一種帶涂層的ptc熱敏電阻陶瓷燒結(jié)匣缽的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于電子陶瓷材料制造技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種帶涂層的PTC熱敏電阻陶瓷燒結(jié)匣缽。
【背景技術(shù)】
[0002]PTC熱敏電阻陶瓷作為加熱用元器件已經(jīng)被越來越廣泛的利用，特別是空調(diào)行業(yè)，現(xiàn)年用量可達(dá)10億片以上，且每年以20%以上的增長率持續(xù)增長。但是空調(diào)行業(yè)使用的均為居里溫度達(dá)240°C以上的高溫PTC加熱片，該加熱片含鉛量高，高溫?zé)Y(jié)過程中產(chǎn)生大量含鉛熔融物，極易與燒結(jié)匣缽產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)?，F(xiàn)階段行業(yè)大多采用剛玉、莫來石混合燒結(jié)匣缽和99瓷氧化鋁匣缽。剛玉、莫來石混合匣缽極易與含鉛熔融物發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，使PTC陶瓷體內(nèi)的成分流失或變動(dòng)，在PTC片邊緣形成變性帶，對PTC陶瓷的α系數(shù)、耐電壓等各項(xiàng)性能產(chǎn)生嚴(yán)重影響，甚至導(dǎo)致PTC材料無法半導(dǎo)化。99瓷氧化鋁匣缽不會(huì)與PTC陶瓷含鉛熔融物發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，但該匣缽應(yīng)力大，在溫度急劇變化是極易破裂，在隧道窯內(nèi)破裂容易發(fā)生堵窯。且成本高為剛玉、莫來石混合匣缽的3倍以上。本發(fā)明人曾提出一種PTC熱敏電阻陶瓷燒結(jié)匣缽，通過減少燒結(jié)匣缽與PTC片的接觸面積，達(dá)到減輕反應(yīng)程度，符合高溫PTC燒結(jié)要求的目的。但卻無法徹底解決剛玉、莫來石混合匣缽與PTC片接觸發(fā)生化學(xué)反應(yīng)從而影響PTC熱敏電阻陶瓷片質(zhì)量的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提出了一種帶涂層的PTC熱敏電阻陶瓷燒結(jié)匣缽，徹底解決剛玉、莫來石混合匣缽與PTC片接觸發(fā)生化學(xué)反應(yīng)從而影響PTC熱敏電阻陶瓷片質(zhì)量的問題。
[0004]本實(shí)用新型解決技術(shù)問題所采取的技術(shù)方案是，一種帶涂層的PTC熱敏電阻陶瓷燒結(jié)匣缽，所述匣缽由底部和側(cè)壁組成，所述匣缽底部下側(cè)設(shè)有底腳，所述匣缽側(cè)壁上部均設(shè)有凹口，所述匣缽側(cè)壁的內(nèi)壁上均設(shè)有凸筋，所述匣缽的內(nèi)壁上即內(nèi)表面設(shè)有涂層。
[0005]在本實(shí)用新型中，涂層設(shè)置于燒結(jié)匣缽的內(nèi)壁上，包括匣缽側(cè)壁的內(nèi)壁和匣缽底部的上側(cè)，即涂層設(shè)置在燒結(jié)匣缽的內(nèi)表面。
[0006]所述涂層的配方以質(zhì)量百分計(jì)為:Pb3O430%、BaCO3 24%、T12 28%、ZrO 14%、CaCO32.3%、S12 1.7%。
[0007]所述涂層是通過燒滲工藝設(shè)置到燒結(jié)匣缽的內(nèi)壁上的。
[0008]具體的工藝如下:先按配方比例稱取Pb304、BaC03、T12、ZrO和CaCO3配制成基料，添加與基料總量為1:1質(zhì)量比的去離子水，放入球磨桶球磨40小時(shí)，料球比為1:2，制備成漿料。將漿料烘干后放入匣缽進(jìn)入隧道窯合成，升溫速率為200°C /小時(shí)，升溫至1000°C后保溫8小時(shí)，降溫速率為150°C /小時(shí)。待基料降溫至常溫后進(jìn)行二次配料。二次配料時(shí)按比例加入基料和S12，再加入與基料總量為1:0.7質(zhì)量比的去離子水，放入球磨桶球磨22小時(shí)，料球比為1:2。當(dāng)球磨到20小時(shí)時(shí)暫停，加入8% (w/w)濃度為10% (w/w)的PVA溶液后再球磨2小時(shí)，制備成涂料。然后將涂料用油漆刷均勻地涂抹在新的燒結(jié)匣缽內(nèi)壁，放入隧道窯進(jìn)行燒滲，升溫速率為250°C /小時(shí)，升溫至1250°C后保溫I小時(shí)，降溫速率為2500C /小時(shí)；降溫至常溫后取出燒結(jié)匣缽再涂刷一次該涂料，燒滲工藝同前。進(jìn)行兩次燒滲后該燒結(jié)匣缽內(nèi)表面形成含鉛和鋯的氧化層，可以阻止PTC片與剛玉莫來石混合匣缽發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。
