專利名稱：干燥物體的方法及其設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例可以涉及一種干燥物體的方法及執(zhí)行該方法的設(shè)備。
背景技術(shù)：
通常，在半導(dǎo)體襯底上形成集成電路的各種制造工序過程中，污 染物如顆?？赡苷掣降郊呻娐贰Ｔ撐廴疚锟赡軗p壞集成電路的電性 能。因此，在各個(gè)制造工序之間必須執(zhí)行清洗工序，以除去集成電路 上的雜質(zhì)。清洗工序可以包括化學(xué)液處理工序、洗滌和/或干燥工序?；瘜W(xué)液 處理工序通過用化學(xué)液處理半導(dǎo)體襯底可以除去雜質(zhì)。洗滌工序可以 用去離子水沖洗經(jīng)過化學(xué)處理的半導(dǎo)體襯底。干燥工序可以干燥在半 導(dǎo)體襯底上殘留的去離子水。在常規(guī)干燥方法中可以使用旋轉(zhuǎn)式干燥器。但是，當(dāng)使用該常規(guī) 旋轉(zhuǎn)干燥方法時(shí)，不能完全除去半導(dǎo)體襯底上的去離子水液滴。此外， 由旋轉(zhuǎn)干燥工序過程中，半導(dǎo)體襯底的快速旋轉(zhuǎn)所產(chǎn)生的渦流可能污 染該半導(dǎo)體襯底。為了解決上述問題，可以采用一種使用異丙醇(IPA)來干燥半導(dǎo) 體襯底的方法。該方法利用，例如，馬蘭各尼效應(yīng)(Marangoni Effect)， 并借助IPA蒸氣的低表面張力。根據(jù)該采用馬蘭各尼效應(yīng)的干燥方法，氮?dú)夂虸PA被第一次加熱， 直至氮?dú)夂虸PA被蒸發(fā)，以形成氣體混合物。該氣體混合物可以通過金 屬過濾器，該金屬過濾器可以除去氣體混合物中的雜質(zhì)。該過濾后的 氣體混合物被加熱，以防止該氣體混合物凝結(jié)。該加熱的氣體混合物 可以被施加在半導(dǎo)體襯底上以干燥半導(dǎo)體襯底。通常，在半導(dǎo)體襯底上的集成電路中可以形成電容器。為了增加 電容器的電容量，可以在半導(dǎo)體襯底的小區(qū)域中形成多個(gè)電容器具有約18，000A至約20,000A的高度。當(dāng)電容器較高時(shí)， 一個(gè)或多個(gè)電容器可 能傾斜并接觸相鄰的電容器，這樣可能引起集成電路故障。防止電容器傾斜的方法可以包括通過干燥工序完全除去電容器之 間的濕氣。常規(guī)方法中，在IPA蒸氣通過金屬過濾器之后，IPA蒸氣可 以被加熱。但是，在IPA蒸氣中可能留下雜質(zhì)，由此IPA蒸氣和氮?dú)忾g 的粘合力可能被減小。當(dāng)IPA蒸氣被提供給干燥室時(shí)，該IPA蒸氣可能 部分地凝結(jié)；由此減小施加到電容器的IPA蒸氣量。結(jié)果，電容器之間 的濕氣不可能被完全除去，并及引起電容器傾斜。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的例子實(shí)施例可以提供一種方法，該方法能提供足量的IPA蒸氣干燥物體。本發(fā)明的例子實(shí)施例還可以提供一種用于執(zhí)行上述方法的設(shè)備。在一個(gè)例子實(shí)施例中，干燥物體的方法包括第一次加熱第一流 體和第二流體，以形成氣體混合物，第二次加熱該第一次加熱的氣體 混合物，過濾第二次加熱的氣體混合物，以從第二次加熱的氣體混合 物過濾雜質(zhì)，以及將該過濾后的氣體混合物施加到物體，以干燥該物體。在另一個(gè)例子實(shí)施例中， 一種干燥具有在其上形成的電容器的半 導(dǎo)體襯底的方法可以包括，預(yù)加熱氮?dú)?，以及第一次加熱該被預(yù)加熱 的氮?dú)夂彤惐?IPA)，以形成氣體混合物。該方法還包括，第二次 加熱第一次加熱的氣體混合物，過濾第二次加熱的氣體混合物，以從 第二次加熱的氣體混合物過濾雜質(zhì)，應(yīng)用該過濾后的氣體混合物，以 干燥具有電容器的半導(dǎo)體襯底，并且僅應(yīng)用該氮?dú)?，以除去殘留在?有電容器的半導(dǎo)體襯底上的氣體混合物。在一個(gè)例子實(shí)施例中， 一種用于干燥物體的設(shè)備可以包括，至少 一個(gè)第一加熱器、第二加熱器以及過濾器，該第一加熱器被配置為第 一次加熱第一干燥流體和第二干燥流體，以形成氣體混合物，該第二 加熱器與第一加熱器連接，并且被配置為用來第二次加熱第一次加熱 的氣體混合物，以防止該氣體混合物凝結(jié)，該過濾器用來過濾第二次 加熱的氣體混合物中的雜質(zhì)，并被布置在第二加熱器和其中裝載物體 的干燥室之間。


