專利名稱:光刻掩模板清潔方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種用于清潔TFT-LCD(薄膜晶體管-液晶顯示器)工業(yè)用大型光刻掩模版的方法。
背景技術：
TFT-LCD制造行業(yè)中，特別是大尺寸液晶面板制造業(yè)中，光刻掩模版是在光刻工藝的關鍵部件。利用紫外光和光刻掩模版對涂布有光刻膠(感光樹脂)的按照設計圖形進行曝光，可以將光刻掩模版上的電子器件圖案按照1∶1或者其他比例轉寫到基板上，并經過顯影、刻蝕、剝離等工藝形成電子器件。由于光刻掩模版的缺陷會引起曝光轉寫后產品圖案的缺陷，從而引起產品的可靠性低下或者良率低下。光刻掩模版的缺陷分為兩種，一種是由于制作、搬送或者使用不當造成的掩模版自身的固有缺陷。這種缺陷只能通過掩模版出廠檢驗嚴格化、搬送或使用時規(guī)范化等方法進行防止，但是一旦發(fā)生了基本上不可挽回。另一種缺陷是由于生產環(huán)境或者生產過程中產生的異物顆粒附著于光刻掩模版的表面，或者由于人為或其他原因引起掩模版表面的污漬等。這種缺陷通過一定的清潔方法可以去除。大尺寸的光刻掩模版制造工藝復雜、難度大，價格昂貴。而且掩模版上有著微米級的電子器件圖案，所以很容易被造成損害。由于以上原因，一般的制造廠商都只是定期地對掩模版表面進行簡單的異物情況確認并在需要的情況下才進行簡單清潔，或者返回掩模版生產廠商幫助處理。
對光刻掩模版只進行定期簡單的清潔或者返回生產廠商處理，不能及時地發(fā)現(xiàn)由于掩模版表面異物附著引起的產品共通缺陷而可能造成大量的產品不良，或者得不到及時的處理而致使生產停滯。

發(fā)明內容本發(fā)明的目的是提供一種能夠及時對光刻掩模板進行清洗的方法。
本發(fā)明的目的是通過以下技術方案實現(xiàn)的一種光刻掩模板清潔方法，在曝光裝置內的灰塵檢查裝置報警后，將掩模板取出，利用強光光源查看灰塵分布，然后利用壓縮氣槍將異物去除。
氣體來源必須是純凈的壓縮空氣或者氮氣，氣槍是塑料材料，內部無潤滑油。
所述強光光源與掩模板的表面呈30度。
可依據灰塵檢查裝置提供的異物顆粒分布圖來查看灰塵分布。
對于壓縮氣槍無法出去的微粒，用聚合物清潔棒或工業(yè)棉棒清除，隨后立即再用壓縮氣槍進行吹氣去除。
經壓縮氣槍和聚合物清潔棒/工業(yè)用棉棒都不能有效去除時，則可以使用輔助試劑，使用聚合物清潔棒時，以純水為輔助試劑，使用工業(yè)棉棒時，以丙酮為輔助試劑。
對于不明成分的污漬，可以先用工業(yè)棉棒和丙酮對污漬部位進行小范圍清潔，若不能去除則用聚合物清潔棒和純水進行清潔。
本發(fā)明的積極進步效果在于配合利用內置于曝光裝置內部的灰塵檢查裝置，實時地監(jiān)控掩模版表面的異物顆粒附著情況，有效及時防止由于光刻掩模版表面異物引起曝光圖案轉寫后產生的產品共通缺陷，可應用于液晶面板制造行業(yè)的光刻掩模版清潔，可以快速、有效、安全地對生產所用的光刻掩模版進行清潔，防止由于掩模版表面異物或污漬引起的產品不良。
具體實施方式下面給出本發(fā)明較佳實施例，以詳細說明本發(fā)明的技術方案。
對曝光裝置內的光刻掩模版灰塵檢查裝置進行設定。
設定的項目包括灰塵檢查的范圍(指面積，可以根據掩模版實際的面積大小進行設定，一般設定為圖案的有效面積)、異物顆粒大小判定的級別(可以分為A級和B級，設定范圍為70μm至240μm，可根據實際需要的清潔程度設定)、報警的設定(設定在發(fā)現(xiàn)A級或者B級異物時進行報警或者不報警)以及灰塵檢查方式(一個曝光任務開始前或者結束后進行灰塵檢查)的設定。把檢查結果用無塵紙打印出來。
灰塵檢查裝置報警時進行光刻掩模版的清潔在曝光裝置內的灰塵檢查裝置報警后，曝光工作自動停止，掩模版自動退回到的盒子里面，等待處理。
將掩模版(連同盒子)搬出曝光裝置，并且搬送到曝光裝置旁的清潔臺上面。清潔臺要求平整度好，防止靜電，且清潔度高，具有良好的向下氣流環(huán)境(潔凈車間通用)，最好是暗室。
利用強光光源，如強光手電，依據灰塵檢查裝置提供的異物顆粒分布圖來確認掩模版表面的異物存在情況。一般與掩模版表面成30°的視線最容易看清實際的異物顆粒。
經確認后若是比較大的異物顆粒，可以利用壓縮氣槍將異物去除。對壓縮氣槍的要求氣體來源必須是純凈的壓縮空氣或者氮氣，氣槍最好是塑料材料，內部無需潤滑油，以防止污濁空氣或是氣槍內部污漬弄臟掩模版表面。氣槍壓力一般設為0.3MPa左右。
