壓印裝置和壓印方法以及物品制造方法
【專利摘要】提供一種壓印裝置，該壓印裝置具有：施加單元；包含輔助板的基板保持單元；包含當模子按壓向壓射區(qū)域施加的未固化樹脂時伴隨從施加單元的施加位置到進行按壓的按壓位置的通過基板保持單元的驅(qū)動的壓射區(qū)域的移動向模子與基板之間的間隙空間供給氣體的多個供給出口的氣體供給單元；和選擇用于供給氣體的供給出口使得在施加了未固化樹脂的壓射區(qū)域向按壓位置移動的同時多個供給出口之中的供給氣體的供給出口與基板或輔助板對置并且控制壓射區(qū)域的移動方向的控制器。
【專利說明】壓印裝置和壓印方法以及物品制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及壓印裝置、壓印方法和使用它們的物品制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著對半導體器件或MEMS的微制造的需求的增加，不僅常規(guī)的光刻技術(shù)，而且通過模子使基板上的未固化樹脂成形以由此在基板上形成樹脂圖案的微制造技術(shù)也受到關(guān)注。該技術(shù)也被稱為“壓印技術(shù)”，通過該技術(shù)，可在基板上形成具有幾納米的尺寸的微細結(jié)構(gòu)。壓印技術(shù)的一個例子包括光固化方法。使用光固化方法的壓印裝置首先向基板(晶片)上的壓射(壓印區(qū)域)施加紫外線可固化樹脂(壓印材料，光可固化樹脂)。然后，樹脂(未固化樹脂)通過模子成形。在紫外線可固化樹脂被紫外光照射以固化之后，從模子釋放固化的樹脂，由此在基板上形成樹脂圖案。
[0003]通過這種類型的壓印裝置，當在模子按壓基板上的樹脂的過程中樹脂填充通過模子形成的微細輪廓圖案時，有時由于出現(xiàn)殘留氣泡堵塞的未填充部分而不正確地形成樹脂圖案。常規(guī)上，提出了用特殊氣體填充加壓過程中的模子與基板之間的間隙空間以禁止殘留氣泡的壓印裝置。專利文獻I公開了包括將高度可溶或可擴散氣體傳輸?shù)交迳险承砸后w(樹脂)附近的位置的步驟的壓印光刻方法。
[0004]引文列表
[0005]專利文獻
[0006][專利文獻I]日本專利公開N0.2011-514658
[0007]在這種情況下，為了獲得專利文獻I所示的用特殊氣體填充模子與基板之間的間隙空間以禁止殘留氣泡的效果，必須使間隙空間內(nèi)的氣體濃度保持在相當高的值。為了在特別短的時間內(nèi)升高該間隙空間氣體濃度，存在這樣一種常規(guī)的方法，即，通過在基板相對于模子移動(掃描)時同時供給氣體，將氣體引入間隙空間中。此時，向基板供給氣體的供給出口位于基板表面的上方或者基板臺架(基板保持單元)中的基板的周緣附近的表面的上方。出于有效地引入氣體的目的，優(yōu)選對齊基板表面的高度與周緣附近的表面的高度。因此，一般在基板臺架上的周緣附近的表面上安裝輔助板以使其與基板表面的高度對齊。但是，為了避免增大基板臺架，安裝的輔助板的表面積優(yōu)選盡可能地小，但是，根據(jù)基板上的壓射的位置，在氣體的供給過程中會出現(xiàn)輔助板沒位于供給出口下面的情況。當出現(xiàn)在供給出口下面既不存在基板表面也不存在輔助板表面的這種狀態(tài)時，難以有效地將氣體引入間隙空間中。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明提供有利于在禁止在模子的輪廓圖案中出現(xiàn)未填充部分的同時增加效率并且還防止增大安裝基板的基板臺架的壓印裝置。
[0009]本發(fā)明是通過模子使基板上的未固化樹脂成形和固化并在基板上形成固化樹脂圖案的壓印裝置，該壓印裝置包括:向基板上的壓射區(qū)域施加未固化樹脂的施加單元；保持和移動基板且包含設(shè)置在基板的周邊使得表面高度與基板的表面高度對齊的輔助板的基板保持單元；包含多個供給出口的氣體供給單元，當模子按壓向壓射區(qū)域施加的未固化樹脂時，伴隨從施加單元的施加位置到進行按壓的按壓位置的通過基板保持單元的驅(qū)動的壓射區(qū)域的移動，所述多個供給出口向模子與基板之間的間隙空間供給氣體；以及控制器，所述控制器選擇用于供給氣體的供給出口，使得在施加了未固化樹脂的壓射區(qū)域向按壓位置移動的同時多個供給出口之中的供給氣體的供給出口與基板或輔助板對置，并且所述控制器控制壓射區(qū)域的移動方向。
[0010]根據(jù)本發(fā)明，例如，能夠提供有利于在禁止在模子的輪廓圖案中出現(xiàn)未填充部分的同時增加效率并且還防止安裝基板的基板臺架增大的壓印裝置。
[0011]從(參照附圖)對示例性實施例的以下描述，本發(fā)明的其它特征將變得清楚。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的壓印裝置的構(gòu)成的示圖。
[0013]圖2A?2C是示出在第一實施例中滿足D1>D2的條件的情況下的動作的示圖。
[0014]圖3A?3C是示出在現(xiàn)有技術(shù)中滿足Dl ( D2的條件的情況下的動作的示圖。
[0015]圖4A?4D是示出在第一實施例中滿足Dl ( D2的條件的情況下的動作的示圖。
[0016]圖5是示出根據(jù)第一實施例的一系列的氣體供給步驟的流程圖。
[0017]圖6A?6F是示出在第二實施例中滿足D1>D2的條件的情況下的動作的示圖。
[0018]圖7A?7G是示出在第二實施例中滿足Dl ( D2的條件的情況下的動作的示圖。
[0019]圖8A?8H是示出在第二實施例中各條件組合存在的情況下的動作的示圖。
[0020]圖9是示出根據(jù)第二實施例的一系列的氣體供給步驟的流程圖。
[0021]圖10是示出根據(jù)第二實施例的一系列的氣體供給步驟的流程圖。

【具體實施方式】
[0022]以下，將參照附圖描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
[0023](第一實施例)
[0024]首先將描述本發(fā)明的第一實施例的壓印裝置。圖1是示出本實施例的壓印裝置I的構(gòu)成的示意圖。壓印裝置I是通過使用模子將晶片(基板)即要被處理的基板上的未固化樹脂成形以由此在晶片上形成樹脂圖案的裝置，該裝置被用于制造作為物品的諸如半導體器件等的器件。注意，本實施例的壓印裝置是使用光固化方法的裝置。在以下的附圖的描述中，Z軸與用紫外光照射晶片上的樹脂的照射系統(tǒng)的光軸平行地排列，相互正交的X和Y軸在與Z軸垂直的面中排列。首先，壓印裝置I包括光照射單元2、模子保持機構(gòu)3、氣體供給機構(gòu)4、晶片臺架5、施加單元6和控制器7。
