專利名稱：旋轉(zhuǎn)清洗干式槽的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種旋轉(zhuǎn)清洗干式槽，特別涉及一種可改善洗凈效率與潔凈度的旋轉(zhuǎn)清洗干 式槽。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體工藝中，化學(xué)機(jī)械拋光(Chemical Mechanical Polishing , CMP)是一個(gè)必要的 步驟，而CMP后晶片清洗則是CMP工藝中不可分割的一部份。晶片洗凈的技術(shù)與潔凈度 (Cleanliness)是影響工藝成品率(Yield)及組件質(zhì)量重要的因素之一，在CMP工藝之后， 晶片必須立刻徹底地清洗，否則會(huì)在晶片表面上產(chǎn)生很多缺陷。CMP后晶片清洗的目的，在于清潔移除晶片表面的臟污與殘余的研磨漿粒子以及其它在 CMP工藝期間因研磨漿、襯墊以及調(diào)整工具所引起的化學(xué)污染物。而自旋干燥是在晶片旋轉(zhuǎn)清 洗干燥中最常釆用的技術(shù)，自旋所引起的離心力會(huì)驅(qū)趕洗滌水膜流向晶片邊緣及離開晶片。 因?yàn)榫行牡碾x心力比較低，所以并配合空氣過濾器所噴出極清潔的干燥空氣或是氮?dú)鈿?流都可以從晶片中心協(xié)助驅(qū)趕和蒸發(fā)干殘留的水分與微粒。但當(dāng)旋轉(zhuǎn)清洗干燥程序完成時(shí)，因?yàn)樯仙w的設(shè)計(jì)不良，晶片上仍然發(fā)生水痕污染(Water mark)。請參閱圖1，現(xiàn)有技術(shù)中一垂直晶片載具02承載固定住一晶片04，在垂直晶片載具 02的一側(cè)有一平行于其的上蓋06，當(dāng)垂直晶片載具02旋轉(zhuǎn)清洗干燥過程中，晶片04表面的 洗滌水10就因?yàn)殡x心力的關(guān)系，被拋甩至上蓋06邊緣部分的一朝向垂直晶片載具02方向傾 斜且靠近垂直晶片載具02方向彎折形成的一彎折部08,加上上蓋06為親水性材質(zhì)，常造成 彎折部08處累積水珠。因此，旋轉(zhuǎn)清洗干燥過程后，當(dāng)上蓋06開關(guān)時(shí)，附著于彎折部08上 的洗滌水10水珠就會(huì)被震落而沿著洗滌水的流向12滴至晶片04表面而形成水痕污染。因此，本發(fā)明針對上述的問題，提出一種旋轉(zhuǎn)清洗干式槽，以解決上述問題。 發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一目的在于，提供一種旋轉(zhuǎn)清洗干式槽，它可以避免洗搽水滴落至晶片上，以 改善因現(xiàn)有上蓋設(shè)計(jì)不良所造成的水痕污染。本發(fā)明的另一目的在于，提供一種旋轉(zhuǎn)清洗干式槽，它提供的彎折部內(nèi)側(cè)可設(shè)有一利用
毛細(xì)現(xiàn)象可將該洗錄水導(dǎo)離的材質(zhì)，可使水珠不容易附著于彎折部內(nèi)側(cè)。本發(fā)明的再一目的在于，提供一種旋轉(zhuǎn)清洗干式槽之改良裝置，它提供的彎折部內(nèi)側(cè)可 設(shè)有至少一導(dǎo)溝，可將洗滌水導(dǎo)離，減少水珠的累積量。為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種旋轉(zhuǎn)清洗干式槽，包括一垂直晶片載具承載固定住一晶 片，且利用高速旋轉(zhuǎn)下產(chǎn)生的離心力，將晶片上因清洗研磨劑所引起的污染物的洗滌水甩離 旋干； 一上蓋是在垂直晶片載具的一側(cè)，且平行于垂直晶片載具，此上蓋的邊緣部份是朝向 垂直晶片載具方向傾斜且遠(yuǎn)離垂直晶片載具方向彎折形成一彎折部，其可以在晶片進(jìn)行旋轉(zhuǎn) 清洗干燥過程中將洗滌水導(dǎo)離于一方向流出。本發(fā)明提供的旋轉(zhuǎn)清洗干式槽，當(dāng)旋轉(zhuǎn)清洗干燥過程中，洗滌水會(huì)沿著傾斜流向流出而 不會(huì)累積在彎折部，且于旋轉(zhuǎn)清洗干燥過程后，開關(guān)上蓋時(shí)洗滌水也不會(huì)滴落至晶片表面而 形成水痕污染，改善了洗凈的效率與潔凈度，進(jìn)而達(dá)到降低成本、提升工藝成品率以及組件 質(zhì)量的功效。以下結(jié)合附圖及實(shí)施例進(jìn)一步說明本發(fā)明。


