專利名稱：一種低待機(jī)功耗保護(hù)的電磁爐的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種電磁爐，特別涉及一種具有低待機(jī)功耗保護(hù)功能的電磁爐電路。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)的電磁爐在使用中，經(jīng)常由于沒有關(guān)閉電源而處于待機(jī)狀態(tài)，使得電磁 爐雖然已經(jīng)不工作了，但仍然會造成電能的浪費。為了響應(yīng)國際能源署(IEA)向全球電器 生產(chǎn)商發(fā)出的節(jié)能倡議目標(biāo)是2010，全球所有耗能電器產(chǎn)品的耗能全都降至IW以下。現(xiàn) 有的電磁爐產(chǎn)品中，在待機(jī)狀態(tài)下耗能較多的是IGBT驅(qū)動電路、比較器、風(fēng)扇驅(qū)動等電路 的耗電，使得電磁爐的能耗不能達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型要解決的技術(shù)問題在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題而提供一種 結(jié)構(gòu)簡單、且可有效實現(xiàn)低待機(jī)功耗保護(hù)的電磁爐。為了解決上述技術(shù)問題，本實用新型采用的技術(shù)方案為一種低待機(jī)功耗保護(hù)的 電磁爐，包括與主電源連接的主電路、IGBT驅(qū)動電路、給IGBT驅(qū)動電路供電的副電源電路、 及控制IGBT驅(qū)動電路的微處理器；所述副電源與IGBT驅(qū)動電路間設(shè)有斷開副電源電路供 電的開關(guān)電路，前述開關(guān)電路連接于微處理器且由微處理器控制其導(dǎo)通與斷開。本實用新型開關(guān)電路設(shè)置于IGBT驅(qū)動電路與副電源間，此開關(guān)電路由微處理器 控制，在待機(jī)狀態(tài)時關(guān)斷IGBT驅(qū)動電路的供電電源，使得IGBT驅(qū)動電路不會有能耗損失， 亦會達(dá)到節(jié)能的目的。經(jīng)檢測，在上述方案中，待機(jī)能耗降至0. 7W-0. 78W，使得不僅滿足 國際能源署的IW的倡議，并且在IW的基礎(chǔ)上又有了前述改進(jìn)。

圖1為本實用新型實施方式一的低待機(jī)功耗保護(hù)的電路原理圖。圖2為本實用新型實施方式二的低待機(jī)功耗保護(hù)的電路原理圖。主要元件標(biāo)號
主電路1IGBT21IGBT驅(qū)動電路22比較器4開關(guān)電路3驅(qū)動信號5同步信號6微處理器7副電源8。
具體實施方式

以下結(jié)合附圖和實施例進(jìn)一步說明本實用新型的技術(shù)方案。如圖1-2所示，為本實用新型電磁爐的低待機(jī)功耗保護(hù)的電路原理圖，包括與主 電源連接的主電路1、與主電路1連接的主電路連接的IGBT 21以及IGBT驅(qū)動電路22、與 IGBT驅(qū)動電路22連接的比較器4、給IGBT驅(qū)動電路22及比較器4供電的副電源8電路、及控制IGBT驅(qū)動電路22的微處理器7。比較器4將驅(qū)動信號5及同步信號6進(jìn)行比較后提供驅(qū)動觸發(fā)信號至IGBT驅(qū)動 電路22 ；在其他實施例中，比較器4集成至微處理器中7。副電源8與IGBT驅(qū)動電路22間設(shè)有斷開副電源8電路供電的開關(guān)電路3，開關(guān)電 路3連接于微處理器7且由微處理器7控制其導(dǎo)通與關(guān)斷。開關(guān)電路3中的開關(guān)可以是繼 電器，或是可控硅，或是三極管。如圖1所示為本創(chuàng)作的實施方式一，其中開關(guān)電路3設(shè)置于IGBT驅(qū)動電路22與 副電源8間，此開關(guān)電路3由微處理器7控制，在待機(jī)狀態(tài)時關(guān)斷IGBT驅(qū)動電路22的供電 電源，使得IGBT驅(qū)動電路22不會有能耗損失，亦會達(dá)到節(jié)能的目的。經(jīng)檢測，在上述方案 中，待機(jī)能耗降至0. 7W—0. 78W，使得不僅滿足國際能源署的IW的倡議，并且在IW的基礎(chǔ) 上又有了前述改進(jìn)。如圖2所示為本創(chuàng)作的實施方式二，其中開關(guān)電路3同時設(shè)置于IGBT驅(qū)動電路22 與副電源8間、和IGBT2與IGBT驅(qū)動電路22間，前述兩個開關(guān)電路3都由微處理器7控制。 設(shè)置于IGBT2與IGBT驅(qū)動電路22間的開關(guān)電路在起到切斷IGBT驅(qū)動信號的目的，有效保 護(hù)上電、斷電瞬間以及IGBT 2待機(jī)狀態(tài)時的系統(tǒng)安全，防止浪涌電流對IGBT的破壞。根據(jù)本實用新型的原理，對方案中開關(guān)電路3的結(jié)構(gòu)或安裝位置做的等同的變化 均應(yīng)落在本實用新型的權(quán)利要求所要求的范圍。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，以上的實施例僅是用來說明 本實用新型，而并非用作為對本實用新型的限定，只要在本實用新型的實質(zhì)精神范圍內(nèi)，對 以上所述實施例的變化、變型都將落在本使用新型的權(quán)利要求書范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1. 一種低待機(jī)功耗保護(hù)的電磁爐，包括與主電源連接的主電路、IGBT驅(qū)動電路、給 IGBT驅(qū)動電路供電的副電源電路、及控制IGBT驅(qū)動電路的微處理器，其特征在于所述副 電源與IGBT驅(qū)動電路間設(shè)有斷開副電源電路供電的開關(guān)電路，前述開關(guān)電路連接于微處 理器且由微處理器控制其導(dǎo)通與斷開。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低待機(jī)功耗保護(hù)的電磁爐，其特征在于所述開關(guān)電路 中的開關(guān)可以是繼電器，或是可控硅，或是三極管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低待機(jī)功耗保護(hù)的電磁爐，其特征在于所述低待機(jī)功 耗保護(hù)的電磁爐包括集成于微處理器的比較器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低待機(jī)功耗保護(hù)的電磁爐，其特征在于所述低待機(jī)功 耗保護(hù)的電磁爐包括比較器，前述比較器與副電源連接且由副電源供電。
專利摘要本實用新型為一種低待機(jī)功耗保護(hù)的電磁爐，包括與主電源連接的主電路、IGBT驅(qū)動電路、給IGBT驅(qū)動電路供電的副電源電路、及控制IGBT驅(qū)動電路的微處理器，所述副電源與IGBT驅(qū)動電路間設(shè)有斷開副電源電路供電的開關(guān)電路，前述開關(guān)電路連接于微處理器且由微處理器控制其導(dǎo)通與斷開，前述開關(guān)電路在待機(jī)狀態(tài)時關(guān)斷IGBT驅(qū)動電路的供電電源，使得IGBT驅(qū)動電路不會有能耗損失，亦會達(dá)到節(jié)能的目的。
文檔編號F24C7/00GK201787625SQ20102025903
公開日2011年4月6日 申請日期2010年7月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月15日
發(fā)明者喬中義, 朱澤春, 雷雄峰 申請人:九陽股份有限公司