[0025]光照射單元2在壓印處理中用紫外光9照射模子8。雖然光照射單元2的部件沒有在附圖中被示出，但光照射單元2包含光源和將從光源發(fā)射的紫外光9調(diào)整為適于壓印的光并且照射模子8的照射光學系統(tǒng)。假定可以采用諸如汞燈的燈并且它發(fā)射通過穿過模子8使下述的樹脂(紫外線可固化樹脂)10固化的波長的光，對光源沒有特別的限制。照射光學系統(tǒng)可包含透鏡、反射鏡、孔徑或用于在照射和遮光之間切換的快門等。注意，在本實施例中，安裝光照射單元2是為了使用光固化方法。如果使用熱固化方法，那么可安裝用于使熱固化樹脂固化的加熱源單元以替代光照射單元2。
[0026]模子8具有多角形的外周形狀(在理想情況下，為矩形或正方形)，并且，面向晶片11的表面包含三維形成了例如要轉(zhuǎn)印到電路圖案等的輪廓圖案的圖案部分8a。注意，圖案尺寸將根據(jù)要制造的物品改變，但還包含大于10納米的微細圖案。由于模子8的材料能夠透射紫外光9并且由于它優(yōu)選具有低的熱膨脹系數(shù)，因此例如可以使用石英。并且，模子8的被紫外光9照射的表面也可具有圓形的平面形狀和具有一定程度的深度的空腔。
[0027]模子保持機構(gòu)3具有保持模子8的模子夾具12、可動地保持模子夾具12的模子驅(qū)動機構(gòu)13和校正模子8 (圖案部分8a)的形狀的倍率校正機構(gòu)(未示出)。模子夾具12能夠通過用真空吸附力/靜電吸引力吸附/吸引模子8的被紫外光9照射的表面的周邊區(qū)域來保持模子8。在例如通過真空吸附力保持模子8的情況下，模子夾具12與設(shè)置在裝置外面的真空泵(未示出)連接，并且，可通過用真空泵的排氣適當?shù)卣{(diào)整吸附壓力來調(diào)整針對模子8的吸附力(保持力)。模子驅(qū)動機構(gòu)13沿各軸向移動模子8，使得選擇性地進行模子8對晶片11的按壓或者模子8從晶片11的分離。作為可用于模子驅(qū)動機構(gòu)13的動力源，例如，存在線性電動機或氣缸。為了滿足模子8的高度精確的定位，模子驅(qū)動機構(gòu)13可由諸如粗(course)動驅(qū)動系統(tǒng)和微動驅(qū)動系統(tǒng)的多個驅(qū)動系統(tǒng)構(gòu)成。并且，模子驅(qū)動機構(gòu)13還可具有存在不僅沿Z軸方向而且沿X軸方向或Y軸方向或Θ (圍繞Z軸的旋轉(zhuǎn))方向的位置調(diào)整功能和用于校正模子8的傾斜的傾斜功能等的構(gòu)成。注意，可通過沿Z軸方向移動模子8實現(xiàn)在壓印裝置I中進行按壓和分離的各動作，但也可通過沿Z軸方向移動晶片臺架5或者通過進行這兩者的相對移動來實現(xiàn)它?？赏ㄟ^諸如測量模子8與晶片11之間的距離的光學位移計(未示出)的位置測量單元測量通過模子驅(qū)動機構(gòu)13驅(qū)動時的模子8的位置。倍率校正機構(gòu)被設(shè)置在模子夾具12中的模子8的保持側(cè)，并且通過向模子8的側(cè)面機械施加外力或位移來校正模子8 (圖案部分8a)的形狀。并且，模子夾具12和模子驅(qū)動機構(gòu)13在平面方向的中心區(qū)域(內(nèi)側(cè))中具有從光照射單元2發(fā)射的紫外光9可穿過以到達晶片11的孔徑區(qū)域14。
[0028]氣體供給機構(gòu)(氣體供給單元)4在按壓動作中向模子8與晶片11之間的間隙空間供給氣體。這是為了通過縮短樹脂10填充圖案部分8a的輪廓圖案的時間并且通過禁止氣泡殘留于填充部分中來實現(xiàn)填充性能的提高。為了實現(xiàn)使分離力最小化的模子釋放性能的提高，氣體供給機構(gòu)4也類似地在分離動作中供給氣體。氣體供給機構(gòu)4被安裝在模子8的四個側(cè)面附近，并且具有向晶片臺架5側(cè)供給(排出)氣體15的多個供給出口 16(參見圖2A)和與各供給出口 16連接且調(diào)整氣體15的供給量和濃度的氣體控制器17。特別地，本實施例的氣體供給機構(gòu)4具有兩個供給出口 16，這兩個供給出口 16是分別設(shè)置在模子8的X軸方向的兩個側(cè)面附近的第一供給出口 16a和第二供給出口 16b。其中，第一供給出口 16a與第一氣體控制器17a連接，而第二供給出口 16b與第二氣體控制器17b連接，并且，氣體控制器17a和17b分別與控制器7連接。在這種情況下，從上述的填充性能和模子釋放性能的觀點看，可優(yōu)選使用在樹脂10中具有優(yōu)異的溶解性和擴散性的氣體一例如，氦氣、二氧化碳、氮氣、氫氣、氣氣或可冷凝氣體等一作為氣體15。
[0029]晶體11例如為單晶硅基板、SOI (絕緣體上硅)基板或玻璃基板。在作為晶片11上的圖案形成區(qū)域的多個壓射區(qū)域中分別通過圖案部分8a形成樹脂10的圖案(包含圖案的層)。
[0030]晶片臺架(基板保持單元)5保持晶片11，可以移動，并且在按壓模子8和晶片11上的樹脂10的過程中進行例如圖案部分8a和壓射區(qū)域的對準等。晶片臺架5具有通過吸附力保持晶片11的晶片夾具18、被設(shè)置為包圍晶片11的周邊的輔助板(同面板)19、以及機械保持晶片夾具18且可沿各軸向移動的臺架驅(qū)動機構(gòu)20。晶片夾具18例如用多個均勻高度的銷釘支撐晶片11的后表面，并且通過真空排氣降低非銷釘部分上的壓力以保持晶片11。輔助板19具有與安裝于晶片夾具18上的晶片11的表面的表面聞度對齊的表面聞度，并被用于實現(xiàn)晶片11的周緣上的樹脂圖案的更均勻的厚度。臺架驅(qū)動機構(gòu)20是在驅(qū)動和靜止中具有很少的振動的動力源，并且，例如，可以采用線性電動機或平面電動機等作為動力源。臺架驅(qū)動機構(gòu)20也可由用于X軸和Y軸的各方向的移動的諸如粗動驅(qū)動系統(tǒng)和微動驅(qū)動系統(tǒng)的多個驅(qū)動系統(tǒng)構(gòu)成。并且，它也可通過用于沿Z軸方向進行位置調(diào)整的驅(qū)動系統(tǒng)、或者通過用于晶片11的Θ方向的位置調(diào)整功能或用于校正晶片11的傾斜的傾斜功能等被配置。晶片臺架5在其側(cè)面上具有與X、Y、Z的各方向ωχ、coy和ωζ對應的多個基準反射鏡21。關(guān)于這一點，壓印裝置I具有通過分別用氦-氖等的射束照射這些基準反射鏡21來測量晶片臺架5的位置的多個激光干涉計(位置測量機構(gòu))22。圖1僅示出一組的基準反射鏡21和激光干涉計22。激光干涉計22實時測量晶片臺架5的位置，并且后面描述的控制器7基于此時獲得的測量值控制晶片11 (晶片臺架5)的定位。否則，除了上述的測量儀干涉計以外，可以使用利用半導體激光器的編碼器等作為位置測量機構(gòu)。
