水處理器的制造方法
【專利摘要】一種水處理器，包括殼體、外管與內(nèi)管。外管與內(nèi)管的端部與殼體連接，外管套設(shè)于內(nèi)管的外圍，內(nèi)管的外管壁與外管的內(nèi)管壁之間形成第一流道。殼體套設(shè)于外管壁上，外管包括外磁體與外鋼管，外磁體套設(shè)于外鋼管上，內(nèi)管包括內(nèi)磁體、第一內(nèi)鋼管與第二內(nèi)鋼管，內(nèi)磁體設(shè)置于第一內(nèi)鋼管與第二內(nèi)鋼管之間。上述水處理器，在第一流道的內(nèi)外兩側(cè)分別設(shè)置有內(nèi)磁體與外磁體，即使管徑較大，第一流道內(nèi)也具有較大的磁場，水流流經(jīng)第一流道時，在強磁場的作用下，各種分子、離子的電子運動軌跡發(fā)生變化，陰陽離子不易結(jié)合，已經(jīng)結(jié)合的不易沉淀，避免了結(jié)垢，提高了水處理的效率，同時，上述水處理器，結(jié)構(gòu)簡單，成本較低。
【專利說明】水處理器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及水處理【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種水處理器。
【背景技術(shù)】
[0002]水通常通過水管進行輸送，經(jīng)過長期使用的水管通常會出現(xiàn)結(jié)垢的現(xiàn)象，導(dǎo)致水管的輸送效率降低，甚至還會出現(xiàn)水管擁堵與水管炸裂的的現(xiàn)象。水垢一直是困擾水廠的問題，傳統(tǒng)的除垢方法通常是化學(xué)方法或磁場除垢的方法，但是化學(xué)方法進行除垢，成本較高，傳統(tǒng)的磁場除垢，永磁體或電磁體設(shè)置在水管管壁上，對于管徑較大水管，中心磁場較弱，除垢效果不理想。
實用新型內(nèi)容
[0003]基于此，有必要針對傳統(tǒng)的除垢方法成本較高與除垢效果較差的問題，提供一種成本較低、除垢效果較好的水處理器。
[0004]一種水處理器，包括殼體、外管與內(nèi)管，所述外管與所述內(nèi)管的端部與所述殼體連接，所述外管套設(shè)于所述內(nèi)管的外圍，所述內(nèi)管的外管壁與所述外管的內(nèi)管壁之間形成第一流道，所述殼體套設(shè)于所述外管壁上，所述外管包括外磁體與外鋼管，所述外磁體套設(shè)于所述外鋼管上，所述內(nèi)管包括內(nèi)磁體、第一內(nèi)鋼管與第二內(nèi)鋼管，所述內(nèi)磁體設(shè)置于所述第一內(nèi)鋼管與所述第二內(nèi)鋼管之間。
[0005]在其中一個實施例中，所述外磁體包括多個外磁鋼片與多個外極片，所述外極片設(shè)置于相鄰?fù)獯配撈g。
[0006]在其中一個實施例中，所述內(nèi)磁體包括多個內(nèi)磁鋼片與多個內(nèi)極片，所述內(nèi)極片設(shè)置于相鄰內(nèi)磁鋼片之間。
[0007]在其中一個實施例中，還包括中心管、第一限流環(huán)、第二限流環(huán)與限流板，所述中心管設(shè)置于所述內(nèi)管中并與所述內(nèi)管之間形成第二流道，所述第一限流環(huán)設(shè)置于所述外管的端部，所述第一限流環(huán)的內(nèi)徑小于所述外管的內(nèi)徑，所述第二限流環(huán)設(shè)置于所述內(nèi)管的端部，所述第二限流環(huán)的外徑大于所述內(nèi)管的外徑，所述第二限流環(huán)的內(nèi)徑小于所述內(nèi)管的內(nèi)徑，所述限流板設(shè)置于所述中心管的端部，所述限流板的外徑大于所述中心管的外徑。
[0008]在其中一個實施例中，還包括法蘭，所述法蘭設(shè)置與所述殼體的端部。
[0009]上述水處理器，在第一流道的內(nèi)外兩側(cè)分別設(shè)置有內(nèi)磁體與外磁體，即使管徑較大，第一流道內(nèi)也具有較大的磁場，水流流經(jīng)第一流道時，在強磁場的作用下，各種分子、離子的電子運動軌跡發(fā)生變化，陰陽離子不易結(jié)合，已經(jīng)結(jié)合的不易沉淀，避免了結(jié)垢，提高了水處理的效率，同時，上述水處理器，結(jié)構(gòu)簡單，成本較低。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1為一個實施例的水處理器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0011]圖2為圖1中水處理器的A-A剖視圖；[0012]圖3為圖1中水處理器的B-B剖視圖；
[0013]圖4為圖1中水處理器的局部C的放大圖；
[0014]圖5為圖1中水處理器的局部D的放大圖。
【具體實施方式】
[0015]下面結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型進行詳細說明。
[0016]如圖1、圖2、圖3、圖4與圖5所示，在一個實施例中，一種水處理器，包括殼體110、外管120與內(nèi)管130。外管120與內(nèi)管130的端部與殼體110連接。外管120套設(shè)于內(nèi)管130的外圍，內(nèi)管130的外管120壁與外管120的內(nèi)管130壁之間形成第一流道。殼體110套設(shè)于外管120壁上,外管120包括外磁體122與外鋼管124,外磁體122套設(shè)于外鋼管124上。內(nèi)管130包括內(nèi)磁體132、第一內(nèi)鋼管134與第二內(nèi)鋼管136,內(nèi)磁體132設(shè)置于第一內(nèi)鋼管134與第二內(nèi)鋼管136之間。其中，外鋼管124、第一內(nèi)鋼管134與第二內(nèi)鋼管136均為不銹鋼管。