通過結(jié)合附圖，參考下面的詳細(xì)說明，例子實(shí)施例可以變得更為 明顯，其中圖l圖示了根據(jù)本發(fā)明的例子實(shí)施例，用于干燥半導(dǎo)體襯底的設(shè)備 的方框圖；圖2圖示了圖1所示設(shè)備的第二加熱器的放大剖面圖； 圖3圖示了使用圖1所示的設(shè)備來干燥半導(dǎo)體襯底的方法的流程圖；圖4示出了根據(jù)比較例的干燥的電容器的掃描電子顯微鏡(SEM)圖片；圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的例子的干燥的電容器的掃描電子顯微鏡 (SEM)圖片；
圖6圖示了根據(jù)比較例和例子的每個(gè)干燥工序中的溫度曲線圖；以及圖7圖示了根據(jù)比較例和例子提供給半導(dǎo)體襯底的IPA數(shù)量的曲線圖。
具體實(shí)施方式
下面可以參考附圖更完全地描述本發(fā)明的例子實(shí)施例。但是，這 些例子實(shí)施例可以以許多不同的方式體現(xiàn)，不應(yīng)該被認(rèn)為是限于在此 闡述的實(shí)施例。相反，提供這些例子實(shí)施例是為了本公開是徹底的， 并將該例子實(shí)施例的范圍傳遞給所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員。在圖中，為了 清楚，可以放大層和區(qū)域的尺寸和相關(guān)尺寸。應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)一個(gè)元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)?上"，或與 另一元件或?qū)?連接"或"耦合"時(shí)，它可以直接在另一元件或?qū)由希?或耦合到或連接到另一元件或?qū)?，或可以存在插入元件或?qū)印Ｏ喾矗?當(dāng)一個(gè)元件被稱為"直接在另一元件或?qū)由?、"直接連接到"或"直 接耦合到"另一元件或?qū)訒r(shí)，不存在插入元件或?qū)?。相同的?biāo)記始終 指相同的元件。在此使用的術(shù)語(yǔ)"和/或"包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)列項(xiàng)的 任意和所有組合。應(yīng)當(dāng)理解，盡管在此可以使用術(shù)語(yǔ)第一、第二等來描述各個(gè)元件、 部件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分 不應(yīng)該受這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅僅是用來將一個(gè)元件、部件、區(qū) 域、層或部分與其它區(qū)域、層或部分相區(qū)分。因此，在不脫離本發(fā)明 的教導(dǎo)的條件下，下面論述的第一元件、部件、區(qū)域、層或部分可以 被稱為第二元件、部件、區(qū)域、層或部分。為了便于描述一個(gè)元件或特征與圖中所示的其它元件或特征的關(guān) 系，在此可以使用空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)如"在…底下"、"在…下面"、"下"、 "在...之上"、"上"等。應(yīng)當(dāng)理解，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)是用來包括除圖中