[0009]本實(shí)用新型通過在匣缽內(nèi)壁上設(shè)置涂層，裝載PTC熱敏電阻陶瓷片時(shí)，涂層隔斷了 PTC熱敏電阻陶瓷片與剛玉莫來石混合匣缽的接觸，從而阻止了 PTC熱敏電阻陶瓷片與剛玉莫來石混合匣缽的化學(xué)反應(yīng)，進(jìn)而確保PTC熱敏電阻陶瓷片的質(zhì)量。
【附圖說明】
[0010]圖1本實(shí)用新型一種【具體實(shí)施方式】結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖2為圖1所示本實(shí)用新型一種【具體實(shí)施方式】的俯視圖。
[0012]下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型做進(jìn)一步說明。
【具體實(shí)施方式】
[0013]實(shí)施例1:
[0014]如圖1和圖2所示，一種PTC熱敏電阻陶瓷燒結(jié)匣缽，匣缽由底部和側(cè)壁組成，匣缽底部下側(cè)設(shè)有底腳A2和底腳B3，匣缽側(cè)壁包括兩側(cè)側(cè)壁和兩端側(cè)壁，兩側(cè)側(cè)壁上部均設(shè)有凹口 A4，兩端側(cè)壁上部均設(shè)有凹口 B5，兩側(cè)側(cè)壁和兩端側(cè)壁的內(nèi)壁上均設(shè)有豎向排列的凸筋1，特別是在匣缽的內(nèi)表面，即匣缽側(cè)壁的內(nèi)壁和匣缽底部的上側(cè)均設(shè)置了涂層。涂層隔斷了 PTC熱敏電阻陶瓷片與剛玉莫來石混合匣缽的直接接觸，從而阻止了 PTC熱敏電阻陶瓷片與剛玉莫來石混合匣缽的化學(xué)反應(yīng)，進(jìn)而確保PTC熱敏電阻陶瓷片的質(zhì)量。
[0015]本文中所描述的具體實(shí)施例僅僅是對本實(shí)用新型精神作舉例說明。本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對所描述的具體實(shí)施例做各種各樣的修改或補(bǔ)充或采用類似的方式替代，但并不會(huì)偏離本實(shí)用新型的精神或者超越所附權(quán)利要求書所定義的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種帶涂層的PTC熱敏電阻陶瓷燒結(jié)匣缽，所述匣缽由底部和側(cè)壁組成，所述匣缽底部下側(cè)設(shè)有底腳，所述匣缽側(cè)壁上部均設(shè)有凹口，所述匣缽側(cè)壁的內(nèi)壁上均設(shè)有凸筋，其特征在于，所述匣缽的內(nèi)壁上即內(nèi)表面設(shè)有涂層。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種帶涂層的PTC熱敏電阻陶瓷燒結(jié)匣缽。匣缽由底部和側(cè)壁組成，匣缽底部下側(cè)設(shè)有底腳，匣缽側(cè)壁上部均設(shè)有凹口，匣缽側(cè)壁的內(nèi)壁上均設(shè)有凸筋，匣缽的內(nèi)壁上即內(nèi)表面設(shè)有涂層。本實(shí)用新型通過在匣缽內(nèi)壁上設(shè)置涂層，裝載PTC熱敏電阻陶瓷片時(shí)，涂層隔斷了PTC熱敏電阻陶瓷片與剛玉莫來石混合匣缽的接觸，從而阻止了PTC熱敏電阻陶瓷片與剛玉莫來石混合匣缽的化學(xué)反應(yīng)，進(jìn)而確保PTC熱敏電阻陶瓷片的質(zhì)量。
【IPC分類】F27D5/00
【公開號(hào)】CN204902598
【申請?zhí)枴緾N201520491451
【發(fā)明人】林孝杰
【申請人】海寧永力電子陶瓷有限公司
【公開日】2015年12月23日
【申請日】2015年7月9日