清潔時注意氣槍尖端離掩模版表面保持10cm以上的距離，并防止其他部分接觸到掩模版表面(防止刮傷掩模版)。采取就近原則調整氣槍吹氣的方向，并以強光手電配合確認異物去除情況。針對某些掩模版下表面貼附有保護圖案用的薄膜(容易因外力而破損)，則還應該注意不要從側面進行吹氣。
若是在最初用強光手電確認異物時發(fā)現(xiàn)有微小的異物顆粒，并且用壓縮氣槍也無法進行去除的時候，可以利用聚合物清潔棒(購自日本，潔凈室現(xiàn)場專用異物擦拭小棒，頭部材料為聚氨基甲酸酯，尺寸φ8×15(斜切)，棒體為聚丙烯，全長105mm)或工業(yè)用棉棒(購自日本，頭部材料為棉+人造絲，棒體為無塵紙，規(guī)格棉徑×全長1.8×150mm)來配合壓縮氣槍去除異物。聚合物清潔棒和工業(yè)用棉棒都有一些黏附性，可以輕輕觸碰掩模版表面把異物顆粒粘起去除而不會在掩模版表面留下痕跡或其他異物。隨后立即再用壓縮氣槍進行吹氣去除。一般來說極細小的異物顆?？梢杂霉I(yè)棉棒進行去除，而稍微大一點的異物可以用聚合物清潔棒除掉。
若是經壓縮氣槍+聚合物清潔棒/工業(yè)用棉棒都不能有效去除時，則可以使用輔助試劑。工具與輔助試劑的組合是聚合物清潔棒和純水；工業(yè)用棉棒和丙酮。
對于不明成分的污漬?？梢韵扔霉I(yè)用棉棒和丙酮對污漬部位進行小范圍清潔，若仍然不能去除則用聚合物清潔棒和純水進行清潔。
清潔時須注意只對污漬部位進行單方向的輕微擦拭，若是使用聚合物清潔棒和純水則還得在擦拭完后迅速用壓縮氣槍吹干，防止由于水的緩慢蒸發(fā)而在掩模版表面留下水漬。
經過上述幾種辦法，一般的異物顆粒與表面污漬都可以得到有效去除。在清潔工作結束后，經過再次的強光手電目視確認后可以把光刻掩模版搬回曝光裝置。再經過灰塵檢查裝置檢測合格后可以自動開始曝光工作。整個清掃工作加上再確認需要時間一般不多于15分鐘，基本上不會對連續(xù)生產造成大的影響。而由于及時地在事前防止了由于掩模版表面的異物顆粒引起的產品共通缺陷，可以保證產品電子器件的可靠性和保持較高的成品率。
清潔所使用的輔助試劑除丙酮和純水之外還可以使用乙醇等有機溶劑。
權利要求
1.一種光刻掩模板清潔方法，其特征在于，在曝光裝置內的灰塵檢查裝置報警后，將掩模板取出，利用強光光源查看灰塵分布，然后利用壓縮氣槍將異物去除。
2.根據權利要求
1所述的光刻掩模板清潔方法，其特征在于，氣體來源必須是純凈的壓縮空氣或者氮氣，氣槍是塑料材料，內部無潤滑油。
3.根據權利要求
2所述的光刻掩模板清潔方法，其特征在于，所述強光光源與掩模板的表面呈30度。
4.根據權利要求
3所述的光刻掩模板清潔方法，其特征在于，依據灰塵檢查裝置提供的異物顆粒分布圖來查看灰塵分布。
5.根據權利要求
4所述的光刻掩模板清潔方法，其特征在于，對于壓縮氣槍無法出去的微粒，用聚合物清潔棒或工業(yè)棉棒清除，隨后立即再用壓縮氣槍進行吹氣去除。
6.根據權利要求
5所述的光刻掩模板清潔方法，其特征在于，經壓縮氣槍和聚合物清潔棒/工業(yè)用棉棒都不能有效去除時，則可以使用輔助試劑，使用聚合物清潔棒時，以純水為輔助試劑，使用工業(yè)棉棒時，以丙酮為輔助試劑。
7.根據權利要求
6所述的光刻掩模板清潔方法，其特征在于，對于不明成分的污漬，可以先用工業(yè)棉棒和丙酮對污漬部位進行小范圍清潔，若不能去除則用聚合物清潔棒和純水進行清潔。
專利摘要
本發(fā)明公開了一種用于清潔TFT－LCD(薄膜晶體管－液晶顯示器)工業(yè)用大型光刻掩模板的方法，利用高壓空氣槍，輔助聚合物清潔棒和工業(yè)用棉棒的方法，并適時利用輔助試劑丙酮和純水，達到有效清除光刻掩模板表面的微小異物顆粒和污漬的效果。本清潔方法適用于在工業(yè)用潔凈室里現(xiàn)場進行操作，配合利用內置于曝光裝置內部的灰塵檢查裝置，實時地監(jiān)控掩模板表面的異物顆粒附著情況，有效及時防止由于光刻掩模板表面異物引起曝光圖案轉寫后產生的產品共通缺陷。
文檔編號B08B7/04GK1994589SQ200510112252
公開日2007年7月11日 申請日期2005年12月28日
發(fā)明者譚智敏 申請人:上海廣電Nec液晶顯示器有限公司導出引文BiBTeX, EndNote, RefMan