描繪的取向之外的使用或工作中器件的不同取向。例如，如果圖中的 器件被反轉(zhuǎn)，那么被描述為在其他元件或特征"下面"或"底下"的 元件于是將定向在其他元件或特征"之上"。因此，示例性術(shù)語(yǔ)"在... 下面"可以包括"在...上面"和"在...下面"的取向。該器件可以被另 外定向(旋轉(zhuǎn)90度或以其他取向)以及由此解釋在此使用空間相對(duì)描 述符。在此使用的專業(yè)詞匯僅用于描述例子實(shí)施例而不是限制該實(shí)施例。如在此使用的單數(shù)形式"a" ， "an"和"the"同樣也用來包括復(fù) 數(shù)形式，除非上下文另外清楚地表明。還應(yīng)該知道，在說明書中使用 術(shù)語(yǔ)"includes"和/或"including"來說明所陳述的特征、整體、步驟、 操作、元件、和/或部件的存在，但是不排除存在或增加一個(gè)或多個(gè)其 他特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組群。除非另外限定， 否則在此使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有與本發(fā)明所屬 技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的相同含義。還應(yīng)當(dāng)理解，諸如通 常使用的詞典中定義的那些術(shù)語(yǔ)應(yīng)該被解釋為具有與相關(guān)技術(shù)的環(huán)境 相符合的意思，而不是被理想化或過度地形式化，除非在此特別限定。干燥設(shè)備圖l圖示了根據(jù)本發(fā)明的例子實(shí)施例用于干燥半導(dǎo)體襯底的設(shè)備 的框圖，圖2圖示了圖1所示設(shè)備的第二加熱器的放大剖面圖。參考圖l,干燥設(shè)備100可以包括第一罐(tank) 110、第二罐120、 兩個(gè)第一加熱器131和132、第二加熱器140、過濾器150以及干燥室160。將被干燥的物體，例如半導(dǎo)體襯底，被裝入干燥室160中。在一個(gè) 例子實(shí)施例中，可以在諸如半導(dǎo)體襯底的物體上形成圓柱形電容器。 圓柱形電容器可以形成具有約18,000A至約20.000A的高度。此夕卜，具有 圓柱形電容器的半導(dǎo)體襯底在被裝入干燥室160之前，可以預(yù)先用去離 子水清洗。
在第一罐110中可以存儲(chǔ)第一干燥流體。第一干燥流體可以是氮?dú)?。第一?10可以通過各個(gè)管線連接到第一加熱器131和132。此外， 預(yù)加熱器180可以被布置在第一罐110以及第一加熱器131和132之間。 預(yù)加熱器180可以預(yù)加熱氮?dú)庵料Ｍ臏囟?，以減小第一加熱器131和 132加熱氮?dú)庵亮硪幌Ｍ麥囟鹊臅r(shí)間。第一加熱器131和132可以是遠(yuǎn)紅 外加熱器。被在第二罐120中可以存儲(chǔ)第二干燥流體。第二干燥流體可以是異 丙醇(isopropyl alcohol) (IPA)。第一預(yù)加熱器131和132可以被連接到第一罐110和第二罐120。因 此，在第一加熱器131和132中可以混合由第一罐110提供并被預(yù)加熱器 180預(yù)加熱的氮?dú)夂陀傻诙?20提供的IPA，以形成干燥流體混合物。 第一加熱器131和132可以第一次加熱該干燥流體混合物至IPA的蒸發(fā) 溫度或更高的溫度，以形成氣體混合物。由于IPA的蒸發(fā)溫度約82.4"C， 第一加熱器131和132可以第一次加熱該干燥流體混合物至不少于約 82.4"C的溫度。在例子實(shí)施例中，盡管第一加熱器的數(shù)量是兩個(gè)，但是 一般技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，更多的加熱器可以被提供和使用。第二加熱器140可以被連接到第一加熱器131和132。第二加熱器 140可以第二次加熱該氣體混合物，以防止該氣體混合物例如IPA蒸氣 在其朝干燥室160的方向流動(dòng)時(shí)凝結(jié)。當(dāng)氣體混合物的溫度降到約82.4 "C以下時(shí)，IPA蒸氣會(huì)凝結(jié)。在例子實(shí)施例中，第二加熱器140可以被 布置在第一加熱器131和132以及過濾器150之間。