圖1為現(xiàn)有旋轉(zhuǎn)清洗干式槽部份結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明的上蓋示意圖。標(biāo)號(hào)說明02垂直晶片載具04晶片06上蓋08彎折部10洗滌水12洗滌水之流向14垂直晶片載具16晶片18上蓋20彎折部
22洗滌水24洗滌水的流向26 導(dǎo)溝具體實(shí)施方式
一種旋轉(zhuǎn)清洗干式槽，應(yīng)用于晶片化學(xué)機(jī)械拋光中的旋轉(zhuǎn)清洗干燥過程，首先請同時(shí)參 閱圖2，本發(fā)明系包括一垂直晶片載具14和一上蓋18,垂直晶片載具14承載固定住一晶片 16，在垂直晶片載具14的一側(cè)有一平行于垂直晶片載具14的上蓋18,而上蓋18的邊緣部份 是朝向垂直晶片載具14方向傾斜且遠(yuǎn)離垂直晶片載具14方向彎折形成一彎折部20，當(dāng)垂直 晶片載具14于旋轉(zhuǎn)清洗干燥過程中，晶片16表面的洗滌水22就因離心力的關(guān)系，被拋甩至 上蓋18的彎折部20，洗滌水22會(huì)沿著洗滌水之流向24流出而不會(huì)累積在彎折部20。上述 彎折部20內(nèi)側(cè)還可設(shè)有一利用毛細(xì)現(xiàn)象可將洗滌水22導(dǎo)離的材質(zhì)，或是如圖3所示的導(dǎo)溝 26。因此，當(dāng)上蓋18開關(guān)時(shí)，附著于彎折部20內(nèi)側(cè)的洗滌水22水珠就算被震落也會(huì)沿著洗 滌水的流向24流出，而不會(huì)流至晶片16表面而形成水痕污染，可以大幅減少水痕污染的機(jī)會(huì)。綜上，本發(fā)明提供的旋轉(zhuǎn)清洗干式槽，主要包括一用以承載固定住一晶片的垂直晶片載 具和一平行于垂直晶片載具的上蓋，其上蓋邊緣部分的彎折部是朝向垂直晶片載具方向傾斜 且遠(yuǎn)離垂直晶片載具方向，當(dāng)旋轉(zhuǎn)清洗干燥過程中，洗滌水會(huì)沿著傾斜流向流出而不會(huì)累積 在彎折部，且于旋轉(zhuǎn)清洗干燥過程后，開關(guān)上蓋時(shí)洗滌水也不會(huì)滴落至晶片表面而形成水痕 污染，改善了洗凈的效率與潔凈度，進(jìn)而達(dá)到降低成本、提升工藝成品率以及組件質(zhì)量的功 效。以上所述的僅為本發(fā)明一較佳實(shí)施例而已，并非用來限定本發(fā)明實(shí)施的范圍，因此凡依 照本發(fā)明申請專利范圍所述的形狀、構(gòu)造、特征及精神所作的等同變化與修飾，均應(yīng)涵蓋在 本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種旋轉(zhuǎn)清洗干式槽，其特征在于包括用來承載固定住一晶片的一垂直晶片載具，且該垂直晶片載為一利用高速旋轉(zhuǎn)下產(chǎn)生的離心力將該晶片上因清洗研磨劑所引起的污染物之洗滌水甩離旋干的載具；以及位于該垂直晶片載具一側(cè)的一上蓋，，且該上蓋平行于該垂直晶片載具，該上蓋的邊緣部份朝向該垂直晶片載具方向傾斜且遠(yuǎn)離該垂直晶片載具方向彎折形成一可在該晶片進(jìn)行旋轉(zhuǎn)清洗干燥過程中將該洗滌水導(dǎo)離于一方向流出的彎折部。
2、 如權(quán)利要求1所述的旋轉(zhuǎn)清洗干式槽，其特征在于該上蓋的彎折部內(nèi)側(cè)設(shè)有一利用毛細(xì) 現(xiàn)象將該洗滌水導(dǎo)離的材質(zhì)。
3、 如權(quán)利要求1所述的旋轉(zhuǎn)清洗干式槽，其特征在于該上蓋的彎折部內(nèi)側(cè)至少設(shè)有一導(dǎo)溝。
全文摘要
本發(fā)明提供一種旋轉(zhuǎn)清洗干式槽，其包括一用以承載固定住一晶片的垂直晶片載具和一平行于垂直晶片載具的上蓋，上蓋邊緣部分的彎折部是朝向垂直晶片載具方向傾斜且遠(yuǎn)離垂直晶片載具方向，當(dāng)旋轉(zhuǎn)清洗干燥過程中，洗滌水會(huì)沿著傾斜流向流出而不會(huì)累積在彎折部，且于旋轉(zhuǎn)清洗干燥過程后，開關(guān)上蓋時(shí)洗滌水也不會(huì)滴落至晶片表面而形成水痕污染，改善了洗凈的效率與潔凈度，進(jìn)而達(dá)到降低成本、提升工藝成品率以及組件質(zhì)量的功效。
文檔編號(hào)F26B7/00GK101158539SQ20061011692
公開日2008年4月9日 申請日期2006年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月8日
發(fā)明者江志峯, 黃文忠 申請人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司