[0031]施加單元6被設(shè)置在模子保持機構(gòu)3的附近，并且將樹脂(未固化樹脂)10施加到存在于晶片11上的壓射區(qū)域上。樹脂10是具有通過接收紫外光9的照射而固化的性能的紫外線可固化樹脂(光固化樹脂、壓印材料)，并且根據(jù)諸如半導體器件的制造處理等的各種條件被適當?shù)剡x擇。施加單元6采用噴墨系統(tǒng)作為施加系統(tǒng)，并且包含用于存放未固化狀態(tài)的樹脂10的容器23和液滴排出單元24。容器23使得能夠在具有不產(chǎn)生樹脂10的固化反應的氣氛一例如，包含一些氧氣的氣氛一的內(nèi)部保存樹脂10，并且其材料優(yōu)選使得不在樹脂10中加入粒子或化學雜質(zhì)。液滴排出單元24包含例如壓電型的排出機構(gòu)(噴墨頭)。施加單元6能夠基于來自控制器7的操作命令調(diào)整施加位置和施加量等。
[0032]控制器7可控制壓印裝置I的部件的動作和調(diào)整等?？刂破?由計算機等構(gòu)成，并且通過線路與壓印裝置I的部件連接，以通過程序等執(zhí)行部件的控制。本實施例的控制器7可至少控制氣體供給機構(gòu)4和晶片臺架5的動作。注意，控制器7可與壓印裝置I的其余部分一體化(設(shè)置在共用外殼中)，或者可與壓印裝置I的其余部分分開地設(shè)置(設(shè)置在單獨的外殼中)。
[0033]另外，壓印裝置I包括測量在晶片11上形成的對準標記和在模子8上形成的對準標記的X軸方向和Y軸方向的位置偏離的對準測量系統(tǒng)25。壓印裝置I還包括安裝于晶片臺架5上并形成基準面的基面板26、固定模子保持機構(gòu)3的橋接表面板27、以及從基面板26延伸并經(jīng)由消除來自床面的振動的振動消除裝置28支撐橋接表面板27的支柱29。并且，壓印裝置I還可以包括用于在裝置的外部與模子保持機構(gòu)3之間傳輸模子8的模子傳輸機構(gòu)(未不出)和用于在裝置的外部與晶片臺架5之間傳輸晶片11的基板傳輸機構(gòu)(未示出)。
[0034]下面將描述由壓印裝置I執(zhí)行的壓印處理(壓印方法)。首先，控制器7使基板傳輸機構(gòu)在晶片夾具18上安裝并固定晶片11。然后，控制器7在通過臺架驅(qū)動機構(gòu)20的驅(qū)動適當?shù)馗淖兙?1的位置的同時使對準測量系統(tǒng)25通過依次測量晶片11上的對準標記來高精度地檢測晶片11的位置?？刂破?然后從檢測結(jié)果計算各轉(zhuǎn)印坐標。因此，基于這些計算結(jié)果在各具體壓射區(qū)域中形成圖案。關(guān)于給定壓射區(qū)域的圖案形成的處理，控制器7首先使臺架驅(qū)動機構(gòu)20在施加單元6的液滴排出單元24下面定位晶片11上的施加位置(壓射區(qū)域的具體位置)。隨后，施加單元6向晶片11上的壓射區(qū)域施加樹脂10(施加步驟)。然后，控制器7使臺架驅(qū)動機構(gòu)20移動晶片11，使得壓射區(qū)域位于圖案部分8a正下方的按壓位置。然后，控制器7使位置測量機構(gòu)將圖案部分8a與壓射區(qū)域?qū)剩缓?，模子?qū)動機構(gòu)13被驅(qū)動，并且，圖案部分8a按壓壓射區(qū)域上的樹脂10 (模子按壓步驟)。作為該按壓的結(jié)果，樹脂10填充圖案部分8a的輪廓圖案?？刂破?通過設(shè)定于模子保持機構(gòu)3內(nèi)的負載傳感器(未示出)判斷按壓的終止。在這種狀態(tài)下，光照射單元2從模子8的后表面(頂面)在預定的時間內(nèi)發(fā)射紫外光9，并且通過穿過模子8的紫外光9使樹脂10固化(固化步驟)。在樹脂10固化之后，控制器7使模子驅(qū)動機構(gòu)13再次驅(qū)動，并且使圖案部分8a與晶片11分離(模子釋放步驟)。通過這種手段，在晶片11的壓射區(qū)域的表面上形成符合圖案部分8a的輪廓圖案的三維樹脂圖案(層)。通過在驅(qū)動晶片臺架5以改變壓射區(qū)域的同時多次實施該一系列動作，壓印裝置I可在單個晶片11上形成多個樹脂圖案。
[0035]在以上的按壓步驟中，當模子8按壓晶片11上的樹脂10時，樹脂10必須均勻地填充圖案部分8a的輪廓圖案。其原因在于，當樹脂10在氣泡殘留于填充輪廓圖案的內(nèi)部的樹脂10內(nèi)的狀態(tài)下固化時，在壓射區(qū)域上形成的樹脂圖案失去希望的形狀，由此影響諸如半導體器件的制造物品自身。在按壓期間(至少在按壓的開始)，如上所述，通過氣體供給機構(gòu)4向模子8與晶片11之間的間隙空間供給氣體15。結(jié)果，由于圖案部分8a附近的氣體濃度在經(jīng)過固定的時間段之后由于氣體15自身的擴散效果變得足夠高，例如，高達70%，因此可有效地禁止殘留氣泡。但是，對于這種類型的用于通過氣體填充方法禁止殘留氣泡的技術(shù)，以前必須等待固定的時間段，直到模子8與晶片11之間的間隙空間氣體濃度變得足夠高。雖然該等待時間根據(jù)例如模子8的周邊配置和需要的氣體濃度改變，但是，如果采用標準壓印裝置，那么它為I秒到幾十秒或更長時間的量級。假定該等待時間可影響壓印裝置的生產(chǎn)率，優(yōu)選盡可能地縮短它。為了迅速地升高模子8與晶片11之間的間隙空間氣體濃度，本實施例的壓印裝置I在氣體15的供給過程中執(zhí)行以下的動作。
[0036]首先，假定在晶片11上存在構(gòu)成給定場合的壓印處理目標的目標壓射區(qū)域30，通過使用圖2A?4D的示圖，按各自的時間順序描述將樹脂10施加到該目標壓射區(qū)域30上之后(施加步驟之后)的壓印裝置I的動作。圖2A?4D的所有的各圖是示出將樹脂10施加到目標壓射區(qū)域30之后、直到目標壓射區(qū)域30移動到圖案部分8a正下方的按壓位置的晶片臺架5的驅(qū)動動作和氣體供給機構(gòu)4供給氣體15的動作的示意性截面圖。在這些圖中，關(guān)于夾著模子8沿X軸方向布置的第一供給出口 16a和第二供給出口 16b，目標壓射區(qū)域30在施加樹脂10之后沿X軸方向從+側(cè)到-側(cè)移動到按壓位置。在這些圖中，圖2A?2C是示出目標壓射區(qū)域30處于晶片11上的移動方向側(cè)(X軸方向的-側(cè))的情況下的動作的示圖。在這種情況下，關(guān)于目標壓射區(qū)域30的移動方向(X軸方向)，從目標壓射區(qū)域30的位置到X軸方向+側(cè)的晶片11或輔助板19的邊緣的距離被視為Dl (第一距離)，并且，從圖案部分8a到第一供給出口 16a的距離被視為D2 (第二距離)。此時，圖2A?2C所示的動作可被視為晶片11上的目標壓射區(qū)域30的位置滿足第一距離大于第二距離(D1>D2)的條件的情況下的動作。