因此，在氣體混合物 穿過過濾器150之前，第二加熱器140可以加熱該氣體混合物，以致在 氣體混合物被施加到干燥室160之前，過濾器150除去氣體混合物中的 雜質(zhì)。因此，該氣體混合物能保持強(qiáng)的粘合力，以及在半導(dǎo)體襯底上 可以應(yīng)用足量的氣體混合物，例如IPA蒸氣，以有效干燥物體，例如半 導(dǎo)體襯底。 圖2詳述第二加熱器140的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。參考圖2，第二加熱器140可 以是遠(yuǎn)紅外加熱器，可以包括加熱器本體141、入口142、出口143、線 圈纏繞的(coiled)通路145以及鹵素?zé)?44。在此，可以基于根據(jù)氣體 混合物中使用的分子材料(例如IPA)，選擇從鹵素?zé)羯涑龅倪h(yuǎn)紅外線 波長(zhǎng)，以便在氣體混合物例如IPA的分子材料中，可以更容易地吸收遠(yuǎn) 紅外線的輻射能。因此，該氣體混合物可以在短時(shí)內(nèi)被加熱至所希望 的溫度。入口142可以被連接在加熱器本體141以及第一加熱器131和132之 間。因此，第一加熱的氣體混合物可以通過入口142流入第二加熱器 140。出口143可以被連接在加熱器本體141和過濾器150之間。因此， 被第二加熱器140加熱的氣體混合物可以通過出口 143流入過濾器150。線圈纏繞的通路145可以被連接在入口142和出口143之間。因此， 該氣體混合物可以流過第二加熱器140中的線圈纏繞的通路145。該鹵素?zé)?44可以被布置在線圈纏繞的通路145中，以加熱線圈纏 繞的通路145中的氣體混合物。另外，在出口143中可以安裝用于測(cè)量該加熱氣體混合物的溫度的 第一溫度計(jì)146。熱電偶(thermocouple)可以被用作第一溫度計(jì)146。 被第二加熱器140加熱的氣體混合物溫度可以約為28(TC。過濾器150可以被布置在第二加熱器140和干燥室160之間。過濾器 150可以除去該加熱氣體混合物中的雜質(zhì)。例如，金屬過濾器可以被用 作過濾器150。該金屬過濾器可以用于第三次加熱該氣體混合物，并除 去第二次加熱的氣體混合物中的雜質(zhì)。在過濾器150的出口中可以安裝用于測(cè)量熱氣體混合物的溫度的
第二溫度計(jì)151。熱電偶可以被用作第二溫度計(jì)151。退出過濾器150的 熱氣體混合物的溫度可以約為21(TC。
穿過過濾器150的氣體混合物可以被引入干燥室160中。在約14(TC 至約18(TC溫度下,氣體混合物可以被提供給干燥室160約90秒。被引入 的氣體混合物可以被施加到干燥室160中的半導(dǎo)體襯底，以干燥該半導(dǎo) 體襯底。由于該氣體混合物可以被第二加熱器140加熱，所以當(dāng)氣體混 合物朝干燥室160的方向流動(dòng)時(shí)，可以減小該氣體混合物(IPA蒸氣) 的凝結(jié)。因此，足夠的IPA蒸氣可以被施加到半導(dǎo)體襯底，以致，例如 在半導(dǎo)體襯底上形成的電容器可以在短期內(nèi)被充分干燥。此外，氣體混合物可以干燥(除去)殘留在圓柱形電容器之間的任何去離子水， 以減小/防止圓柱形電容器的傾斜。
干燥方法
圖3圖示了使用圖1中的設(shè)備干燥半導(dǎo)體襯底的方法的流程圖。
參考圖1與圖3，步驟S210中，可以用去離子水清洗在其上形成有 不少于約18，000A高度的圓柱形電容器的半導(dǎo)體襯底。然后該半導(dǎo)體襯 底可以被裝入干燥室160中。
在步驟S220中，來自第一罐110的氮?dú)饪梢员惶峁┙o預(yù)加熱器180。 預(yù)加熱器180能夠預(yù)加熱該氮?dú)狻?br> 在步驟S230中，第二罐120中的異丙醇(IPA)可以被提供給第一 加熱器131和132。同時(shí)，被預(yù)加熱的氮?dú)饪梢员惶峁┙o第一加熱器131 和132。因此，氮?dú)馀cIPA可以在第一加熱器131和132中混合，以形成流體混合物。
在步驟S240中，第一加熱器131和132可以第一次加熱該干燥的流 體混合物，以形成氣體混合物。例如，第一加熱器131和132可以第一