[0017]上述水處理器，在第一流道的內(nèi)外兩側(cè)分別設(shè)置有內(nèi)磁體132與外磁體122，即使管徑較大，第一流道內(nèi)也具有較大的磁場，水流流經(jīng)第一流道時，在強磁場的作用下，各種分子、離子的電子運動軌跡發(fā)生變化，陰陽離子不易結(jié)合，已經(jīng)結(jié)合的不易沉淀，避免了結(jié)垢，提高了水處理的效率，同時，上述水處理器，結(jié)構(gòu)簡單，成本較低。
[0018]在本實施中，外磁體122包括多個外磁鋼片1222與多個外極片1224，外極片1224設(shè)置于相鄰?fù)獯配撈?222之間。內(nèi)磁體132包括多個內(nèi)磁鋼片1322與多個內(nèi)極片1324，內(nèi)極片1324設(shè)置于相鄰內(nèi)磁鋼片1322之間。通過調(diào)整外極片1224與內(nèi)極片1234的厚度，可以調(diào)整外磁鋼片1222與內(nèi)磁鋼片1322的密度，從而調(diào)整第一流道內(nèi)的磁場強度。
[0019]在本實施例中，水處理器還包括中心管140、第一限流環(huán)150、第二限流環(huán)160與限流板170。中心管140設(shè)置于內(nèi)管130中并與內(nèi)管130之間形成第二流道。第一限流環(huán)150設(shè)置于外管120的端部，第一限流環(huán)150的內(nèi)徑小于外管120的內(nèi)徑。第二限流環(huán)160設(shè)置于內(nèi)管130的端部，第二限流環(huán)160的外徑大于內(nèi)管130的外徑，第二限流環(huán)160的內(nèi)徑小于內(nèi)管130的內(nèi)徑。限流板170設(shè)置于中心管140的端部，限流板170的外徑大于中心管140的外徑。調(diào)整第一限流環(huán)150、第二限流環(huán)160與限流板170的尺寸，可以實現(xiàn)對第一流道與第二流道流量的調(diào)整。在本實施例中，水處理器還包括法蘭180，法蘭180設(shè)置與殼體110的端部，用于將水處理器安裝連接于水流的管道中。
[0020]以上所述實施例僅表達了本實用新型的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本實用新型專利范圍的限制。應(yīng)當指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本實用新型的保護范圍。因此，本實用新型專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準。
【權(quán)利要求】
1.一種水處理器，其特征在于，包括殼體、外管與內(nèi)管，所述外管與所述內(nèi)管的端部與所述殼體連接，所述外管套設(shè)于所述內(nèi)管的外圍，所述內(nèi)管的外管壁與所述外管的內(nèi)管壁之間形成第一流道，所述殼體套設(shè)于所述外管壁上，所述外管包括外磁體與外鋼管，所述外磁體套設(shè)于所述外鋼管上，所述內(nèi)管包括內(nèi)磁體、第一內(nèi)鋼管與第二內(nèi)鋼管，所述內(nèi)磁體設(shè)置于所述第一內(nèi)鋼管與所述第二內(nèi)鋼管之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水處理器，其特征在于，所述外磁體包括多個外磁鋼片與多個外極片，所述外極片設(shè)置于相鄰?fù)獯配撈g。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水處理器，其特征在于，所述內(nèi)磁體包括多個內(nèi)磁鋼片與多個內(nèi)極片，所述內(nèi)極片設(shè)置于相鄰內(nèi)磁鋼片之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水處理器，其特征在于，還包括中心管、第一限流環(huán)、第二限流環(huán)與限流板，所述中心管設(shè)置于所述內(nèi)管中并與所述內(nèi)管之間形成第二流道，所述第一限流環(huán)設(shè)置于所述外管的端部，所述第一限流環(huán)的內(nèi)徑小于所述外管的內(nèi)徑，所述第二限流環(huán)設(shè)置于所述內(nèi)管的端部，所述第二限流環(huán)的外徑大于所述內(nèi)管的外徑，所述第二限流環(huán)的內(nèi)徑小于所述內(nèi)管的內(nèi)徑，所述限流板設(shè)置于所述中心管的端部，所述限流板的外徑大于所述中心管的外徑。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水處理器，其特征在于，還包括法蘭，所述法蘭設(shè)置與所述殼體的端部。
【文檔編號】C02F5/00GK203428985SQ201320434770
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2013年7月19日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月19日
【發(fā)明者】朱明輝 申請人:上海競騰科技有限公司