首先，如圖2A所示,從液滴排出單元24將樹脂10所施加到的目標壓射區(qū)域30通過晶片臺架5的驅(qū)動向著緊鄰液滴排出單元24的第一供給出口 16a移動。然后，如圖2B所示，當目標壓射區(qū)域30位于第一供給出口 16a附近時，第一氣體控制器17a啟動從第一供給出口 16a的氣體15的供給，并且目標壓射區(qū)域30連續(xù)地移動到按壓位置。如圖2C所示，從第一供給出口 16a供給的氣體15伴隨晶片11的移動被引入到模子8與晶片11之間的間隙空間中，從而，特別是在圖案部分8a附近，有效地升高氣體濃度。否則，由于間隙空間氣體濃度在模子8與晶片11之間的間隙空間窄時保持在較高的水平，間隙空間優(yōu)選處于0.1?Imm的量級。因此，如果在滿足上述的條件D1>D2的情況下進行動作，那么，當目標壓射區(qū)域30向按壓位置移動時，晶片11或輔助板19在氣體15的供給的過程中在第一供給出口 16a的正下方(在供給位置)處于恒定的對置。因此，通過圖2A?2C所示的動作，從第一供給出口 16a的正下方到按壓位置的正下方保持模子8與晶片11之間的間隙空間。
[0037]相反，與圖2A?2C的情況相反，考慮晶片11上的目標壓射區(qū)域30的位置處于晶片11的移動方向的下游側(cè)(X軸方向的+側(cè))的情況。作為與圖2A?2C和后面描述的圖4A?4D對應的比較模式，圖3A?3C是示出目標壓射區(qū)域30處于晶片11的移動方向的下游側(cè)的情況下的常規(guī)動作的示圖。當使用在圖2A?2C的描述中定義的各距離Dl和D2時，這些圖3A?3C所示的動作可被視為晶片11上的目標壓射區(qū)域30的位置滿足第一距離小于或等于第二距離(DKD2)的條件的情況下的動作。在這種情況下，如圖3A所示，從液滴排出單元24將樹脂10所施加到的目標壓射區(qū)域30也通過晶片臺架5的驅(qū)動首先向著緊鄰液滴排出單元24的第一供給出口 16a移動。如圖3B所示，當目標壓射區(qū)域30位于第一供給出口 16a的附近時，第一氣體控制器17a啟動從第一供給出口 16a的氣體15的供給，并且，目標壓射區(qū)域30連續(xù)移動到按壓位置。但是，如3C所示，當目標壓射區(qū)域30移動到按壓位置時，晶片11和輔助板19在氣體15的供給過程中均不處于第一供給出口 16a的正下方。因此，不能從第一供給出口 16a的正下方的點到按壓位置在模子8和晶片11之間形成間隙空間，并且，不能伴隨目標壓射區(qū)域30的移動有效地進行氣體15的引入。因此，在圖3A?3C所示的動作中，特別是在圖案部分8a附近，難以升高氣體濃度。并且，在圖3C所示的狀態(tài)中，當來自第一供給出口 16a的大量的氣體15泄漏到晶片臺架5外面時，氣體15滲透例如測量晶片臺架5的位置的激光干涉計22的光路，從而增加會影響測量值的可能性。
[0038]在這種情況下，為了避免圖3C所示的氣體15向晶片臺架5的外面的流出，可以設(shè)想例如增大XY面上的輔助板19的表面積。通過這種手段，由于晶片11或輔助板19處于第一供給出口 16a的正下方，因此，不管晶片11上的哪個目標壓射區(qū)域30移動到按壓位置，都總是在模子8與晶片11 (或輔助板19)之間形成間隙空間。但是，輔助板19的增大必然執(zhí)行控制以增大整個壓印裝置1，由此導致壓印裝置I的占地面積和成本的增加。在本實施例中，特別是在晶片11上的目標壓射區(qū)域30的位置滿足條件Dl ( D2的情況下，壓印裝置I實施圖4A?4D所示的動作。
[0039]圖4A?4D是示出目標壓射區(qū)域30處于晶片11的移動方向的下游側(cè)的情況下的本實施例的動作的示圖，并可與圖3A?3C所示的常規(guī)動作相比較。首先，如圖4A所示，從液滴排出單元24將樹脂10所施加到的目標壓射區(qū)域30通過晶片臺架5的驅(qū)動向著緊鄰液滴排出單元24的第一供給出口 16a移動。此時，在本實施例中，即使當目標壓射區(qū)域30位于第一供給出口 16a的附近時，第一氣體控制器17a也不啟動從第一供給出口 16a的氣體15的供給。如圖4B所示，目標壓射區(qū)域30然后照樣移動，直到它超出夾在第一供給出口 16a與第二供給出口 16b之間的模子8的相對側(cè)的第二供給出口 16b (優(yōu)選直到它稍微超出第二供給出口 16b的正下方的位置)，并且暫時停在該位置。然后，如圖4C所示，通過晶片臺架5的驅(qū)動，目標壓射區(qū)域30的移動方向反轉(zhuǎn)，并且，目標壓射區(qū)域30向與停止位置緊鄰的第二供給出口 16b移動。當目標壓射區(qū)域30位于第二供給出口 16b的附近時，第二氣體控制器17b然后啟動從第二供給出口 16b的氣體15的供給，并且，目標壓射區(qū)域30繼續(xù)向按壓位置移動。如圖4D所示，伴隨晶片11的移動，從第二供給出口 16b供給的氣體15然后被引入模子8與晶片11之間的間隙空間中，從而，特別是在圖案部分8a的附近，有效地升高氣體濃度。并且，也防止從第二供給出口 16b供給的氣體15流出到晶片臺架5的外面。
[0040]下面描述包含本實施例中的施加步驟之后的上述動作的氣體15的供給的從開始到終止的本實施例中的整個系列的氣體供給步驟。圖5是示出從施加步驟之后實現(xiàn)并且包含圖案形成步驟的一系列的氣體供給步驟的流程圖。首先，當施加步驟終止時，控制器7判斷晶片11上的目標壓射區(qū)域30的位置是否滿足與上述的Dl和D2的關(guān)系有關(guān)的條件中的任一個(步驟S100)。在這種情況下，在控制器7確定如圖2A?2C所示的那樣滿足條件D1>D2的情況下，目標壓射區(qū)域30然后通過晶片臺架5向第一供給出口 16a移動(步驟SlOl ;參見圖2A)。然后，當目標壓射區(qū)域30位于第一供給出口 16a的附近時，控制器7使第一氣體控制器17a啟動從第一供給出口 16a的氣體15的供給(步驟S102 ;參見圖2B)?？刂破?現(xiàn)在繼續(xù)使晶片臺架5將目標壓射區(qū)域30移動到按壓位置(步驟S103 ;參見圖2C)。然后，控制器7執(zhí)行控制以過渡到包含模子按壓步驟、固化步驟和模子釋放步驟的一系列的圖案形成步驟(步驟S104)。在完成圖案形成步驟之后，控制器7然后使第一氣體控制器17a終止從第一供給出口 16a供給氣體15 (步驟S105)，并且過渡到諸如判斷是否在晶片11上存在接下來要處理的目標壓射區(qū)域30的步驟的隨后步驟。