次加熱該混合物至IPA的蒸發(fā)溫度，例如，約82.4'C，以形成氣體混合 物。在步驟S250中，該氣體混合物可以被提供給第二加熱器140。第二 加熱器140能夠加熱該氣體混合物，以減小該氣體混合物，例如IPA蒸 氣，在其朝干燥室160的方向流動(dòng)時(shí)的凝結(jié)。然后，第一溫度計(jì)146可 以測(cè)量流出第二加熱器140的氣體混合物的溫度。在步驟S260中，該熱氣體混合物可以穿過過濾器150，以從該氣體 混合物除去任意雜質(zhì)。同時(shí)，過濾器150可以加熱該氣體混合物。由于 過濾器150可以從該加熱的氣體混合物除去雜質(zhì)，該氣體混合物的凝 結(jié)，例如IPA蒸氣的凝結(jié)，可以被進(jìn)一步減小。因此，足量的IPA蒸氣 可以被應(yīng)用到半導(dǎo)體襯底。然后，第二溫度計(jì)151可以測(cè)量穿過過濾器 150的氣體混合物的溫度。在步驟S270中，該過濾的氣體混合物可以被提供到干燥室160中。 干燥室160中的氣體混合物可以被施加到半導(dǎo)體襯底，以干燥該半導(dǎo)體 襯底，包括例如，在其上形成的電容器。提供到干燥室160的氣體混合 物可以具有約14(TC至約180'C的溫度。此外，該氣體混合物可以被引 入干燥室160中約90秒。由于該氣體混合物可以被第二加熱器140加熱，然后穿過過濾器 150，因此氣體混合物中的雜質(zhì)可以被有效地減少/除去。這樣，足量的 IPA蒸氣可以用來有效地除去殘留在例如電容器之間的去離子水。所 以，可以減小由殘留的去離子水引起的電容器的傾斜。在步驟S280中，可以停止提供IPA蒸氣給第一加熱器131和132，以 及可以通過第一加熱器131和132、第二加熱器140和過濾器150僅向干 燥室160提供氮?dú)?，以除去半?dǎo)體襯底上的任意IPA殘留物。
在例子實(shí)施例中，包括電容器的半導(dǎo)體襯底被圖示為干燥物體。 備選地，該例子實(shí)施例的方法和設(shè)備可以被用來干燥其他物體，例如， 用于液晶顯示器(LCD)的襯底等。評(píng)估干燥容量 比較例子在半導(dǎo)體襯底上形成具有19，000A高度的電容器。使用去離子水清 洗該半導(dǎo)體襯底兩次。然后該半導(dǎo)體襯底被裝入干燥室中。預(yù)加熱氮?dú)狻５谝患訜崞鞯谝淮渭訜嵩擃A(yù)加熱的氮?dú)夂虸PA，以形 成氣體混合物。將該氣體混合物通過金屬過濾器，以除去其中的雜質(zhì)。 過濾之后，第二加熱器加熱該被過濾的氣體混合物。第二次加熱氣體 混合物被提供到干燥室中90秒。在15(TC溫度以2.0ml/s的流速，提供該 混合氣體中的IPA蒸氣到干燥室中。圖4圖示了根據(jù)該比較例子干燥的電容器的掃描電子顯微鏡 (SEM)圖片。如圖4所示，電容器朝著相鄰電容器的方向傾斜，以便 電容器互相粘貼。因此，當(dāng)根據(jù)比較例子干燥電容器時(shí)，可以注意到， 殘留在電容器之間的去離子水沒有被完全除去。根據(jù)該例子實(shí)施例的方法干燥電容器 例子在半導(dǎo)體襯底上形成具有19，000A高度的電容器。使用去離子水清 洗該半導(dǎo)體襯底兩次。然后將半導(dǎo)體襯底裝入干燥室中。預(yù)加熱氮?dú)狻５谝患訜崞骷訜嵩擃A(yù)加熱的氮?dú)夂虸PA，以形成氣體 混合物。第二加熱器加熱該氣體混合物。第二加熱的氣體混合物通過 過濾器，以除去其中的雜質(zhì)。該過濾的氣體混合物被提供到干燥室中 90秒。在20(TC溫度以4.0 ml/l的流速提供該氣體混合物中的IPA蒸氣到干燥室中。
圖5圖示了根據(jù)該例子干燥的電容器的掃描電子顯微鏡(SEM)圖片。如圖5所示，沒有電容器朝著任意其他相鄰電容器傾斜。因此，可以注意到，殘留在電容器之間的去離子水已經(jīng)完全被除去。結(jié)果，當(dāng) 根據(jù)該例子干燥電容器時(shí)，可以減小/防止電容器的傾斜。圖6圖示了根據(jù)比較例子和例子的每個(gè)干燥工序中的溫度曲線圖。 在圖6中，該溫度對(duì)應(yīng)于使用IPA的預(yù)清洗工序、主清洗工序干燥工序 和使用氮?dú)猓母稍锕ば蛑械牡谝患訜崞?、第二加熱器和干燥室的?度。