，提供一種使用氫電弧等離子體法制備納米鈀或鉑粒子作為活性組分，再將活性組分加到所選定的載體上，制得納米鈀或鉑一氧化碳助燃劑的方法。
為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明選用常規(guī)的高熔點(diǎn)納米金屬催化劑制備裝置，以鈀或鉑為原料置于裝置中，先通入氬氣引發(fā)電弧，再通入氫氣使金屬鈀或鉑熔化并有納米鈀或鉑粒子蒸發(fā)，然后收集得到金屬鈀或鉑納米粒子作為活性組分，再用碰撞沖擊物理法在錐形加載設(shè)備上將活性組分進(jìn)一步牢固均勻分散到氧化鋁載體表面孔中，便可制得納米鈀或鉑一氧化碳助燃劑。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有使用設(shè)備先進(jìn)，制備工藝簡單，采用物理方法減少了環(huán)境污染等優(yōu)點(diǎn)，而且采用本方法可以節(jié)約能源，制備的助燃劑產(chǎn)品有良好的助燃效果。
實(shí)施例1選用現(xiàn)有常規(guī)的高熔點(diǎn)納米金屬催化劑制備裝置，選取純凈的金屬鈀作為原料，將純凈金屬鈀放于制備裝置中，通入氬氣引發(fā)電弧，再通入氫氣使金屬鈀熔化并有納米鈀超微粒子蒸發(fā)，然后由制備裝置收集得到金屬鈀納米粒子作為活性組分；選取帶攪拌器的錐形加載設(shè)備用碰撞沖擊物理法將活性組分進(jìn)一步再分散并且牢固均勻地分散到氧化鋁載體表面孔中便可制得納米鈀一氧化碳助燃劑。在制備過程中錐形加載設(shè)備的轉(zhuǎn)速控制應(yīng)小于1000轉(zhuǎn)/分，加載時(shí)間為0.5-2小時(shí)，作為活性組分的納米鈀粒子的平均直徑小于100nm，且為軟團(tuán)聚，并在加載過程中進(jìn)一步分散均勻，加載過程中的碰撞力的大小對(duì)于載體應(yīng)當(dāng)沒有直接影響。
制得的納米鈀一氧化碳助燃劑其金屬鈀含量為400ppm。
實(shí)施例2選用金屬鉑作為原料，其他設(shè)備和工藝方法同實(shí)施例1，可制得納米鉑一氧化碳助燃劑，其鉑含量為300ppm-400ppm。
在實(shí)用中測(cè)得納米鈀或鉑一氧化碳助燃劑有很好的助燃效果，煙氣中一氧化碳含量始終為零；與強(qiáng)度較高的半合成催化劑RZH-300比較具有更高的密度，在系統(tǒng)中停留時(shí)間更長，助燃效率更高；一般化學(xué)法制備的助燃劑鈀或鉑含量在500ppm以上，因此，本發(fā)明節(jié)省貴金屬使產(chǎn)品成本下降。
權(quán)利要求
1．一種納米鈀或鉑一氧化碳助燃劑制備方法，選用常規(guī)的高熔點(diǎn)納米金屬催化劑制備裝置，將鈀或鉑原料放入裝置中，先通入氬氣引發(fā)電弧，再通入氫氣使鈀或鉑融化并有納米鈀或鉑粒子蒸發(fā)，收集納米鈀或鉑粒子用碰撞沖擊物理法在錐形加載設(shè)備上將其進(jìn)一步均勻分散到氧化鋁載體表面孔中即可制得納米鈀或鉑一氧化碳助燃劑。
2．根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米鈀或鉑一氧化碳助燃劑制備方法，其特征在于帶攪拌器的錐形加載設(shè)備的轉(zhuǎn)速小于1000轉(zhuǎn)/分；加載時(shí)間為0.5-2小時(shí)；加載的納米鈀或鉑粒子平均直徑小于100nm，且為軟團(tuán)聚。
全文摘要
本發(fā)明屬一種經(jīng)物理過程制備納米鈀或鉑一氧化碳助燃劑的方法,用高熔點(diǎn)納米金屬催化劑制備裝置,通過氫電弧等離子體法先制取納米鈀或鉑超微粒子作為活性組分,繼而再用碰撞沖擊物理方法將活性組分加到載體上,納米鈀或鉑是在高溫條件下結(jié)晶的超微粒子,由鈀或鉑原子沉積而成的,納米鈀或鉑粒子是一種軟團(tuán)聚,在控制沖擊力下發(fā)生再分散為2－5nm,并且嵌鑲到載體的表面孔中形成產(chǎn)品,具有工藝簡單,易控制,無環(huán)境污染,助燃效果好、在系統(tǒng)中停留時(shí)間長等優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)B01J37/00GK1310050SQ0011090
公開日2001年8月29日 申請(qǐng)日期2000年2月21日 優(yōu)先權(quán)日2000年2月21日
發(fā)明者張志琨, 崔作林, 杜芳林, 郝春成, 于立巖 申請(qǐng)人:青島化工學(xué)院納米材料研究所