[0041]另一方面，在控制器7在步驟SlOO中確定如圖4A?4D所示的那樣滿足條件Dl ( D2的情況下，目標壓射區(qū)域30向第二供給出口 16b移動(步驟S106 ;參見圖4A)。控制器7然后在目標壓射區(qū)域30的位置超出第二供給出口 16b的點處使得暫時中止(參見圖4B)。然后，控制器7執(zhí)行控制以通過晶片臺架5的驅(qū)動反轉(zhuǎn)移動方向，并且向緊鄰停止位置的第二供給出口 16b移動目標壓射區(qū)域30 (步驟S107)。然后，當目標壓射區(qū)域30位于第二供給出口 16b的附近時，控制器7使第二氣體控制器17b啟動從第二供給出口 16b的氣體15的供給(步驟S108 ;參見圖4C)?？刂破?繼續(xù)執(zhí)行控制以通過晶片臺架5將目標壓射區(qū)域30移動到按壓位置(步驟S109;參見圖4D)。然后，與步驟S104同樣地，控制器7執(zhí)行控制以過渡到包含模子按壓步驟、固化步驟和模子釋放步驟的一系列的圖案形成步驟(步驟S110)。在完成圖案形成步驟之后，控制器7然后使第二氣體控制器17b終止從第二供給出口 16b的氣體15的供給(步驟SI 11)，并且執(zhí)行控制以過渡到諸如判斷是否在晶片11上存在下一個處理的目標壓射區(qū)域30的步驟的隨后步驟。
[0042]以這種方式，在壓印裝置I中，為了禁止在晶片上形成的樹脂圖案中出現(xiàn)未填充部分，氣體在模子8按壓晶片11上的樹脂10的過程中通過氣體供給機構(gòu)4供給到模子8與晶片11之間的間隙空間。在該過程中，由于可如上面描述的那樣保持間隙空間，因此不管晶片11上的目標壓射區(qū)域30的位置如何，都可有效地在較短的時間內(nèi)升高氣體濃度。例如，即使包含圖4A?4D所示的動作那樣的用于改變(反轉(zhuǎn))目標壓射區(qū)域30的移動方向的動作，與常規(guī)的填充時間(如上所述，為從I秒到幾十秒或更長)相比，移動時間也相當短。因此，壓印裝置I可提高生產(chǎn)率(產(chǎn)量)。并且，通過壓印裝置1，由于不需要為了保持間隙空間增大輔助板19，因此晶片臺架5可保持小型化，并且，可以禁止增大整個裝置。
[0043]根據(jù)上述的本實施例，能夠提供有利于在禁止在模子的輪廓圖案中出現(xiàn)未填充部分的同時提高效率且防止增大上面安裝晶片的晶片臺架的壓印裝置。
[0044](第二實施例)
[0045]下面描述本發(fā)明的第二實施例的壓印裝置。在第一實施例中，壓印裝置I對單個目標壓射區(qū)域30實施一次壓印處理，并且，對存在于晶片11上的多個壓射區(qū)域重復壓印處理。相反，本實施例的壓印裝置的特征在于，對多個目標壓射區(qū)域30實施一次壓印處理。即，本實施例的壓印裝置在通過氣體供給機構(gòu)4進行氣體的一次供給的同時對多個目標壓射區(qū)域30實施壓印處理。在這種情況下，由于第一實施例中的單個目標壓射區(qū)域30的數(shù)量是1，因此，如果以上述的相同的方式使用各距離Dl和D2，那么可關(guān)于滿足D1>D2和DlS D2這兩個條件考慮晶片11上的目標壓射區(qū)域30的位置。相反，當在本實施例中存在多個單獨的目標壓射區(qū)域30時，必須關(guān)于滿足以下的三個條件考慮晶片11上的目標壓射區(qū)域30的位置。即，第一條件是所有的多個目標壓射區(qū)域30滿足條件D1>D2的情況。第二條件是所有的多個目標壓射區(qū)域30滿足條件Dl ( D2的情況。并且，作為本實施例特有的條件，第三條件是多個目標壓射區(qū)域30中的一些滿足條件D1>D2而一些滿足條件Dl ( D2的混合情況。以下描述這三個條件中的每一個。
[0046]為了比較，圖6A?圖8A的各圖與圖2A?4D所示的說明圖對應，并且是用于按各自時間順序解釋樹脂10被施加到兩個相鄰的目標壓射區(qū)域30a和30b之后(施加步驟之后)的本實施例的壓印裝置I的動作的圖。另外，由于本實施例的壓印裝置的構(gòu)成與第一實施例的壓印裝置I的構(gòu)成相同，因此賦予各部件相同的附圖標記，并且省略其描述。在這些附圖中的每一個中，晶片11上的兩個目標壓射區(qū)域30a和30b是示例性的，并且，單個目標壓射區(qū)域30的數(shù)量不限于此。
[0047]圖6A?6F是示出晶片11上的所有目標壓射區(qū)域30a和30b的位置均滿足條件D1>D2即第一條件的情況下的動作的示圖。首先，如圖6A所示，從液滴排出單元24將樹脂10所依次施加到的目標壓射區(qū)域30a和30b通過晶片臺架5的驅(qū)動向著緊鄰液滴排出單元24的第一供給出口 16a移動。然后，如圖6B所示，當目標壓射區(qū)域30a(在開始移動時位置最接近圖案部分8a的目標壓射區(qū)域)位于第一供給出口 16a的附近時，第一氣體控制器17a啟動第一供給出口 16a的氣體15的供給。如圖6C所示，目標壓射區(qū)域30a和30b然后繼續(xù)向按壓位置移動，并且停在目標壓射區(qū)域30a到達按壓位置的點處。在這種情況下，伴隨晶片11的移動，從第一供給出口 16a供給的氣體15也被引入到模子8與晶片11之間的間隙空間中，從而，特別是在圖案部分8a的附近，有效地升高氣體濃度。然后，如圖6D所示，關(guān)于目標壓射區(qū)域30a實施模子按壓步驟和固化步驟，然后，如圖6E所示，實施模子釋放步驟。如圖6F所示，在相鄰的目標壓射區(qū)域30b然后通過晶片臺架5移動到按壓位置之后，它也經(jīng)受模子按壓步驟、固化步驟和模子釋放步驟。當在這種情況下在被施加了樹脂10的所有目標壓射區(qū)域30上完成圖案形成時，要經(jīng)受壓印處理的下面的多個目標壓射區(qū)域30依次移動到液滴排出單元24正下方的位置。以這種方式，關(guān)于滿足第一條件的情況下的動作，晶片11或輔助板19在氣體15的供給過程中在第一供給出口 16a的正下方恒定地對置，直到在依次被施加了樹脂10的所有目標壓射區(qū)域30上完成圖案形成。因此，通過圖6A?6F所示的動作，從第一供給出口 16a正下方的位置到按壓位置正下方的位置，在模子8與晶片11之間保持間隙空間。