此外，圖6中，左垂直軸表示IPA和氮?dú)獾臏囟龋掖怪陛S表示干 燥室的溫度，水平軸表示時(shí)間。此外，線條a表示比較例子中的第一加 熱器的溫度；線條b表示比較例子中的干燥室的溫度；線條c表示該例子 的設(shè)備中的第一加熱器的溫度；線條d表示該例子的設(shè)備中的干燥室溫 度；以及線條e表示該例子的設(shè)備中的第二加熱器溫度；如圖6所示，當(dāng)將線條a與線條c比較時(shí)，線條c高于線條a。因此， 根據(jù)該例子的設(shè)備的第一加熱器溫度高于比較例子中的設(shè)備的溫度。 此外，當(dāng)將線條b與線條d相比較時(shí)，線條d高于線條b。因此，根據(jù)該 例子的設(shè)備的干燥室溫度高于比較例子中的設(shè)備的溫度。此外，如線 條e所示，被第二加熱器加熱的IPA具有高溫。因此，該例子的設(shè)備可 以提供具有高于比較例子的設(shè)備所提供的溫度的IPA，這可以充分地提 供IPA到半導(dǎo)體襯底。結(jié)果，可以提高電容器之間的去離子水的去除。圖7圖示了根據(jù)比較例子和例子可以被施加到半導(dǎo)體襯底的IPA量 的曲線圖，IPA。圖7中，垂直軸表示IPA的數(shù)量(cc)，水平軸表示時(shí) 間(秒)。此外，線條g表示根據(jù)該比較例子提供的IPA數(shù)量，線條f表 示根據(jù)該例子的方法提供的IPA數(shù)量。如圖7所示，與經(jīng)過的時(shí)間成正比，線條f增長(zhǎng)大于線條g。因此， 使用該例子的方法，可以提供足量的IPA到半導(dǎo)體襯底。
根據(jù)本發(fā)明的例子實(shí)施例，在第一次加熱的氣體混合物被第二次 加熱之后，第二次加熱的氣體混合物通過過濾器。因此，可以降低朝 著干燥室流動(dòng)的氣體混合物的凝結(jié)。因此，足量的氣體混合物，例如IPA 蒸氣，可以被施加到半導(dǎo)體襯底，以減小/除去殘留在電容器之間的任 意去離子水。所以，可以減小電容器的傾斜。鑒于已描述的例子實(shí)施例，注意到，根據(jù)上述教導(dǎo)，所屬領(lǐng)域的 技術(shù)人員可以進(jìn)行改進(jìn)和改變。因此可以理解，在本發(fā)明的范圍內(nèi)公 開的特定實(shí)施例中可以進(jìn)行改變。
權(quán)利要求
1.一種干燥物體的方法，包括第一次加熱第一流體和第二流體，以形成氣體混合物；第二次加熱該第一次加熱的氣體混合物；過濾該第二次加熱的氣體混合物，以除去該第二次加熱的氣體混合物中的雜質(zhì)；以及將該過濾的氣體混合物施加到物體，以干燥該物體。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中該第一流體包括氮?dú)?，該?二流體包括異丙醇(IPA)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，還包括預(yù)加熱該第一流體。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中過濾該氣體混合物包括，第 三次加熱該氣體混合物。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中在施加該過濾的氣體混合物 之后，還包括僅僅施加該第一流體到該物體，以除去殘留在該物體上的氣體混 合物。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，還包括在第二次加熱該氣體混合物之后，測(cè)量該氣體混合物的溫度。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，還包括 在過濾該氣體混合物之后，測(cè)量該氣體混合物的溫度。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中該物體包括具有在其上形成 的多個(gè)電容器的半導(dǎo)體襯底。
9. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中該物體包括液晶顯示器襯底。
