本發(fā)明涉及一種固態(tài)硅膠發(fā)泡硅膠板的制備方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的固態(tài)硅膠發(fā)泡硅膠膠板或膠片的生產(chǎn)方法一般采用平板模壓硫化和壓延或擠出常壓硫化。平板模壓硫化方法生產(chǎn)的發(fā)泡硅橡膠膠板或膠片厚度均勻度稍好，10毫米厚度能達(dá)到±0.5MM，1毫米厚度能達(dá)到±0.1MM，但發(fā)泡硅橡膠膠板或膠片的密度較大，一般≥0.65g/CM3；壓延或擠出常壓硫化方法生產(chǎn)的發(fā)泡硅橡膠膠板或膠片密度較低，一般可以≤0.45g/CM3但發(fā)泡硅橡膠膠板或膠片的厚度不均勻，10毫米厚度達(dá)到±1MM，1毫米厚度達(dá)到±0.2MM，且存在表面破孔或內(nèi)部積大泡孔的現(xiàn)象。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的是提供一種固態(tài)硅膠發(fā)泡硅膠板的制備方法，所要解決的技術(shù)問題是：發(fā)泡硅橡膠膠板或膠片的厚度不均勻，存在表面破孔或內(nèi)部積大泡孔的現(xiàn)象。
本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下：一種固態(tài)硅膠發(fā)泡硅膠板的制備方法，包括以下步驟：
步驟S1.固態(tài)硅膠放入壓延機(jī)，固態(tài)硅膠依次經(jīng)過粗壓輥和細(xì)壓輥，得所需厚度的硅膠片；并在硅膠片的背面壓合聚酯薄膜；
步驟S2.將底部帶聚酯溥膜的硅膠片送入復(fù)膜機(jī)，在此硅膠片的正面貼合聚酯薄膜，得正背面帶聚酯薄膜的硅膠片；
步驟S3.將正背面帶聚酯薄膜的硅膠片送入平板模壓定型機(jī)，對(duì)此硅膠片進(jìn)行常溫高壓定型，得定型硅膠片；
步驟S4.將定型硅膠片送入烘道進(jìn)行發(fā)泡硫化，得發(fā)泡硅膠片；
步驟S5.將發(fā)泡硅膠片收卷進(jìn)成卷材或裁斷成片材。
本發(fā)明的有益效果是：能有效實(shí)現(xiàn)固態(tài)硅膠生產(chǎn)的低密度發(fā)泡硅膠片的厚度更加均勻，表面破孔現(xiàn)象減少，硅膠片內(nèi)部泡孔更均勻，內(nèi)部積大泡現(xiàn)象明顯減少，明顯優(yōu)于原有技術(shù)。
在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還可以做如下改進(jìn)。
進(jìn)一步，所述固態(tài)硅膠為密煉完成的混煉膠。
采用上述進(jìn)一步方案的有益效果是：混煉膠成本低，制備方便。
進(jìn)一步，步驟S3中，對(duì)此硅膠片進(jìn)行常溫高壓定型的壓強(qiáng)為15～25mpa，常溫高壓定型的時(shí)間為10～20秒鐘。
采用上述進(jìn)一步方案的有益效果是：常溫高壓定型的壓強(qiáng)和時(shí)間確定，便于進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化生產(chǎn)。
進(jìn)一步，所述烘道為隧道結(jié)構(gòu)式烘道，且所述烘道的長度為24～36米。
采用上述進(jìn)一步方案的有益效果是：隧道結(jié)構(gòu)式烘道使得發(fā)泡硫化效率更高。
附圖說明
圖1為本發(fā)明一種固態(tài)硅膠發(fā)泡硅膠板的制備方法的流程圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。
實(shí)施例1：
如圖1所示，一種固態(tài)硅膠發(fā)泡硅膠板的制備方法，包括以下步驟：
步驟S1.將10kg固態(tài)硅膠放入壓延機(jī)，所述固態(tài)硅膠為密煉完成的混煉膠，固態(tài)硅膠依次經(jīng)過粗壓輥和細(xì)壓輥，得厚度為0.3mm的硅膠片；并在硅膠片的背面壓合聚酯薄膜，聚酯薄膜的厚度為0.05MM；
步驟S2.將底部帶聚酯溥膜的硅膠片送入復(fù)膜機(jī)，在此硅膠片的正面貼合聚酯薄膜，聚酯薄膜的厚度為0.05MM，得正背面帶聚酯薄膜的硅膠片；
步驟S3.將正背面帶聚酯薄膜的硅膠片送入平板模壓定型機(jī)，對(duì)此硅膠片進(jìn)行常溫高壓定型，常溫高壓定型的壓強(qiáng)為15mpa，常溫高壓定型的時(shí)間為20秒鐘，得定型硅膠片；
