本技術(shù)涉及硅片燒制爐管，具體涉及一種n型硅片燒制爐管。

背景技術(shù)：

1、n型硅片是指在硅片材料中摻雜了一定量的雜原子,如磷、砷等,使其成為摻雜濃度較高的負(fù)型半導(dǎo)體。

2、n型硅片在成型前需要將其放在方舟上，然后輸送至爐管內(nèi)加入氧氣進(jìn)行氧化成型，目前的氧氣輸送至爐管內(nèi)時是直接從爐管管口進(jìn)入的，也就是氧氣先與靠近爐管管口的n型硅片接觸，然后在與遠(yuǎn)離爐管管口的n型硅片接觸，這就初始使用過程中就會導(dǎo)致n型硅片上的氧化不均，需要將n型硅片放置在爐管內(nèi)經(jīng)過長時間的氧化，并且在接觸過程中不能使得氧氣均勻的噴射在n型硅片表面，進(jìn)而增加其成型效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺點(diǎn)，而提出的一種n型硅片燒制爐管。

2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用了如下技術(shù)方案：

3、一種n型硅片燒制爐管，包括：

4、爐管本體，所述爐管本體側(cè)壁通過轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動連接有蓋門，所述蓋門側(cè)壁通過多個螺栓與爐管本體側(cè)壁連接；

5、進(jìn)氣機(jī)構(gòu)，所述進(jìn)氣機(jī)構(gòu)包括開設(shè)在爐管本體靠近蓋門側(cè)壁的環(huán)形槽，所述環(huán)形槽內(nèi)壁開設(shè)有與爐管本體內(nèi)壁連通的多個進(jìn)氣孔，所述蓋門側(cè)壁固定連接有圓環(huán)，所述蓋門側(cè)壁固定連接有進(jìn)氣管，所述進(jìn)氣管內(nèi)壁通過多個連接管與圓環(huán)遠(yuǎn)離蓋門的側(cè)壁連通。

6、優(yōu)選地，所述爐管本體內(nèi)壁固定連接有兩個承載板，兩個所述承載板上設(shè)有放置n型硅片的方舟。

7、優(yōu)選地，所述爐管本體頂部和底部均固定連接有兩個連接板，兩個所述連接板遠(yuǎn)離爐管本體的側(cè)壁共同固定連接有熱電偶。

8、優(yōu)選地，所述蓋門側(cè)壁固定連接有排氣管，所述進(jìn)氣管內(nèi)壁和排氣管內(nèi)壁均安裝有手動調(diào)節(jié)閥。

9、本實(shí)用新型具有以下有益效果：

10、通過設(shè)置進(jìn)氣機(jī)構(gòu)，氧氣會通過多個進(jìn)氣孔流出，從而對n型硅片上進(jìn)行均布的噴射氧氣，從而對n型硅片進(jìn)行均布的成型，提高生產(chǎn)效率，避免現(xiàn)有技術(shù)中由于氧氣分布不均需要將n型硅片放置在爐管內(nèi)經(jīng)過長時間的氧化，增加其成型效率。

技術(shù)特征：

1.一種n型硅片燒制爐管，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種n型硅片燒制爐管，其特征在于，所述爐管本體(1)內(nèi)壁固定連接有兩個承載板(10)，兩個所述承載板(10)上設(shè)有放置n型硅片的方舟。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種n型硅片燒制爐管，其特征在于，所述爐管本體(1)頂部和底部均固定連接有兩個連接板(11)，兩個所述連接板(11)遠(yuǎn)離爐管本體(1)的側(cè)壁共同固定連接有熱電偶(12)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種n型硅片燒制爐管，其特征在于，所述蓋門(2)側(cè)壁固定連接有排氣管(5)，所述進(jìn)氣管(4)內(nèi)壁和排氣管(5)內(nèi)壁均安裝有手動調(diào)節(jié)閥。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及硅片燒制爐管技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種N型硅片燒制爐管，包括：爐管本體，所述爐管本體側(cè)壁通過轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動連接有蓋門，所述蓋門側(cè)壁通過多個螺栓與爐管本體側(cè)壁連接；進(jìn)氣機(jī)構(gòu)，所述進(jìn)氣機(jī)構(gòu)包括開設(shè)在爐管本體靠近蓋門側(cè)壁的環(huán)形槽，所述環(huán)形槽內(nèi)壁開設(shè)有與爐管本體內(nèi)壁連通的多個進(jìn)氣孔，所述蓋門側(cè)壁固定連接有圓環(huán)，所述蓋門側(cè)壁固定連接有進(jìn)氣管。本技術(shù)通過設(shè)置進(jìn)氣機(jī)構(gòu)，氧氣會通過多個進(jìn)氣孔流出，從而對N型硅片上進(jìn)行均布的噴射氧氣，從而對N型硅片進(jìn)行均布的成型，提高生產(chǎn)效率，避免現(xiàn)有技術(shù)中由于氧氣分布不均需要將N型硅片放置在爐管內(nèi)經(jīng)過長時間的氧化，增加其成型效率。

技術(shù)研發(fā)人員：高昂,周鵬程,潘波
受保護(hù)的技術(shù)使用者：安徽仕凈光能科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240507
技術(shù)公布日：2024/12/30