10. —種干燥具有在其上形成的電容器的半導(dǎo)體襯底的方法，包括預(yù)加熱氮?dú)?；第一次加熱該預(yù)加熱的氮?dú)夂彤惐?IPA)，以形成氣體混合物; 第二次加熱該加熱的氣體混合物；過濾該第二次加熱的氣體混合物，以除去該第二次加熱的氣體混 合物中的雜質(zhì)；將該過濾的氣體混合物施加到具有電容器的半導(dǎo)體襯底;以及 僅僅施加氮?dú)?，以除去殘留在具有電容器的半?dǎo)體襯底上的IPA。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中第一次加熱該氣體混合物 到至少大約82.4i:的溫度。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中第二次加熱該氣體混合物 到約21(TC的溫度。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中該過濾的氣體混合物在約 140和18(TC之間的溫度下，以約4.0 ml/s的流速被施加到具有電容器的 半導(dǎo)體襯底約90秒。
14. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中過濾該氣體混合物包括第 三次加熱該氣體混合物。
15. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括 在過濾該氣體混合物之后，測(cè)量該氣體混合物的溫度。
16. 根據(jù)權(quán)利要求io所述的方法，還包括 在第二次加熱該氣體混合物之后，測(cè)量該氣體混合物的溫度。
17. —種干燥物體的設(shè)備，包括配置為第一次加熱第一干燥流體和第二干燥流體，以形成氣體混 合物的至少一個(gè)第一加熱器；被連接到第一加熱器并配置為第二次加熱該氣體混合物的第二加熱器;以及配置為從該第二次加熱的氣體混合物中除去雜質(zhì)并被布置在第二 加熱器和用于包含物體的干燥室之間的過濾器。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的設(shè)備，其中該第一加熱器包括紅外線加熱器。
19. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的設(shè)備，其中該第二加熱器包括紅外線 加熱器。
20. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的設(shè)備，其中該過濾器包括金屬過濾器。
21. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的設(shè)備，還包括 被連接到第一加熱器并適合于保持第一干燥流體的第一罐;以及被連接到第一加熱器并適合于保持第二干燥流體的第二罐。
22. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的設(shè)備，還包括連接在第一罐和第一加熱器之間并配置為預(yù)加熱第一干燥流體的 預(yù)加熱器。
23. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，還包括 配置為測(cè)量第二次加熱的氣體混合物溫度的第一熱電偶；以及 配置為測(cè)量該過濾的氣體混合物的溫度的第二熱電偶。
全文摘要
在干燥物體的方法中，第一干燥流體和第二干燥流體可以被第一次加熱，以形成氣體混合物。第二次加熱該氣體混合物，以防止該混合氣體凝結(jié)。該第二次加熱氣體混合物可以被過濾，以除去第二次加熱氣體混合物中的雜質(zhì)。然后，該過濾的混合氣體被施加到物體，以干燥該物體。
文檔編號(hào)F26B21/00GK101105361SQ20071010345
公開日2008年1月16日 申請(qǐng)日期2007年5月18日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月14日
發(fā)明者樸大范, 柳省吉, 白承富, 金仁基, 金權(quán)瞥, 金舒玄 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社