步驟S4.將定型硅膠片送入烘道進(jìn)行發(fā)泡硫化20分鐘，發(fā)泡硫化溫度為140℃，所述烘道為隧道結(jié)構(gòu)式烘道，且所述烘道的長度為36米，得發(fā)泡硅膠片；
步驟S5.將發(fā)泡硅膠片收卷進(jìn)成卷材或裁斷成片材，靜置冷卻得發(fā)泡硅膠片1。
本技術(shù)方案，能有效實(shí)現(xiàn)固態(tài)硅膠生產(chǎn)的低密度發(fā)泡硅膠片的厚度更加均勻，表面破孔現(xiàn)象減少，硅膠片內(nèi)部泡孔更均勻，內(nèi)部積大泡現(xiàn)象明顯減少，明顯優(yōu)于原有技術(shù)。
實(shí)施例2：
一種固態(tài)硅膠發(fā)泡硅膠板的制備方法，包括以下步驟：
步驟S1.將10kg固態(tài)硅膠放入壓延機(jī)，所述固態(tài)硅膠為密煉完成的混煉膠，固態(tài)硅膠依次經(jīng)過粗壓輥和細(xì)壓輥，得厚度為0.3mm的硅膠片；并在硅膠片的背面壓合聚酯薄膜，聚酯薄膜的厚度為0.05MM；
步驟S2.將底部帶聚酯溥膜的硅膠片送入復(fù)膜機(jī)，在此硅膠片的正面貼合聚酯薄膜，聚酯薄膜的厚度為0.05MM，得正背面帶聚酯薄膜的硅膠片；
步驟S3.將正背面帶聚酯薄膜的硅膠片送入平板模壓定型機(jī)，對(duì)此硅膠片進(jìn)行常溫高壓定型，常溫高壓定型的壓強(qiáng)為25mpa，常溫高壓定型的時(shí)間為10秒鐘，得定型硅膠片；
步驟S4.將定型硅膠片送入烘道進(jìn)行發(fā)泡硫化20分鐘，發(fā)泡硫化溫度為155℃，所述烘道為隧道結(jié)構(gòu)式烘道，且所述烘道的長度為24米，得發(fā)泡硅膠片；
步驟S5.將發(fā)泡硅膠片收卷進(jìn)成卷材或裁斷成片材，靜置冷卻得發(fā)泡硅膠片1。
本技術(shù)方案，能有效實(shí)現(xiàn)固態(tài)硅膠生產(chǎn)的低密度發(fā)泡硅膠片的厚度更加均勻，表面破孔現(xiàn)象減少，硅膠片內(nèi)部泡孔更均勻，內(nèi)部積大泡現(xiàn)象明顯減少，明顯優(yōu)于原有技術(shù)。
實(shí)施例3：
一種固態(tài)硅膠發(fā)泡硅膠板的制備方法，包括以下步驟：
步驟S1.將10kg固態(tài)硅膠放入壓延機(jī)，所述固態(tài)硅膠為密煉完成的混煉膠，固態(tài)硅膠依次經(jīng)過粗壓輥和細(xì)壓輥，得厚度為2.75mm的硅膠片；并在硅膠片的背面壓合聚酯薄膜，聚酯薄膜的厚度為0.05MM；
步驟S2.將底部帶聚酯溥膜的硅膠片送入復(fù)膜機(jī)，在此硅膠片的正面貼合聚酯薄膜，聚酯薄膜的厚度為0.05MM，得正背面帶聚酯薄膜的硅膠片；
步驟S3.將正背面帶聚酯薄膜的硅膠片送入平板模壓定型機(jī)，對(duì)此硅膠片進(jìn)行常溫高壓定型，常溫高壓定型的壓強(qiáng)為20mpa，常溫高壓定型的時(shí)間為15秒鐘，得定型硅膠片；
步驟S4.將定型硅膠片送入烘道進(jìn)行發(fā)泡硫化20分鐘，發(fā)泡硫化溫度為147℃，所述烘道為隧道結(jié)構(gòu)式烘道，且所述烘道的長度為30米，得發(fā)泡硅膠片；
步驟S5.將發(fā)泡硅膠片收卷進(jìn)成卷材或裁斷成片材，靜置冷卻得發(fā)泡硅膠片2。
本技術(shù)方案，能有效實(shí)現(xiàn)固態(tài)硅膠生產(chǎn)的低密度發(fā)泡硅膠片的厚度更加均勻，表面破孔現(xiàn)象減少，硅膠片內(nèi)部泡孔更均勻，內(nèi)部積大泡現(xiàn)象明顯減少，明顯優(yōu)于原有技術(shù)。
上述實(shí)施例中，發(fā)泡硅膠片1和發(fā)泡硅膠片2各取500*1000MM同一長度寬度的產(chǎn)品與現(xiàn)有技術(shù)生產(chǎn)的現(xiàn)有硅膠片1和現(xiàn)有硅膠片2進(jìn)行對(duì)比，測(cè)試結(jié)果如下表：
本技術(shù)方案的發(fā)泡硅膠片用固態(tài)硅膠為原料，生產(chǎn)密度≤0.35g/CM3，厚度均勻度能做到10mm±0.5MM，1mm±0.1MM；能有效實(shí)現(xiàn)固態(tài)硅膠生產(chǎn)的低密度發(fā)泡硅膠片的厚度更加均勻，表面破孔現(xiàn)象減少，硅膠片內(nèi)部泡孔更均勻，內(nèi)部積大泡現(xiàn)象明顯減少，明顯優(yōu)于原有技術(shù)。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。