[0048]下面，圖7A?圖7G是示出晶片11上的所有目標壓射區(qū)域30a和30b的位置滿足Dl ( D2的條件即第二條件的情況下的動作的示圖。首先，如圖7A所示，從液滴排出單元24依次被施加樹脂10的目標壓射區(qū)域30a和30b通過晶片臺架5的驅(qū)動向著緊鄰液滴排出單元24的第一供給出口 16a移動。此時，即使當目標壓射區(qū)域30a和30b中任一個位于第一供給出口 16a的附近時，第一氣體控制器17a也不啟動從第一供給出口 16a的氣體15的供給。如圖7B所示，目標壓射區(qū)域30a和30b照樣移動，直到它們超出夾在第一供給出口 16a和第二供給出口 16b之間的模子8的相對側(cè)的第二供給出口 16b (優(yōu)選直到它們輕微超出第二供給出口 16b的正下方的位置)，并且在該位置暫時停止。然后，如圖7C所示，目標壓射區(qū)域30a和30b的移動方向通過晶片臺架5的驅(qū)動反轉(zhuǎn)，并且，目標壓射區(qū)域30a和30b向與停止位置緊鄰的第二供給出口 16b移動。當目標壓射區(qū)域30b (在啟動移動時位置最遠離圖案部分8a的目標壓射區(qū)域)位于第二供給出口 16b的附近時，第二氣體控制器17b然后啟動從第二供給出口 16b的氣體15的供給。如圖7D所示，目標壓射區(qū)域30a和30b然后連續(xù)地向按壓位置移動，并在目標壓射區(qū)域30b到達按壓位置時停止。在這種情況下，伴隨晶片11的移動，從第二供給出口 16b供給的氣體15也然后被引入模子8與晶片11之間的間隙空間中，從而，特別是在圖案部分8a的附近，有效地升高氣體濃度。然后，如圖7E所示，對目標壓射區(qū)域30b實施模子按壓步驟和固化步驟，然后，如圖7F所示，實施模子釋放步驟。如圖7G所示，相鄰的目標壓射區(qū)域30a然后通過晶片臺架5也連續(xù)移動到按壓位置，然后，實施模子按壓步驟、固化步驟和模子釋放步驟。這里，在完成在這種情況下被施加了樹脂10的所有目標壓射區(qū)域30上的圖案形成后，要經(jīng)受壓印處理的下面的多個目標壓射區(qū)域30依次移動到液滴排出單元24正下方的位置。以這種方式，關(guān)于滿足第二條件的情況下的動作，晶片11或輔助板19也在氣體15的供給過程中在第一供給出口 16b正下方恒定地對置，直到在依次被施加了樹脂10的所有目標壓射區(qū)域30上完成圖案形成。因此，通過圖7A?7G所示的動作，從第二供給出口 16b正下方的位置直到按壓位置正下方的位置在模子8與晶片11之間保持間隙空間。
[0049]并且，圖8A?8H是示出晶片11上的所有的目標壓射區(qū)域30a和30b之中目標壓射區(qū)域30a的位置滿足條件D1>D2而目標壓射區(qū)域30b的位置滿足條件Dl (Dlb) ( D2即第三條件的情況下的動作的示圖。首先，如圖8A所示,從液滴排出單元24依次被施加了樹脂10的目標壓射區(qū)域30a和30b通過晶片臺架5的驅(qū)動向著緊鄰液滴排出單元24的第一供給出口 16a移動。然后，如圖SB所示，當目標壓射區(qū)域30a位于第一供給出口 16a的附近時，第一氣體控制器17a啟動從第一供給出口 16a的氣體15的供給。如圖8C所示，目標壓射區(qū)域30a和30b然后向按壓位置連續(xù)移動，并在其中的目標壓射區(qū)域30a到達按壓位置時停止。在這種情況下，伴隨晶片11的移動，從第一供給出口 16a供給的氣體15然后也被引入到模子8與晶片11之間的間隙空間中，從而，特別是在圖案部分8a的附近，有效地升高氣體濃度。這里，如圖8D所示，關(guān)于目標壓射區(qū)域30a實施模子按壓步驟和固化步驟，然后，如圖SE所示，實施模子釋放步驟。另外，在單個目標壓射區(qū)域30的數(shù)量為三個或更多個且目標壓射區(qū)域30a以外的這些之中的另一目標壓射區(qū)域的位置滿足條件D1>D2的情況下，如圖6A?6F所示的例子那樣，它通過晶片臺架5的驅(qū)動照樣移動到按壓位置，并且，連續(xù)地進行圖案形成。然后，在完成目標壓射區(qū)域30a上的圖案形成時，如圖8F所示，第一氣體控制器17a停止從第一供給出口 16a的氣體15的供給。目標壓射區(qū)域30a和30b然后照樣移動，直到它們超出夾在第一供給出口 16a與第二供給出口 16b之間的模子8的相對側(cè)的第二供給出口 16b (優(yōu)選直到它們稍微超出第二供給出口 16b的正下方的位置)，并且暫時停在該位置。然后，如圖8G所示，通過晶片臺架5的驅(qū)動，目標壓射區(qū)域30a和30b的移動方向反轉(zhuǎn)，并且，目標壓射區(qū)域30a和30b向緊臨停止位置的第二供給出口 16b移動。當目標壓射區(qū)域30b位于第二供給出口 16b的附近時，第二氣體控制器17b然后啟動從第二供給出口 16b的氣體15的供給。如圖8H所示，目標壓射區(qū)域30a和30b然后繼續(xù)向按壓位置移動，并在目標壓射區(qū)域30b到達按壓位置時停止。在這種情況下，伴隨晶片11的移動，從第二供給出口 16b供給的氣體15也然后被引入模子8與晶片11之間的間隙空間中，從而，特別是在圖案部分8a的附近，有效地升高氣體濃度。相鄰的目標壓射區(qū)域30a然后繼續(xù)通過晶片臺架5移動到按壓位置，然后，實施模子按壓步驟、固化步驟和模子釋放步驟。這里，在完成在這種情況下被施加了樹脂10的所有目標壓射區(qū)域30上的圖案形成后，要經(jīng)受壓印處理的下面的多個目標壓射區(qū)域30依次移動到液滴排出單元24的正下方的位置。以這種方式，關(guān)于滿足第三條件的情況下的動作，晶片11或輔助板19也在氣體15的供給過程中在第一供給出口 16a正下方恒定地對置，直到在依次被施加了樹脂10的所有目標壓射區(qū)域30上完成圖案形成。因此，通過圖8A?8H所示的動作，從第一供給出口 16a或第二供給出口 16b正下方的位置直到按壓位置正下方的位置在模子8與晶片11之間保持間隙空間。
[0050]下面描述包含本實施例中的施加步驟之后的上述動作的氣體15的供給的從開始到終止的整個系列的氣體供給處理。圖9是示出本實施例中的從施加步驟之后實現(xiàn)并且包含圖案形成步驟的一系列的氣體供給步驟的流程圖。首先，當施加步驟關(guān)于晶片11上的多個(兩個)目標壓射區(qū)域30a和30b終止時，控制器7判斷各目標壓射區(qū)域30a和30b的位置是否滿足與上述的Dl和D2的關(guān)系有關(guān)的條件中的任一個(步驟S200)。在這種情況下，在控制器7確定各目標壓射區(qū)域30a和30b的位置如圖6A?6F所示的那樣滿足條件D1>D2的情況下，處理前進到下面的步驟S201。首先，控制器7執(zhí)行控制以通過晶片臺架5向第一供給出口 16a移動目標壓射區(qū)域30a和30b (步驟S201 ;參見圖6A)。然后，當要首先處理的目標壓射區(qū)域30a位于第一供給出口 16a的附近時，控制器7使第一氣體控制器17a啟動從第一供給出口 16a的氣體15的供給(步驟S202 ;參見圖6B)?？刂破?現(xiàn)在繼續(xù)執(zhí)行控制以通過晶片臺架5將目標壓射區(qū)域30a移動到按壓位置(步驟S203 ;參見圖6C)。然后，控制器7執(zhí)行控制以過渡到包含模子按壓步驟、固化步驟和模子釋放步驟的一系列的圖案形成步驟(步驟S204，參見圖6D和圖6E)。并且，控制器7繼續(xù)執(zhí)行控制以通過晶片臺架5將下一個處理的目標壓射區(qū)域30b移動到按壓位置(步驟S205 ;參見圖6F)，在這里，實施模子按壓步驟、固化步驟和模子釋放步驟(步驟S206)。然后，控制器7判斷是否對于這種情況下的所有的目標壓射區(qū)域30a和30b完成了圖案形成(步驟S207)。在這種情況下，在目標壓射區(qū)域30的數(shù)量為三個或更多個的情況下，當除了還沒有形成圖案的目標壓射區(qū)域30a和30b以外還存在另一區(qū)域時，呈現(xiàn)“否”，并且控制器7執(zhí)行控制以返回到步驟S205，在該步驟S205中，關(guān)于剩余目標壓射區(qū)域?qū)嵤﹫D案形成。另一方面，在確定已在所有的目標壓射區(qū)域30a和30b上完成圖案形成(“是”)的情況下，控制器7使第一控制器17a終止從第一供給出口 16a的氣體15的供給(步驟S208)?？刂破?然后執(zhí)行控制以過渡到諸如判斷是否在晶片11上存在接下來要處理的多個目標壓射區(qū)域(目標壓射區(qū)域組)的步驟的隨后步驟。
[0051]然后，在控制器7在步驟S200中確定各目標壓射區(qū)域30a和30b的位置如圖7A?7G所示的那樣滿足條件Dl SD2的情況下，處理過渡到下面的步驟S209。首先，控制器7執(zhí)行控制以通過晶片臺架5向第二供給出口 16b移動目標壓射區(qū)域30a和30b (步驟S209 ;參見圖7A)?？刂破?然后在目標壓射區(qū)域30b的位置超出第二供給出口 16b的點處使得暫時中止(參見圖7B)。然后，控制器7執(zhí)行控制以通過晶片臺架5的驅(qū)動使移動方向反轉(zhuǎn)，并且向緊鄰停止位置的第二供給出口 16b移動目標壓射區(qū)域30a和30b (步驟S210)。然后，當要首先處理的目標壓射區(qū)域30b位于第二供給出口 16b的附近時，控制器7使第二氣體控制器17b啟動從第二供給出口 16b的氣體15的供給(步驟S211 ;參見圖7C)?？刂破?現(xiàn)在繼續(xù)執(zhí)行控制以通過晶片臺架5將目標壓射區(qū)域30b移動到按壓位置(步驟S212 ；參見圖7D)。然后，控制器7執(zhí)行控制以過渡到包含模子按壓步驟、固化步驟和模子釋放步驟的一系列的圖案形成步驟(步驟S213 ;參見圖7E和圖7F)。并且，控制器7繼續(xù)執(zhí)行控制以通過晶片臺架5將下一個處理的目標壓射區(qū)域30a移動到按壓位置(步驟S214 ;參見圖7G)，在這里，實施模子按壓步驟、固化步驟和模子釋放步驟(步驟S215)。然后，控制器7判斷是否對于這種情況下的所有的目標壓射區(qū)域30a和30b完成了圖案形成(步驟S216)。在這種情況下，在目標壓射區(qū)域30的數(shù)量為三個或更多個的情況下，當除了還沒有形成圖案的目標壓射區(qū)域30a和30b以外還存在另一區(qū)域時，呈現(xiàn)“否”，并且控制器7執(zhí)行控制以返回到步驟S214，在該步驟S214中，關(guān)于剩余目標壓射區(qū)域?qū)嵤﹫D案形成。另一方面，在確定已在所有的目標壓射區(qū)域30a和30b上完成圖案形成(“是”)的情況下，控制器7使第二控制器17b終止從第二供給出口 16b的氣體15的供給(步驟S217)。在這種情況下，控制器7然后也執(zhí)行控制以過渡到諸如判斷是否在晶片11上存在接下來要處理的多個目標壓射區(qū)域(目標壓射區(qū)域組)的步驟的隨后步驟。
[0052]并且，在控制器7在步驟S200中關(guān)于各目標壓射區(qū)域30a和30b確定存在圖8A?8H所示的一個滿足條件D1>D2并且一個滿足條件Dl ^ D2的混合狀態(tài)的情況下，處理過渡到下面的步驟S218。圖10是特別地從圖9的流程圖中的步驟提取從步驟218起的步驟的流程圖。參照圖8A?8H，這里關(guān)于兩個目標壓射區(qū)域30a和30b假定目標壓射區(qū)域30a的位置滿足條件Dl (Dla) >D2且目標壓射區(qū)域30b的位置滿足條件Dl (Dlb) < D2。首先，控制器7執(zhí)行控制以通過晶片臺架5向第一供給出口 16a移動目標壓射區(qū)域30a和30b (步驟S218 ;參見圖8A)。然后，當滿足條件D1>D2的目標壓射區(qū)域30a位于第一供給出口 16a的附近時，控制器7使第一氣體控制器17a啟動從第一供給出口 16a的氣體15的供給(步驟S219 ;參見圖SB)。控制器7現(xiàn)在繼續(xù)執(zhí)行控制以通過晶片臺架5將目標壓射區(qū)域30a移動到按壓位置(步驟S220 ;參見圖SC)。然后，控制器7執(zhí)行控制以過渡到包含模子按壓步驟、固化步驟和模子釋放步驟的一系列的圖案形成步驟(步驟S221 ;參見圖8D和圖SE)。然后，控制器7對于所有的目標壓射區(qū)域30判斷是否在目標壓射區(qū)域30a以外的滿足條件D1>D2的目標壓射區(qū)域上完成了圖案形成(步驟S222)。S卩，雖然當關(guān)于圖8A?8H所示的例子考慮時目標壓射區(qū)域30a是僅有的滿足條件D1>D2的一個，但在目標壓射區(qū)域30的數(shù)量是三個或更多個的情況下，還可能存在還沒有進行圖案形成的目標壓射區(qū)域30a以外的目標壓射區(qū)域。在這種情況下(“否”)，控制器7執(zhí)行控制以返回到步驟S220，在該步驟S220中，關(guān)于剩余目標壓射區(qū)域?qū)嵤﹫D案形成。另一方面，在確定已在滿足條件D1>D2的所有的目標壓射區(qū)域30上完成了圖案形成(“是”)的情況下，控制器7使第一氣體控制器17a終止從第一供給出口 16a的氣體15的供給(步驟S223)。
[0053]隨后，控制器7執(zhí)行控制以通過晶片臺架5向第二供給出口 16b移動目標壓射區(qū)域30a和30b (步驟S224 ;參見圖8F)。控制器7然后在目標壓射區(qū)域30b的位置超出第二供給出口 16b的點處使得暫時中止。然后，控制器7執(zhí)行控制以通過晶片臺架5的驅(qū)動使移動方向反轉(zhuǎn)，并且向緊鄰停止位置的第二供給出口 16b移動目標壓射區(qū)域30a和30b (步驟S225)。然后，當下一個要處理的目標壓射區(qū)域30b位于第二供給出口 16b的附近時，控制器7使第二氣體控制器17b啟動從第二供給出口 16b的氣體15的供給(步驟S226 ;參見圖8G)。控制器7現(xiàn)在繼續(xù)執(zhí)行控制以通過晶片臺架5將目標壓射區(qū)域30b移動到按壓位置(步驟S227 ;參見圖8H)。然后，控制器7執(zhí)行控制以過渡到包含模子按壓步驟、固化步驟和模子釋放步驟的一系列的圖案形成步驟(步驟S228)。然后，控制器7判斷是否在這種情況下的所有目標壓射區(qū)域30a和30b上完成了圖案形成(步驟S216)。然后控制器7關(guān)于所有的目標壓射區(qū)域30判斷是否在目標壓射區(qū)域30b以外的滿足條件Dl <D2的目標壓射區(qū)域上完成了圖案形成(步驟S229)。這里，同樣，雖然當關(guān)于圖8A?8H所示的例子考慮時目標壓射區(qū)域30b是僅有的滿足條件Dl <D2的一個，但在目標壓射區(qū)域30的數(shù)量是三個或更多個的情況下，還可能存在還沒有進行圖案形成的目標壓射區(qū)域30b以外的目標壓射區(qū)域。在這種情況下(“否”)，控制器7執(zhí)行控制以返回到步驟S227，在該步驟S227中，關(guān)于剩余目標壓射區(qū)域?qū)嵤﹫D案形成。另一方面，在確定已在滿足條件DlS D2的所有的目標壓射區(qū)域30上完成了圖案形成(“是”)的情況下，控制器7使第二氣體控制器17b終止從第二供給出口 16b的氣體15的供給(步驟S230)。在這種情況下，控制器7然后也執(zhí)行控制以過渡到諸如判斷是否在晶片11上存在接下來要處理的多個目標壓射區(qū)域(目標壓射區(qū)域組)的步驟的隨后步驟。
[0054]以這種方式，根據(jù)本實施例，可在單次氣體供給中在晶片11上的多個目標壓射區(qū)域30上連續(xù)形成圖案。S卩，由于作為施加位置的液滴排出單元24正下方的位置與作為按壓位置的圖案部分8a正下方的位置之間的目標壓射區(qū)域30的移動大大減少，因此壓印裝置I可表現(xiàn)與第一實施例相同的效果并且可進一步提高生產(chǎn)率。
[0055](物品制造方法)
[0056]作為物品的器件(半導體集成電路元件或液體顯示元件等)的制造方法可包括通過使用上述的壓印裝置在基板(晶片、玻璃板或膜狀基板等)上形成圖案的步驟。并且，制造方法可包括蝕刻形成了圖案的基板的步驟。當制造諸如構(gòu)圖的介質(zhì)(存儲介質(zhì))或光學元件等的另一物品時，制造方法可包括處理上面形成了圖案的基板的另一步驟，以替代蝕刻步驟。與常規(guī)的物品制造方法相比，本實施例的物品制造方法至少在物品的性能、質(zhì)量、生產(chǎn)率和制造成本中的一種上具有優(yōu)點。
[0057]雖然已參照示例性實施例說明了本發(fā)明，但應理解，本發(fā)明不限于公開的示例性實施例。所附權(quán)利要求的范圍應被賦予最寬的解釋以包含所有這樣的修改以及等同的結(jié)構(gòu)和功能。
[0058]本申請要求在2012年2月27日提交的日本專利申請N0.2012-039813的權(quán)益，在此通過引用并入其全部內(nèi)容。
【權(quán)利要求】
1.一種壓印裝置，所述壓印裝置通過模子使基板上的未固化的樹脂成形和固化，并在基板上形成固化的樹脂圖案，所述壓印裝置包括: 施加單元，所述施加單元向基板上的壓射區(qū)域施加未固化的樹脂； 基板保持單元，所述基板保持單元保持和移動基板，并且包含輔助板，所述輔助板設(shè)置在基板的周邊而使得表面聞度與基板的表面聞度對齊； 氣體供給單元，所述氣體供給單元包含多個供給出口，當模子按壓被施加到壓射區(qū)域的未固化的樹脂時，伴隨從施加單元的施加位置到進行按壓的按壓位置的通過基板保持單元的驅(qū)動的壓射區(qū)域的移動，所述氣體供給單元向模子與基板之間的間隙空間供給氣體；和 控制器，所述控制器選擇用于供給氣體的供給出口，以使得在被施加了未固化的樹脂的壓射區(qū)域向按壓位置移動的同時多個供給出口之中的供給氣體的供給出口與基板或輔助板對置，并且所述控制器控制壓射區(qū)域的移動方向。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的壓印裝置，其中，控制器基于與基板上的經(jīng)受按壓的壓射區(qū)域的位置有關(guān)的條件執(zhí)行控制，以切換供給氣體的供給出口以及壓射區(qū)域的移動方向。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的壓印裝置，其中， 所述多個供給出口包含沿壓射區(qū)域的移動方向設(shè)置在施加位置與按壓位置之間的第一供給出口，并且， 所述條件與第一距離和第二距離有關(guān)，所述第一距離關(guān)于壓射區(qū)域的移動方向從壓射區(qū)域起、從施加位置到基板或輔助板的向著按壓位置的方向的相反側(cè)的端部，所述第二距離從按壓位置到第一供給出口。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的壓印裝置，其中，在第一距離大于第二距離的情況下，在施加了未固化的樹脂的壓射區(qū)域移動到按壓位置時，控制器執(zhí)行控制以通過第一供給出口供給氣體。
5.根據(jù)權(quán)利要求3的壓印裝置，其中，在第一距離等于或小于第二距離的情況下，當施加了未固化的樹脂的壓射區(qū)域移動超過第二供給出口的供給位置、壓射區(qū)域的移動方向隨后反轉(zhuǎn)、并且壓射區(qū)域移動到按壓位置時，控制器執(zhí)行控制以通過第二供給出口供給氣體。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的壓印裝置，其中，控制器使施加單元向基板上的多個壓射區(qū)域施加未固化的樹脂，并使得在向間隙空間供給氣體的同時連續(xù)地在多個壓射區(qū)域上執(zhí)行按壓。
7.—種壓印方法，所述壓印方法通過模子使基板上的未固化的樹脂成形和固化，并且所述壓印方法在基板上形成固化的樹脂的圖案，所述壓印方法包括: 向基板上的壓射區(qū)域施加未固化的樹脂； 伴隨從施加未固化的樹脂的位置到模子按壓被施加于壓射區(qū)域的未固化樹脂的按壓位置的壓射區(qū)域的移動，向模子與基板之間的間隙空間供給氣體；和 選擇供給氣體的供給出口，使得基板或輔助板與能夠供給氣體的多個供給出口之中的供給氣體的供給出口對置，并且壓射區(qū)域的移動方向被控制，所述輔助板被設(shè)置在基板的周邊而將表面聞度與相關(guān)的基板對齊。
8.一種物品制造方法，包括: 通過使用根據(jù)權(quán)利要求1的壓印裝置在基板上形成壓印材料圖案；和處理在所述形成中形成了圖案的基板。
9.一種物品制造方法，包括:通過使用根據(jù)權(quán)利要求7的壓印裝置在基板上形成壓印材料圖案；和處理在所述形成中形成了圖案的基板。
【文檔編號】B29C59/02GK104137224SQ201380010484
【公開日】2014年11月5日 申請日期:2013年2月26日 優(yōu)先權(quán)日:2012年2月27日
【發(fā)明者】中川一樹, 江本圭司 申請人:佳能株式會社